KR0134980B1 - 전압가변 커패시터(Voltage varible capacitor) - Google Patents
전압가변 커패시터(Voltage varible capacitor)Info
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Abstract
전압 가변 커패시터(10)는 기판의 상부에 저항률이 높은 반도체 재료의 층을 갖는 베이스 기판인 실리콘 웨이퍼를 갖는다. 지르코늄 티난산염과 같은 반도체(12)의 유전 상수보다 큰 유전상수를 갖는 금속 산화물의 절연층(16)은 저항률이 높은 층의 상부에 형성되며, 금속 전극(18)은 절연층(16)상에 형성된다. 전극이 작동될때, 소모층(20)은 저항률이 높은 층에 형성된다. 전극에 가해진 전압을 변화시키므로써, 장치의 정전용량이 변화된다.
Description
[발명의 명칭]
전압 가변 커패시터
[기술분야]
본 발명은 커패시터에 관한 것으로서, 특히 바랙터(varactor)로 공지된 전압 가변 커패시터에 관한 것이다.
[배경]
고품질 및 정밀제어 커패시터는 반도체 장치의 일체형 부품이다. 커패시터는 금속 산화물 실리콘(MOS) 시스템을 사용하여 반도체 회로의 부품으로 제조된다. 반도체 커패시터의 한가지 특별한 용도는 그 기능이 아나로그 신호를 디지탈 표시부로 전환시키는 일체형 회로에 사용하는 것이다. 아나로그 -디지탈 전환은 신호를 기준전압의 프랙션(fraction)과 비교하므로써 성취된다. 적절하게 작용하는 아나로그 디지탈 전환회로에 있어서, 회로내의 커패시터는 회로의 전체 용량값에 대해 정밀하게 제어되어야만 한다. 이것은 커패시터를 제조하기 위해 실리콘 산화물과 같은 산화물을 반도체위에 위치시키고, 산화물위에 전극을 제조하므로써 성취된다.
반도체 커패시터에서의 다른 용도는 바랙터로 공지된 전압가변 커패시터(voltage variable capacitor : VVC)를 요구하는 곳에 사용하는 것이다. 현재, 바랙터는 레지스터, 인덕터 및 커패시터로 구성된 전기 네트웍의 중심 주파수를 동조시키는 전압 가변 커패시터로 사용되고 있다. 단위면적당 대용량과 큰 용량변화 및 낮은 직류누설전류를 갖는 바랙터는 낮은 제어전압을 사용하여 동조된 공진기의 효율과 작동 범위를 증가시키는데 필요하다. 이러한 요구사항을 이루기 위해서 하이브리드 패키지에는 고기능 VVC가 분리된 부품으로 사용되어야만 하는데, 그 이유는 현재 사용가능한 고기능 VVC가 MOS 제조 공정에 맞지 않기 때문이다. 바랙터의 기능은 종래의 VVC에 사용되었던 실리콘 산화물과 절연체의 전기적 특성에 의해 제한되고 있다. 필요한 기능의 향상을 얻기 위하여는, 정전용량의 범위가 증가되어야 한다. 만일 MOS 공정 및 바이폴라 공정 처리에 유전물질이 사용될 수 있다면 매우 유리하게 될 것이다.
[발명의 요약]
본 발명에 따르면, 전압가변 커패시터가 제공된다. 상기 커패시터는 기판의 상부에 저항률이 높은 반도체 재료층을 갖는 기판인 실리콘 웨이퍼를 갖는다. 반도체의 유전상수보다 큰 유전상수를 갖는 금속 산화물의 절연층은 저항률이 높은 층의 상부에 형성되고, 금속 전극은 절연층상에 형성된다. 전극이 적절히 작동될 때 저항률이 높은 층에는 소모층(depletion layer)이 형성될 수 있다.
[도면의 간단한 설명]
제 1 도는 본 발명에 따른 전압가변 커패시터의 단면도.
제 2a 도 및 제 2b 도는 본 발명에 따른 장치를 위한 1MHz(제 2b 도)와 20KHz(제 2a 도)에서의 용량 대 전압의 그래프.
제 3 도는 본 발명에 따른 집적 회로에서 전압 가변 커패시터의 사시도.
제 4도는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 도면.
제 5도는 본 발명에 따른 전압 가변 커패시터를 사용하는 통신 장치의 블록도.
[양호한 실시예의 상세한 설명]
전압 가변 커패시터 또는 바랙터는 절연층과 경계를 이루는 반도체 상부의 공간전하 지역에 존재하는 정전용량에 민감한 전압을 특징으로 하는 반도체 장치이다. 바랙터는 바랙터 다이오드, 가변 정전용량 다이모드, 바리캡(varicap) 및 전압가변 커패시터 (VVC)로도 공지되어 있다. VVC의 기능을 위해서는 소모층이 형성되어야만 한다. 소모층은 반도체에서 실제 공간전하 지역으로서 가동 전하캐리어의 밀도가 이온화된 불순물 전자의 밀도보다 높지 않다. 가동 캐리어 전하밀도는 도너와 억셉터의 고정된 전하 밀도를 중화시키기에는 불충분하다. 소모층은 배리어층, 차단층, 또는 공간전하층으로도 알려져 있다.
대형 용량 및 낮은 직류 누설 전류를 갖는 개량된 전압 가변 커패시터를 제조하기 위해 새로운 재료 배열이 필요하다. 금속-절연체-반도체(MIS) 커패시터에서는 절연체의 상대적 유전 성분이 반도체 소모층의 상대적 유전 성분보다 크게 형성된다. 반도체 그 자체는 전형적으로 단결정 실리콘이지만 본 기술분야에 의하면 다른 통상의 재료가 될 수도 있다. 반도체는 약간 도포된 저항률이 높은 표면층을 제외하고는 심하게(heavily) 도포된다. 상기 표면층은 반도체 기판보다 저항률이 높으며, 반도체상에 에피텍셜 성장한 단결정 실리콘층이다. 이것은 폴리실리콘층이나 반도체에 비해 카운터 도우프된 층일수도 있다.
제 1 도에 있어서, 전압 가변 커패시터(10)가 반도체 (12)상에 형성된다. 약간 도포된 표면층(14)은 반도체보다 저항률이 높으며 소모층이 형성되는 지역으로 작용한다. 절연체층(16)은 표면층(14)위에 가해진다. 절연체층(16)은 300Å 내지 1000Å의 두께로 가해진 지르코늄 티탄산염(ZrIiO4)이 양호하지만, 100Å 내지 2 미크론의 두께도 적절한 것으로 밝혀졌다. 유전층이나 절연층으로 사용된 재료는 반도체의 유전상수보다 큰 유전상수를 갖는다.
이를 위해 사용된 적절한 재료의 예가 하기 표 1에 기재되어 있다.
표 1
탄탈 오산화물Ta2O5
니오븀 오산화물Nb2O5
지르코늄 산화물ZrO2
티타늄 이산화물TiO2
지르코늄 티탄산염ZrTiO4
스트론튬 티탄산염SrTiO3
바륨 티탄산염BaTiO3
납 티탄산염PbTiO3
바륨 사티탄산염Ba2Ti9O20
바륨 네오디뮴 티탄산염BaNd2Ti5O14
납-지르코늄 티탄산염Pb(Zr, Ti)O3
납-란탄 지르코늄 티탄산염(Pb, La) (Zr, Ti)O3
리튬 니오브산염LiNbO3
스트론튬-바륨 니오브산염(Sr, Ba) Nb2O6
몰리브덴, 텅스턴 및 바나듐과 같은 부가적인 원소의 산화물은 단독으로 또는 다른 원소와 결합하여 유용한 것으로 될 것이다.
적절한 역방향 바이어스(reverse bias) (13)가 금속 전극(18)에 가해질 때, 가동성의 소량의 전하 캐리어가 반도체 절연체 인터페이스(19)에 부착되어 도전체(14)내로 일정거리 연장되는 공간 전하 또는 소모층(20)을 형성한다. 상기 소모층은 절연층(16)에 의해 형성된 커패시터와 전기적으로 직렬 연결되는 가변폭 커패시터(variable width capacitor)로 작용한다. 상기 일련의 2개의 커패시터는 각각의 커패시터의 변화에 의해 영향을 받는 실제 정전용량 효과를 발생시키도록 작용한다. 전극 바이어스 전압은 소모층의 두께를 축적초기의 제로에서부터 반전초기의 최대두께까지 제어하므로써 장치의 전체 용량을 변화시킨다.
절연체층(16)은 상부전극(18)과 소모층(20)사이에 공간을 제공하기 위해 사용된다. 소모층은, 바이어스 전압이 입력부(13, 15)를 통하여 커패시터에 가해질 때 형성된 전이층이다. 상기 층(20)은 가해진 전압장(voltage field)이 변화되거나 제거될 때 사라지거나 크기가 축소된다. 명확한 형태로 도시되지는 않았지만, 소모층(20)은 장치(10)의 영구적인 기계적 특성으로 여겨지지는 않는다. 상술의 작동원리는 금속-산화물-반도체 커패시터의 작동과 거의 유사하다.
인버전 초기 전압에서는 충분한 전하 캐리어가 반도체 인터페이스에 부착되어 인버전층이 형성된다. 전압 바이어스의 증가는 인버전층이 최대폭에 도달할 때까지 인버전층의 폭을 증가시키며, 이를 지내면 소모층은 전극 바이어스 전압을 증가시켜도 거의 증가되지 않는다. 최대 소모폭은 절연층(16)이 침착되는 반도체 표면근처의 불순물 도펀트의 농도에 의해 결정된다. 본 기술분야의 숙련자라면 인, 안티몬, 보론 및 붕소와 같은 도펀트는 실리콘 기판에 유용한 것임을 알 것이다. 갈륨 비소화물과 같은 다른 반도체 기판도 본 발명에 따라 VVC를 형성하는데 이용될 수도 있다.
도핑이 작을수록 최대 소모층 두께가 커지므로 얻을 수 있는 최소 정전용량이 적어진다. 약간 도포된 표면층의 두께는 정전용량 변화를 최대로 할 동안 장치의 직렬저항을 최소로 하기 위하여 최대 소모폭과 동일하거나 약간 크다.
개량된 전압 가변 커패시터의 형성은 절연체층(16)을 포함하는 재료의 선택에 상당히 좌우된다. 반도체 소모층(20)보다 큰 상대적 유전상수를 갖는 재료를 선택하므로써 최대-최소 정전용량의 커다란 비율이 얻어질 것이다. 절연체의 유전상수가 클수록 주어진 절연체 두께에 대한 단위 면적당 정전용량의 정전용량비는 커질 것이다. MIS 커패시터에 대한 최대-최소 정전용량비는 다음과 같이 주어진다.
Cmax/Cmin=1+(KinsWd/KdWins)
여기서 Cmax는 최대 정전용량이며, Cmin은 최소 정전용량, Kins는 절연체의 상대적 유전상수, Wd는 소모층의 폭, Kd는 소모층의 상대적 유전상수, Wins는 절연층의 두께를 표시한다.
유전상수가 높은 많은 재료들은 고주파 장치에는 적합하지 않은 강유전성 특성을 갖고 있다. 강유전성 재료에 대한 분극(polarization)은 히스테리시스 곡선이거나 메모리이므로, 잔류분극은 가해진 바이어스 전압이 제거된 후에 존재하게된다. 따라서 잔류 소모층도 남게되어 얻어질 정전 용량비를 제한한다. 이러한 재료는 저주파를 사용하는 장치에 가장 잘 이용된다.
저손실의 비강유전성 절연체층은 고주파를 사용하는 것, 특히 동조가능한 하이큐 필터(tunable high-Q filter)와 라디오 송신 및 수신에 이용된다. 지르코늄 티탄산염(ZrTiO4)은 상대적 유전상수가 크고(Kr은 약 40) 유전손실이 작은 적절한 비강유전성 재료이다. 실리콘 이산화물(종래의 MOS 커패시터에 사용된)의 상대적 유전상수는 3.9이다. 실리콘에서 소모층의 유전상수는 11.7이며, 게르마늄에서 소모층의 유전상수는 15.7이다. 지르코늄 티탄산염 및 상기 표 1에 언급한 재료들의 유전상수는 실리콘 이산화물의 유전상수보다 크기 때문에, 정전용량비가 큰 개량된 커패시터가 제조될 수 있다. 지르코늄 티탄산염의 박막은 스퍼터링, 증발, 화학증착, 이온 비임 또는 플라즈마 강화처리, 졸-겔(sol-gel) 및 다른 화학적 처리를 포함하는 여러 기법에 의해 형성될 수 있다.
반도체 소모층의 유전상수보다 큰 유전상수를 갖는 절연체를 선택하므로써, 소모층의 두께가 제로인 최대 정전용량과 인버전 초기에서의 최소 정전용량사이의 비율을 보다 크게 할 수 있다. 이러한 방법은 MIS 커패시터의 원리가 실리콘상의 실리콘 이산화물 절연체로 발전되었기 때문에 대부분 간과되고 있다. MIS 커패시터에서 소모층의 최대폭이 인버전층의 형성에 의해 한정되기 때문에 실리콘 이산화물과 같은 유전상수가 낮은 재료로 성취될 수 있는 정전용량변화는 PN 접합부 주위로 소모폭을 변화시켜 얻어지는 것에 비해 작거나 그에 준한다.
PN 접합의 경우에 있어서, 소모층은 내내 동일한 유전상수와 역방향 바이어스 전압에 의해 제어되는 소모폭을 갖는다. 상기 소모층 커패시터의 최대폭은 도펀트 농도에 의존하는 전자사태항복(avalanche breakdown)에 의해 제한된다. 그러나, 실제에 있어서 상기 항복 전압은 매우 크며 얻을 수 있는 최대 소모폭은 전형적으로 포터블 라디오용의 10 볼트이하인 허용 바이어스 전압의 크기에 의해 결정된다. 고유전상수의 박막 커패시터는 절연체 박막 두께 및 반도체 도핑에 의존하는 바랙터 다이오드(지르코늄 티탄산염에 대해 0.5 내지 3.0 볼트) 보다 작은 바이어스 전압을 요구하며, 바랙터 다이오드보다 누설이 작다. 하이 케이 박막 MIS 커패시터(high K thin film MIS capacitor)는 바이폴라 및 MOS 처리에도 사용되며, 고성능 바랙터 다이오드는 MOS 처리와 조화될 수 없다.
제 2 도에 있어서, 매우 큰 정전용량 변화는 전압 가변 커패시터가 지르코늄 티탄산염을 절연층으로 사용할 때 작은 전압범위에 속한다는 것을 도시하고 있다. 종래 기술에서는 4번의 개선(four-fold improvement)이 이루어졌다. 전류-전압 변화는 전류 바랙터에서 관찰한 것보다 훨씬 더 선형으로 된다.
상술한 실시예의 구성에 대한 이해를 돕기 위하여, 판독자는 전압 가변 커패시터의 사시도를 참고할 수 있다. 전극은 소모층(20)을 형성하기 위해 실리콘 기판(12) 및 에피택셜층(14)과의 전기 접속부를 제공하도록 사용된다. 본 발명의 다른 실시예가 제 4 도에 도시되는데 제 4 도에서는 도우프된 재료의 부가적인 박막층(17)이 종래의 에피택셜층과 함께 사용된다. 상기 박막층은 폴리실리콘으로 제조될 수도 있다. 박막층으로의 전기 접속은 장치의 전극(11)을 통하여 출력부(13)를 전기 접속시키므로써 이루어진다.
라디오 주파수 통신 설비와 같은 고주파에서 작용하는 전압 가변 커패시터를 필요로 하는 분야에서는 상술한 장치에 대한 유용성을 알게 될 것이다. 라디오는 전압 가변 커패시터에 의해 동조되는 회로나 공진기 네트웍을 이용하며, 고주파에서 작동하는 장치는 저손실, 고품질 및 대형 정전용량 범위를 갖는 전압 가변 커패시터에 의해 상당한 장점을 누릴 것이다. 제 5 도에는 라디오나 통신 장치(50)의 전기부품의 블록도가 도시되어 있다. 라디오(50)는 필터(60)를 거쳐 안테나(62)에 연결된 복조기(56)를 포함한다. 라디오(50)의 작동은 메모리블록 (52)을 포함하는 제어기(54)에 의해 제어된다. 제어기(54)는 복조기(56)와 함께 작동되어 음성 회로 블록(58)을 제어한다. 복조기(56)에 의해 복조된 신호는 음성회로(58)를 거쳐 스피커 (64)에 연결된다. 메모리 블럭(52)과 제어기(54)와 복조기(56)와 필터(60)의 조합은 통신장치(50)에서 리시버 수단을 구성한다. 상술의 전압 가변 커패시터는 필터(60)에 양호하게 사용되지만 복조기(56) 및/또는 음성 회로(58)에도 사용된다.
개선된 전압 가변 커패시터는 유전상수가 큰 지르코늄 티탄산염과 같은 절연층의 사용에 의해 얻어짐을 알 수 있다. 상술의 실시예는 본 발명의 양호한 실시예에 한한다. 따라서 본 발명은 첨부된 청구범위를 벗어난 것에 한정되는 것은 아니다.
Claims (16)
- 전압 가변 커패시터에 있어서, 반도체보다 저항률이 높은 반도체 재료의 층을 갖는 반도체와,저항률이 높은 층에 형성된 소모층과,저항률이 높은 층에 형성되고, 반도체의 유전상수보다 큰 유전상수를 갖는 금속 산화물인 절연층과,유전층상에 형성된 도전성 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압가변 커패시터.
- 전압 가변 커패시터에 있어서,반도체보다 저항률이 높은 반도체 재료의 층을 갖는 반도체와,저항률이 높은 층에 형성된 소모층과;저항률이 높은 층에 형성된 절연층과,절연층상에 형성된 도전성 전극을 포함하며,상기 절연층은 금속 산화 화합물이며, 상기 금속은 바륨, 납, 리튬, 몰리브덴, 네오디뮴, 니오븀, 스트론튬, 탄탈, 티타늄, 텅스텐, 바나듐 및 지르코늄으로 구성된 집단에서 선택된 적어도 제 1 및 제 2 성분을 포함하며, 상기 절연층은 반도체의 유전상수보다 큰 유전상수를 갖는 것을 특징으로 하는 전압가변 커패시터.
- 전압 가변 커패시터에 있어서,반도체보다 저항률이 높은 반도체 재료의 층을 갖는 반도체와,저항률이 높은 층에 형성된 소모층과,저항률이 높은 층에 형성된 절연층과,절연층상에 형성된 도전성 전극을 포함하며,상기 절연층은 바륨, 납, 리튬, 몰리브덴, 네오디뮴, 니오븀, 스트론튬, 탄탈, 티타늄, 텅스텐, 바나듐 및 지르코늄 등의 산화물로 구성된 집단에서 선택된 산화물이며, 상기 절연층은 반도체의 유전상수보다 큰 유전상수를 갖는 것을 특징으로 하는 전압가변 커패시터.
- 제 1 항에 있어서,절연층은 지르코늄 티탄산염을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압가변 커패시터.
- 절연층은 16 보다 큰 유전 상수를 갖는 것을 특징으로 하는 전압가변 커패시터.
- 제 1 항에 있어서,절연층은 저손실의 비강유전성 절연체를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압가변 커패시터.
- 제 1 항에 있어서,절연층의 유전상수는 저항률이 높은 반도체 재료의 유전상수보다 큰 것을 특징으로 하는 전압가변 커패시터.
- 전압 가변 커패시터에 있어서,반도체보다 저항률이 높은 반도체 재료의 층을 갖는 반도체와,저항률이 높은 층에 형성된 소모층과,저항률이 높은 층에 형성되고, 반도체의 유전상수보다 큰 유전상수를 갖는 금속 산화물인 절연층과,절연층상에 형성된 도전성 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압가변 커패시터.
- 전압가변 박막 커패시터에 있어서,저항률이 높은 반도체 재료층을 갖는 반도체와,저항률이 높은 층에 형성되고, 지르코늄 티탄산염의 박막과 지르코늄 티탄산염상에 형성된 금속전극을 포함하는 절연층과,커패시터의 전기적 작동에 따라 저항률이 높은 층에 형성된 소모층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 가변 박막 커패시터.
- 유전 상수가 40이거나 40보다 큰 저손실의 비강유전성 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 가변 커패시터용 절연층.
- 전압 가변 커패시터용의 절연층에 있어서, 유전 상수가 40이거나 40보다 큰 저손실의 비강유전성 재료를 포함하며, 상기 절연층은 금속 산화물이며, 상기 금속은 바륨, 납, 리튬, 몰리브덴, 네오디뮴, 니오븀, 스트론튬, 탄탈, 티타늄, 텅스텐, 바나듐 및 지르코늄으로 구성된 집단에서 선택된 적어도 제 1 및 제 2 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 가변 커패시터용 절연층.
- 전압 가변 커패시터용의 절연층에 있어서, 유전상수가 40이거나 40보다 큰 저손실의 비강유전성 재료를 포함하며, 상기 절연층은 바륨, 납, 리튬, 몰리브덴, 네오디뮴, 니오븀, 스트론튬, 탄탈, 티타늄, 텅스텐, 바나듐 및 지르코늄등의 산화물로 구성된 집단에서 선택된 산화물인 것을 특징으로 하는 전압 가변 커패시터용의 절연층.
- 제 10 항에 있어서, 상기 재료는 지르코늄 티탄산염을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압가변 커패시터용 절연층.
- 전압 가변 커패시터의 제조 방법에 있어서,저항률이 높은 반도체 재료층을 동일한 도전형태를 갖는 반도체상에 침착하는 단계와,반도체의 유전상수보다 큰 유전상수를 갖는 금속 산화물과 금속 티탄산염 또는 금속 니오브산염의 층을 저항률이 높은 층의 표면에 코팅하는 단계와,절연재료상에 전극을 형성하는 단계와, 저항률이 높은 층에 소모층을 형성하기 위하여 전극에 전압을 가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압가변 커패시터의 제조 방법.
- 제 14항에 있어서,상기 코팅 단계는 스퍼터링, 증발, 화학증착, 이온 비임, 플라즈마, 졸-겔, 또는 용액 화학처리 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 가변 커패시터의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 커패시터는 공진기를 구비한 라디오에 응용될 수 있는 것을 특징으로 하는 전압 가변 커패시터.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101067496B1 (ko) * | 2009-04-08 | 2011-09-27 | 주식회사 에스세라 | 전압 가변부 및 이를 구비하는 표면 실장 소자 |
Families Citing this family (109)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0568064B1 (en) * | 1992-05-01 | 1999-07-14 | Texas Instruments Incorporated | Pb/Bi-containing high-dielectric constant oxides using a non-Pb/Bi-containing perovskite as a buffer layer |
JPH0677402A (ja) * | 1992-07-02 | 1994-03-18 | Natl Semiconductor Corp <Ns> | 半導体デバイス用誘電体構造及びその製造方法 |
US5390072A (en) * | 1992-09-17 | 1995-02-14 | Research Foundation Of State University Of New York | Thin film capacitors |
US5587870A (en) * | 1992-09-17 | 1996-12-24 | Research Foundation Of State University Of New York | Nanocrystalline layer thin film capacitors |
US5379008A (en) * | 1993-03-03 | 1995-01-03 | Motorola, Inc. | Variable impedance circuit providing reduced distortion |
US5933316A (en) * | 1993-08-02 | 1999-08-03 | Motorola Inc. | Method for forming a titanate thin film on silicon, and device formed thereby |
US5405790A (en) * | 1993-11-23 | 1995-04-11 | Motorola, Inc. | Method of forming a semiconductor structure having MOS, bipolar, and varactor devices |
US5495208A (en) * | 1994-04-04 | 1996-02-27 | Motorola, Inc. | Wide band tunable and modulatable reference oscillator |
US5615096A (en) * | 1994-06-06 | 1997-03-25 | Motorola, Inc. | Direct current power supply conditioning circuit |
US5600187A (en) * | 1994-06-27 | 1997-02-04 | General Electric Company | Electronically controllable capacitors using power MOSFET's |
US5493715A (en) * | 1994-08-01 | 1996-02-20 | Motorola, Inc. | Multi-range voltage controlled resonant circuit |
US5602052A (en) * | 1995-04-24 | 1997-02-11 | Harris Corporation | Method of forming dummy island capacitor |
US5673001A (en) * | 1995-06-07 | 1997-09-30 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for amplifying a signal |
US5888585A (en) * | 1996-02-08 | 1999-03-30 | Symetrix Corporation | Process for making an integrated circuit with high dielectric constant barium-strontium-niobium oxide |
JP3161333B2 (ja) * | 1996-07-22 | 2001-04-25 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
AU5150298A (en) * | 1996-10-25 | 1998-05-29 | Superconducting Core Technologies, Inc. | Tunable dielectric flip chip varactors |
US5744385A (en) * | 1997-03-21 | 1998-04-28 | Plato Labs, Inc. | Compensation technique for parasitic capacitance |
US6841439B1 (en) * | 1997-07-24 | 2005-01-11 | Texas Instruments Incorporated | High permittivity silicate gate dielectric |
US7115461B2 (en) * | 1997-07-24 | 2006-10-03 | Texas Instruments Incorporated | High permittivity silicate gate dielectric |
US6020243A (en) * | 1997-07-24 | 2000-02-01 | Texas Instruments Incorporated | Zirconium and/or hafnium silicon-oxynitride gate dielectric |
US5959515A (en) * | 1997-08-11 | 1999-09-28 | Motorola, Inc. | High Q integrated resonator structure |
US5965912A (en) * | 1997-09-03 | 1999-10-12 | Motorola, Inc. | Variable capacitor and method for fabricating the same |
SE515783C2 (sv) * | 1997-09-11 | 2001-10-08 | Ericsson Telefon Ab L M | Elektriska anordningar jämte förfarande för deras tillverkning |
WO1999023705A1 (de) * | 1997-10-30 | 1999-05-14 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Passives hf-element und verfahren zum betreiben, zum herstellen und zum bestimmen von charakteristischen eigenschaften desselben |
US6268779B1 (en) | 1999-03-19 | 2001-07-31 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Integrated oscillators and tuning circuits |
US6057203A (en) * | 1998-06-19 | 2000-05-02 | Programmable Silicon Solutions | Integrated circuit capacitor |
US6727535B1 (en) * | 1998-11-09 | 2004-04-27 | Paratek Microwave, Inc. | Ferroelectric varactor with built-in DC blocks |
US6507476B1 (en) * | 1999-11-01 | 2003-01-14 | International Business Machines Corporation | Tuneable ferroelectric decoupling capacitor |
US20030058022A1 (en) * | 1999-12-14 | 2003-03-27 | Rajendran Nair | Device and method for controlling voltage variation |
US6828638B2 (en) | 1999-12-22 | 2004-12-07 | Intel Corporation | Decoupling capacitors for thin gate oxides |
US6278158B1 (en) * | 1999-12-29 | 2001-08-21 | Motorola, Inc. | Voltage variable capacitor with improved C-V linearity |
US6693033B2 (en) | 2000-02-10 | 2004-02-17 | Motorola, Inc. | Method of removing an amorphous oxide from a monocrystalline surface |
SE516361C2 (en) * | 2000-05-16 | 2002-01-08 | Ericsson Telefon Ab L M | LC tank formed on a low resistivity substrate for use in resonators used in microwave filters, oscillators etc., has adjacent strips leading current in opposite directions and arranged so that substrate currents balance out |
US6504443B1 (en) | 2000-05-17 | 2003-01-07 | Nec America, Inc., | Common anode varactor tuned LC circuit |
EP1309994A2 (de) * | 2000-08-18 | 2003-05-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Verkapseltes organisch-elektronisches bauteil, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung |
EP1310004A2 (de) * | 2000-08-18 | 2003-05-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Organischer feldeffekt-transistor (ofet), herstellungsverfahren dazu und daraus gebaute integrierte schaltung sowie verwendungen |
DE10044842A1 (de) * | 2000-09-11 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Organischer Gleichrichter, Schaltung, RFID-Tag und Verwendung eines organischen Gleichrichters |
WO2002025750A1 (de) * | 2000-09-22 | 2002-03-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektrode und/oder leiterbahn für organische bauelemente und herstellungsverfahren dazu |
US6521939B1 (en) | 2000-09-29 | 2003-02-18 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | High performance integrated varactor on silicon |
US6638838B1 (en) | 2000-10-02 | 2003-10-28 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure including a partially annealed layer and method of forming the same |
DE10061286C1 (de) * | 2000-12-08 | 2002-04-04 | Hollingsworth Gmbh | Vorrichtung zum Aufziehen einer Kardiergarnitur |
DE10061297C2 (de) | 2000-12-08 | 2003-05-28 | Siemens Ag | Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs |
DE10061299A1 (de) * | 2000-12-08 | 2002-06-27 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umwelteinflusses, Herstellungsverfahren und Verwendung dazu |
US6686817B2 (en) * | 2000-12-12 | 2004-02-03 | Paratek Microwave, Inc. | Electronic tunable filters with dielectric varactors |
GB2376343A (en) * | 2000-12-21 | 2002-12-11 | Valeriy Moiseevich Ioffe | Semiconductor device |
DE10105914C1 (de) * | 2001-02-09 | 2002-10-10 | Siemens Ag | Organischer Feldeffekt-Transistor mit fotostrukturiertem Gate-Dielektrikum und ein Verfahren zu dessen Erzeugung |
US6673646B2 (en) | 2001-02-28 | 2004-01-06 | Motorola, Inc. | Growth of compound semiconductor structures on patterned oxide films and process for fabricating same |
EP1374138A2 (de) * | 2001-03-26 | 2004-01-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Gerät mit zumindest zwei organischen elektronischen bauteilen und verfahren zur herstellung dazu |
DE10126860C2 (de) * | 2001-06-01 | 2003-05-28 | Siemens Ag | Organischer Feldeffekt-Transistor, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung zum Aufbau integrierter Schaltungen |
DE10126859A1 (de) * | 2001-06-01 | 2002-12-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Erzeugung von leitfähigen Strukturen mittels Drucktechnik sowie daraus hergestellte aktive Bauelemente für integrierte Schaltungen |
US6709989B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-03-23 | Motorola, Inc. | Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon |
US6646293B2 (en) | 2001-07-18 | 2003-11-11 | Motorola, Inc. | Structure for fabricating high electron mobility transistors utilizing the formation of complaint substrates |
US6693298B2 (en) | 2001-07-20 | 2004-02-17 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating epitaxial semiconductor on insulator (SOI) structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form same |
US6667196B2 (en) | 2001-07-25 | 2003-12-23 | Motorola, Inc. | Method for real-time monitoring and controlling perovskite oxide film growth and semiconductor structure formed using the method |
US6639249B2 (en) | 2001-08-06 | 2003-10-28 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabrication for a solid-state lighting device |
US6673667B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-01-06 | Motorola, Inc. | Method for manufacturing a substantially integral monolithic apparatus including a plurality of semiconductor materials |
DE10151036A1 (de) | 2001-10-16 | 2003-05-08 | Siemens Ag | Isolator für ein organisches Elektronikbauteil |
US20030071327A1 (en) * | 2001-10-17 | 2003-04-17 | Motorola, Inc. | Method and apparatus utilizing monocrystalline insulator |
DE10151440C1 (de) * | 2001-10-18 | 2003-02-06 | Siemens Ag | Organisches Elektronikbauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung |
US6541814B1 (en) | 2001-11-06 | 2003-04-01 | Pericom Semiconductor Corp. | MOS variable capacitor with controlled dC/dV and voltage drop across W of gate |
US6667539B2 (en) | 2001-11-08 | 2003-12-23 | International Business Machines Corporation | Method to increase the tuning voltage range of MOS varactors |
JP3978019B2 (ja) * | 2001-11-19 | 2007-09-19 | 矢崎化工株式会社 | 樹脂被覆鋼管における鋼管と被覆樹脂の分離回収方法、及び分離回収設備 |
DE10160732A1 (de) * | 2001-12-11 | 2003-06-26 | Siemens Ag | Organischer Feld-Effekt-Transistor mit verschobener Schwellwertspannung und Verwendung dazu |
US20050113138A1 (en) * | 2002-03-18 | 2005-05-26 | Greg Mendolia | RF ID tag reader utlizing a scanning antenna system and method |
DE10212640B4 (de) * | 2002-03-21 | 2004-02-05 | Siemens Ag | Logische Bauteile aus organischen Feldeffekttransistoren |
DE10212639A1 (de) * | 2002-03-21 | 2003-10-16 | Siemens Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Laserstrukturierung von Funktionspolymeren und Verwendungen |
DE10226370B4 (de) * | 2002-06-13 | 2008-12-11 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Substrat für ein elektronisches Bauteil, Verwendung des Substrates, Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität und Organischer Feld-Effekt Transistor (OFET) |
EP1525630A2 (de) * | 2002-07-29 | 2005-04-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektronisches bauteil mit vorwiegend organischen funktionsmaterialien und herstellungsverfahren dazu |
DE50309888D1 (de) * | 2002-08-08 | 2008-07-03 | Polyic Gmbh & Co Kg | Elektronisches gerät |
CN100338791C (zh) | 2002-08-23 | 2007-09-19 | 波尔伊克两合公司 | 用于过电压保护的有机元件及相关电路 |
JP2006505927A (ja) * | 2002-11-05 | 2006-02-16 | ポリアイシー ゲーエムベーハー ウント コー、 カーゲー | 高分解能の構造を有する有機電子要素およびそれを製造する方法 |
DE10253154A1 (de) * | 2002-11-14 | 2004-05-27 | Siemens Ag | Messgerät zur Bestimmung eines Analyten in einer Flüssigkeitsprobe |
WO2004047194A2 (de) * | 2002-11-19 | 2004-06-03 | Polyic Gmbh & Co.Kg | Organisches elektronisches bauelement mit gleichem organischem material für zumindest zwei funktionsschichten |
EP1563553B1 (de) * | 2002-11-19 | 2007-02-14 | PolyIC GmbH & Co. KG | Organische elektronische schaltung mit stukturierter halbleitender funktionsschicht und herstellungsverfahren dazu |
DE10300521A1 (de) * | 2003-01-09 | 2004-07-22 | Siemens Ag | Organoresistiver Speicher |
DE10302149A1 (de) * | 2003-01-21 | 2005-08-25 | Siemens Ag | Verwendung leitfähiger Carbon-black/Graphit-Mischungen für die Herstellung von low-cost Elektronik |
EP1586127B1 (de) * | 2003-01-21 | 2007-05-02 | PolyIC GmbH & Co. KG | Organisches elektronikbauteil und verfahren zur herstellung organischer elektronik |
KR100528464B1 (ko) * | 2003-02-06 | 2005-11-15 | 삼성전자주식회사 | 스마트카드의 보안장치 |
WO2004073066A1 (ja) | 2003-02-14 | 2004-08-26 | Nec Corporation | 線路素子および線路素子を適用した半導体回路 |
JP5121114B2 (ja) * | 2003-05-29 | 2013-01-16 | 三洋電機株式会社 | 画素回路および表示装置 |
DE10330064B3 (de) * | 2003-07-03 | 2004-12-09 | Siemens Ag | Logikgatter mit potentialfreier Gate-Elektrode für organische integrierte Schaltungen |
DE10330062A1 (de) * | 2003-07-03 | 2005-01-27 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Strukturierung von organischen Schichten |
DE10338277A1 (de) * | 2003-08-20 | 2005-03-17 | Siemens Ag | Organischer Kondensator mit spannungsgesteuerter Kapazität |
DE10339036A1 (de) | 2003-08-25 | 2005-03-31 | Siemens Ag | Organisches elektronisches Bauteil mit hochaufgelöster Strukturierung und Herstellungsverfahren dazu |
DE10340644B4 (de) * | 2003-09-03 | 2010-10-07 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Mechanische Steuerelemente für organische Polymerelektronik |
DE10340643B4 (de) * | 2003-09-03 | 2009-04-16 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Druckverfahren zur Herstellung einer Doppelschicht für Polymerelektronik-Schaltungen, sowie dadurch hergestelltes elektronisches Bauelement mit Doppelschicht |
DE102004002024A1 (de) * | 2004-01-14 | 2005-08-11 | Siemens Ag | Organischer Transistor mit selbstjustierender Gate-Elektrode und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102004040831A1 (de) | 2004-08-23 | 2006-03-09 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Funketikettfähige Umverpackung |
DE102004059465A1 (de) | 2004-12-10 | 2006-06-14 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Erkennungssystem |
DE102004059464A1 (de) | 2004-12-10 | 2006-06-29 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronikbauteil mit Modulator |
DE102004063435A1 (de) | 2004-12-23 | 2006-07-27 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Organischer Gleichrichter |
DE102005009819A1 (de) | 2005-03-01 | 2006-09-07 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronikbaugruppe |
DE102005009820A1 (de) | 2005-03-01 | 2006-09-07 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronikbaugruppe mit organischen Logik-Schaltelementen |
DE102005017655B4 (de) | 2005-04-15 | 2008-12-11 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion |
US7936344B2 (en) * | 2005-05-03 | 2011-05-03 | Hannstar Display Corporation | Pixel structure with improved viewing angle |
CN102280453B (zh) | 2005-05-30 | 2014-02-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
DE102005031448A1 (de) | 2005-07-04 | 2007-01-11 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Aktivierbare optische Schicht |
US7276910B2 (en) * | 2005-07-19 | 2007-10-02 | Seektech, Inc. | Compact self-tuned electrical resonator for buried object locator applications |
DE102005035589A1 (de) | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements |
DE102005044306A1 (de) | 2005-09-16 | 2007-03-22 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen |
EP1909384A3 (en) * | 2006-10-06 | 2015-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Rectifier circuit with variable capacitor, semiconductor device using the circuit, and driving method therefor |
JP5325415B2 (ja) * | 2006-12-18 | 2013-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TW200849759A (en) * | 2007-06-08 | 2008-12-16 | Univ Chang Gung | Cascade EMP protection circuit |
US20090088105A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Ahmadreza Rofougaran | Method and system for utilizing a programmable coplanar waveguide or microstrip bandpass filter for undersampling in a receiver |
TWI363914B (en) | 2007-11-21 | 2012-05-11 | Hannstar Display Corp | Liquid crystal display |
TWI445241B (zh) * | 2008-03-21 | 2014-07-11 | Univ Chang Gung | Electromagnetic pulse protection circuit with filtering function |
JP5185845B2 (ja) * | 2009-01-27 | 2013-04-17 | 株式会社神戸製鋼所 | 可変容量素子 |
US9923101B2 (en) | 2012-09-13 | 2018-03-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor structure |
US10319426B2 (en) * | 2017-05-09 | 2019-06-11 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor structures, memory cells and devices comprising ferroelectric materials, systems including same, and related methods |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3202891A (en) * | 1960-11-30 | 1965-08-24 | Gen Telephone & Elect | Voltage variable capacitor with strontium titanate dielectric |
US3512052A (en) * | 1968-01-11 | 1970-05-12 | Gen Motors Corp | Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric |
US3648340A (en) * | 1969-08-11 | 1972-03-14 | Gen Motors Corp | Hybrid solid-state voltage-variable tuning capacitor |
US3634738A (en) * | 1970-10-06 | 1972-01-11 | Kev Electronics Corp | Diode having a voltage variable capacitance characteristic and method of making same |
US3809971A (en) * | 1972-03-17 | 1974-05-07 | Norton Co | Microfarad range varactor |
US3890635A (en) * | 1973-12-26 | 1975-06-17 | Gen Electric | Variable capacitance semiconductor devices |
US4005466A (en) * | 1975-05-07 | 1977-01-25 | Rca Corporation | Planar voltage variable tuning capacitors |
JPS5745968A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-16 | Ibm | Capacitor with double dielectric unit |
JPS5873146A (ja) * | 1981-10-28 | 1983-05-02 | Hitachi Ltd | 混成集積回路とその製造方法 |
US4782350A (en) * | 1987-10-28 | 1988-11-01 | Xerox Corporation | Amorphous silicon varactors as rf amplitude modulators and their application to acoustic ink printers |
US5192871A (en) * | 1991-10-15 | 1993-03-09 | Motorola, Inc. | Voltage variable capacitor having amorphous dielectric film |
-
1991
- 1991-10-15 US US07/776,111 patent/US5173835A/en not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-10-15 KR KR1019940701230A patent/KR0134980B1/ko active
- 1992-10-15 ES ES92923202T patent/ES2181679T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1992-10-15 WO PCT/US1992/008781 patent/WO1993008578A1/en active IP Right Grant
- 1992-10-15 DE DE69232740T patent/DE69232740T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-10-15 JP JP5507787A patent/JP2853332B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-10-15 EP EP92923202A patent/EP0608376B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-10-15 KR KR1019940701230A patent/KR940703070A/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101067496B1 (ko) * | 2009-04-08 | 2011-09-27 | 주식회사 에스세라 | 전압 가변부 및 이를 구비하는 표면 실장 소자 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69232740D1 (de) | 2002-09-26 |
WO1993008578A1 (en) | 1993-04-29 |
ES2181679T3 (es) | 2003-03-01 |
DE69232740T2 (de) | 2002-12-05 |
US5173835A (en) | 1992-12-22 |
JP2853332B2 (ja) | 1999-02-03 |
EP0608376A4 (en) | 1994-12-07 |
EP0608376B1 (en) | 2002-08-21 |
KR940703070A (ko) | 1994-09-17 |
EP0608376A1 (en) | 1994-08-03 |
JPH07500457A (ja) | 1995-01-12 |
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