KR0129667B1 - 물을 시팅시키는 쯔비터이오노머성 아미노작용성 실록산 - Google Patents
물을 시팅시키는 쯔비터이오노머성 아미노작용성 실록산Info
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Abstract
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Description
본 발명은 성분으로서 왁스, 용매, 계면활성제, 증점제, 연마제, 염료, 방향제, 및 광택제를 제조하는데 통상적으로 사용되는 기타 성분으로 이루어진 그룹중에서 선택된 원 하나 이상을 함유하는 광택제형에 관한 것이다.
본 발명의 개선점은 사이클릭산 무수물과,(A)25℃에서의 점도가 약 10내지 15,000cs의 범위인 하이드록실 말단 차단된 폴리디메틸실록산과 일반식 Rn(R'O)3-nSi(CH2)3NHR' 및 Rn(R'O)3-nSiRNHCH2CH2NH2(여기서, R'는 수소원자 또는 메틸 래디칼이고, R는 탄소수가 1내지 6이고 지방족 불포화가 없는 1가의 탄화수소 래디칼이며, n은 0내지 2이고, R'는 탄소수 1내지 4의 알킬 래디칼이며, R은 탄소수가 3내지 4이고 지방족 불포화가 업슨 2가의 탄화수소 래디칼이다)의 화합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 실란의 혼합물 또는 반응 생성물, (B)25℃에서의 점도가 약 10내지 15,000cs의 범위인 하이드록실 말단차단된 폴리디메틸실록산, 일반식(R1O)3-SiR2NHR3및 (R1O)3-SiR2NHCH2CH2NH2(여기서, R1은 탄소수 1내지 4의 알킬 래디칼이고, R2는 탄소수가 3내지 4이고 지방족 불포화가 없는 2가의 탄화수소 래디칼이며, R3은 수소원자 또는 메틸래디칼이다)의 화합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 실란 및 일반식 X3SiZ[여기서, X는 탄소수 1내지 4의 알콕시 또는 아실옥시 래디칼이고, Z는 탄화수소 래디칼, 할로겐화 탄화수소 래디칼, 및 탄소, 수소 및 산소 원자(여기에서, 산소 원자는 하이드록실 그룹, 에스테르 그룹 또는 에테르 결합에 존재 한다)로 구성된 래디칼로 이루어진 그룹중에서 선택된 비가수분해서 래디칼로서 Z래디칼에는 1내지 10개의 탄소원자가 존재한다]의 실란의 혼합물 또는 반응 생성물, 및(C)25℃에서의 점도가 약1내지 15,000cs의 범위인 폴리디메틸시록산과 일반식 Rn(R'O)3-nSi(CH2)3NHR'및 Rn(R'O)3-nSiRNHCH2CH2NH2(여기서, R'은 수소원자 또는 메틸 래디칼이고, R는 탄소수가 1내지 6이고 지방족 불포화가 없는 1가의 탄화수소 래디칼이며, n은 0내지 2이고, R'는 탄소수 1내지 4의 알킬 래디칼이며, R은 탄소수가 3내지 4이고 지방족 불포화가 없는 2가의 탄화수소 래디칼이다)의 화합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 실란의 혼합물 또는 반응 생성물로 이루어진 그룹중에서 선택된 아미노작용성 실록산의 반응 생성물인 물질을 여기에 혼입 시키는 것이다. 상기의(C)는 특수한 종류로서, 통상적인 트리메틸실릴 작용성 실란 또는 실록산을 아미노작용성 실록산에 혼입시켜 제조한 트리메틸실릴 말단차단된 아미노작용성 실록산이다.
본 발명의 특정한 양태에서, 산 무수물은 석신산 무수물, 말레산 무수물, 프탈산 무수물 및 이산화탄소로 이루어진 그룹중에서 선택된다. 반응 생성물은 하기 일반식의 아미노작용성 실록산 쯔비터이온이다 :
상기식에서, Me는 메틸이고, x는 약 40내지 약 400의 정수이며, y는 약 1내지 약 20의 정수이고, R4는 에틸렌, 비닐리덴 또는 페닐렌이다. x는 188이 바람직하고 y는 10이 바람직하다.
경우에 따라, 쯔비터이온성 아미노작용성 실록산을 다시 강산과 반응시켜 쯔비터이온 및 쯔비터이온과 산의 공액산 염기쌍의 평형을 유지시킬 수 있다; 공액 산 염기쌍 형성의 정도는 강산의 pka및 용매의 절연강도에 따라 다르다. 이러한 경우, 강산은 염산, 브롬화수소산, 요오드화수소산, 질산, 과염소산,
인산 및 유기산으로 이루어진 그룹중에서 선택된다. 유기산은 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 카프로산, 벤조산, 할로-치환된 벤조산 및 니트로-치환된 벤조산으로 이루어진 그룹중에서 선택된다. 쯔비터이온과 강산의 공액 산염기쌍은 하기 일반식을 갖는다.
상기식에서, Me는 메틸이고, x는 약 40내지 약 400의 정수이며, y는 약 1내지 약 20의 정수이고, A는 음이온 및 강산의 공액 염기이며, R4는 에틸렌, 비닐리덴 또는 페닐렌이다. x는 188이 바람직하고 y는 10이 바람직하다.
또한, 본 발명은 표면이 물에 노출되기 전에 위에 열거한 성분을 함유하는 광택 제형을 표면에 적용시킴을 특징으로 하여, 표면위에 물울 시팅(sheeting)시키는 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 산 무수물을 상기의 (A)및 (B) 그룹중에서 선택된 아미노작용성 실록산과 반응시킴을 특징으로하여, 아미노작용성 실록산 쯔비터이오노머(zwitterionomer)를 제조하는 방법에 관한 것이다.
더우기, 본 발명은 산 무수물과 상기의 (A)및 (B)그룹중에서 선택된 아미노작용성 실록산과의 반응생성물인 아미노 작용성 쯔비터이오노머성 실록산 화합물에 관한 것이다.
따라서, 본 발명의 목적은 표면과 접촉하는 물이, 종래 기술의 광택제형을 사용하는 경우와 같이, 비딩(beading)되거나 반발되기보다는 시팅되고 배수되는, 자동차에 사용하기에 특히 적합한 신규한 새로운 타입의 광택 제형을 제공하는 것이다. 특히, 이러한 시도의 장점은 매번 비가온후 물방울에 의해 자국이 생기는 경우에서와 같이, 자동차를 세차할 필요가 없다는 것이다. 대신, 본 발명의 조성물의 시팅작용으로 인해, 이러한 단점이 해소되고 시각적으로 좋지않은 자국을 포함한 환이 생기지 않도록 하면서 자동차 표면으로부터 비를 시팅시킨다.
본 명세서에 기술된 본 발명의 이러한 특징 또는 기타의 특징, 목적 및 장점은 하기의 상세한 설명과 함께 더욱 명백해질 것이다.
계면활성제는 액체에 용해되는 경우 표면장력을 감소 시키는 화합물이다. 계면활성제는 세정, 세탁, 발포, 습윤, 유화, 가용화 및 분산의 배합 특성을 나타낸다. 이들은 표면 활성부분의 전하에 따라 분류된다. 음이온성 계면활성제의 경우, 표면 활성 부분은 비누에서와 같이 음전하를 갖고 있다. 양이온성 계면활성제의 경우, 전하는 양성이다. 비이온성 계면활성제의 경우에는, 전하가 없으며, 양쪽성 계면활성제에서는, 분자내에 함께 연결된 양성 및 음성 전하의 존재에 의해 용해성이 제공된다. 쯔비터이온은 특별한 부류로서, 비이온화 형태라기보다는 이극성 이온으로서 존재하는 분자이다. 이 분자는 전체적으로는 중성이나, 아미노산과 같이 커다란 전하 분리를 갖고 있다. 또한, 쯔비터이온은 혼성 이온 및 내부 또는 분자내 염으로도 알려져있다. 아미노산의 경우, 이들은 약선성 및 약염기성 그룹으로 분리되어 있는 전해질이다. 예를 들면, H2N-R-COOH로 나타낼 수 있는 반면, 수용액의 경우에는,
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본 발명의 쯔비터이오노머성 아미노작용성 실록산 조성물은 하기 반응도식에 따라 제조할 수 있다 :
상기 반응도식에서, 일반식(I)은 아미노작용성 실록산이며, 일반식(Ⅱ)는 본 발명의 쯔비터이오노머이고, 일반식(Ⅲ)은 쯔비터이오노머와 강산(HA)의 공액 산 염기쌍이다. 일반식 (I)은 총칭적으로, (A)25℃에서의 점도가 약 10내지 15,000cs의 범위인 하이드록실 말단차단된 폴리디메틸실록산과 일반식 Rn(R'O)3-nSi(CH2)3NHR'및 Rn(R'O)3-nSiRNHCH2CH2NH2(여기서, R'는 수소원자 또는 메틸 래디칼이고, R는 탄소수가 1내지 6이고 지방족 불포화가 없는 1가의 탄화수소 래디칼이며, n은 0내지 2이고, R'는 탄소수 1내지 4의 알킬 래디칼이며, R은 탄소수가 3내지 4이고 지방족 불포화가 없는 2가의 탄화수소 래디칼이다)의 화합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 실란의 혼합물 또는 반응 생성물, (B)25℃에서의 점도가 약10내지 15,000cs인 하이드록실 말단차단된 폴리디메틸실록산과 일반식(R1O)3-SiR2NHR3및 (R1O)3-SiR2NHCH2CH2NH2(여기서, R1은 탄소수 1내지 4의 알킬 래디칼이고, R2는 탄소수가 3내지 4이고 지방족 불포화가 없는 2가의 탄화수소 래디칼이며, R3은 수소원자 또는 메틸 래디칼이다)의 화합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 실란 및 일반식 X3SiZ[여기서, X는 탄소수1내지 4의 알콕시 또는 아실옥시 래디칼이고, Z는 탄화수소 래디칼, 할로겐화 탄화수소 래디칼, 및 탄소, 수소 및 산소원자 (여기에서, 산소원자는 하이드록실 그룹, 에스케르 그룹 또는 에테르 결합에 존재한다)로 구성된 래디칼로 리루어진 그룹중에서 선택된 비가수분해성 래디칼로 Z래디칼에는 1내지 10개의 탄소원자가 존재한다]의 실란의 혼합물 또는 반응 생성물, 및 (C)25℃에서의 점도가 약 1내지 1,5000cs의 범위인 폴리리디메틸실록산과 일반식 Rn(R'O)3-nSi(CH2)3NHR'및 Rn(R'O)3-nSiRNHCH2CH2NH2(여기서, R'는 수소원자 또는 메틸래디칼이고, R는 탄소수가 1내지 6이고 지방족 불포화가 없는 1가의 탄화수소 래디칼이며, n은 0내지 2이고, R'는 탄소수 1내지 4의 알킬 래디칼이며, R은 탄소수가 3내지 4이고 지방족 불포화가 없는 2가의 탄화수소 래디칼이다)의 화합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 실란의 혼합물 또는 반응 생성물의 반응 생성물로 이루어진 그룹중에서 선택된 아미노작용성 실록산으로 기술된다. 이러한 조성물들은 미합중국 특허 제3,508,933호 (1970.4.28 허여), 미합중국 특허 제3,836,371(1974.9.17 허여)및 미합중국 특허 제3,890,271호(1975.6.17 허여)에 다소 상세히 기술되어 있다. 또한, 이들 조성물의 제조방법과 광택제로서의 이의 용도도 상기 특허에 기술되어 있다. 특히, 본발명의 범위에 포함되는, 제조된 특정 조성물들은 표1에 나타내었다.
[표 1]
상기 반응도식에서, 일반식(I)의 조성물과 반응하는 산 무수물은 석신산 무수물, 말레산 무수물, 프탈산 무수물, 이타콘산 무수물 또는 다른 사이클릭산 무수물 및 이산화탄소로 이루어진 그룹중에서 선택되며, 석신산 무수물이 본 발명에서 사용하기에 바람직한 물질이다.
상기 반응도식에서 일반식(Ⅱ)로 나타낸 생성된 반응 생성물은 하기 일반식의 아미노작용성 실록산쯔비터이오노머이다 :
상기식에서, Me는 메틸이고, x는 약 40내지 약 400의 정수이며, y는 약 1내지 약 20의 정수이고, R4는 에틸렌, 비닐리덴 또는 페닐렌이다.
x는 188이 바람직하고 y는 10이 바람직하다.
일반식(Ⅱ)의 쯔비터이온성 아미노작용성 실록산을 다시 강산(HA)고 반응시켜 쯔비터이온(Ⅱ)과 일반식(Ⅲ)으로 나타낸 쯔비터이온(Ⅱ)및 산(HA)의 공액 산 염기쌍의 평형을 유지시킬 수 있으며, 이는 강산의 pka및 광택제 용매의 절연강도에 따라 다르다. 강산(HA)은 염산, 브롬화 수소산, 요오드화수소산, 질산, 과염소산, 인산 및 유기산으로 이루어진 그룹중에서 선택되며, 여기서 유기산은 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 카프로산, 밴조산, 할로-치환된 벤조산 및 니트로-치환된 벤조산으로 이루어진 그룹중의 하나일 수 있다. 상기 쯔비터이온(n)및 강산(HA)의 공액 산 염기쌍의 상기에서와 같이 생성된 일반식(Ⅲ)은 하기의 일반식을 갖는다 :
상기식에서, Me는 메틸이고, x는 약 40내지 약 400의 정수이며, y는 약 1내지 약 20의 정수이고, A는 음이온이며, R는 에틸렌, 비닐리덴 또는 페닐렌이다.
x는 188이 바람직하고 y는 10이 바람직하다.
이것은 본 발명의 특정 양태이며 필수적으로 공액 조성물(Ⅲ)이 모든 경우에 생성되는 것은 아니다. 그러나, 공액 조성물(Ⅲ)이 생성되는 경우, 이는 산 형성시 반드시 존재하여야 한다. 쯔비터이오노머(Ⅱ)와 공액 조성물(Ⅲ)사이에 도달되는 평형은 산의 강도에 따른다. 산이 강산이면, 공액 조성물(Ⅲ)이 우세하다. 산이 약산이면, 쯔비터이오노머가 우세하다. 상기에서와 같이, 이러한 평형은 강산의 pka및 용매의 절연강도에 따라 다르다. 본 발명에 따른 바람직한 용매는, 예를들면, 에탄을 및 톨루엔이다.
또한, 일반식(Ⅱ)의 쯔비터이온성 아미노작용성 실록산은 염기성 화합물과 추가로 반응하여 쯔비터이온(Ⅱ)과 일반식(Ⅳ)로 나타낸 쯔비터이온(Ⅱ)및 염기성 화합물의 공액산 염기쌍을 평형화시킬 수 있으며, 이때 평형은 염기 B와 쯔비터이온 염기성 부위의 상대적 pka및 매질의 절연강도에 따라 달라진다. 강 염기는 유기 아민, 수산화물 및 루이스 염기로 이루어진 그룹중에서 선택된다. 하기에 나타낸 바와같이, 쯔비터이온(Ⅱ)및 염기성 화합물의 공액 산 염기 쌍의 생성된 일반식(Ⅳ)는 하기의 일반식을 갖는다 :
상기식에서, Me는 메틸이고, x는 약 40내지 약 400의 정수이며 y는 약 1내지 약20의 정수이고, BH는 양이온 및 양성자화 염기이며, R4는 에틸렌, 비닐리덴 또는 페닐렌이다.
x는 188이 바람직하며, y는 10이 바람직하다.
이는 본 발명의 특정 양태이나, 공액 조성물(Ⅳ)가 모든 경우에 생성되는 것을 요구하지는 않는다. 그러나, 공액 조성물(Ⅳ)이 생성되는 경우, 이는 디부틸 아민과 같은 염기성 화합물의 형성시 반드시 존재하여야 한다는 것을 주지하여야 한다. 쯔비터이오노머(Ⅱ)및 공액 조성물(Ⅳ)가 모든 경우에 생성되는 것을 요구하지는 않는다. 그러나, 공액 조성물(Ⅳ)이 생성되는 경우, 이는 디부틸 아민과 같은 염기성 화합물의 형성시 반드시 존재하여야 한다는 것을 주지하여야 한다. 쯔비터이오노머(Ⅱ)및 공액 조성물(Ⅳ)사이에 도달되는 평형은 염기의 강도에 따른다. 염기가 강염기인 경우, 공액 조성물(Ⅳ)이 우세하다 염기가 약염기인 경우에는, 쯔비터 이오노머가 우세하다. 위에서 지적한 바와 같이, 이러한 평형은 강염기 및 쯔비터이온의 상대적 pka값과 용매의 절연 강도에 따라 다르다.
또한, 일반식(I) 형태의 아미노작용성 실록산은 상기한 바 있는 미합중국 특허 제3,508,993호, 제3,836,371호 및 제3,890,271호에 기술된 대체 방법에 따라 제조할 수 있다. 이 대체방법에서, 출발물질은 구조식 CH3(CH3O)2SiCH2CH(CH3)CH2NHC H2CH2NH2의 메틸디메톡시 에틸렌디아미노이소부틸 실란이다.
아미노작용성 실란을 약 95내지 99%의 활성 농도로 증류시킨다. 실란은 실란 1mol당 3mo1의 물을 가하여 가수분해 시킨다. 이 물질을 대기압 및 약 130℃의 온도에서 배치증류시킨다. 이어서, 진공 건조를 통해 메탄올 및 잔류수를 제거하여 아미노작용성 가수분해물을 수득한다. 아미노작용성 가수분해물을 점도가 1.5센티스토크인 폴리디메틸실록산, 일반식(Me2SiO)n(여기서, n은 3,4또는 5이다)의 디메틸 사이클릭 및 촉매(예 : 수산화칼륨 또는 칼륨 실라놀레이트)의 혼합물에 가한다. 이 혼합물을 교반하여 중합체와 평형시킨후, 약 150℃로 가열한다. 혼합물을 약 80내지 90℃또는 그 이하로 냉각시킨 후, 교반하면서 아세트산을 첨가하여 촉매를 중화시킨다. 진공하에서 휘발성 물질을 스트리핑시켜 제거하여 비휘발성 물질의 함량을 증가시킨 다음, 정제 생성물을 수득하기 위해 임의의 헤이즈(haze)제거용의 예비피복시킨 플레이크 및 프레임 필터(frame filter)에서 당해 물질을 여과한다. 이 방법의 전형적인 실시예는 아래에 나타낸다.
실시예 I
둥근 바닥 플라스크에 디메틸사이클릭 3,482.8g, 가수분해물 439.2g, 점도 1.5cs의 폴리디멘틸실록산78.4g 및 칼륨 실라놀레이트 촉매 38.3g을 가한다. 플라스크의 내용물을 질소 대기하에서 20분간 혼합한다. 플라스크를 가열시켜 내용물을 4시간 동안 150℃로 유지한다. 혼합물을 33℃로 냉각시킨다. 아세트산 2.14g을 플라스크에 가하여 촉매를 중화시킨다. 유체를 밤새 교반한후 여과한다. 생성된 생성물은 물같이 맑고 354cs의 점도를 갖고 있다. 생성물은 아민 5mol%를 함유하고 표 1에 나타낸, x가 188이고 y가 10인 물질로서 확인되었다.
실시예 Ⅱ
실시예 I 을 반복하여 일반식(I)타입의 아미노 작용성 실록산을 제조한다. 일반식(Ⅱ)타입의 쯔비터이온성 아미노 작용성 실록산 물질은 무수물 10중량 %용액이 되도록 별도로 디메톡시에탄중에 석신산 무수물을 용해시켜 제조한다. 석신산 무수물을 적하 깔대기를 통해 일반식(I)타입의 아미노작용성실록산을 함유하는 플라스크의 내용물에 가한 다음, 용액을 교반하면서 약 55℃및 질소 유입하에서 가열한다. 혼합물을 120℃의 질소 대기하 약 20mmhg이하에서 약 45분간 또는 증기가 약 80℃에 도달할때까지 진공증류시켜 모든 디메톡시에탄을 제거하여 쯔비터이오노머를 수득한다. 생성된 쯔비터 이오노머를 고체함량 약 88%가 되도록 증류시킨다. 이 실시예를 반복하여 약 0.5mol%내지 약 8mol및%범위의 아민을 함유하는 쯔비터이오노머를 제조한다.
미합중국 특허 제3,508,933호, 제3,836,371호 및 제 3,890,271호에서 사용된, 처리된 표면과 접촉하여 물을 생기게 하는 아미노작용성 실록산 대신에 본 발명의 쯔비터이온성 아미노작용성 실록산을 광택제내로 제형화시켜 종래 기술의 광택제형을 사용하는 경우 통상적으로 나타나는 비딩보다는 시팅이 수행되게 한다. 이와 같이 베형화된 광택제을 실제 자동차 표면은 물론 시험 판넬에 적용시킨다. 처리된 표면과 접촉하는 물은 시팅되며 이는 육안으로 관찰된다. 즉, 종래 기술의 광택제도 막을 이루긴 하나, 본발명의 쯔비터이오노머성 조성물을 이용할때 수득되는 물을 시팅시키는 막과는 대조적으로, 물을 비딩시키는 막이다. 또 다른 경우, 처리할 표면에 광택제를 적용하고, 표면상의 광택제를 문지른후 용매를 증발시켜 막이 남게함으로써 막을 형성시킨다. 그러나, 본 발명의 쯔비터이오노머를 포함시키면 물을 시팅시키는 반면, 포함시키지 않으면 물을 비딩시킨다. 물을 비딩시키는 막과는 대조적으로, 물을 시팅시키는 막의 특이한 장점은, 물을 비딩시키는 타입의 막의 경우, 당해 막에 의해 생기는 자국 및 환을 제거하기 위해 표면을 한번 더 세척할 필요가 있는 것과는 달리, 비가온후 먼지나 조각들을 모으지 않는다는 점이다. 본 발명의 물을 시팅시키는 막은 일반적으로 자동차, 보트 및 항해용 선박과 같은 표면,나무 표면, 플라스틱 표면 및 섬유 표면에 적용시킨다. 본 발명의 막은 고광택을 내며, 내구성이 있고 적용하기가 용이하다.
실질적으로 본 발명의 기본적인 특징 및 개념을 벗어나지 않는 한, 본 명세서에 기술된 구조, 화합물, 조성물 및 방법에 있어서 많은 다른 변경과 변형이 이루어질 수 있다는 것을 전술한 내용을 통해 명백히 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 명세서에 기술된 본 발명의 형태는 단지 예시적인 것이지 본 발명의 범위를 제한하려는 것이 아니라는 것을 명확히 이해하여야 한다.
Claims (12)
- 성분으로서 와스, 용매, 계면활성제, 중점제, 연마제, 염료, 방향제, 및 광택제를 제조하는데 통상적으로 사용되는 기타 성분으로 이루어진 그룹중에서 선택된 하나 이상의 성분을 함유하는 광택 제형에 있어, 산 무수물과, (A)25℃에서의 점도가 약 10내지 15,000cs의 범위인 하이드록실 말단차단된 폴리디메틸실록산과 일반식 Rn(R'O)3-nSi(CH2)3NHR',및 Rn(R'O)3-nSiRNHCH2CH2NH2(여기서, R'는 수소원자 또는 메틸 래디칼이고, R는 탄소수가 1내지 6이고 지방족 불포화가 없는 1가의 탄화수소 래디칼이며, n은 0내지 2이고, R'는 탄소수 1내지 4의 알킬 래디칼이며, R은 탄소수가 3내지 4이고 지방족 불포화가 없는 1가의 탄화수소 래디칼이다)의 화합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 실란의 혼합물, (B)25℃에서의 점도가 약 10내지 15,000cs의 범위인 하이드록실 말단차단된 폴리디메틸실록산, 일반식(R1O)3-SiR2NHR3및 (R1O)3-SiR2NHCH2CH2NH2(여기서, R1은 탄소수 1내지 4의 알킬 래디칼이고, R2는 탄소수가 3내지 4이고 지방족 불포화가 없는 2가의 탄화수소 래디칼이며, R3은 수소원자 또는 메틸래디칼이다)의 화합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 실란 및 일반식 X3SiZ[여기서, X는 탄소수 1내지 4의 알콕시 또는 아실옥시 래디칼이고, Z는 탄화수소 래디칼, 할로겐화 탄화 수소 래디칼, 및 탄소, 수소 및 산소 원자(여기서, 산소 원자는 하이드록실 그룹, 에스테르 그룹 또는 에테르 결합중에 존재 한다)로 구성된 래디칼로 이루어진 그룹중에서 선택된 비가수분해성 래디칼로서 Z래디칼에는 1내지 10개의 탄소 원자가 존재한다]의 실란의 혼합물, 믿(C)25℃에서의 점도가 약 1내지 15,000cs의 범위인 폴리디메틸실록산과 일반식 Rn(R'O)3-nSi(CH2)3NHR'및 Rn(R'O)3-nSiRNHCH2CH2NH2(여기서, R'는수소원자 또는 메틸 래디칼이고, R는 탄소수가 1내지 6이고 지방족 불포화가 없는 1가의 탄화수소 래디칼이며, n은 0내지 2이고, R'는 탄소수 1내지 4의 알킬 래디칼이며, n은 탄소수가 3내지 4이고 지방족 불포화가 없는 2가의 탄화수소래디칼이다)의 화합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 실란의 혼합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 아미노작용성 실록산과의 반응 생성물인 물질을 혼입시킴을 특징으로하는 광택 제형.
- 제1항에 있어서, 산 무수물이 석신산 무수물, 말레산 무수물, 프탈산 무수물 및 이산화탄소로 이루어진 그룹중에서 선택되는 제형.
- 제2항에 있어서, 반응 생성물이 하기 일반식을 갖는 아미노작용성 실록산 쯔비터이온인 제형.
상기식에서, Me는 메틸이고, x는 약 40 내지 약 400의 정수이며, y는 약 1내지 약 20의 정수이고, R4는 에틸렌, 비닐리덴 또는 페닐렌이다. - 산무수물과, (A)25℃에서의 점도가 약 10내지 15,000cs의 범위인 하이드록실 말단차단된 폴리디메틸 실록산과, 일반식 Rn(R'O)3-nSi(CH)3NHR,및 Rn(R'O)3-nSiRNHCH2CH2NH2(여기서,R'는 수소원자 또는 메틸 래디칼이고, R는 탄소수가 1내지 6이고 지방족 불포화가 없는 1가의 탄화수소 래디칼이며, n은 0내지 2이고, R'는 탄소수 1내지 4의 알킬 레디칼이며, R은 탄소수가 3내지 4이고 지방족 불포화가 없는 2가의 탄화수소 래디칼이다)의 화합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 실란의 혼합물, (B)25℃에서의 점도가 약10내지 15,000cs의 범위인 하이드록시 말단차단된 폴리 디메틸실록산, 일반식(R1O)3-SiR2NHR3및 (R1O)3-SiR2NHCH2CH2NH2(여기서, R1은 탄소수 1내지 4의 알킬 래디칼이고, R2는 탄소수가 3내지 4이고 지방족 불포화가 없는 2가의 탄화수소 래디칼이며, R3은 수소원자 또는 메틸 래디칼이다)의 화합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 실란 및 일반식 X3SIZ[여기서, X는 탄소수 1내지 4의 알콕시 또는 아실옥시 래디칼이고, Z는 탄화수소 래디칼, 할로겐화 탄화수소 래디칼, 및 탄소, 수소 및 산소 원자(여기서, 산소 원자는 하이드록실 그룹, 에스테르 그룹 또는 에테르 결합중에 존재한다)로 구성된 래디칼로 이루어진 그룹중에서 선택된 비가수분해성 래디칼로서 Z래디칼에는 1내지 10개의 탄소원자가 존재한다]의 실란의 혼합물, 및 (D)25℃에서의 점도가 약 1내지 15,000CS의 범위인 폴리 디메틸실록산과 일반식 Rn(R'O)3-nSi(CH2)3NHR'및 Rn(R'O)3-nSiRNHCH2CH2NH2(여기서, R'는 수소원자 또는 메틸래디칼이고, R는 탄소수가 1내지 6이고 지방족 불포화가 없는 1가의 탄화수소 래디칼이며, R은 탄소수가 3내지 4이고 지방족 불포화가 없는 2가의 탄화수소 래디칼이다)의 화합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 실란의 혼합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 아미노작용성 실록산과의 반응 생성물인 물질을 포함하며, 성분으로서 왁스, 용매, 계면활성제, 중점제, 면마제, 염료, 방향제, 및 광택제를 제조하는데 통상적으로 사용되는 기타성분으로 이루어진 그룹중에서 선택된 서운 하나 이상을 함유하는 광택제형을, 표면이 물에 노출되기 전에, 표면에 적용시킴으 특징으로 하여, 표면상의 물을 시팅(sheeting)시키는 방법.
- 제4항에 있어서, 산 무수물이 석신산 무수물, 말레산 무수물, 프탈산 무수물 및 이산화탄소로 이루어진 그룹중에서 선택되는 방법.
- 제5항에 있어서, 반응 생성물이 하기 일반식을 갖는 아미노작용성 실록산 쯔비터이온인 방법.
상기식에서, Me는 메틸이고, x는 약 40 내지 약 400의 정수이며, y는 약 1내지 약 20의 정수이고, R4는 에틸렌, 비닐리덴 또는 페닐렌이다. - 산 무수물과, (A)25℃에서의 점도가 약10내지 15,000cs의 범위인 하이드록실 말단차단된 폴리디메틸 실록산과 일반식 Rn(R'O)3-nSi(CH2)3NHR'및 Rn(R'O)3-n-SiRNHCH2CH2NH2(여기서, R'는 수소원자 또는 메틸래디칼이고, R'는 탄소수가 1내지 6이고 지방족 불포화가 없는 1가의 탄화수소 래디칼이며, n은 0내지 2이고, R'는 탄소수 1내지 4의 알킬 래디칼이며, R은 탄소수가 3내지 4이고 지방족 불포화가 없는 2가의 탄화수소 래디칼이다)의 화합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 실란의 혼합물, (B)25℃에서의 점도가 약 10내지 15,000cs의 범위인 하이드록실 말단차단된 폴리 디메틸실록산, 일반식(R1O)3-SiR2NHR3및(R1O)3-SiR2NHCH2CH2NH2(여기서, R1은탄소수 1내지 4의 알킬 래디칼이고, R2는 탄소수가 3내지 4이고 지방족 불포화가 없는 2가의 탄화수소 래디칼이며, R3은 수소원자 또는 메틸 래디칼이다)의 화합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 실란의 혼합물, (B)25℃에서의 점도가 약10내지 15,000cs의 범위인 하이드록실 말단차단된 폴리 디메틸실록산, 일반식(R1O)3-SiR2NHR3및 (R1O)3-SiR2NHCH2CH2NH2(여기서, R1은 탄소수 1내지 4의 알킬 래디칼이고, R2는 탄소수가 3내지 4이고 지방족 불포화가 없는 2가의 탄화수소 래디칼이며, R3은 수소원자 또는 메틸 래디칼이다)의 화합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 실란 및 일반식 X3SiZ[여기서, X는 탄소수 1내지 4의 알콕시 또는 아실옥시 래디칼이고, Z는 탄화수소 래디칼, 할로겐화 탄화수소 래디칼, 및 탄소, 수소 및 산소 원자(여기서, 산소 원자는 하이드록실 그룹, 에스테르 그룹 또는 에테르 결합중에 존재한다)로 구성된 래디칼로 이루어진 그룹중에서 선택된 비가수분해성 래디칼로서 Z래디칼에는 1내지 10개의 탄소원자가 존재한다]의 실란의 혼합물, 및(C)25℃에서의 점도가 약 1내지 15,000cs의 범위인 폴리 디메틸실록산과 일반식 Rn(R'O)3-nSi(CH2)3NHR'및 Rn(R'O)3-nSiRNHCH2CH2NHE(여기서, R'는 수소원자 또는 메틸 래디칼이고, R는 탄소수가 1내지 6이고 지방족 불포화가 없는 1가의 탄화수소 래디칼이며, n은 0내지 2이고, R'는 탄소수 1내지 4의 알킬 래디칼이며, R은 탄소수가 3내지 4이고 지방족 불포화가 없는 2가의 탄화수소 래디칼이다)의 화합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 실란의 혼합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 아미노작용성 실록산을 반응시킴을 특징으로 하여, 아미노작용성 실록산 쯔비터이오노머를 제조하는 방법.
- 제7항에 있어서, 산 무수물이 석신산 무수물, 말레산 무수물, 프탈산 무수물 및 이산화탄소로 이루어진 그룹중에서 선택되는 방법.
- 제8항에 있어서, 쯔비터이오노머가 하기 일반식을 갖는 방법.
상기식에서, Me는 메틸이고, x는 약 40내지 약 400의 정수이며, y는 약 1내지 약 20의 정수이고, R4는 에틸렌, 비닐리덴 또는 페닐렌이다. - 산 무수물과, (A)25℃에서의 점도가 약 10내지 15,000cs의 범위인 하이드록실 말단차단된 폴리디메틸 실록산과 일반식 Rn(R'O)3-nSi(CH2)3NHR' 및 Rn(R'O)3-nSiRNHCH2CH2NH2(여기서, R는 수소원자 또는 메틸 래디칼이고, R은 탄소수가 1내지 6이고 지방족 불포화가 없는 1가의 탄화수소 래디칼이며, n은 0내지 2이고, R'는 탄소수 1내지 4의 알킬 래디칼이며, R은 탄소수가 3내지 4이고 지방족 불포화가 없는 2가의 탄화수소 래디칼이다)의 화합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 실란의 혼합물, (B)25℃에서의 점도가 약 10내지 15,000cs의 범위인 하이드록실 말단차단된 폴리 디메틸실록산, 일반식(R1O)3-SiR2NHR3및(R1O)3-SiR2NHCH2CH2NH2(여기서, R1은 탄소수 1내지 4의 알킬 래디칼이고, R2는 탄화수소 래디칼이며, R3은 수소원자 또는 메틸 래디칼이다)의 화합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 실란 및 일반식 X3SiZ[여기서, X는 탄소수 1내지 4의 알콕시 또는 아실옥시 래디칼이고, Z는 탄화수소 래디칼, 할로겐화 탄화수소 래디칼, 및 탄소, 수소 및 산소 원자(여기서. 산소 원자는 하이드록실 그룹, 에스테르 그룹 또는 에테르 결합중에 존재한다)로 구성된 래디칼로 이루어진 그룹중에서 선택된 비가수분해성 래디칼로서 z래디칼에는 1내지 10개의 탄소 원자가 존재한다]의 실란의 혼합물, 및 (C)25℃에서의 점도가 약 1내지 15,000cs의 범위인 폴리디메틸실록산과 일반식 Rn(R'O)3-nSi(CH2)3NHR'및 Rn(R'O)3-nSiRNHCH2CH2NH2(여기서, R'는 수소 원자 또는 메틸 래디칼이고, R는 탄소수가 1내지 6이고 지방족 불포화가 없는 1가의 탄화수소 래디칼이며, n은 0내지 2이고, R'는 탄소수 1내지 4의 알킬 래디칼이며, R은 탄소수가 3내지 4이고 지방족 불포화가 없는 2가의 탄화수소 래디칼이다)의 화합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 실란의 혼합물로 이루어진 그룹중에서 선택된 아미노작용성 실록산의 반응 생성물을 포함함을 특징으로 하는, 아미노작용성 실록산 쯔비터이오노머성 화합물.
- 제10항에 있어서, 산 무수물이 석신산 무수물, 말레산 무수물, 프탈산 무수물 및 이산화탄소로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 화합물.
- 제11항에 있어서, 쯔비터이오노머가 하기 일반식을 갖는 화합물.
상기식에서, Me는 메틸이고, x는 약 40내지 약 400의 정수이며, y는 약 1내지 약 20의 정수이고, R4는 에틸렌, 비닐리덴 또는 페닐렌이다.
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