KR0140754B1 - 자외선을 흡수하는 석영밀폐체를 가지는 고온램프 - Google Patents

자외선을 흡수하는 석영밀폐체를 가지는 고온램프

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KR0140754B1 KR1019930002884A KR930002884A KR0140754B1 KR 0140754 B1 KR0140754 B1 KR 0140754B1 KR 1019930002884 A KR1019930002884 A KR 1019930002884A KR 930002884 A KR930002884 A KR 930002884A KR 0140754 B1 KR0140754 B1 KR 0140754B1
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제니 퍼램 토마스
레이크 바티맨 로버트
로버트 알렌 그레이
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제이 엘. 채스킨
제네랄 일렉트릭 캄파니
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Abstract

UV흡수 도우펀트로서 티타늄 이산화물과 세륨 산화물을 함유하는 용융 석영은 자외선과 가시광선을 방출하는 할로겐 백열 램프 및 할로겐화 금속물 아크 방전 램프와 같은 고온 램프의 램프 밀폐체로 특히 효과적임을 알게 되었다. 동시 도우핑된 석영은 가시광선을 투과시키고 방출된 자외선의 상당 부분을 흡수한다.
UV흡수는 500℃보다 높은 온도에서 더 활발하고 동시 도우핑된 석영은 내부 충진물과 반응하지 않는다.

Description

자외선을 흡수하는 석영 밀폐체를 가지는 고온 램프
제1도는 티타늄 이산화물과 세륨 산화물로 동시 도우핑된 용융 석영의 UV투과 스펙트럼을 온도의 함수로서 도시하는 그래프.
제2(a)도는 도우핑되지 않은 용융 석영 램프 밀폐체와, 티타늄 이산화물 및 세륨 산화물로 동시 도우핑된 용융 석영 램프 밀폐체를 갖는 제2(b)도에 개략적으로 도시한 램프 및 반사기 조립체의 UV방출 스펙트럼을 도시하는 그래프.
제3(a)도는 도우핑되지 않은 용융 석영 아크 챔버와, 티타늄 산화물 및 세륨 산화물로 동시 도우핑된 용융 석영 아크 챔버를 갖는 할로겐화 금속물 아크 램프의 UV투과 스펙트럼을 도시하는 그래프이고, 제3(b)도는 사용되는 아크 램프를 개략적으로 도시한 도면.
제4도는 본 발명에 따라서 사용되는 보호체를 가진 아크 램프의 한 형태를 도시하는 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10:램프12:필라멘트
11:밀폐체26:외부 리드
17:압력시일부22:반사기
36:전극30:아크 램프
33:배꼽부50:보호체
본 발명은 고온에서 동작하고 가시광선과 자외선을 방출하는 광원을 갖는 램프로서, 이 광원이 세륨(ceria)과 티타늄(titania)으로 동시 도우핑되어 자외선(UV)을 흡수하는 석영 밀폐체로 에워싸인 램프에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 램프 동작 동안 적어도 500℃의 온도에 있게 되고, 자외선과 가시광선을 방출하는 광원을 수용하는 산화 세륨 및 이산화 티타늄으로 동시 도우핑된 UV흡수 용융 석영 밀폐체를 포함한 램프에 관한 것이다.
알려진 바와 같이, 용융 실리카(fused silica)나 용융 석영은 가시광의 우수한 투과성 및 약 1100℃까지의 고온 동작에서의 내열성을 갖기 때문에, 가스 방전 램프 및 할로겐 백열 램프와 같은 고강도 램프용의 광 투과성 유리질 밀페체 재료로서 사용된다. 그러나, 텅스텐-할로겐 램프와 같이, 거의 모든 아크 방전 램프 및 많은 고강도 필라멘트 램프는 사람 눈과 피부에 해롭고 직물, 플라스틱 및 페인트를 퇴색시키고 램프치구 및 렌즈에 사용되는 여러 유형의 플라스틱을 누렇게 변색시키고/시키거나 흐려지게 하는 자외선을 방출한다. 용융 석영은 자외선에 대해 우수한 투과체이므로, 용융 석영으로 형성된 램프 밀폐체가 아크 또는 필라멘트 광원을 에워싸고 있어도 방사선의 방출을 차단하지는 못한다. 그 결과, 자외선과 가시광선을 방출하는 광원을 자외선 흡수물질, 또는 도우펀트를 함유하는 용융 석영 또는 유리의 밀폐체로 에워싸 램프 밀폐체 그 자체가 광원에서 방출되는 자외선을 흡수하게 한 램프가 개발되었다. 과거에 개발된 실례로는 미국 특허 제2,895,839호, 제3,148,300호, 제3,848,152호, 제4,307,315 및 제4,361,779호에 기재된 것들이 있다. 이들은 예시적인 것으로서, 한정하는 의미를 갖지는 않는다. 그러나, 램프 동작 동안 500℃ 보다 높은 온도로 가열되고, 380~750㎚의 파장에서의 가시광선 흡수가 최소로 되며 200~380㎚의 파장에서 자외선을 흡수하는 램프 밀폐체로서 유용한 유리질 물질이 여전히 요구된다. 그런 물질은 균질의 무색 유리물질이어야 하며, 도우펀트는 도우핑된 램프 밀폐체와 금속 할로겐화물 및 아크 방전 램프 및 할로겐 백열 램프에 존재하는 기타 다른 화학물질 사이의 화학반응을 최소화하거나 피할 수 있는 것이어야 하고 그 정도의 양으로 되어야 한다. 500℃를 초과한 온도에서 사용한 물질의 능력은 도우펀트에 의해 악화되어서는 안된다. 그렇지 않으면, 그 물질은 고온 램프에 대해 무용하게 될 것이다.
UV흡수 도우펀트로서 티타늄 이산화물과 세륨 산화물을 함유하는 용융 석영으로 만든 램프 밀폐체는 고온에서 유용하고, 가시광선을 투과시키고, 자외선을 흡수하되 500℃보다 낮은 온도에서보다는 500℃보다 높은 온도에서 더욱 많이 흡수한다는 것이 발견되었다. 따라서, 본 발명은 UV를 방출하는 광원을 티타늄 이산화물과 세륨 산화물을 UV도우펀트로서 함유하는 UV흡수 및 가시광 투과의 용융석영 밀폐체로 봉입하거나 에워싼 고온 램프에 관한 것이다. 자외선의 광원은 전극이 있거나 전극이 없는 아크 방전원일 수도 있고, 또는 백열 필라멘트일 수도 있다. 용융 석영은 적어도 96중량%, 바람직하게는 적어도 99중량%의 높은 SiO2함량을 갖는 석영을 의미한다.
티타늄 이산화물과 세륨 산화물의 UV흡수물질로 동시 도우핑된 용융 석영은 적절한 양의 고순도 천연 석영 모래와 아세톤에 슬러리화된 분말 형태의 시약 등급 티타늄 이산화물(TiO2) 및 세륨 이산화물(CeO2)을 혼합함으로써 준비되었다. 도우핑되지 않은 용융 석영과, 티타늄 이산화물 및 세륜 산화물로 동시 도우핑된 용융 석영을 만들기 위해 사용한 석영 분말의 대표적인 불순물 레벨은 아래 테이블에 나타나 있다.
램프 밀폐체를 제조하는데 유용한 관의 형태를 취하는 이러한 순물질의 도우핑되지 않은 용융 석영은 GE214 용융 석영으로 명명되며, 오하이오주 클리브랜드에 소재하는 GE Lighting사로부터 구입이 가능하다.
동시 도우핑된 석영을 제조함에 있어서, 석영 모래, TiO2, 및 CeO2의 슬러리를 그것이 균질하게 될 때까지 분쇄했고, 그 결과의 마른 분말을 수소 분위기에서 2000℃로 두 시간 동안 용융시켜 동시 도우핑된 용융 석영을 형성했다. 램프는 도우핑되지 않은 석영과 도우핑된 석영으로부터 제조했다. 이 절차를 사용하여 티타늄 이산화물과 세륨 산화물을 함유하는 동시 도우핑된 용융 석영의 배치(batch)를 다음과 같이 전체 석영 조성물의 백만분의 1무게(wppm)로 표시한 티타늄 및 세륨의 양을 포함하게 제조했다. 이들 측정치는 티타늄 및 세륨 원소의 존재량을 나타내고 있으나, 용융 석영에 있어서 이들 원소는 각기 티타늄 이산화물 및 세륨 산화물의 형태를 취한다.
배치 A를 사용하여 제3(b)도에 도시된 형태의 할로겐화 금속물 방전 램프를 제조한 경우, 아크 챔버 벽 부분은 램프의 동작 동안 약 925℃의 온도에 도달했다. 배치 B를 사용하여 제2(b)도에 도시된 형태를 포함하는 텅스텐 할로겐 백열램프의 유리 밀폐체를 제조한 경우, 밀폐체의 온도는 램프의 동작 동안 약 550℃에서 900℃범위의 온도에 이르렀으며(와트량에 따라 달라짐), 배치 C를 제4에 도시된 형태의 금속 할로겐화물 아크 방전 램프의 보호체 부분과 낮은 와트량의 텅스텐 할로겐 램프에 사용한 경우, 석영의 온도는 약 550~650℃에 이르렀다.
용융 석영 내의 티타늄 이산화물과 세륨 산화물 도우펀트의 전체 양은 두 요소에 의해 결정된다. 한 요소는 램프 밀폐체 내의 분위기 또는 충진제와 용융 석영 내에 존재하는 티타늄 및 세륨의 반응이고, 다른 요소는 램프 동작 동안 용융 석영에 의해 도달되는 온도이다. 전자의 경우에, 램프 밀폐체와의 반응은 변색, 루멘(lumen)손실, 램프 수명 단축 및 실투현상(devitrification)을 초래할 수 있는 반면, 후자의 경우에, 도우펀트 양의 증가는 실투현상, 왜곡이나 새깅(sagging) 및 용융으로 인해 용융 석영의 적합한 작업 온도를 감소시킨다. 동시 도우핑된 용융 석영을 제조하는데 사용된 티타늄 이산화물과 세륨 산화물의 최적양은 각각의 특정 경우에 대하여 실무자에 의해 결정되어야 한다. 용융 석영 내의 티타늄과 세륨의 전체 양은(i)동시 도우핑된 석영이 램프 동작 동안 약 1100℃의 온도에 도달할 경우 0.3중량%, (ii)약 800℃에서 0.5중량%를 초과하지 않아야 한다. 이것은 예시적인 것으로서, 한정하는 의미를 갖지는 않는다. 최종적으로, 석영 내에 티타늄의 원자가 +4이며 +2가 아니라는 점이 중요하다. 티타늄의 원자가가 +4보다 작은(즉, TiO에서처럼 +2인) 경우, 석영의 색깔이 맑고 투명하지 않으며, 검게 된다. TiO2양의 상한은 용융 석영 제작 공정에 의해 다소 조절된다. 동시 도우핑된 용융 석영을 수소 감소 분위기에서 제조한 경우, 티타늄이 500wppm을 초과했을 때(즉, 1000wppm로 되었을 때), 석영의 색깔이 검게 되었다.
사용된 세륨 산화물은 Ce2O3, CeO2또는 이들의 혼합물일 수 있다. 최종적으로, 티타늄 이산화물 및 세륨 산화물 도우펀트는 알콕시드(alkoxide), 졸(sol) 또는 겔(gel)과 같은 유기금속 화합물을 포함하는 하나 또는 그 이상의 적절한 선구물질(precursor)에 의해 그 전체가, 또는 일부분이 대체될 수도 있다.
제1도는 500wppm의 티타늄 및 400wppm의 세륨으로 동시 도우핑된 용융석영에 대한 자외선 투과 스펙트럼을 석영 온도의 함수로서 나타내는데, 이는 0.7㎜벽 두께의 용융 석영관을 220~500㎚의 파장으로 분광 광도계를 사용하여 50㎝거리에서 측정한 것이다. 티타늄 및 세륨은 티타늄 이산화물 및 세륨 산하물로서 석영 내에 존재한다. 이 스펙트럼은 UV에 감응하는 광전 증배 검출관으로 220㎚로부터 500㎚의 파장까지 기록하였다. 동시 도우핑된 용융 석영의 온도를 증가시킬 경우 대체로 230~280㎚ 파장 사이에서 UV흡수는 증가하고 UV투과는 감소함을 쉽게 알 수 있다.
제2(a)도는 제2(b)도에 도시된 것과 같은 램프 및 반사기 조립체로부터 전방으로 반사되는 UV방출 스펙트럼을 측정하고 계산하여 도시한 것이다. 제2(b)도를 참조하면, 필라멘트(12) 및 용융 석영 밀폐체(11)내에 기밀 시일된 할로겐 충전물(도시되지 않음)을 갖는 할로겐 백열 램프(10)는 전방 광 반사 표면(23)을 갖는 유리반사체(22)의 후방 돌출 노우즈부(20)내에 시멘트(24)에 의해 고착된다. 필라멘트(12)는 본 기술분야의 기술자에게 잘 알려져 있는 바와 같이 램프(10)의 압력시일부(17)내의 몰리브덴 박막시일(16, 16')에 의해 외부 리드(26, 26')와 전기적으로 연결된다. 반사기의 최대 내부 직경은 2인치이다. 제2(a)도의 데이터는 2930°K의 필라멘트 온도에서 동작하는 램프(10)와, 각기 티타늄 이산화물과 세륨 산화물 형태를 취하는 500wppm의 티타늄과 4000wppm의 세륨을 함유하는 도우핑된 GE214용융 석영 램프관과, 도우핑되지 않은 용융 석영관으로 구성된 램프 밀폐체(11)에 기초하고 있다. .제2(a)도를 참조하면, 곡선 A는 도우핑되지 않은 석영 램프 밀폐체에 대하여 반사기(22)의 전방으로 투사되는 자외선을 측정 도시한 것이고, 곡선 B는 도우핑되지 않은 밀폐체의 측정된 투과도를 근거로 해서 500wppm의 티타늄과 4000wppm의 세륨으로 동시 도우핑된 용융 석영 램프 밀폐체(11)에 대하여 계산한 스펙트럼이다. UV방출에 있어서 상당한 차이가 있음이 명백하다. 또한, 도우핑되지 않은 석영의 NIOSH 홍반(Erythema) 및 결막(Conjunctivitus)(NIOSH EC)값은 단지 0.65시간이었고, 이에 반해 동시 도우핑된 석영을 사용한 NIOSH EC값은 10시간이었다. 따라서, 동시 도우핑된 석영을 사용한 램프 및 반사기 조립체가 도우핑되지 않은 석영을 사용한 것보다 15배 더 안전하다. NIOSH EC값은 작업장에서 UV에 대한 작업자의 노출한계를 기술하는 계산된 수치로서 작업자에 미치는 UV레벨을 말한다. 이것은 1973년에 U.S. Department of Health, Education and Welfare가 공표한 미국 정부 서류 NIOSH 73-1109의 Criteria for a Recommended Standard, Occupational Exposure to UV에 의해 규정된다. 본 명세서에 언급된 NIOSH EC값은 홍반 및 결막, 즉, 피부 및 눈의 손상에 대하여 방출 UV선속을 가중화(weighting)함으로써 계산한 UV노출 시간에 관련된다. 이 값은 8시간보다 커야 한다. 이 측정값은 효과적인 NIOSH EC 노출시간을 계산하기 위한 NIOSH EC가중 인자들의 스펙트럼 전려갸마이크로와트/sq. cm/㎚)에 관련된다.
제3(a) 도는 도우핑되지 않은 GE214 램프관과 500wppm의 티타늄 및 2000wppm의 세륨을 함유한 티타늄 이산화물 및 세륨 산화물로 동시 도우핑된 용유석영 램프관으로부터 제작된 100와트 할로겐화 금속물 아크 램프의 UV방출을 도시하는 그래프이다. 이 램프는 제3(b)도에 개략적으로 도시한 형태를 갖는다. 제3(b)도를 참조하면, 아크 램프(30)는 한 쌍의 이격된 전극(36), 불황성 가스, 수은 및 할로겐화 금속물(도시되지 않음)을 수용하는 아크 챔버(32)를 구비한다. 전극(36)의 일단부는 핀치(pinch) 시일 단부(34)내에 기밀하게 핀치 시일된 몰리브덴 박막 시일에 용접되어 있다. 외부 리드(40)는 각 몰리브덴 박막 시일(38)의 다른 단부에 납땜되어 전기를 전극(36)에 제공한다. 아크 챔버(32) 및 관부(34)는 본 기술분야의 기술자에게 잘 알려져 있는 바와 같이, 단일의 용융 석영관으로부터 형성된다. 배꼽부(33)는 배기관(도시되어 있지 않음)을 통해 아크 챔버로부터 공기를 빼내고 배기관을 통해 필요기체를 채운 후에 배기관을 잘라냄으로써 남게 되는 부분이다. 이러한 유형의 램프는 상술된 바와 같이 도우핑되지 않은 용융 석영관과 티타늄 이산화물 및 세륨 산화물로 동시 도우핑된 용융 석영관을 사용하여 만들었다. 아크 챔버는 한 쌍의 전극, 아르곤, 수은 및 소듐과 스캔듐 요오드화물의 혼합물을 수용하는 1cc의 용적 및 1㎜의 벽 두께를 갖는 22㎜×12㎜타원 형태로 했다. 아크관은 100V 및 1.2암페어로 동작시켰다. 제3(a)도는 양 램프의 UV방출 스펙트럼을 나타낸 것으로, 이로부터 알 수 있듯이, 도우핑되지 않은 용융 석영으로부터 형성한 램프와 티타늄 이산화물 및 세륨 산화물로 동시 도우핑된 용융 석영으로부터 형성한 램프는 UV방출에 있어서 큰 차이를 나타낸다. 아크 챔버의 벽은 램프 동작 동안 약 900℃였다. UV스펙트럼은 전술한 바와 같이 측정했다. NIOSH EC시간을 적용했을 때, 동시 도우핑된 용융 석영으로부터 형성한 램프는 도우핑되지 않은 용융 석영으로부터 형성한 램프에 비해 그 20배를 초과하는 허용가능 노출시간을 나타냈다.
제4도는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 것으로, 여기서 아크 방전 램프는 동시 도우핑된 용융 석영 보호체 내에 수용된다. 동시 도우핑된 보호체를 사용할 경우, 그 보호체가 아크 램프의 용융 석영 밀폐체와 같이 뜨겁게 되지 않기 때문에 용융 석영에 더욱 많은 양의 티타늄 이산화물 및 세륨 산화물을 사용할 수 있다. 제4도를 참조하면, 할로겐화 금속물 아크 방전 램프(30)는 밀폐체(52)를 포함하는 보호체(50)내에 기밀하게 봉입되고, 이 램프는 티타늄 이산화물 및 세륨 산화물로 동시 도우핑된 용융 실리카로 구성되는 밀폐체(52)를 포함한다. 밀폐체(52)는 램프 리드(40)에 부착된 일단부와 외부 리드(58)에 부착된 타단부를 가진 몰리브덴 박막 시일(56)에 걸쳐 핀치 시일에 의해 양 단부(4)에 기밀 시일된다., 공간(60)은 진공상태이거나, 하나 또는 그 이상의 노우블 가스(noble gas), 질소 등과 같은 적절한 가스를 함유할 수도 있다. 보호성 밀폐체(5)는 램프의 동작 동안 램프 밀폐체(즉, 800~1100℃)와 같이 뜨겁지 않기 때문에(즉, 550~650℃), 상술한 램프 밀폐체에 사용될 수 있는 것보다 더 많은 양의 도우펀트가 사용될 수 있다. 그 결과, 램프가 방출하는 자외선은 더 많이 흡수될 수 있고 주변 대기 중에 방출되는 자외선의 양은 더 적게 된다. 제4도에 도시된 유형의 일반적 구조를 갖되 도우핑된 보호체가 없는 램프는 현재 상업적으로 사용되고 있고, 한 예로서, 미국 특허 제4,935,668호에 개시되어 있다. 다른 실시예에 있어서는, 램프 밀폐체와 보호체를 본 발명에 따라 동시 도우핑된 용융 석영으로 할 수도 있는데, 이렇게 하면, 전술한 바와 마찬가지로, 주변 대기로 방출되는 자외선이 더 적게 될 것이다.
상술한 내용은 예시적인 것으로서, 본 발명의 범위를 제한하는 것이 아니다. 다른 실시예로서는 무전극 아크 방전 램프와 같은 것이 본 기술분야의 기술자에 의해 인식될 수 있는데, 이 경우 아크 챔버는 본 발명에 따라 동시 도우핑된 용융 석영으로부터 제조된다. 또한, 본 발명에 따르면 램프가 아크나 필라멘트 챔버의 벽에 배치된 박막 광학 간섭 필터를 갖게 해서 방출광의 색깔을 달라지게 하거나 필라멘트 또는 아크쪽으로 적외선을 반사시켜 가시광선을 전달케 할 수도 있다.

Claims (11)

  1. 백열 또는 아크 방전 램프에 있어서, 자외선과 가시광선 모두를 방출하는 광원을 포함하여, 상기 광원은 자외선 흡수 및 가시광 투과성의 용융 석영 밀폐체로 둘러싸이며, 상기 밀폐체는 티타늄 이산화물과 세륨 산화물로 동시 도우핑되어 220에서 340㎚사이의 상기 자외선의 최소한 80%를 흡수하며, 상기 밀폐체는 상기 램프의 동작 동안 500℃보다 높은 온도에 있게 되는 백열 또는 아크 방전 램프.
  2. 용융 석영 밀폐체 내에 기밀하게 시일된 텅스텐 필라멘트 광원을 가지는 백열 램프에 있어서, 상기 광원은 자외선과 가시광선을 방출하며, 상기 용융 석영 밀폐체는 티타늄 이산화물과 세륨 산화물로 동시 도우핑되어 상기 광원에 의해 방출되는 220에서 340㎚사이의 상기 자외선의 최소한 80%를 흡수하며, 상기 밀폐체는 상기 램프의 동작 동안 500℃보다 높은 온도에 있게 되고, 최소한 하나의 할로겐이 상기 밀폐체 내에 봉입되며, 상기 세륨 산화물은 본질적으로 CeO2, Ce2, O2와 그 혼합물들로 구성된 집합에서 선택되는 백열 램프.
  3. 제2항에 있어서, 상기 티타늄 이산화물과 상기 세륨 산화물 내에 존재하는 티타늄과 세륨의 양은 상기 용융 석영 조합물의 0.5중량%를 초과하지 않는 램프.
  4. 아크 방전 램프에 있어서, 자외선과 가시광선 모두를 방출하며 용융 석영 아크 챔버 내에 봉입된 아크 방전을 포함하고, 티타늄 이산화물과 세륨 산화물로 동시 도우핑된 용융 석영 보호체는 상기 아크 챔버를 둘러싸 상기 아크 방전에 의해 방출되는 220에서 340㎚사이의 상기 자외선의 최소한 80%를 흡수하고, 상기 보호체는 램프의 동작 동안 500℃보다 높은 온도에 있게 되는 아크 방전 램프.
  5. 자외선과 가시광선 모두를 방출하며 자외선 흡수 및 가시광 투과성을 갖는 용융 석영 밀폐체로 둘러싸인 광원을 포함하며, 상기 밀폐체는 혼합하여 최소한 2500ppm(백만분의 1단위)의 티타늄 이산화물과 세륨 산화물로 동시 도우핑되어 상기 자외선의 최소한 일부를 흡수하며, 상기 밀폐체는 램프의 동작 동안 500℃보다 높은 온도에 있게 되는 램프.
  6. 자외선과 가시광선 모두를 방출하며 자외선 흡수 및 가시광 투과성을 갖는 용융 석영 밀폐체로 둘러싸인 광원을 포함하며, 상기 밀폐체는 티나늄 이산화물과 최소한 2000ppm의 세륨 산화물로 동시 도우핑되어 220에서 340㎚까지 파장의 상기 자외선의 최소한 일부를 흡수하며, 상기 밀폐체는 램프의 동작 동안 500℃보다 높은 온도에 있게 되는 램프.
  7. 최소 하나의 할로겐과 함께 용융 석영 밀폐체 내에 기밀하게 시일된 필라멘트로 이루어진 광원을 포함하고, 상기 광원은 자외선과 가시광선을 방출하며, 상기 용융 석영 밀폐체는 혼합하여 최소한 2500ppm의 티타늄 이산화물과 세륨 산화물로 동시 도우핑되어 220에서 340㎚까지 파장의 상기 자외선의 최소한 80%를 흡수하며, 상기 밀폐체는 상기 램프의 동작 동안 500℃보다 높은 온도에 있게 되는 램프.
  8. 제7항에 있어서, 상기 밀폐체는 최대 약 500ppm의 티타늄 이산화물로 동시 도우핑된 램프.
  9. 자외선과 가시광선 모두를 방출하며 자외선 흡수 및 가시광 투과성을 갖는 용융 석영 밀폐체로 둘러싸인 광원을 포함하여, 상기 밀폐체는 티나늄 이산화물과 최소한 약 2000ppm의 세륨 산화물로 동시 도우핑되어 약 220에서 340㎚까지 파장의 상기 자외선의 최소한 80%를 흡수하고, 상기 밀폐체는 램프의 동작 동안 500℃보다 높은 온도에 있게 되는 램프.
  10. 자외선과 가시광선 모두를 방출하며 자외선 흡수 및 가시광 투과성을 갖는 용융 석영 밀폐체로 둘러싸인 광원을 포함하며, 상기 밀폐체는 혼합하여 최소한 2500ppm의 산화물 형태로 된 티타늄과 세륨으로 도우핑하여 형성되어 약 220에서 약 340㎚사이의 파장의 상기 자외선의 최소한 80%를 흡수하며, 상기 밀폐체는 램프의 동작 동안 500℃보다 높은 온도에 있게 되는 램프.
  11. 자외선과 가시광선 모두를 방출하며 자외선 흡수 및 가시광 투과성을 갖는 밀폐체로 둘러싸인 광원을 포함하며, 상기 밀폐체는 수소 감소 환경에서 준비된 용융 석영으로 구성되고, 상기 용융 석영은 티타늄 이산화물 형태로 된 티타늄 최대 약 500ppm과 세륨 산화물 형태의 세륨 최소 약 2000ppm으로 동시 도우핑되어 약 220에서 340㎚사이 파장의 상기 자외선의 최소한 80%를 흡수하며, 상기 밀폐체는 램프의 동작 동안 500℃보다 높은 온도에 있게 되는 램프.
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