JPWO2023286747A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 配線基板と、前記配線基板上に配置されている電子部品と、グランド電極と、を備える電子基板を準備する工程と、
   前記配線基板上における、前記グランド電極が含まれない領域であって、かつ、前記電子部品を含む領域に絶縁層形成用インクを付与し、活性エネルギー線を照射して、前記絶縁層形成用インクの硬化膜である絶縁層を形成する工程と、
   前記絶縁層上、及び、前記グランド電極の少なくとも一部に対して、導電層形成用インクを付与し、前記導電層形成用インクの硬化膜である導電層を形成する工程と、
   を含み、
   前記絶縁層を形成する工程は、
   前記電子部品が配置されていない領域に、第１絶縁層形成用インクを付与し、第１活性エネルギー線を照射する第１工程と、
   前記第１工程で形成された絶縁層上、及び、前記電子部品が配置されている領域を含む領域に、第２絶縁層形成用インクを付与し、第２活性エネルギー線を照射する第２工程と、を含む電子デバイスの製造方法。
2. 前記第１活性エネルギー線及び前記第２活性エネルギー線を、それぞれ、照度４Ｗ／ｃｍ^２以上で照射する、請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
3. 前記第１絶縁層形成用インクが付与された時点から、前記第１活性エネルギー線の照射開始までの時間が１秒以内であり、かつ、
   前記第２絶縁層形成用インクが付与された時点から、前記第２活性エネルギー線の照射開始までの時間が１秒以内である、請求項１又は請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
4. 前記第１絶縁層形成用インク及び前記第２絶縁層形成用インクを、それぞれ、インクジェット記録方式で付与する、請求項１又は請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
5. 前記第１絶縁層形成用インク及び前記第２絶縁層形成用インクを、それぞれ、シャトルスキャン方式で付与する、請求項４に記載の電子デバイスの製造方法。
6. 前記導電層形成用インクを、インクジェット記録方式で付与する、請求項１又は請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
7. 前記第１工程は、前記第１絶縁層形成用インクを仮硬化させる工程と、仮硬化した第１絶縁層形成用インクを本硬化させる工程と、を含み、
   前記第２工程は、前記第２絶縁層形成用インクを仮硬化させる工程と、仮硬化した第２絶縁層形成用インクを本硬化させる工程と、を含む、請求項１又は請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
8. 前記導電層形成用インクは、銀を含む、請求項１又は請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
9. 前記第１絶縁層形成用インク及び前記第２絶縁層形成用インクに含まれる界面活性剤の含有量は、それぞれ、０．５質量％以下である、請求項１又は請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
10. 前記第１絶縁層形成用インクと、前記第２絶縁層形成用インクとは、同一であり、
    前記第１工程及び前記第２工程は、それぞれ繰り返し行われ、
    前記絶縁層の厚さが３０μｍ～３０００μｍの範囲である、請求項１又は請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
11. 前記第１絶縁層形成用インクと、前記第２絶縁層形成用インクとは、同一であり、
    前記第１工程及び前記第２工程は、それぞれ繰り返し行われ、
    前記絶縁層の厚さの最大値と最小値との差の絶対値が３０μｍ以上である、請求項１又は請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。