RU2748300C1 - Способ изготовления омического контакта с низким удельным сопротивлением к пассивированной нитрид-галлиевой гетероструктуре на кремниевой подложке - Google Patents
Способ изготовления омического контакта с низким удельным сопротивлением к пассивированной нитрид-галлиевой гетероструктуре на кремниевой подложке Download PDFInfo
- Publication number
- RU2748300C1 RU2748300C1 RU2020134043A RU2020134043A RU2748300C1 RU 2748300 C1 RU2748300 C1 RU 2748300C1 RU 2020134043 A RU2020134043 A RU 2020134043A RU 2020134043 A RU2020134043 A RU 2020134043A RU 2748300 C1 RU2748300 C1 RU 2748300C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- passivated
- gallium nitride
- contact
- heterostructure
- ohmic contact
- Prior art date
Links
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 title 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims abstract description 7
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims abstract description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 23
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 15
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- -1 argon ions Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 29
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 29
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical group 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии изготовления мощных и СВЧ нитрид-галлиевых транзисторов на кремниевой подложке и интегральных схем на их основе, а именно к технологии изготовления омических контактов с низким удельным сопротивлением и гладкой морфологией к пассивированной нитрид-галлиевой гетероструктуре. После помещения образцов в рабочую камеру и достижения рабочего давления осуществляется обработка пассивированной поверхности приборной гетероструктуры источником ионов аргона для удаления загрязнений, возникших в межоперационный период. Далее на пассивирующий диэлектрик последовательно осаждаются методом электронно-лучевого испарения слои Si/Ti/Al/Ni/Au с толщинами 10-20/20/100/40/60 нм, соответственно. Затем производится термическая обработка контакта в атмосфере гелия при температуре 850°С в течение 30 с. Техническим результатом при реализации заявленного решения является создание омического контакта с низким удельным сопротивлением и гладкой морфологией к пассивированной GaN/AlGaN гетероструктуре на кремниевой подложке. 4 ил.
Description
Изобретение относится к технологии изготовления мощных и СВЧ нитрид-галлиевых транзисторов на кремниевой подложке и интегральных схем на их основе, а именно к технологии изготовления омических контактов с низким удельным сопротивлением и гладкой морфологией к пассивированной нитрид-галлиевой гетероструктуре.
Нитрид галлия обладает большим потенциалом для применения в оптоэлектронике, силовой и СВЧ электронике. На его основе изготавливают эффективные оптические излучатели и детекторы, работающие в спектральном диапазоне от желтого до ультрафиолетового, а также термостойкие силовые и СВЧ транзисторы. Для коммерческого успеха на рынке все эти устройства требуют наличия низкоомных омических контактов. Большие потери мощности и малые сроки службы приводят к появлению дорогих и ненадежных устройств, неприемлемых для коммерческого использования. Лучшим показателем качества омического контакта является значение удельного контактного сопротивления (ρс). В зависимости от технологии изготовления значения ρс могут изменяться на несколько порядков.
Чаще всего омический контакт к n-GaN изготавливается путем нанесения тонкого слоя (~20-40 нм) Ti непосредственно на поверхность нитрида и покрытия его более толстым слоем (~100-150 нм) Al. Опубликованные исследования этого контакта многочисленны и противоречивы [1]. Процесс создания контакта имеет множество технических нюансов, включая источник и метод выращивания нитридного материала, метод подготовки поверхности для нанесения контактного металла, метод нанесения слоев контактной металлизации, способ отжига контакта для достижения омического поведения, структура металлических слоев. Все эти технические нюансы могут оказывать заметное влияние на электрические и металлургические свойства получаемого контакта.
Известен способ создания омического контакта Ti/Al/Ni/Au с помощью электронно-лучевого напыления металлов в вакуумной камере при давлении от 1⋅10-7 до 1⋅10-8 мм рт.ст. и последующего высокотемпературного отжига [2]. Обычно в камере присутствует значительное количество остаточного кислорода и паров воды, которые интенсивно окисляют Ti и Al. В результате ухудшаются адгезия омических контактов со слоем AlGaN, а также диффузия Al в этот слой. Как следствие, повышается контактное сопротивление. Для связывания кислорода и паров воды перед напылением металлизации в вакуумной камере распыляют Ti до образования 2-3 монослоев Ti на поверхностях элементов, расположенных внутри вакуумной камеры. Отжиг контакта проводится в атмосфере азота при температуре 850-950°С в течение 20-40 с. По сведениям авторов изобретения полученные омические контакты имеют контактное сопротивление ρс=0,1-0,2 Ом⋅мм.
Известен способ создания омического контакта к гетероструктуре AlGaN/GaN, покрытой слоем диэлектрика (SiO2) [3]. Через фоторезистивную маску проводится травление «окно» в диэлектрической пленке, после чего фоторезистивная маска удаляется. Далее проводится травление гетероструктуры, через сформированные «окна» в диэлектрической пленке, на глубину ниже залегания области двумерного электронного газа. После образования углублений в герероструктуре происходит повторное травление диэлектрической пленки для расширения «окон». Формирование омических контактов завершается последовательным нанесением металлических слоев Ti/Al/Ni/Au.
Альтернативой контактам на основе Ti/Al/Ni/Au могут быть низкотемпературные омические контакты на основе композиций TiN/Al, Hf/Al или Ta/Al. Известен способ изготовления омических контактов, включающий формирование на поверхности пластины двухслойной фоторезистивной маски с последующим плазмохимическим травлением слоя AlGaN, последовательное осаждение методом электронно-лучевого испарения в вакууме тонких пленок барьерообразующего слоя на основе тантала (Та) толщиной 5-100 нм, слоя проводника на основе алюминия (Al) толщиной 5-1000 нм и верхнего защитного слоя на основе тантала (Та) толщиной 5-1000 нм, удаление двухслойной фоторезистивной маски и термообработку контактов в инертной атмосфере [4]. Напыление пленок барьеробразующего и защитного слоев на основе тантала (Та) производится методами магнетронного распыления в вакууме. Омические контакты на основе композиции Та/Al/Та, полученные указанным способом, демонстрируют минимальное значение приведенного контактного сопротивления порядка 0.3 Ом-мм после термической обработки при температуре 550°С в течение 60 секунд в среде азота.
Известен способ изготовления омических контактов к предварительно запассивированным нитридным структурам с низкими температурами отжига, заключающийся в удалении в области формирования омического контакта защитного слоя диэлектрика и барьерного слоя гетероструктуры до области залегания 2DEG с осаждением двойного слоя Ti/Al [5]. Соотношение толщина слоя Ti в слое Al находится между 0,01 до 0,1. После осаждения проводится быстрый термический отжиг. Получаемое сопротивление 0,62 Ом⋅мм. Дополнительное нанесение в вытравленную область под омические контакты на основе Ti/Al тонкого слоя Si позволило получить сопротивление до 0,3 Ом⋅мм. Недостатком указанного способа изготовления контакта является плазмохимическое травление диэлектрика и приборной структуры, что может привести к ее повреждению и делает характеристики контакта трудновоспроизводимыми. Также использование сложного плазмохимического оборудования увеличивает стоимость технологического процесса.
Известен способ создания омического контакта, выбранный нами за прототип, путем последовательного напыления в вакууме четырех слоев: кремний (Si), алюминий (Al), никель (Ni) и золото (Au), с использованием фоторезистивной маски на участок поверхности нитридной гетероструктуры с последующим статическим отжигом на графитовом столике в среде азота [6]. Использование подслоя кремния обеспечивает при термической обработке за счет диффузии легирование подконтактной области, формируя высоколегированный полупроводник и изменяя работу выхода из него, обеспечивая формирование невыпрямляющего контакта алюминия с высоколегированной областью под контактом. Толщина слоя Si составляет от 5 до 7,5 нм. Термическую обработку проводят при температурах от 675 до 725°С. Удельное сопротивление ρс=0,4-0,5 Ом⋅мм. Недостатком указанного способа является плохая морфология контакта и высокое контактное сопротивление.
Задача настоящего изобретения - создание омического контакта с низким удельным сопротивлением и гладкой морфологией к пассивированной GaN/AlGaN гетероструктуре на кремниевой подложке.
Предлагаемый способ заключается в следующем: после помещения образцов в рабочую камеру и достижения рабочего давления осуществляется обработка пассивированной поверхности приборной гетероструктуры источником ионов аргона для удаления загрязнений, возникших в межоперационный период. Далее на пассивирующий диэлектрик последовательно осаждаются методом электронно-лучевого испарения слои Si/Ti/Al/Ni/Au с толщинами 10-20/20/100/40/60 нм, соответственно. Затем производится термическая обработка контакта в атмосфере гелия при температуре 850°С в течение 30 с.
Проведенные исследования демонстрируют технический результат, достигаемый по предлагаемому способу, относительно способа прототипа. В экспериментах использовались эпитаксиальные гетероструктуры AlGaN/GaN выращенные на кремниевых подложках диаметром 150 мм. Поверхность гетероструктуры была запассивирована слоем Si3N4. Металлические слои формируются на установке электронно-лучевого осаждения Telemark при вакууме 7,2⋅10-7 Торр. После помещения образцов в рабочую камеру и достижения рабочего давления производится обработка поверхности пластины источником ионов аргона для удаления загрязнений, возникших в межоперационный период. Источник расположен в рабочей камере под углом 45° к поверхности образца. Параметры процесса: напряжение катод-анод 100 В, ток катода 1 А, время обработки 90 секунд. Во время процесса держатель подложки вращается со скоростью 4 оборота в минуту для достижения большей равномерности. Удаление загрязнений повышает адгезию слоев кремния к пассивирующему диэлектрику.
Для оценки влияния подслоя кремния на качество омических контактов, на одну пластину осаждались две металлизации: стандартная Ti/Al/Ni/Au и металлизация с дополнительным слоем кремния Si/Ti/Al/Ni/Au. Для этого вначале закрывались 2/3 пластины. На открытую часть наносилась стандартная металлизация Ti/Al/Ni/Au (20/100/40/30 нм). Далее закрытая часть пластины открывалась, а область со стандартной металлизацией, наоборот, закрывалась. На открытую поверхность наносились слои Si/Ti/Al/Ni/Au. Всего было изготовлено три опытных пластины с разными толщинами Si: 5 (как в способе-прототипе), 10 и 20 нм.
В ходе эксперимента пластины резались на кристаллы размером 1×1 см2. Образцы со стандартной металлизацией Ti/Al/Ni/Au вжигались в течение 30 секунд при температуре 870°С. Контактное сопротивление составило 0,5-0,7 Ом⋅мм. Образцы с металлизацией Si/Ti/Al/Ni/Au вжигались при различных температурах в диапазоне 840-880°С. Результаты измерения контактного сопротивления в зависимости от температуры отжига показаны на фиг. 1. Из фиг. 1 видно, что использование 5 нм подслоя кремния, применяемого в способе-прототипе, не приводит к существенному уменьшению сопротивления контактов. При толщинах Si подслоя 10 и 20 нм контактное сопротивление не превосходит 0,33 Ом⋅мм при температурах отжига в диапазоне 850-870°С. Минимальное значение сопротивления равно 0,19 Ом⋅мм и достигается при 850°С для 10 нм слоя Si и при 860°С для 20 нм слоя Si. Это меньше чем контактное сопротивление при использовании способа-прототипа.
На фиг. 2 показаны РЭМ изображения сечения контакта и приконтактной области полупроводника при наличии и отсутствии 20 нм подслоя кремния. Отжиг контакта проводился при 860°С. При отжиге стандартной металлизации титан проникает в полупроводник неоднородно. Можно выделить области повышенной и пониженной концентрации. Относительно малая площадь области с высокой концентрацией титана приводит к высокому сопротивлению (0,6 Ом⋅мм). Использование подслоя кремния позволило добиться более равномерного проникновения титана в полупроводник во время отжига. Площадь контакта между металлом и полупроводником увеличилась. Это привело к понижению сопротивления контакта до 0,2 Ом⋅мм.
Термическая обработка осуществляется на установке UniTemp 1200. В ходе отработки процесса вжигания омических контактов были получены оптимальные температурные профили для двух различных инертных газов: гелия и азота, применяемого в способе-прототипе. Максимальные температуры задавались разные (Не - 850°С, N2 -870°С), однако вследствие разной теплопроводности газов профили температур практически совпадают (фиг. 3). Время выдержки составляет в обоих случаях 30 секунд. Из фиг. 3 видно, что применение гелия в качестве инертного газа при отжиге образцов позволяет сократить общее время процесса практически вдвое. При этом охлаждение ускоряется при температурах менее 400°С, когда интенсивность диффузионных процессов минимальна. Использование гелия позволяет быстрее остановить диффузионные процессы после того как произошло сплавление металлов и полупроводника, что приводит к существенному улучшению морфологии поверхности.
На фиг 4 показано сравнение морфологий омических контактов, изготовленных по способу-прототипу из патента [6], и по предлагаемому способу. Предлагаемый способ позволяет получить более гладкую морфологию.
На фиг. 1 представлена зависимость контактактного сопротивления от температуры вжигания образцов с разной толщиной подслоя Si.
На фиг. 2 представлены РЭМ изображения сечения границы контакта метал/полупроводник, температура вжигания 860°С, металлизация: a) Ti/Al/Ni/Au; б) Si(20 нм)/ Ti/Al/Ni/Au.
На фиг. 3 представлены температурные профили образца при отжиге в атмосферах гелия и азота.
На фиг. 4 представлены фотографии омических контактов, изготовленных по способу-прототипу из патента [6] а) и по предлагаемому способу б).
Источники информации
1. Greco G., Iucolano F., Roccaforte F. Ohmic contacts to Gallium Nitride materials // Appl. Surf. Sci. Elsevier B.V., 2016. Vol. 383. P. 324-345.
2. Патент РФ №2315389
3. Патент РФ №2610346
4. Патент РФ №2696825
5. Патент США №9634107
6. Патент РФ №2619444 – прототип.
Claims (1)
- Способ изготовления омического контакта с низким удельным сопротивлением к пассивированной нитрид-галлиевой гетероструктуре на кремниевой подложке, включающий последовательное электронно-лучевое осаждение в вакуумной камере слоев кремния, титана, алюминия и золота и последующий высокотемпературныйо отжиг, отличающийся тем, что перед осаждением, по достижении рабочего давления в камере, осуществляется обработка пассивированной поверхности полупроводниковой пластины ионами аргона для удаления загрязнений, возникших в межоперационный период, осаждение проводится непосредственно на пассивирующий диэлектрик без его предварительного травления, толщина осаждаемого слоя кремния - 10-20 нм, а высокотемпературный отжиг производится в атмосфере гелия при 850-860°С в течение 30 секунд.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020134043A RU2748300C1 (ru) | 2020-10-16 | 2020-10-16 | Способ изготовления омического контакта с низким удельным сопротивлением к пассивированной нитрид-галлиевой гетероструктуре на кремниевой подложке |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020134043A RU2748300C1 (ru) | 2020-10-16 | 2020-10-16 | Способ изготовления омического контакта с низким удельным сопротивлением к пассивированной нитрид-галлиевой гетероструктуре на кремниевой подложке |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2748300C1 true RU2748300C1 (ru) | 2021-05-21 |
Family
ID=76033942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020134043A RU2748300C1 (ru) | 2020-10-16 | 2020-10-16 | Способ изготовления омического контакта с низким удельным сопротивлением к пассивированной нитрид-галлиевой гетероструктуре на кремниевой подложке |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2748300C1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU209181U1 (ru) * | 2021-09-29 | 2022-02-04 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" | Высоковольтный латеральный нитрид-галлиевый транзистор для малоиндуктивных каскодных схем |
| RU2790272C1 (ru) * | 2022-08-03 | 2023-02-15 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Способ формирования омических контактов к кремнию на основе двухслойной системы металлизации Ti/Au |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011171551A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Toyota Motor Corp | 半導体装置の製造方法 |
| RU2458430C1 (ru) * | 2010-12-30 | 2012-08-10 | Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран" | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА К GaAs |
| RU155419U1 (ru) * | 2015-04-21 | 2015-10-10 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | Низкоомный омический контакт к гетероэпитаксиальной структуре на основе нитрида галлия |
| RU2696825C1 (ru) * | 2018-12-14 | 2019-08-06 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) | Способ изготовления омического контакта к AlGaN/GaN |
-
2020
- 2020-10-16 RU RU2020134043A patent/RU2748300C1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011171551A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Toyota Motor Corp | 半導体装置の製造方法 |
| RU2458430C1 (ru) * | 2010-12-30 | 2012-08-10 | Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран" | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА К GaAs |
| RU155419U1 (ru) * | 2015-04-21 | 2015-10-10 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | Низкоомный омический контакт к гетероэпитаксиальной структуре на основе нитрида галлия |
| RU2696825C1 (ru) * | 2018-12-14 | 2019-08-06 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) | Способ изготовления омического контакта к AlGaN/GaN |
Non-Patent Citations (4)
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU209181U1 (ru) * | 2021-09-29 | 2022-02-04 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" | Высоковольтный латеральный нитрид-галлиевый транзистор для малоиндуктивных каскодных схем |
| RU2790272C1 (ru) * | 2022-08-03 | 2023-02-15 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Способ формирования омических контактов к кремнию на основе двухслойной системы металлизации Ti/Au |
| RU2806213C1 (ru) * | 2023-04-14 | 2023-10-30 | Общество с ограниченной ответственностью "Совместное предприятие "Квантовые технологии" (ООО "СП "Квант") | Способ изготовления поверхностной ионной ловушки |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4248688A (en) | Ion milling of thin metal films | |
| KR101456355B1 (ko) | 금속 산화물의 표면 처리 방법과 박막 트랜지스터를 제조하는 방법 | |
| US5756391A (en) | Anti-oxidation layer formation by carbon incorporation | |
| JPH07161659A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| CN111640797A (zh) | 半导体器件的制作方法 | |
| RU2748300C1 (ru) | Способ изготовления омического контакта с низким удельным сопротивлением к пассивированной нитрид-галлиевой гетероструктуре на кремниевой подложке | |
| Boudart et al. | Comparison between TiAl and TiAlNiAu ohmic contacts to n-type GaN | |
| US5902130A (en) | Thermal processing of oxide-compound semiconductor structures | |
| JPS61129833A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP5030172B2 (ja) | 絶縁膜及びその製造方法、並びに絶縁膜を備えた電子デバイス | |
| RU2152108C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2619444C1 (ru) | Способ изготовления омических контактов к нитридным гетероструктурам на основе Si/Al | |
| Ghita et al. | STUDIES OF OHMIC CONTACT AND SCHOTTKY BARRIERS ON | |
| US7129161B2 (en) | Depositing a tantalum film | |
| RU2703931C1 (ru) | Способ изготовления кремниевых диодов шоттки | |
| US9035323B2 (en) | Silicon carbide barrier diode | |
| Shul et al. | Plasma‐induced damage of GaAs during etching of refractory metal contacts | |
| CN116544275B (zh) | 一种GaN HEMTs及降低器件欧姆接触阻值的方法 | |
| KR0162863B1 (ko) | 갈륨비소반도체와 산화루테늄 접촉베리어의 열적안정화방법 | |
| CN114122124B (zh) | 一种欧姆电极及其制备方法和应用 | |
| JP4408787B2 (ja) | 絶縁膜及びその製造方法、並びに絶縁膜を備えた電子デバイス | |
| JPS61183961A (ja) | 電極の製造方法 | |
| Jiang et al. | Dependence of the Electrical Behavior of an Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistor on the Process Condition of Plasma-Based Fluorination | |
| Kim et al. | Sulfur passivation for thermal stability enhancement of RuO2 Schottky contact on compound semiconductor | |
| CN115036210A (zh) | 原位SiN冒层GaN基异质结构器件及其制备方法 |