JPWO2025182054A5 - - Google Patents

Info

Publication number
JPWO2025182054A5
JPWO2025182054A5 JP2025514414A JP2025514414A JPWO2025182054A5 JP WO2025182054 A5 JPWO2025182054 A5 JP WO2025182054A5 JP 2025514414 A JP2025514414 A JP 2025514414A JP 2025514414 A JP2025514414 A JP 2025514414A JP WO2025182054 A5 JPWO2025182054 A5 JP WO2025182054A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
euv
transmitting film
nitride
protective layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2025514414A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2025182054A1 (https=
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/JP2024/007654 external-priority patent/WO2025182054A1/ja
Publication of JPWO2025182054A1 publication Critical patent/JPWO2025182054A1/ja
Publication of JPWO2025182054A5 publication Critical patent/JPWO2025182054A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2025514414A 2024-02-29 2024-02-29 Pending JPWO2025182054A1 (https=)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2024/007654 WO2025182054A1 (ja) 2024-02-29 2024-02-29 Euv透過膜及びその加工方法、並びに露光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2025182054A1 JPWO2025182054A1 (https=) 2025-09-04
JPWO2025182054A5 true JPWO2025182054A5 (https=) 2026-02-04

Family

ID=96881136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2025514414A Pending JPWO2025182054A1 (https=) 2024-02-29 2024-02-29

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20250278032A1 (https=)
EP (1) EP4636488A1 (https=)
JP (1) JPWO2025182054A1 (https=)
KR (1) KR20250134065A (https=)
TW (1) TW202540760A (https=)
WO (1) WO2025182054A1 (https=)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7554368B2 (ja) * 2022-09-15 2024-09-19 日本碍子株式会社 Euv透過膜及びその使用方法、並びに露光方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016001351A1 (en) 2014-07-04 2016-01-07 Asml Netherlands B.V. Membranes for use within a lithographic apparatus and a lithographic apparatus comprising such a membrane
KR102366806B1 (ko) * 2015-05-13 2022-02-23 삼성전자주식회사 열 축적을 방지하는 펠리클 및 이를 포함하는 극자외선 리소그래피 장치
KR101813185B1 (ko) * 2016-06-30 2018-01-30 삼성전자주식회사 포토마스크용 펠리클 및 이를 포함하는 노광 장치
JP6944768B2 (ja) * 2016-08-29 2021-10-06 エア・ウォーター株式会社 ペリクルの製造方法
KR102675777B1 (ko) * 2017-07-31 2024-06-18 삼성전자주식회사 포토마스크용 펠리클과 이를 포함하는 레티클 및 포토마스크용 펠리클의 제조방법
JP2020098227A (ja) 2018-12-17 2020-06-25 信越化学工業株式会社 フォトリソグラフィ用ペリクル膜及びこれを備えたペリクル
JP7606504B2 (ja) * 2019-07-30 2024-12-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. ペリクル膜
KR102781061B1 (ko) * 2021-04-08 2025-03-19 한국전자기술연구원 비정질 탄소를 포함하는 극자외선 노광용 펠리클 및 그의 제조 방법
EP4194948A4 (en) * 2021-10-20 2024-05-01 NGK Insulators, Ltd. EUV TRANSMITTANT FILM
WO2023112330A1 (ja) * 2021-12-17 2023-06-22 日本碍子株式会社 ペリクルの製造に用いられるためのSiメンブレン構造体、及びペリクルの製造方法
KR20240111817A (ko) * 2022-03-18 2024-07-17 엔지케이 인슐레이터 엘티디 Euv 투과막의 제조 방법 및 펠리클
JP7372501B1 (ja) * 2022-09-15 2023-10-31 日本碍子株式会社 Euv透過膜

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101981897B1 (ko) 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법
JP5590113B2 (ja) Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法
US9207529B2 (en) Reflective mask blank for EUV lithography, and process for its production
KR102649175B1 (ko) 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 방법
JP2025029113A (ja) Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、euvリソグラフィ用反射型マスク、およびそれらの製造方法
KR102869331B1 (ko) 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 방법
WO2020175354A1 (ja) 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
TW201001057A (en) Photomask blank, photomask, and methods of manufacturing the same
KR20110036054A (ko) 위상 시프트 마스크 블랭크 및 위상 시프트 마스크
TW201227167A (en) Photomask blank and making method, photomask, light pattern exposure method, and design method of transition metal/silicon base material film
JPWO2015012151A1 (ja) 多層反射膜付き基板、euvリソグラフィー用反射型マスクブランク、euvリソグラフィー用反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
JP2004304170A (ja) 反射型マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
JPWO2025182054A5 (https=)
JP3818171B2 (ja) 位相シフトマスクブランク及びその製造方法
JPWO2023067739A5 (https=)
JP2004363570A (ja) 反射多層膜付き基板及び反射型マスクブランクス並びに反射型マスク
US20250278032A1 (en) Euv transmissive membrane, processing method thereof, and exposure method
JP6223756B2 (ja) 多層反射膜付き基板、euvリソグラフィー用反射型マスクブランク、euvリソグラフィー用反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
JPWO2025182055A5 (https=)
US12124164B2 (en) Reflective mask blank and reflective mask
WO2023286669A1 (ja) 反射型マスクブランクおよびその製造方法
WO2025182055A1 (ja) Euv透過膜、ペリクル、及び露光方法
JP2025146050A (ja) 反射型マスクブランク、反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法
JP7554368B2 (ja) Euv透過膜及びその使用方法、並びに露光方法
JP4073882B2 (ja) ハーフトーン型位相シフトマスクブランク