RU2619444C1 - Способ изготовления омических контактов к нитридным гетероструктурам на основе Si/Al - Google Patents
Способ изготовления омических контактов к нитридным гетероструктурам на основе Si/Al Download PDFInfo
- Publication number
- RU2619444C1 RU2619444C1 RU2016110786A RU2016110786A RU2619444C1 RU 2619444 C1 RU2619444 C1 RU 2619444C1 RU 2016110786 A RU2016110786 A RU 2016110786A RU 2016110786 A RU2016110786 A RU 2016110786A RU 2619444 C1 RU2619444 C1 RU 2619444C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ohmic contacts
- ohmic
- nitride
- contact
- heat treatment
- Prior art date
Links
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 abstract description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способу формирования омических контактов к нитридным гетероструктурам по технологии вжигаемых омических контактов и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов с высокой степенью интеграции. Омический контакт формируют путем последовательного напыления в вакууме четырех слоев: кремний (Si), алюминий (Al), никель (Ni) и золото (Au), с использованием фоторезистивной маски на участок поверхности нитридной гетероструктуры с последующим статическим отжигом на графитовом столике в среде азота. Использование подслоя кремния обеспечивает при термической обработке за счет диффузии легирование подконтактной области, формируя высоколегированный полупроводник и изменяя работу выхода из него, обеспечивая формирование невыпрямляющего контакта алюминия с высоколегированной областью под контактом. Изобретение обеспечивает снижение температуры отжига, что обеспечивает улучшение морфологии омических контактов и повышение их технологичности. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
Description
Изобретение относится к способу формирования омических контактов к нитридным гетероструктурам по технологии вжигаемых омических контактов и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов с высокой степенью интеграции.
Из предшествующего уровня техники известен способ [A. Crespo, R. Fitch, J. Gillespie, N. Moser, G. Via, M. Yannuzzi «Ti/Al/Ni/Au Ohmic Contacts on AlGaN/GaN HEMTs» // 2003 International Conference on Compound Semiconductor Mfg.] изготовления омических контактов к нитридным гетероструктурам, заключающийся в последовательном нанесении металлов Ti/Al/Ni/Au с последующим быстрым термическим отжигом при температурах выше 800°С. Недостатком способа являются грубая морфология омических контактов, высокое удельное сопротивление на большом диапазоне температур и сложная зависимость от параметров термической обработки и состава металлизации, что ставит проблемы воспроизводимости.
Известен способ [US 9040398 В2, H01L 21/265] изготовления омических контактов, заключающийся в имплантации ионов на определенные участки нитридной гетерострутктуры, нанесении металлических слоев на имплантированные области и последующем отжиге для обеспечения контакта с областью двумерного электронного газа (2DEG). Высокая концентрация ионов, которая должна быть использована для получения достаточной скорости активации в пределах имплантированных областей, создает большое количество дефектов структуры, что ухудшает характеристики омических контактов.
Известен способ [US 8685764 В2, H01L 33/00] изготовления омических контактов к легированному нитриду галлия, включающий нанесение алюминия или сплава на основе алюминия. Сопротивление омического контакта 5 10-5 Ом⋅см2. Недостатком способа является необходимость использования предварительно легированного нитрида галлия.
Известен способ [US 20150364330 A1, H01L 21/285] изготовления омических контактов на основе металла Та к гетероструктуре AlGaN/GaN, заключающийся в нанесении на барьерный слой гетероструктуры сначала слоя Та со скоростью 1 Å/секунду, затем слоев Ti и Al. Использование композиции на основе Та позволило улучшить рельеф контакта и получить сопротивление порядка 0,5 Ом⋅мм. При формировании омического контакта используется быстрый термический отжиг при температурах выше 800°С и в процессе отжига остается открытым слой Al, который склонен к окислению.
Известен способ [US 7719030 В2, H01L 29/739] изготовления омических контактов к нитридным гетероструктурам с низким сопротивлением с использованием алюминиевых сплавов, заключающийся в нанесении четырех слоев, Ti, AlSi, Ti и TiW, сплав AlSi имеет около 1% Si. Использование сплава AlSi вместо чистого Al позволило снизить контактное сопротивление примерно на 15-30% до 0,8-1 Ом⋅мм после быстрого термического отжига при температуре 875°С. Недостатком способа является большое удельное сопротивление и сложность получения сплава с содержанием Si 1%. Использование высоких температур отжига сказывается на ухудшении морфологии контакта.
Известен способ [US 20140346568 A1, H01L 29/45] изготовления омических контактов без содержания золота к предварительно запассивированным нитридным структурам с низкими температурами отжига, заключающийся в удалении в области формирования омического контакта защитного слоя диэлектрика и барьерного слоя гетероструктуры до области залегания 2DEG с осаждением двойного слоя Ti/Al. Соотношение толщина слоя Ti в слое Al находится между 0,01 до 0,1. После осаждения проводится быстрый термический отжиг. Получаемое сопротивление 0,62 Ом⋅мм. Дополнительное нанесение в вытравленную область под омические контакты на основе Ti/Al тонкого слоя Si позволило получить сопротивление до 0,3 Ом⋅мм. Таким образом, необходимым условием формирования низкотемпературных омических контактов без золота является плазмохимическое травление полупроводника, удаление барьерного слоя AlGaN, что усложняет технологический процесс изготовления омических контактов за счет использования дополнительных процессов и сложного плазмохимического оборудования. При этом омический контакт за счет удаления барьерного слоя формируется к GaN.
Известен способ, принятый за прототип [CN 103928511, H01L 29/45], изготовления омических контактов к гетероструктурам на основе нитрида галлия, заключающийся в последовательном нанесении пяти слоев Si и/или Ge, Al, Ti, металла и Au. В качестве слоя металла может быть Ti, Ni, Pt или Mo. Затем осуществляют быстрый термический отжиг в диапазоне температур от 700°С до 870°С в течение 20-60 секунд в среде азота. Недостатком метода является использование высоких температур, что приводит к ухудшению морфологии омических контактов.
Техническим результатом изобретения является снижение температуры отжига металлизации конструкции омических контактов к нитридным гетероструктурам, за счет чего происходит улучшение морфологии омических контактов, сформированных по технологии вжигаемых омических контактов, и повышение технологичности омических контактов.
Технический результат достигается за счет того, что омический контакт формируется путем последовательного напыления в вакууме композиции четырех слоев: кремний (Si), алюминий (Al), никель (Ni) и золото (Au), с использованием фоторезистивной маски «lift-off» на участок поверхности нитридной гетероструктуры с последующей термической обработкой на графитовом столике в среде азота. Использование подслоя кремния обеспечивает при термической обработке за счет диффузии легирование подконтактной области, формируя высоколегированный полупроводник и изменяя работу выхода из него, обеспечивая формирование невыпрямляющего контакта алюминия с высоколегированной областью под контактом. Алюминий является наиболее подходящим однокомпонентным элементом для омического контакта за счет маленькой работы выхода электрона из металла.
В традиционных работах используют Ti/Al контактный слой, при этом Ti обеспечивает образование азотных вакансий за счет взаимодействия полупроводника с контактной металлизацией, формируется TixN. Эти азотные вакансии формируют слой под контактом, играющий роль высоколегированного слоя, который образуется при температурах выше 750°С. Использование температур выше 900°С может приводить к обеднению поверхности гетероструктуры азотом, что влечет изменение свойств структуры и скажется на конечных параметрах приборов. Поэтому использование композиции на основе Si/Al за счет снижения температуры позволяет избежать получения развитого рельефа поверхности, не ровной границы и ухудшения свойств гетероструктуры.
Фиг. 1. Зависимость удельного сопротивления омического контакта от последовательно возрастающей температуры обработки на образцах с композициями омических контактов Si/Al/Ni/Au при толщине кремния 12,5; 7,5; 5 нм.
Фиг. 2. Зависимость удельного сопротивления омического контакта от длительности термической обработки для образцов с композициями омических контактов Si/Al/Ni/Au при толщине кремния 12,5 нм.
Фиг. 3. Фотография с оптического микроскопа рельефа омического контакта на основе Si/Al после термической обработки до 675°С.
Фиг. 4. Фотография с оптического микроскопа рельефа омического контакта после длительного отжига и повышения температуры до 725°С.
Как показали эксперименты (фиг. 1 и 2) с разной толщиной кремния в композиции, температурой и временем термической обработки, получение необходимого сопротивления омического контакта достигается при определенной толщине кремния длительностью термической обработки, либо увеличением температуры. Последовательная термическая обработка композиции омического контакта с увеличением температуры показала уменьшение сопротивления омического контакта при неизменном рельефе поверхности. Для контактов с толщиной кремния от 5 до 7,5 нм (фиг. 1) температурная зависимость от ее увеличения несущественная, то есть можно работать при формировании омических контактов с данной композицией в большом диапазоне температур, что является более технологично и воспроизводимо по сравнению с композициями на основе Ti/Al. Для композиции с толщиной кремния 12,5 нм были исследованы зависимость удельного сопротивления от длительности термической обработки в двух режимах, последовательный набор температуры с промежуточными измерениями и выдерживанием образца при температуре 675°С с последующим дополнительным отжигом при температуре 725°С в течение 120 секунд (фиг. 2). Длительная термическая обработка приводила к постепенному улучшению удельного сопротивления, а дополнительная обработка позволяла наблюдать улучшение сопротивления раньше, но после набора 2000 секунд и дополнительного нагрева 725°С началось ухудшение удельного сопротивления омического контакта с ухудшением его морфологии (фиг. 3, 4).
Таким образом, получается, что длительность и температура термических процессов определяют диффузию кремнию в нитрид галлия, как и его толщина. Можно при разных режимах и составах композиций получить схожий результат, что свидетельствует о технологичности данных омических контактов к нитридным гетероструктурам, сформированных по технологии вжигаемых омических контактов.
Claims (3)
1. Способ изготовления омических контактов к нитридным гетероструктурам, включающий последовательное напыление в вакууме четырех слоев на участок поверхности нитридной гетероструктуры и последующую термическую обработку в среде азота, отличающийся тем, что напыляют последовательно слои Si, Al, Ni и Au.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что толщина слоя Si составляет от 5 до 7,5 нм.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что термическую обработку проводят при температурах от 675 до 725°С.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016110786A RU2619444C1 (ru) | 2016-03-24 | 2016-03-24 | Способ изготовления омических контактов к нитридным гетероструктурам на основе Si/Al |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016110786A RU2619444C1 (ru) | 2016-03-24 | 2016-03-24 | Способ изготовления омических контактов к нитридным гетероструктурам на основе Si/Al |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2619444C1 true RU2619444C1 (ru) | 2017-05-15 |
Family
ID=58716086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016110786A RU2619444C1 (ru) | 2016-03-24 | 2016-03-24 | Способ изготовления омических контактов к нитридным гетероструктурам на основе Si/Al |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2619444C1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2669339C1 (ru) * | 2017-06-29 | 2018-10-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук | Способ изготовления омических контактов |
| RU2696825C1 (ru) * | 2018-12-14 | 2019-08-06 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) | Способ изготовления омического контакта к AlGaN/GaN |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6897137B2 (en) * | 2002-08-05 | 2005-05-24 | Hrl Laboratories, Llc | Process for fabricating ultra-low contact resistances in GaN-based devices |
| RU2315389C1 (ru) * | 2006-12-19 | 2008-01-20 | Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование" | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ GaN/AlGaN |
| RU2315390C1 (ru) * | 2006-12-19 | 2008-01-20 | Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование" | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ GaN/AlGaN |
| US7687908B2 (en) * | 2003-07-11 | 2010-03-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film electrode for high-quality GaN optical devices |
| CN102148154A (zh) * | 2010-12-21 | 2011-08-10 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种具有复合金属阻挡层的氮化镓器件多层欧姆接触系统 |
| RU155419U1 (ru) * | 2015-04-21 | 2015-10-10 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | Низкоомный омический контакт к гетероэпитаксиальной структуре на основе нитрида галлия |
-
2016
- 2016-03-24 RU RU2016110786A patent/RU2619444C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6897137B2 (en) * | 2002-08-05 | 2005-05-24 | Hrl Laboratories, Llc | Process for fabricating ultra-low contact resistances in GaN-based devices |
| US7687908B2 (en) * | 2003-07-11 | 2010-03-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film electrode for high-quality GaN optical devices |
| RU2315389C1 (ru) * | 2006-12-19 | 2008-01-20 | Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование" | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ GaN/AlGaN |
| RU2315390C1 (ru) * | 2006-12-19 | 2008-01-20 | Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование" | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ GaN/AlGaN |
| CN102148154A (zh) * | 2010-12-21 | 2011-08-10 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种具有复合金属阻挡层的氮化镓器件多层欧姆接触系统 |
| RU155419U1 (ru) * | 2015-04-21 | 2015-10-10 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | Низкоомный омический контакт к гетероэпитаксиальной структуре на основе нитрида галлия |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2669339C1 (ru) * | 2017-06-29 | 2018-10-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук | Способ изготовления омических контактов |
| RU2696825C1 (ru) * | 2018-12-14 | 2019-08-06 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) | Способ изготовления омического контакта к AlGaN/GaN |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI327376B (en) | Method for deplnntng the fermi level of a semiconductor at an electrical junction and devices incorporating such junctions | |
| JP5144585B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US6599644B1 (en) | Method of making an ohmic contact to p-type silicon carbide, comprising titanium carbide and nickel silicide | |
| EP2246880B1 (en) | Semiconductor device fabrication method | |
| US10079296B2 (en) | High electron mobility transistor with indium nitride layer | |
| Li et al. | Evaluation of a gate-first process for AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors | |
| CN110797397A (zh) | 一种AlGaN/GaN欧姆接触电极及其制备方法和用途 | |
| RU2619444C1 (ru) | Способ изготовления омических контактов к нитридным гетероструктурам на основе Si/Al | |
| CN106449773B (zh) | GaN基肖特基二极管结构及其制作方法 | |
| TWI646591B (zh) | 半導體結構及其製造方法 | |
| RU2610346C1 (ru) | Способ изготовления омических контактов к нитридным гетероструктурам AlGaN/GaN | |
| RU2696825C1 (ru) | Способ изготовления омического контакта к AlGaN/GaN | |
| US10192970B1 (en) | Simultaneous ohmic contact to silicon carbide | |
| US9035323B2 (en) | Silicon carbide barrier diode | |
| JP6040904B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| RU2748300C1 (ru) | Способ изготовления омического контакта с низким удельным сопротивлением к пассивированной нитрид-галлиевой гетероструктуре на кремниевой подложке | |
| Hsieh et al. | Au-Free GaN High-Electron-Mobility Transistor with Ti/Al/W Ohmic and WN X Schottky Metal Structures for High-Power Applications | |
| CN110676172B (zh) | 一种实现低导通电阻的增强型氮化镓晶体管的方法 | |
| TWI740058B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
| JP2004273658A (ja) | ナイトライド系半導体素子の作製法 | |
| RU2422941C2 (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА К GaAs НА ОСНОВЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК Ge И Cu | |
| RU2745589C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| US20240120201A1 (en) | Selective Area Diffusion Doping of III-N Materials | |
| Pavlov et al. | The thermal stability of nonalloyed ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures | |
| JP2010219384A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体からなる半導体装置、およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200325 |