JPWO2025017892A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JPWO2025017892A5
JPWO2025017892A5 JP2023570418A JP2023570418A JPWO2025017892A5 JP WO2025017892 A5 JPWO2025017892 A5 JP WO2025017892A5 JP 2023570418 A JP2023570418 A JP 2023570418A JP 2023570418 A JP2023570418 A JP 2023570418A JP WO2025017892 A5 JPWO2025017892 A5 JP WO2025017892A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
channel layer
spacer layer
manufacturing
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2023570418A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2025017892A1 (https=
JP7513219B1 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/JP2023/026521 external-priority patent/WO2025017892A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7513219B1 publication Critical patent/JP7513219B1/ja
Publication of JPWO2025017892A1 publication Critical patent/JPWO2025017892A1/ja
Publication of JPWO2025017892A5 publication Critical patent/JPWO2025017892A5/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2023570418A 2023-07-20 2023-07-20 半導体装置およびその製造方法 Active JP7513219B1 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2023/026521 WO2025017892A1 (ja) 2023-07-20 2023-07-20 半導体装置およびその製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP7513219B1 JP7513219B1 (ja) 2024-07-09
JPWO2025017892A1 JPWO2025017892A1 (https=) 2025-01-23
JPWO2025017892A5 true JPWO2025017892A5 (https=) 2025-06-24

Family

ID=91802831

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023570418A Active JP7513219B1 (ja) 2023-07-20 2023-07-20 半導体装置およびその製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7513219B1 (https=)
CN (1) CN121533152A (https=)
WO (1) WO2025017892A1 (https=)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000021897A (ja) * 1998-06-29 2000-01-21 Toshiba Corp 電界効果トランジスタおよびその製造方法
JP5739774B2 (ja) * 2011-09-13 2015-06-24 トランスフォーム・ジャパン株式会社 化合物半導体装置及びその製造方法
JP2016058546A (ja) * 2014-09-09 2016-04-21 株式会社東芝 半導体装置
CN111477547A (zh) * 2020-04-26 2020-07-31 广东省半导体产业技术研究院 一种增强型功率器件及其制作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008135700A (ja) Ｉｉｉ族窒化物膜の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体素子
US10170580B2 (en) Structure of GaN-based transistor and method of fabricating the same
TW201545315A (zh) 半導體裝置與其之製造方法
TWI681561B (zh) 氮化鎵電晶體元件之結構及其製造方法
CN102738224A (zh) 一种采用硅合金的多层金属欧姆接触系统及其制造方法
JPWO2025017892A5 (https=)
US20100207165A1 (en) Semiconductor device and method for fabricating the same
CN110098249A (zh) 半导体结构及其制造方法
TWI646591B (zh) 半導體結構及其製造方法
RU2619444C1 (ru) Способ изготовления омических контактов к нитридным гетероструктурам на основе Si/Al
JP5348847B2 (ja) 金属性の制御電極を有する半導体素子を製造する方法、および半導体素子
WO2021139362A1 (zh) 二极管及其制造方法
JP2009224643A (ja) 電界効果トランジスタおよびその製造方法
JP7513219B1 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2004273658A (ja) ナイトライド系半導体素子の作製法
JPS6354231B2 (https=)
JP2945032B2 (ja) 薄膜トランジスタの製法
JP5540685B2 (ja) 化合物半導体装置の製造方法
TW202347766A (zh) 半導體裝置以及其製作方法
KR102803401B1 (ko) 옴 합금 접촉부 영역 밀봉층
JP7640000B1 (ja) 半導体装置の製造方法
CN119894030B (zh) 一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法
JP7825252B2 (ja) 窒化物半導体装置および窒化物半導体装置の製造方法
JPH0445976B2 (https=)
CN114843187B (zh) 一种GaN基多纳米沟道高电子迁移率晶体管的制备方法