JPWO2025004787A5 - - Google Patents

Info

Publication number
JPWO2025004787A5
JPWO2025004787A5 JP2025529610A JP2025529610A JPWO2025004787A5 JP WO2025004787 A5 JPWO2025004787 A5 JP WO2025004787A5 JP 2025529610 A JP2025529610 A JP 2025529610A JP 2025529610 A JP2025529610 A JP 2025529610A JP WO2025004787 A5 JPWO2025004787 A5 JP WO2025004787A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon carbide
carbide epitaxial
epitaxial layer
substrate
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2025529610A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2025004787A1 (https=
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/JP2024/021156 external-priority patent/WO2025004787A1/ja
Publication of JPWO2025004787A1 publication Critical patent/JPWO2025004787A1/ja
Publication of JPWO2025004787A5 publication Critical patent/JPWO2025004787A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2025529610A 2023-06-29 2024-06-11 Pending JPWO2025004787A1 (https=)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023107032 2023-06-29
PCT/JP2024/021156 WO2025004787A1 (ja) 2023-06-29 2024-06-11 炭化珪素エピタキシャル基板、炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2025004787A1 JPWO2025004787A1 (https=) 2025-01-02
JPWO2025004787A5 true JPWO2025004787A5 (https=) 2026-04-01

Family

ID=93938790

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2025529610A Pending JPWO2025004787A1 (https=) 2023-06-29 2024-06-11

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPWO2025004787A1 (https=)
WO (1) WO2025004787A1 (https=)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9018639B2 (en) * 2012-10-26 2015-04-28 Dow Corning Corporation Flat SiC semiconductor substrate
JP2017183729A (ja) * 2017-04-25 2017-10-05 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体基板およびその製造方法、ならびに炭化珪素半導体装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6777029B2 (ja) シリコンウェーハ及びその製造方法
CN111542910A (zh) 键合晶圆中的应力补偿和释放
CN110459464B (zh) 一种厚膜氮化硅的区域挖槽制备方法
CN105612605A (zh) 镜面研磨晶圆的制造方法
WO2016038800A1 (ja) 半導体ウェーハの加工方法、貼り合わせウェーハの製造方法、及びエピタキシャルウェーハの製造方法
CN110085554A (zh) 一种玻璃钝化硅晶圆的切割方法
CN113035688B (zh) 一种半导体结构及其制作方法
JP2006073832A (ja) 太陽電池及びその製造方法
JPWO2025004787A5 (https=)
CN108793053A (zh) Mems soi晶圆和制备方法以及mems传感器和制备方法
CN100537148C (zh) 抛光垫以及化学机械抛光方法
JP2009027095A (ja) 半導体ウェハの評価方法、半導体ウェハの研削方法、及び半導体ウェハの加工方法
JPWO2024058044A5 (https=)
CN110838516A (zh) 半导体元件、半导体基板及半导体元件制作方法
JP3175619B2 (ja) 半導体基板の製造方法
CN112768529B (zh) 一种半导体器件制备方法
CN111417491B (zh) 晶片抛光设备的抛光垫以及用于其的制造方法
JP3558624B2 (ja) 半導体素子の製造方法
CN107275205B (zh) 超级结的沟槽填充方法
CN207265023U (zh) 晶片载具
JP6256576B1 (ja) エピタキシャルウェーハ及びその製造方法
JPH038947B2 (https=)
CN107731848B (zh) 能够控制晶圆边缘形貌的三维存储器的制造方法
CN111665656A (zh) 显示装置及其制备方法
JPH02132843A (ja) 半導体圧力センサ用ウェハの切断方法