KR0139620B1 - 오염되지 않은 공정처리 시스템 - Google Patents

오염되지 않은 공정처리 시스템

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KR0139620B1 KR1019920014809A KR920014809A KR0139620B1 KR 0139620 B1 KR0139620 B1 KR 0139620B1 KR 1019920014809 A KR1019920014809 A KR 1019920014809A KR 920014809 A KR920014809 A KR 920014809A KR 0139620 B1 KR0139620 B1 KR 0139620B1
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프란시스 브레스토반스키 데니스
스테판 노워타르스키 마르크
플랜트 월터
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티모티 엔. 비숍
프랙스에어 테크놀로지, 인코포레이티드
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Abstract

가공물을 오염되지 않고 선별된 가스의 분위기에서 공정처리하기 위한 장치 및 방법. 예비용기는 가공물을 받아들이기 위한 개구부를 구비하며 확산체는 용기 개구부를 가로질러서 들어가고 용기를 씻어내고, 공기의 오염을 방지하는 선별된 가스의 층상 흐름막을 방출하기 위하여 배향되며, 운반체 상의 가공물은 오염공기가 씻겨지고 선별된 공기로 대체되는 예비용기로 전송된다.
공정처리 용기는 비슷한 가공물 입구 및 확산체를 구비한다. 예비용기 및 공정처리 용기의 개구부는 맞추어지며, 운반체는 공정처리 용기의 확산체에 의해서 제공된 선별된 가스 분위기 상태에서 가공물을 공정처리하기 위한 공정처리 용기로 운반된다.

Description

오염되지 않은 공정 처리 시스템
제1a도 내지 제 1e도는 다양한 작동 단계 동안에 본 발명에 따른 장치의 실시예를 도시한 수직 단면도.
제2도는 제1도에 도시한 실시예와 다른 실시예를 도시한 수직 단면도.
제3도는 제2도에 나타난 선 3-3을 따라 취한 장치의 단부도.
제4도는 제2도에 나타난 선 3-3을 따라 취한 장치의 변형 장치로서, 본 발명에 사용될 수 있는 확산체 형상을 도시한 단부도.
제5도 및 제6도는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 수직 단면도.
제7도 및 제8도는 일반적으로 분리가능한 성분들이 분리되어 있는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 수직 단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10:공정처리용기 12,20:개구부
14,22:확산체 16,23:방출면
18:예비용기 26:운반기
30:아암 52,54:배출포집기
62:트레일링 확산체
본 발명은 공정 처리 용기내, 특히 반도체 소자의 제조시에 사용되는 공정 처리 용기내에 오염되지 않은 분위기를 제공하기 위한 장치 및 방법 것에 관한 것이다.
반도체 소자 및 집적회로(IC)를 제조하기 위하여 사용된 많은 제조 단계들은 고도의 순수 가스 분위기가 공정 처리 용기내에 유지되어지는 것을 요구한다. 고체입자 및 증기상 오염, 즉, 해로운 습기 및 산소는 절대적으로 적게 유지되어져야 한다. 이러한 오염 물직들은 공기 중에 포함되므로, 용기속으로 공기 흡입은 최소화되어져야만 한다.
이러한 오염 물질에 의해서 강력하게 영향을 받는 공정 중에는 규화티탄의 형성을 진전시키기 위하여 질소 혹은 아르곤 분위기에서 티탄이 입혀진 실리콘 웨이퍼를 어닐링(annealing)하는 공정이 있다. 산소 및 습기의 양이 1 내지 5ppm 정도로 작게 유지되어도 불필요한 산화티탄을 형성시킬 수 있다. 또한, 바이폴라 에미터 구조를 형성하기 위하여 웨이퍼상의 노출된 실리콘상에 실리콘을 증착하는 것은 노출된 실리콘에 산화가 매우 민감하다. 공기가 낮은 압력하에서 공정 처리 용기에 초기부터 존재한다면, 산화는 노출된 실리콘 표면상에 형성되어서 장치의 성능을 저하시킬 수 있다.
공정 처리 용기로 유입되는 공기의 양, 즉, 이러한 현상과 야기할 수 있는 문제점들을 지배하는 힘은 집적회로 산업에서 완전히 인식되고 있지 않다. 가장 상업적인 반도체 장치는 일괄 처리 혹은 반일괄 처리 형식으로 가동된다. 적하된 하나 이상의 웨이퍼는 용기로 운반되어서 공정 처리되고 하역된다. 가동되는 모든 공정 단계 동안 다양한 공정 처리 용기내 분위기 순수도의 측정은 전형적으로 공정 처리 용기로 주변공기의 상당한 유입이 적하 및 하역 동안에 일어나며, 이것은 해로운 오염을 초래한다는 것을 알 수 있다.
공정 처리 용기는 보통 냉각 및 가열에 요구되는 오랜 시간 때문에 언제나 고온 상태에서 유지되어야 한다. 용기로의 공기의 유입을 일으키는 주요한 힘은 용기내의 냉각된 공기와 가열된 공기 사이의 부력 차이이다. 용기내의 가열된 공기는 용기의 상부를 향해 부상하게 되며, 냉각된 공기는 용기내에 있는 개구부를 통해서 용기의 하부를 향해 아래로 흐른다. 그래서, 용기는 가공물이 유입되거나 제거될 때 개방되며, 주변 공기가 많이 유입되고, 용기내 분위기는 심각하게 오염된다.
상업적인 실시에 있어서, 웨이퍼는 종종 개구부상의 보우트(boat), 즉, 동력화된 캔틸레버형 운반기에 놓여진다. 공정 처리 용기가 개방될 때, 운반기는 공정 처리 용기로 운반된다. 웨이퍼가 공정 처리 용기에 근접될 때, 웨이퍼는 공정 처리 용기에서 방사적으로 대류성인 열전달에 의해서 가열된다. 이 시점에서, 웨이퍼는 온도가 올라감에 따라 해로운 영향을 미치는 주변 공기 분위기하에 있게 된다. 그래서, 웨이퍼가 공정 처리 용기내로 들어갈 때 이들은 고온에 노출되고, 공정 처리 용기가 개방될 때 유입되는 산소, 습기 및 입자들의 고농도에 노출된다.
일단 용기가 밀폐되면 공정 처리 용기는 용기로부터 대기성 오염 물질을 씻어내기 시작한다. 그러나 100ppm 이하 수준까지 씻어냄은 수십분 걸린다. 그 결과, 공정 처리 시간이 많이 소요되고, 장치 용량은 감소하며, 공정 처리될 웨이퍼당 제조 단가는 증가하게 된다.
씻어내는 문제점은 저압 혹은 진공 용기에서 더욱 심각하다. 여기에서, 흡입되는 공기 중 습기는 용기의 내부면 및 다른 노출된 부분 모두에 흡입된다. 진공하에서 습기 제거는 어렵고 느리다.
본 발명의 목적은, 공정 처리 용기 및 가공물 예비 용기내에 선별된 가스의 오염되지 않은 분위기를 만들기 위한 개선된 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 주변 공기 농도를 상당히 감소시킨 분위기에서 반도체 및 집적회로 소자를 공정 처리하기 위한 개선된 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 특징은 용기내에 선별된 가스의 분위기를 제공하고 주변 공기의 유입을 방지하기 위하여 층상 유체막(fluid curtain) 흐름을 사용하는데 있다.
본 발명은 종래의 방법 및 장치와 비교하여 주변 공기의 농도를 감소시키며 짧은 시간내에 선별된 가스 분위기를 제공한다는 이점을 갖는다.
상기 목적, 특징 및 이점들은 선별된 분위기에서 가공물을 공정 처리 하기 위한 시스템인 본 발명에 의해서 수행되고, 상기 시스템은 가공물이 유입되는 개구부를 갖는 공정 처리 용기와 공정 처리 용기 개구부를 통하여 선별된 가스의 층상 흐름을 방출하기 위한 방출면을 갖는 확산체를 포함한다. 또한, 상기 시스템은 공정 처리 용기와 결합하는 개구부를 갖는 예비 용기 및 예비 용기 개구부를 통하여 선별된 가스의 층상 흐름을 방출하기 위한 방출면을 갖는 확산체를 포함한다. 예비 용기 개구부와 공정 처리 용기 개구부가 일치하도록 하기 위한 수단, 및 예비 용기 개구부와 공정 처리 용기 개구부가 결합할 때 가공물을 예비 용기로부터 공정 처리 용기로 운반하기 위한 수단을 포함한다.
가공물을 운반하는 수단은 보통 공기 분위기에서 가공물이 적하되고, 분위기성 온도에 있는 예비 용기로 운반되는 운반기 혹은 보우트로 구성된다. 이어서, 선별된 가스 흐름은 예비 용기의 개구부에 있는 확산체에서 시작하여, 공기 중의 예비 용기를 씻어낸다. 그래서, 가공물의 표면에 접촉하는 공기는 가공물이 분위기성 온도에 있는 동안 선별된 가스로 대체된다. 공기는 개구부에 있는 확산체로부터 공정 처리 용기로 방출되는 선별된 가스에 의해서 공정 처리 용기에서 비슷한 방식으로 씻겨진다. 예비 용기와 공정 처리 용기가 결합되는 동안, 가공물은 시스템으로 대기의 해로운 유입이 없이 공정 처리 용기로 운반된다.
다른 실시예에서, 시스템은 가공물이 유입되는 개구부를 갖는 확산체 및 개구부에서 떨어져서 공정 처리 용기내에 장착된 확산체를 포함한다. 확산체는 공정 처리 동안 가공물에 알맞도록 의도된 위치로 선별적인 가스의 층상 흐름을 방출하기 위한 방출면을 갖는다. 시스템은 가공물을 보유하고, 공정 처리 용기의 가공물 개구부로 가공물을 운반하기 위한 가공물 운반기 혹은 보트와 운반기를 공정 처리 용기로 운반하고 지지하기 위한 수단을 도 포함한다.
이러한 실시예의 한 변형은 운반기가 유입되는 동안 공정 처리 용기로 운반되도록 의도된 운반기 단부상에 장착된 트레일링 확산체(trailing diffuser)를 포함한다. 확산체는 가공물로부터 멀리 방출되도록 되어있고, 선별된 가스의 층상 흐름을 방출하는 방출면을 가지며, 공정 처리 용기와 결합 되도록 치수설정된다. 이러한 변형은 공기가 공정 처리 용기내로 유입되는 것을 더욱 효과적으로 방지한다.
다른 실시예에서, 운반기는 의도된 가공물 위치로 방출되는 리딩 확산체 및 의도된 가공물 위치로부터 멀리 방출되는 트레일링 확산체를 갖는다. 운반기, 확산체 및 가공물은 공정 처리 용기내에 결합되도록 치수설정 된다. 확산체에서 흘러나온 선별된 가스는 가공물이 공정 처리 용기내로 운반되기 전에 가공물의 표면을 씻어내며, 용기내로 가공물이 운반되는 동안 공정 처리 용기내에 선별된 가스의 분위기를 유지한다.
이제 도면을 참조하면, 제1a도 내지 제1e도는 선별된 가스 분위기 에서 가공물의 공정 처리를 위한 새로운 장치의 실시예이다. 제1a도에는 가공물에 알맞은 개구부(12)를 갖는 공정 처리 용기(10)가 도시되어 있다. 개구부에는 공정 처리 용기 개구부(12)를 통하여 선별된 가스의 층상 흐름을 방출하기 위한 방출면(16)을 갖는 확산체(14)가 인접하고 있다. 확산체 가스는 개구부를 통해서 공정 처리 용기내로 유입되어 주변 공기로 채워진 용기를 씻어내고, 주변 공기가 유입되는 것을 방지하며, 이에 의해서 공정 처리 용기내를 선별된 가스 분위기로 유지한다. 선별된 가스는 불활성 가스 혹은 처리 혹은 반응 가스 혹은 이들의 혼합 가스일 수 있다.
본 발명에 특히 적합한 공통적인 공정 처리 용기는 노관(furnace tube)이다. 용기 개구부는 용기가 일정한 압력하에서 혹은 진공하에서 작동될 수 있도록 덮개가 구비될 수 있다. 덮개가 개방될 때 확산체는 상기된 기능을 수행한다.
또한, 공정 처리 용기 개구부(12)와 결합하는 개구부(20)를 갖는 예비 용기(18)가 제공되어 있다. 예비 용기 개구부(20)에는 공정 처리 용기 개구부를 통하여 선별된 가스의 층상 흐름을 방출하기 위한 방출면(23)을 갖는 확산체(22)가 인접하고 있다. 예비 용기의 개구부에 있는 확산체는 예비 용기내로 유입되는 선별된 가스를 방출시키며, 주변 공기를 씻어내기 주변 공기가 유입되는 것을 방지하며, 이에 의해서 예비 용기내에 선별된 가스의 분위기를 제공한다.
배출 포집기(exhaust collector)(52,54)는 배출가스를 포집하도록 동작하며, 동작에 대해서는 이후에 상세히 설명될 것이다.
하나의 가공물 혹은 여러 가공물들은 운반기가 제1도에 도시된 위치에 있는 동안 운반기(26) 혹은 보우트상에 유지된다. 운반기(26) 및 가공물(24)들은 예비 및 공정 처리 용기내 가공물 개구부(12,20)에 들어가도록 치수 설정된다. 일반적으로, 운반기가 공정 처리 용기로 들어오는 중에 트레일링 하도록 의도된 운반기(26) 단부상에는 캔틸레버 형태로 운반기를 지지하는 아암(30)이 부착되어 있다. 아암은 가공물용 개구부와 떨어져서 예비 용기의 단부상에 있는 창구(32)를 통하여 돌출되어 있다. 창구를 통하여 아암을 조정하므로써, 가공물이 장착되어 있는 운반기는 예비 용기로 운반되며, 실질적으로 공정 처리 용기로 운반된다. 전형적으로 아암(30)과 창구(32) 사이에는 마찰성 접촉 및 입자의 생성을 피하기 위하여 클리어런스(clearence)가 제공되어 있다. 그러나, 어떤 경우에는 밀봉된다.
선택적으로, 유입구(34)는 공정 처리 용기내에서 가공물용 개구부에서 떨어진 단부에 제공된다. 선별된 가스는 이 유입구를 통하여 씻어내고 예비 용기내 분위기를 유지하는 것을 보조할 수 있다. 선별된 가스에 대해 유사한 유입구(36)가 예비 용기에 제공될 수 있다.
선별된 가스가 가공물 개구부와 떨어져서 단부상에 있는 예비 용기로 유입되기 위한 바람직한 구성은 제1e에 도시되어 있다. 이 구성은 예비 용기의 단부벽에 장착된 짧은 길이로 운반기와 아암을 연결하는 관(37)을 구성한다. 상기 관(37)은 직경이 약 0.1 내지 3 정도되도록 예비 용기내로 돌출되고, 직경이 약 2 내지 10정도되도록 예비 용기의 외부로 연장되어 있다. 운반기용 아암(30)은 관을 통해 지나가며 관내에서 가동될 수 있다. 상기 관의 내부 직경보다 운반기의 직경이 충분히 크기 때문에 예비 용기 및 공정 처리 용기로 들어가서 가공질을 떨어뜨리는 입자를 생성하는 마찰형 접촉은 피해진다. 상기 관(37)을 통해 유입되는 선별된 가스에 알맞은 입구는 예비 용기의 단부벽 가까이 있는 관(37)내로 삽입된 다른 관(39)에 의해 제공된다. 공급된 선별 가스의 일부는 관을 통해 대기로 흐르는 반면, 대부분의 선별 가스는 예비 용기내로 흐른다. 이러한 바람직한 구성은 공기중의 예비 용기를 씻어내는데 더욱 효과적이며, 개구부(36 및 32)를 구성하는 형상은 제1a도에 도시되어 있다.
제1b도에는 예비 용기내에 있는 가공물 운반기가 도시되어 있다. 선별된 가스는 예비 용기 개구부에 있는 확산체로부터 흐르며, 예비 용기의 단부에서 유입되는 가스는 예비 용기의 내부를 씻어낸다. 그래서, 가공은 대기 중 어떠한 해로운 가열없이 분위기 온도에 있는 동안 선별된 가스의 분위기를 제공한다.
예비 용기 개구부와 공정 처리 용기 개구부가 결합되기 전에, 선별된 가스는 공정 처리 용기의 개구부에 있는 확산체로부터 흐르며, 단부에서 유입되는 가스는 공정 처리 용기 내부를 씻어내기 시작한다. 이어서, 제1c도에 도시된 바와 같이, 예비 용기 개구부는 공정 처리 용기 개구부와 결합된다. 두 용기가 이러한 위치에 있게되면, 예비 용기내의 가공물은 공정 처리 용기로부터 열전달에 의해서 예열된다. 선별된 가스 분위기는 공정 처리 용기 및 예비 용기에 모두 존재하므로, 주변공기 중에서 가공물이 예열되는 것이 방지된다.
이어서, 가공물 운반기는 제1d도에 도시되어 있는 바와 같이 운반기에서 공정 처리 용기로 연장되어 있는 아암에 의해서 공정 처리 용기로 운반된다. 공정 처리 용기로 운반기의 유입시에 트레일링하도록 의도된 운반기(26)의 단부(28)에는 적어도 부분적으로 혹은 실질적으로 공정 처리 용기쪽에 있는 개구부를 밀폐하도록 작용하는 단부판(38)이 제공된다. 이것은 공정 처리 용기내의 선별된 분위기를 유지하는데 필요한 선별된 가스의 흐름을 감소시키거나 정지시킨다. 제1e도에 도시된 바와 같이, 예비 용기는 공정 처리하기 위한 공정 처리 용기내에 가공물을 남겨놓고서 공정 처리 용기에서 회수된다. 선별된 가스의 흐름은 필요하다면 변경될 수 있다. 즉, 불활성 가스의 흐름에서 공정 처리용 가스 흐름으로 변경될 수 있다.
제2도에는 공정 처리 용기의 가공물용 개구부에서 떨어진 단부에서 선별된 가스의 유입을 위한 선택적 구성이 도시되어 있다. 선별된 가스는 의도된 가공물 위치를 가로지르고, 가공물용 개구부를 향하여 공정 처리 용기내 선별된 가스의 층상 흐름을 지시하도록 배향된 내부 확산체(40)를 통해서 유입된다. 내부 확산체의 이용은 공정 처리 용기내 관 혹은 벽창구에서 선별된 가스를 배출하는 것보다 가공물을 에워싸고 공정 처리 용기내로 주변 공기의 유입을 방지하는데 더욱 효육적이다. 용기내 공기 농도의 최저수준이 달성될 수 있다. 예비 용기는 가공물용 개구부에서 떨어진 단부에 내부 확산체(44)가 유사하게 장착된다.
제5도에 도시되어 있는 확산체(40)와 같은 용기내 확산체, 혹은 제6도에 도시되어 있는 확산체(62,64)와 같이 운반기 위에 장착된 확산체는 환형, 원형, 디스크 혹은 다른 평면 기하학적 구성의 형태로 방출면을 가질 수 있다.
제3도에 도시되어 있는 바와 같이, 용기의 개구부에 있는 확산체는 원형(44)이나 또는 원형의 일부의 형태를 가질 수 있다. 원형 확산체의 방출면은 보호되는 개구부를 통하여 방사상 내부로 유체를 방출한다.
제4도에 도시되어 있는 바와같이, 용기의 개구부에 있는 확산체는 개구부에 인접되게 위치된 선형 세그먼트(46)의 형태를 갖는다. 확산체의 방출면은 보호되는 개구부를 통해 유체의 흐름을 방향설정한다. 개구부를 통하여 서로 정반대로 위치되어 있는 단일 또는 두개의 세그먼트가 사용될 수 있다. 개구부를 둘러싸는 4개의 세그먼트가 사용될 수 있다. 확산체 세그먼트는 용기 개구부에 장착된 판(48)상에 설치될 수 있다.
바람직하게, 용기 개구부에 있는 확산체는 확산체 하우징과 용기 개구부의 원주 사이에 공극 혹은 갭이 존재하지 않도록 설치된다. 그러므로, 원형 확산체 하우징과 확산체가 설치되어 있는 면 사이의 갭은 유체막으로 주변 공기의 유입을 방지하기 위하여, 제2도에 도시되어 있는 것처럼 장벽 혹은 시일(seal)(50)에 의해서 밀봉된다. 제4도에 도시된 바와 같이, 선형 세그먼트 형태를 하고 있는 확산체는 구멍을 갖는 판(48)상에 편리하게 장착될 수 있고, 이에 의해서 판은 용기 개구부에서 용기 주위와 결합된다. 시일은 판(48)과 확산체 하우징(46) 사이 및 판(48)과 용기(10) 사이에 제공된다. 판(48) 및 시일은 어떠한 갭도 제거하며, 확산체 하우징과 용기 사이에 공기의 유도된 흐름에 대한 장벽을 제공한다.
확산체에서 방출되는 선별된 가스는 산소를 포함하지 않으며, 이로인해 질식 상태를 초래하므로, 이러한 선별된 가스가 실내로 빠지는 것을 방지하는 것이 바람직하다. 그러므로, 공정 처리 용기 개구부에 있는 확산체를 둘러싸는 것은 확산체(14) 및 공정 처리 용기(10)의 개구부(12)에서 방출하는 선별된 가스를 모으기 위한 배출 포집기(52)이다. 또한, 예비 용기(18)의 개구부(20)에 있는 확산체(22)를 둘러싸는 것은 확산체(22) 및 예비 용기에서 발산되는 가스를 모으기 위하여 작용하는 유사한 배출 포집기(54)이다.
제3도에 도시된 배출 포집기는 원형 단면을 가진 도관의 세그먼트이거나 혹은 제4도에 도시되어 있는 바와 같이 직사각형 혹은 정사각형의 단면을 가진 도관의 세그먼트일 수 있다. 배출 포집기에 포집된 가스는 배출 포집기의 측면에 있는 배출구(56)를 통해서 빠져나간다. 배출구에는 약간의 진공 상태가 유지된다. 어떤 환경에서는, 포집된 배출 가스가 재순환 처리되어 재사용된다.
배출 중지에 의해 유체막의 분포를 감소시키는 바람직한 창구 구성이 제4도에 도시되어 있다. 창구는 흐름 저항 매체(58)를 구성하며, 이 매체를 통해서 배출되는 가스는 테이퍼(taper)진 형상의 관(60)으롤 들어간다. 흐름 저항 매체는, 예를 들면 메시(mesh) 기공성판 혹은 좁은 슬롯을 포함할 수 있다. 흐름 저항 매체에 의해서 뻗어 있는 앞면은 개구부의 중심이 각진 정점을 이루고 있는 용기 개구부면에 적어도 45°이상 연장되어 있는 것이 바람직하다. 용기 개구부를 대각선으로 가로질러 있는 두개의 배출구는 흐름막의 분포를 감소시킨다. 더욱 바람직하게는, 배출 포집기내의 흐름 저항 매체는 용기 개구부 주위를 360°뻗어 있다.
제5도에 도시되어 있는 다른 실시예에서, 장치는 가공물이 들어올 수 있는 개구부(12)를 갖는 공정 처리 용기(10) 및 개구부로부터 멀리 공정 처리 용기내에 설치되어 있는 내부 확산체(40)를 포함한다. 내부 확산체는 공정 처리 동안 가공물에 알맞도록 의도된 위치를 가로질러 가스의 층상 흐름을 방출한다. 또한, 장치는 공정 처리 용기(10)의 개구부 쪽으로 가공물을 보유하고 운반하기 위한 가공물 운반기(26)를 포함한다.
트레일링 확산체(62)는 운반기(26)가 공정 처리 용기(10)로 들어가는 동안 트레일링하도록 의도된 운반기 단부상에 장착된다. 트레일링 확산체(62)는 가공물로부터 멀리 가스의 층상 흐름을 방출하며 공정 처리 용기내에 있는 경우에는 공정 처리 용기내 가공물 개구부쪽으로 방출한다. 이런 방식에서, 트레일링 확산체는 공정 처리 용기내로의 공기의 유입을 방지한다. 본 실시예의 변형에서, 트레일링 확산체(62)는 운반기상의 의도된 가공물 위치쪽으로 선별된 가스의 층상 흐름을 방출한다. 그러나, 다른 변형에서는, 선별된 가스 흐름은 트레일링 확산체의 양면에서 방출된다.
운반기를 지지하고 전송하기 위하여, 아암(30)은 운반기의 트레일링 단부로부터 연장된다. 운반기의 트레일링 단부 근처의 아암(30)상에는 운반기가 용기내에 있을 때 공정 처리 용기내 개구부(12)를 적어도 부분적으로 밀폐시키도록 치수설정된 단부판(38)이 장착되어 있다.
본 장치의 다른 실시예가 제6도에 도시되어 있다. 본 실시예는 가공물(24)이 유입되는 개구부(12)를 갖는 공정 처리 용기(10) 및 공정 처리 용기 개구부를 통해서 가공물을 유지하고 운반하기 위한 가공물 운반기를 포함한다. 리딩(leading) 확산체(86)는 공정 처리 용기내로 운반기가 들어가는 동안 리드하기 위하여 의도된 운반기 단부상에 장착된다. 리딩 확산체는 가공물이 공정 처리 용기로 유입되기 전에 가공물을 둘러싸고 가공물 외부면이 주변 공기에 오염되지 않도록 의도된 가공물 위치쪽으로 선별된 가스의 층상 흐름을 방출한다. 트레일링 확산체(62)는 운반기가 가공 처리 용기내로 들어가는 동안 트레일링하도록 의도된 운반기 단부상에 장착된다. 트레일링 확산체는 가공물로부터 멀리 가스의 층상 흐름을 방출하도록 그리고 운반기가 용기내에 있는 경우에는 가공 처리 용기내 가공물용 개구부쪽으로 방출하고, 그로인해 공기가 용기내로 유입되는 것이 방지된다. 선택적으로 트레일링 확산체는 가공물을 향하여 층상 흐름을 방출한다. 그러나 다른 실시예에서, 확산체는 양쪽에서 흐름을 방출한다.
운반기를 지지하고 운반하기 위한 수단은 운반기가 공정 처리 용기내로 유입되는 동안 트레일링하도록 의도된 운반기 단부로부터 연장되어 있는 아암을 포함한다. 운반기의 트레일링 단부 근처의 아암상에는 운반기가 용기내에 있을 때 공정 처리 용기내 개구부(12)를 적어도 부분적으로 밀폐하도록 치수설정된 단부판(38)이 장착되어 있으며, 이로인해 선별된 가스의 소비를 감소시킨다.
그러나, 제7도에 도시되어 있는 다른 실시예는 가공물(24)이 유입되는 큰 개구부(68)를 갖는 벨 자(bell jar) 형태의 공정 처리 용기(66)를 포함한다. 요건에 적합하기 위하여, 가공물은 공정 처리 용기(66)내 개구부(68)와 결합하기 위한 표면(72)을 갖는 결합용 가공물 운반판(70)상에 수직 혹은 수평으로 배향된다. 창구(64)는 용기와 운반판이 결합되는 동안에 선별된 가스가 공정 처리 용기내로 허용될 수 있도록 가공물 운반판(70)내에 제공된다. 일반적인 수단들은 공정 처리 용기 및 표면과 동시에 결합하는 운반기를 가져오고 유지하는데 사용된다.
예를들면, 장치의 이러한 형태는 실리콘 웨이퍼상의 실리콘 적층이 성장하도록 사용된다. 보통 적하 동안, 벨 자의 내부면 및 운반판은 대기 공기에 노출되어서 그 위에 흡수되는 대시성 습기를 혀용한다. 공정 작업 동안, 습기는 내부면에서 탈착되며 가공물은 손상된다. 즉, 적층 결함 손상 혹은 다른 필름 성질(film property) 결함 등이 발생된다.
본 발명에 따르면, 개구부(68)에 있는 공정 처리 용기(66)는 개구부(68)에 거의 수직이고, 공정 처리 용기(66)로부터 멀리 층상 흐름을 방출하기 위한 환형 확산체(76)가 제공된다. 공정 처리 용기를 개방시키기 전에 확산체 흐름은 시작된다. 이어서, 가공물 운반판은 용기로부터 짧은 거리 정도로 이동되어서 확산체 흐름내에 유지된다. 주변 공기는 선별된 가스의 흐름에 의하여 내부 공정 처리면에서 제거되어서 나쁜 영향을 끼치지 않고 운반판(70)의 적하 및 하역을 허용한다. 적하 혹은 하역 동안, 판(70) 및 용기(66)는 결합되고, 확산체 흐름은 멈추어지고, 공정처리가 시작된다.
제7도에 도시된 바와 같이, 가공물 운반판은 확산체의 내부 경계를 넘어 거리 W 정도 연장되고, 거리 W는 장치의 작동 동안 벨 자와 운반판 사이의 최대 분리 거리인 거리 h와 같도록 한다.
벨 자의 형태를 취한 공정 처리 용기(66)를 포함하는 다른 실시예가 제8도에 도시되어 있다. 가공물 운반기(78)는 선별된 가스의 층상 흐름이 가공물에서 방사적으로 내부로 향하는 방출면을 갖는 환형 확산체(80)를 갖는다. 이러한 층상 흐름은 가공물 표면과 접촉하는 주변 공기를 선별된 가스로 대체한다. 공정 처리 용기(66)는 개구부(68)에 인접되게 장착된 환형 확산체(82)를 갖는다. 이 확산체는 개구부를 통하여 선별된 가스의 층상 흐름이 공정 처리 용기내로 흐르도록 배향되고, 이에 의해서 용기는 선별된 가스로 채워지고 주변 공기의 유입을 방지한다. 가공물 운반기(78) 및 공정 처리 용기(66)가 일치할 때, 확산체 흐름은 멈추어진다. 확산체로부터의 흐름은 운반체를 공정 처리 용기에서 분리하기 전에 시작하고, 이에 의해서 내부면이 주변 공기에 노출됨이 없이 적하 및 하역이 허용된다.
유체막에 적당한 역학적 유사성의 기준으로서 유용한 무차원 매개변수는 변형된 프로우드(Froude)수이다. 이 매개변수는 무차원적이거나 정상적인 흐름 속도와 유사하며, 효과적인 층상 흐름을 형성하기 위한 요건을 기술하는데 사용될 수 있다. 층상 흐름은 유체 속도에서 불규칙적인 요동의 자승 평균 평방근(root mean square)은 평균 유체 속도의 10%를 넘지 않는다. 여기에서 사용된 것처럼, 변형된 프로우드 수 F는 다음과 같다. 즉,
여기에서, Q는 막(curtain)을 형성하기 위하여 확산체에 제공된 유체의 전체부피 흐름 속도이며, A는 막의 면적이며, ρe는 확산체에 의해서 방출된 유체의 질량 밀도이며, ρa는 막과 일치하는 주변 공기의 밀도이며, ρv는 용기의 자유 부피내 가스 밀도이며, g는 중력 가속도이며, 그리고 t는 초기의 막 두께이다.
모든 실시예에서, 용기 개구부에 위치하는 각 확산체의 방출면은 적어도 5% 정도인 가로지른 너비 혹은 직경을 가지며, 이를 통해 확산체에 의해서 제공된 막 흐름이 연장된다. 또한, 각 실시예의 장치를 구성하는 것은 약 0.05 내지 10 범위내에서 변형된 프로우드 수로 되도록, 이러한 각 확산체에서 선별된 가스의 흐름을 제어하기 위한 수단이다. 선별된 가스가 가압원에 의해서 제공될 때, 제어 수단은 밸브 혹은 압력 조정기의 형태를 취한다. 각 확산체내 압력은 원하는 흐름과 원하는 프로우드 수를 제공하는 소정치로 조정된다.
본 발명에서 사용된 것과 같은 용기 개구부에 설치되는 확산체의 구성은 기공성 방출면을 갖춘 채널을 포함한다. 기공성 면은 기공의 크기가 약 0.5 마이크론 내재 50 마이크론, 그리고 바람직하게는 2 마이크론 내지 5 마이크론의 범위를 갖는 어닐링된 금속판이다. 기공성 플라스틱 혹은 프릿화된(fritted) 수정과 같은 비금속 매체도 사용될 수 있다. 반도체 및 집적회로 공정 처리를 위하여, 기공성 재료가 방출된 가스 중 해로운 입자 물질을 여과한다는 점에서 부가적인 잇점을 제공한다.
바람직한 확산체 구성은 유체를 기공으로 유입시키는 기공 관상체 및 유체를 배출하기 위한 다공성 벽을 포함한다. 이 관상체는 길게 늘어난 하우징 혹은 하우징의 길이로 뻗어 있는 배출구를 갖는 채널내에 포함된다. U자형 단면을 가진 채널은 한 실시예이다. 하우징은 실질적으로 관상체의 길이 방향으로 뻗어 있다. 하우징 배출구는 유체막이 하우징에서 개구부를 가로질러 선별적 분위기를 갖도록 요구된 함유된 부피로 흐르도록 한다. 하우징 배출구의 높이는 유체막이 연장되고자 하는 길이의 적어도 5% 정도이다. 하우징 배출구를 가로지른 스크린은 흐름을 하우징에서 분산시키며, 하우징내 기공체가 외부 물질에 의해서 손상되는 것을 방지한다.
관상체의 한 단부는 바람직하게 하우징의 단부벽을 관통하고 그것에 의해 지지되는 원통형 지지대를 갖는다. 관상체의 다른 단부는 하우징의 다른 단부벽을 관통하고 그것에 의해서 지지되는 유체 유입구를 갖는다.
관상체내 구멍은 바람직하게 관상체의 벽이 기공성 벽을 포함하도록 미세하다. 기공의 크기는 약 0.5 마이크론 내지 100 마이크론, 바람직하게는 약 2 마이크론 내지 50 마이크론 정도이다. 작동시, 흐름은 변형된 프로우드 수가 약 0.05 내지 10 정도인 층상 상태에서 기공성 관으로부터 방출되도록 제어된다.
스크린은 작은 압력차를 생성하고, 외부 물질에 의한 손상으로부터 확산체를 보호하는 기공성 표면이다. 센티미터당 1 내지 50개의 개구부를 갖는 와이어 메쉬가 기능을 잘 발휘한다. 메쉬는 하우진 배출구를 덮고 메쉬 모서리는 하우징에 다른 밀봉 수단을 요구함이 없이 하우징 둘레를 굽어 감싼다. 놀랍게도, 스크린은 공기가 개구부로 유입되는 것을 보호된 부피로 방지하는데 있어서 확산체의 전체적인 수행 능력을 향상시킨다. 메쉬에 부가해서, 기공성 판 및 어닐링 처리된 금속면이 사용된다. 이러한 표면의 어떤 것은 공지된 기술 혹은 예를 들면, 플러쉬 혹은 상감(inlaid) 장착과 같은 다른 보통 기술에 의해서 하우징에 장착된다.
본 발명은 특별한 실시예를 참조하여 기재하였지만, 본 발명은 첨부된 청구범위의 범주내에서 변형되고 같은 요지를 가진 모든 것을 포함한다.

Claims (8)

  1. 선별된 분위기에서 가공물을 처리하기 위한 장치에 있어서, (a)(1)가공물이 유입되기 위한 개구부, 및 (2) 상기 공정 처리 용기 개구부를 통하여 선별된 가스의 층상 막 흐름을 방출하기 위한 방출면이 제공된 확산체를 갖는 공정 처리 용기; (b)(1) 상기 공정 처리 용기 개구부와 일치하는 개구부, 및 (2) 상기 개구부를 통하여 선별된 가스의 층상 막 흐름을 방출하기 위한 방출면이 제공된 확산체를 갖는 예비 용기; (c) 상기 예비 용기 개구부와 상기 공정 처리 용기 개구부를 결합시키기 위한 수단; (d) 가공물 운반기; 및 (e) 상기 예비 용기 개구부와 상기 공정 처리 용기 개구부가 결합될 때 상기 예비 용기로부터 상기 공정 처리 용기내로 가공물 운반기를 운반하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  2. 가공물을 공정 처리하기 위하여 선별된 분위기를 제공하기 위한 장치에 있어서, (a) 가공물이 유입되는 개구부를 갖는 공정 처리 용기; (b) 상기 공정 처리 용기내에 상기 개구부로부터 떨어져서 설치되고, 공정 처리 동안 가공물에 대해 의도된 위치에서 방출하도록 배향되며, 가스의 층상 흐름을 방출하기 위한 방출면을 갖는 확산체; (c) 상기 가공물을 상기 공정 처리 용기내의 개구부로 유지하고 운반하기 위한 가공물 운반기; (d) 상기 운반기를 상기 공정 처리 용기내로 지지하고 운반하기 위한 수단; 및 (e) 상기 공정 처리 용기내로 상기 가공물이 유입되는 동안 트레일링 하도록 의도된 상기 운반기 단부상에 설치되고, 상기 공정 처리 용기내에 결합되도록 치수설정되며, 의도된 가공물 위치쪽으로 또는 가공물로부터 멀리 또는 의도된 가공물 위치쪽으로와 가공물 위치로부터 멀리 가스의 층상 흐름을 방출하기 위한 방출면을 갖는 트레일링 확산체를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 가공물을 공정 처리하기 위하여 선별된 분위기를 제공하기 위한 장치에 있어서, (a) 가공물이 유입되는 개구부를 갖는 공정 처리 용기; (b) 상기개구부를 통하여 상기 가공물을 상기 공정 처리 용기내로 유지하고 운반하기 위한 가공물 운반기; (c) 상기 운반기를 유지하고 운반하기 위한 수단; (d) 상기 운반기가 상기 공정 처리 용기내로 유입되도록 리드하기 위하여 의도된 운반기 단부상에 장착되며, 의도된 가공물 위치쪽으로 또는 의도된 가공물 위치로부터 멀리 또는 의도된 가공물 위치쪽으로와 가공물 위치로부터 멀리 가스의 층상 흐름을 방출하기 위한 방출면을 갖는 리딩 확산체; 및 (e) 상기 운반기가 상기 공정 처리 용기쪽으로 들어가는 동안에 트레일하도록 의도된 운반기 단부상에 장착되며, 의도된 가공물 위치쪽으로 또는 의도된 가공물 위치로부터 멀리 또는 의도된 가공물 위치쪽으로와 가공물 위치로부터 멀리 가스의 층상 흐름을 방출하기 위한 방출면을 갖는 트레일링 확산체를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 공정 처리 용기내 선별된 분위기에서 가공물을 공정 처리 하기 위한 장치에 있어서, (a)(1) 상기 공정 처리 용기내 개구부와 결합하기 위한 표면, 및 (2) 선별된 가스에 대한 방출면을 갖는 가공물 운반판; (b)(1) 상기 가공물용 개구부, 및 (2) 상기 개구부를 에워싸며 선별된 유체의 층상 막 흐름을 상기 개구부에 거의 수직하게 그리고 상기 공정 처리 용기로부터 멀리 상기 가공물 운반판을 향하여 방출하도록 배향된 확산체를 갖는 공정 처리 용기; 및 (c) 상기 공정 처리 용기 개구부와 상기 가공물 운반판의 결합면을 일치시키기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 선별된 분위기에서 가공물을 공정 처리하기 위한 장치에 있어서, (a)(1) 가공물에 대한 개구부, 및 (2) 선별된 가스의 층상 흐름을 상기 공정 처리 용기 개구부를 통하여 방출하기 위한 확산체를 갖는 공정 처리 용기; (b)(1) 상기 공정 처리 용기 개구부와 결합하기 위한 표면; 및 (2) 선별된 가스의 층상 흐름을 의도된 가공물 위치쪽으로 가공물 운반판을 가로질러 방출하기 위한 방출면을 갖는 확산체를 갖는 가공물용 운반판; 및 (c) 상기 공정 처리 용기 개구부와 상기 가공물 운반판의 결합면을 일치시키기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 가공물 운반기가 유입되는 개구부를 갖는 공정 처리 용기내로 가공물을 운반하기 위한 가공물 운반기상에서 가공물을 공정 처리하기 위하여 선별된 분위기를 제공하는 방법에 있어서, (a) 상기 가공물 운반기를 상기 공정 처리 용기내로 운반하는 단계; (b) 가공물을 에워싸서 가공물의 외부표면으로부터 주변 공기를 차단하기 위하여 가공물을 가로질러 선별된 가스의 층상 흐름을 방출시키는 단계; 및 (c) 상기 가공물로부터 멀리 또는 가공물쪽으로 또는 가공물쪽으로와 가공물로부터 멀리 선별된 가스의 층상 흐름을 상기 가공물 운반기의 트레일링 단부상에 장착된 확산체로부터 방출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 가공물 운반기가 유입되는 개구부를 갖는 공정 처리 용기내로 가공물을 운반하기 위한 가공물 운반기상에서 가공물을 공정 처리하기 위하여 선별된 분위기를 제공하는 방법에 있어서, (a) 가공물을 에워싸서 가공물의 외부표면으로부터 주변 공기를 차단하기 위하여 가공물을 가로질러 선별된 가스의 층상 흐름을 방출시키는 단계; (b) 상기 가공물 운반기를 상기 공정 처리 용기내로 운반하는 단계; 및 (c) 상기 가공물로부터 멀리 또는 가공물쪽으로 또는 가공물쪽으로와 가공물로부터 멀리 선별된 가스의 층상 흐름을 상기 가공물 운반기의 트레일링 단부상에 장착된 확산체로부터 방출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 가공물 위치 및 공정 처리 용기와 결합하기 위한 표면을 갖는 가공물 운반판상에서 가공물을 공정 처리하기 위하여 공정 처리 용기내에 선별된 분위기를 제공하기 위한 방법에 있어서, (a) 상기 개구부를 둘러싸고 있는 확산체로부터 선별된 가스의 층상막 흐름을 상기 개구부에 수직하게 그리고 상기 개구부로부터 멀리 방출시키는 단계; (b) 상기 운반판의 가공물 위치를 상기 확산체로부터 방출하는 막 흐름내에 위치시키는 단계; (c) 상기 운반 가공물 위치에 가공물을 위치시키는 단계; (d) 상기 공정 처리 용기 개구부와 상기 운반판 결합면을 일치시키는 단계; 및 (e) 선별된 가스를 상기 공정 처리 용기내로 방출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5366409A (en) * 1993-11-22 1994-11-22 Praxair Technology, Inc. Controlling pouring stream and receiver environment
JPH07225079A (ja) * 1994-02-10 1995-08-22 Sony Corp 加熱方法及び半導体装置の製造方法
US5644855A (en) * 1995-04-06 1997-07-08 Air Products And Chemicals, Inc. Cryogenically purged mini environment
US6041515A (en) 1998-01-12 2000-03-28 Life Technologies, Inc. Apparatus for drying solutions containing macromolecules
EP1114799A1 (en) * 2000-01-05 2001-07-11 Lucent Technologies Inc. Process for heat treatment of a shaped article with gaseous reactants
KR20070093153A (ko) * 2003-10-23 2007-09-17 테렌스 콜 마틴 하우징을 덕트 위에 마운팅하기 위한 방법
JP4568108B2 (ja) * 2004-12-24 2010-10-27 パナソニック株式会社 真空薄膜装置
US7184657B1 (en) * 2005-09-17 2007-02-27 Mattson Technology, Inc. Enhanced rapid thermal processing apparatus and method
JP4527670B2 (ja) * 2006-01-25 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
US7877895B2 (en) 2006-06-26 2011-02-01 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP4153540B2 (ja) * 2006-09-12 2008-09-24 シャープ株式会社 基板製造装置
ATE466118T1 (de) 2007-02-02 2010-05-15 Applied Materials Inc Prozesskammer, inline-beschichtungsanlage und verfahren zur behandlung eines substrats
US7966743B2 (en) * 2007-07-31 2011-06-28 Eastman Kodak Company Micro-structured drying for inkjet printers
WO2015174981A1 (en) * 2014-05-15 2015-11-19 Applied Materials, Inc. Particle removal device and method of operating thereof
KR102666133B1 (ko) * 2019-01-14 2024-05-17 삼성전자주식회사 초임계 건조 장치 및 그를 이용한 기판 건조방법
KR102673983B1 (ko) * 2019-03-15 2024-06-12 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치
CN112885768B (zh) * 2020-12-30 2023-10-13 华灿光电（浙江）有限公司 刻蚀烘烤设备的外延片载具

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4376225A (en) * 1981-08-05 1983-03-08 Uop Inc. Dehydrogenation process utilizing indirect heat exchange and direct combustion heating
US4436509A (en) * 1982-05-10 1984-03-13 Rca Corporation Controlled environment for diffusion furnace
US4526534A (en) * 1983-06-01 1985-07-02 Quartz Engineering & Materials, Inc. Cantilever diffusion tube apparatus and method
US4696226A (en) * 1986-08-28 1987-09-29 Witmer Warner H Fluid barrier curtain system
IT1205512B (it) * 1986-12-30 1989-03-23 Mauro Poppi Forno per la cottura di materiali ceramici quali piastrelle e simili
DE3707672A1 (de) * 1987-03-10 1988-09-22 Sitesa Sa Epitaxieanlage
US4943235A (en) * 1987-11-27 1990-07-24 Tel Sagami Limited Heat-treating apparatus
US4823680A (en) * 1987-12-07 1989-04-25 Union Carbide Corporation Wide laminar fluid doors
US4955808A (en) * 1988-03-09 1990-09-11 Tel Sagami Limited Method of heat-processing objects and device and boat for the same
US4911638A (en) * 1989-05-18 1990-03-27 Direction Incorporated Controlled diffusion environment capsule and system
US4950156A (en) * 1989-06-28 1990-08-21 Digital Equipment Corporation Inert gas curtain for a thermal processing furnace

Also Published As

Publication number Publication date
EP0528405A3 (en) 1995-12-27
DE69224942D1 (de) 1998-05-07
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EP0528405B1 (en) 1998-04-01
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JP2681576B2 (ja) 1997-11-26
US5210959A (en) 1993-05-18
CA2076334C (en) 1997-03-04
EP0528405A2 (en) 1993-02-24
MX9204763A (es) 1994-02-28
CA2076334A1 (en) 1993-02-20

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