JPH05160177A - 電子部品の被覆形成方法 - Google Patents
電子部品の被覆形成方法Info
- Publication number
- JPH05160177A JPH05160177A JP3348692A JP34869291A JPH05160177A JP H05160177 A JPH05160177 A JP H05160177A JP 3348692 A JP3348692 A JP 3348692A JP 34869291 A JP34869291 A JP 34869291A JP H05160177 A JPH05160177 A JP H05160177A
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- Japan
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- coating
- resin
- acrylate
- electron beam
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 バッファコート層の機能とオーバコート層の
機能とを併有する被覆樹脂層を１層で形成し、硬化時間
の短縮とピンホールの発生防止を図る。 【構成】 ハイブリッドＩＣ６の上にアクリレート系樹
脂を塗装して被覆樹脂層７を形成する。アクリレート系
樹脂は、末端にアクリレート基を２つ以上持つものであ
れば良く、例えばポリエステルアクリレート、ポリウレ
タンアクリレート、アルキドアクリレート等を用いるこ
とができる。ついで、被覆樹脂層７に電子線８を照射し
てアクリレート系樹脂を硬化させる。このとき、電子線
照射条件を制御し、被覆樹脂層７の外側表面で架橋反応
を促進させて外層７ａを架橋密度が高くて硬度の高い層
とし、電子線８の侵入しにくい内層７ｂで架橋反応を不
完全にして架橋密度の低い層とする。
機能とを併有する被覆樹脂層を１層で形成し、硬化時間
の短縮とピンホールの発生防止を図る。 【構成】 ハイブリッドＩＣ６の上にアクリレート系樹
脂を塗装して被覆樹脂層７を形成する。アクリレート系
樹脂は、末端にアクリレート基を２つ以上持つものであ
れば良く、例えばポリエステルアクリレート、ポリウレ
タンアクリレート、アルキドアクリレート等を用いるこ
とができる。ついで、被覆樹脂層７に電子線８を照射し
てアクリレート系樹脂を硬化させる。このとき、電子線
照射条件を制御し、被覆樹脂層７の外側表面で架橋反応
を促進させて外層７ａを架橋密度が高くて硬度の高い層
とし、電子線８の侵入しにくい内層７ｂで架橋反応を不
完全にして架橋密度の低い層とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子部品の被覆形成方法
に関する。具体的にいうと、ハイブリッド集積回路やコ
ンデンサ、正特性サーミスタ等の電子部品の被覆樹脂層
の形成方法に関する。
に関する。具体的にいうと、ハイブリッド集積回路やコ
ンデンサ、正特性サーミスタ等の電子部品の被覆樹脂層
の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のハイブリッドＩＣ（集積回
路）を示す断面図である。ハイブリッドＩＣ６は、セラ
ミックス基板１の上に厚膜導体回路２を印刷及び焼き付
けによって形成し、厚膜導体回路２の表面をガラス被膜
３によって覆い、当該基板１の上に実装されたＩＣ４や
チップコンデンサ等をガラス被膜３から露出した厚膜導
体回路２に半田付けしたものであり、全体を樹脂によっ
て被覆されている。
路）を示す断面図である。ハイブリッドＩＣ６は、セラ
ミックス基板１の上に厚膜導体回路２を印刷及び焼き付
けによって形成し、厚膜導体回路２の表面をガラス被膜
３によって覆い、当該基板１の上に実装されたＩＣ４や
チップコンデンサ等をガラス被膜３から露出した厚膜導
体回路２に半田付けしたものであり、全体を樹脂によっ
て被覆されている。
【０００３】この被覆樹脂層２１は、内部のＩＣ４等や
半田付け箇所に応力を伝えにくい低応力のものが要求さ
れるため、２層以上の構造となっていることが多い。２
層構造の場合には、内層にバッファコート剤（緩衝剤）
を塗布して柔軟なバッファコート層２２を形成し、バッ
ファコート層２２によってセラミックス基板１やＩＣ４
等との接着面に応力が発生するのを防止し、外層にオー
バコート剤を塗布して硬質のオーバコート層２３を形成
し、オーバコート層２３によって外部の衝撃からハイブ
リッドＩＣ６を保護している。
半田付け箇所に応力を伝えにくい低応力のものが要求さ
れるため、２層以上の構造となっていることが多い。２
層構造の場合には、内層にバッファコート剤（緩衝剤）
を塗布して柔軟なバッファコート層２２を形成し、バッ
ファコート層２２によってセラミックス基板１やＩＣ４
等との接着面に応力が発生するのを防止し、外層にオー
バコート剤を塗布して硬質のオーバコート層２３を形成
し、オーバコート層２３によって外部の衝撃からハイブ
リッドＩＣ６を保護している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のように
してハイブリッドＩＣの被覆樹脂層を２層構造とする方
法にあっては、被覆樹脂層を形成するための樹脂の塗装
工程を２回繰り返す必要があり、被覆樹脂層を設ける工
程の効率が悪かった。
してハイブリッドＩＣの被覆樹脂層を２層構造とする方
法にあっては、被覆樹脂層を形成するための樹脂の塗装
工程を２回繰り返す必要があり、被覆樹脂層を設ける工
程の効率が悪かった。
【０００５】また、外層のオーバコート層として熱硬化
性樹脂を用い、加熱によりオーバコート層を熱硬化させ
ているので、硬化時間が長時間（３０分〜２時間くら
い）掛かっている。さらに、硬化時に加熱されるため、
塗装時に巻き込んだ空気の熱膨張によってオーバコート
層にピンホールが発生し、被覆樹脂層の品質が低下する
という問題があった。
性樹脂を用い、加熱によりオーバコート層を熱硬化させ
ているので、硬化時間が長時間（３０分〜２時間くら
い）掛かっている。さらに、硬化時に加熱されるため、
塗装時に巻き込んだ空気の熱膨張によってオーバコート
層にピンホールが発生し、被覆樹脂層の品質が低下する
という問題があった。
【０００６】本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、バッファコ
ート層の機能とオーバコート層の機能とを併有する被覆
樹脂層を１層で形成することができ、硬化時間を短くで
き、ピンホールも発生しない被覆の形成方法を提供する
ことにある。
れたものであり、その目的とするところは、バッファコ
ート層の機能とオーバコート層の機能とを併有する被覆
樹脂層を１層で形成することができ、硬化時間を短くで
き、ピンホールも発生しない被覆の形成方法を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による電子部品の
被覆形成方法は、電子部品本体の表面にアクリレート系
樹脂を塗布し、このアクリレート系樹脂に電子線を照射
して外面側で架橋密度が大きく、内部側で架橋密度が小
さな被覆樹脂層を形成することを特徴としている。
被覆形成方法は、電子部品本体の表面にアクリレート系
樹脂を塗布し、このアクリレート系樹脂に電子線を照射
して外面側で架橋密度が大きく、内部側で架橋密度が小
さな被覆樹脂層を形成することを特徴としている。
【０００８】
【作用】本発明にあっては、電子部品本体の表面に塗布
されたアクリレート系樹脂に電子線を照射して硬化させ
ているので、電子線に曝されているアクリレート系樹脂
の外面側では架橋反応が促進され、外面側では被覆樹脂
層の架橋密度が大きくなる。この結果、被覆樹脂層の外
面側では、架橋密度が高いために被覆樹脂層の硬度が高
くなっており、オーバコート層の働きをする。また、電
子線の侵入しにくい内部側では外面側よりも架橋反応が
起こりにくいので、内部側では被覆樹脂層の架橋密度が
小さくなる。この結果、被覆樹脂層の内部側では、架橋
密度が低いために被覆樹脂層が柔軟になっており、緩衝
用のバッファコート層の働きをする。
されたアクリレート系樹脂に電子線を照射して硬化させ
ているので、電子線に曝されているアクリレート系樹脂
の外面側では架橋反応が促進され、外面側では被覆樹脂
層の架橋密度が大きくなる。この結果、被覆樹脂層の外
面側では、架橋密度が高いために被覆樹脂層の硬度が高
くなっており、オーバコート層の働きをする。また、電
子線の侵入しにくい内部側では外面側よりも架橋反応が
起こりにくいので、内部側では被覆樹脂層の架橋密度が
小さくなる。この結果、被覆樹脂層の内部側では、架橋
密度が低いために被覆樹脂層が柔軟になっており、緩衝
用のバッファコート層の働きをする。
【０００９】よって、１層の塗布層（被覆樹脂層）によ
って従来のバッファコート層とオーバコート層の働きを
併有させることができる。
って従来のバッファコート層とオーバコート層の働きを
併有させることができる。
【００１０】
【実施例】図１（ａ）（ｂ）（ｃ）は本発明の一実施例
によるハイブリッドＩＣの被覆形成方法を示す断面図で
ある。ハイブリッドＩＣ６は、図１（ａ）に示すよう
に、セラミックス基板１の上に厚膜導体回路２を形成
し、厚膜導体回路２の表面をガラス被膜３によって覆
い、当該基板１の上に実装されたＩＣ４やチップコンデ
ンサ等のリード線５を厚膜導体回路２に半田付けしたも
のである。
によるハイブリッドＩＣの被覆形成方法を示す断面図で
ある。ハイブリッドＩＣ６は、図１（ａ）に示すよう
に、セラミックス基板１の上に厚膜導体回路２を形成
し、厚膜導体回路２の表面をガラス被膜３によって覆
い、当該基板１の上に実装されたＩＣ４やチップコンデ
ンサ等のリード線５を厚膜導体回路２に半田付けしたも
のである。
【００１１】このハイブリッドＩＣ６の上には、図１
（ｂ）に示すように、適当な塗布方法を用いてアクリレ
ート系樹脂を塗装厚が１ｍｍ程度となるように塗装し、
被覆樹脂層７を形成する。ただし、被覆樹脂層７の外周
縁の部分は、樹脂厚みが０.２〜０.５ｍｍとなるように
している。本発明において用いられるアクリレート系樹
脂は、末端にアクリレート基を２つ以上持つものであれ
ば良く、例えばポリエステルアクリレート、ポリウレタ
ンアクリレート、アルキドアクリレート等を用いること
ができる。なお、図１の実施例では、比重１.５のアク
リレート系樹脂を用いている。
（ｂ）に示すように、適当な塗布方法を用いてアクリレ
ート系樹脂を塗装厚が１ｍｍ程度となるように塗装し、
被覆樹脂層７を形成する。ただし、被覆樹脂層７の外周
縁の部分は、樹脂厚みが０.２〜０.５ｍｍとなるように
している。本発明において用いられるアクリレート系樹
脂は、末端にアクリレート基を２つ以上持つものであれ
ば良く、例えばポリエステルアクリレート、ポリウレタ
ンアクリレート、アルキドアクリレート等を用いること
ができる。なお、図１の実施例では、比重１.５のアク
リレート系樹脂を用いている。
【００１２】ついで、被覆樹脂層７に電子線８を照射し
てアクリレート系樹脂を硬化させる。このとき、電子線
８を加速電圧７５０ｋＶ、（電子線）電流２５ｍＡ、照
射時間０.１秒の条件で照射することにより、被覆樹脂
層７の外側表面で架橋反応を促進させて外層７ａを架橋
密度が高くて硬度の高い層とし、電子線８の侵入しにく
い内層７ｂで架橋反応を不完全にして架橋密度の低い層
とすることができる。すなわち、図１（ｃ）に示すよう
に、被覆樹脂層７は、厚み方向に架橋密度が傾斜的に変
化しており、架橋密度の高い外層７ａで硬度が高く、架
橋密度の低い内層７ｂで柔軟になっている。したがっ
て、１層の被覆樹脂層７のうち外層７ａ側はオーバコー
ト層の機能を有しており、内層７ｂ側はバッファコート
層の機能を有している。このように１層の被覆樹脂層７
によって２つの機能を持たせるには、電子線照射時に照
射条件を適切に制御する必要があり、その照射条件はア
クリレート系樹脂の比重と被覆樹脂層７の厚みによって
変化するが、一般的には、電子線８の加速電圧を１５０
ｋＶ〜３ＭＶ、照射時間０.００５〜５秒にすればよ
い。
てアクリレート系樹脂を硬化させる。このとき、電子線
８を加速電圧７５０ｋＶ、（電子線）電流２５ｍＡ、照
射時間０.１秒の条件で照射することにより、被覆樹脂
層７の外側表面で架橋反応を促進させて外層７ａを架橋
密度が高くて硬度の高い層とし、電子線８の侵入しにく
い内層７ｂで架橋反応を不完全にして架橋密度の低い層
とすることができる。すなわち、図１（ｃ）に示すよう
に、被覆樹脂層７は、厚み方向に架橋密度が傾斜的に変
化しており、架橋密度の高い外層７ａで硬度が高く、架
橋密度の低い内層７ｂで柔軟になっている。したがっ
て、１層の被覆樹脂層７のうち外層７ａ側はオーバコー
ト層の機能を有しており、内層７ｂ側はバッファコート
層の機能を有している。このように１層の被覆樹脂層７
によって２つの機能を持たせるには、電子線照射時に照
射条件を適切に制御する必要があり、その照射条件はア
クリレート系樹脂の比重と被覆樹脂層７の厚みによって
変化するが、一般的には、電子線８の加速電圧を１５０
ｋＶ〜３ＭＶ、照射時間０.００５〜５秒にすればよ
い。
【００１３】また、被覆樹脂層７の外周縁９の部分で
は、塗膜厚を薄くしてセラミックス基板１と被覆樹脂層
７の界面への電子線透過量が８０〜１００％となるよう
にしてあり、電子線照射後の界面における接着力が十分
に得られ、界面から被覆樹脂層７の内部へ水が侵入する
のを防止している。
は、塗膜厚を薄くしてセラミックス基板１と被覆樹脂層
７の界面への電子線透過量が８０〜１００％となるよう
にしてあり、電子線照射後の界面における接着力が十分
に得られ、界面から被覆樹脂層７の内部へ水が侵入する
のを防止している。
【００１４】しかして、このように電子線照射によって
アクリレート系樹脂を硬化させれば、熱硬化の場合に３
０分〜２時間の硬化時間が必要であったのに対し、０.
００５〜５秒で樹脂を硬化させることができ、樹脂硬化
時間を大幅に短縮することができる。また、硬化時に熱
を加える必要がないので、塗装時に巻き込んだ空気の熱
膨張によるピンホールが発生しない。
アクリレート系樹脂を硬化させれば、熱硬化の場合に３
０分〜２時間の硬化時間が必要であったのに対し、０.
００５〜５秒で樹脂を硬化させることができ、樹脂硬化
時間を大幅に短縮することができる。また、硬化時に熱
を加える必要がないので、塗装時に巻き込んだ空気の熱
膨張によるピンホールが発生しない。
【００１５】さらに、紫外線硬化樹脂（ＵＶ樹脂）を用
いて紫外線照射によって樹脂硬化させる場合と比較して
も硬化時間が短くなる。また、ＵＶ樹脂の場合には、塗
膜厚は１〜２ｍｍが限界であり、樹脂の色や無機充填剤
の量によって硬化させられる塗膜厚がより薄くなる。し
かも、ＵＶ樹脂では、厚み方向で架橋密度を変化させる
場合、硬化可能な塗膜厚や充填剤の量に制限があり、実
用的でない。これに対し、アクリレート系樹脂を電子線
照射により硬化させる方法では、例えば比重１のアクリ
レート系樹脂であれば、６ｍｍの厚みであっても、樹脂
の裏側までほぼ１００％電子線が透過し、硬化させられ
る塗膜厚が厚く、十分な厚みの被覆樹脂層７を形成する
ことができる。
いて紫外線照射によって樹脂硬化させる場合と比較して
も硬化時間が短くなる。また、ＵＶ樹脂の場合には、塗
膜厚は１〜２ｍｍが限界であり、樹脂の色や無機充填剤
の量によって硬化させられる塗膜厚がより薄くなる。し
かも、ＵＶ樹脂では、厚み方向で架橋密度を変化させる
場合、硬化可能な塗膜厚や充填剤の量に制限があり、実
用的でない。これに対し、アクリレート系樹脂を電子線
照射により硬化させる方法では、例えば比重１のアクリ
レート系樹脂であれば、６ｍｍの厚みであっても、樹脂
の裏側までほぼ１００％電子線が透過し、硬化させられ
る塗膜厚が厚く、十分な厚みの被覆樹脂層７を形成する
ことができる。
【００１６】図２に示すものは本発明の別な実施例であ
って、セラミックス基板１の縁にθ＝２０°〜９０°の
角度で立上がり片１０を立設してある。このようにセラ
ミックス基板１の縁に角度を付けてあると、電子線照射
後に、セラミックス基板１と被覆樹脂層７との界面に水
の侵入を防止するのに十分な接着力を与えることができ
る。
って、セラミックス基板１の縁にθ＝２０°〜９０°の
角度で立上がり片１０を立設してある。このようにセラ
ミックス基板１の縁に角度を付けてあると、電子線照射
後に、セラミックス基板１と被覆樹脂層７との界面に水
の侵入を防止するのに十分な接着力を与えることができ
る。
【００１７】上記実施例においては、ハイブリッドＩＣ
の場合について説明したが、本発明はこれ以外の任意の
電子部品にも実施することができ、例えば、コンデンサ
や正特性サーミスタ等の外装部を形成する場合などにも
用いることができる。
の場合について説明したが、本発明はこれ以外の任意の
電子部品にも実施することができ、例えば、コンデンサ
や正特性サーミスタ等の外装部を形成する場合などにも
用いることができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明にあっては、電子部品本体の表面
にアクリレート系樹脂を塗布した後、アクリレート樹脂
に電子線を照射することにより、被覆樹脂層の外層に架
橋密度の大きな層を形成し、内部に架橋密度の小さな層
を形成することができる。この架橋密度の大きな層はオ
ーバコート層に相当し、架橋密度の小さな層はバッファ
コート層に相当するので、従来の２層構造に相当する被
覆樹脂層を１回の塗装工程によって形成することがで
き、塗装工程を合理化できる。
にアクリレート系樹脂を塗布した後、アクリレート樹脂
に電子線を照射することにより、被覆樹脂層の外層に架
橋密度の大きな層を形成し、内部に架橋密度の小さな層
を形成することができる。この架橋密度の大きな層はオ
ーバコート層に相当し、架橋密度の小さな層はバッファ
コート層に相当するので、従来の２層構造に相当する被
覆樹脂層を１回の塗装工程によって形成することがで
き、塗装工程を合理化できる。
【００１９】また、アクリレート系樹脂を電子線によっ
て硬化させているので、従来の熱硬化法に比べて樹脂硬
化時間を大幅に短縮することができる。また、硬化時に
熱を加えないので、塗装時に巻き込んだ空気の熱膨張に
よるピンホールが発生せず、ハイブリッドＩＣの品質が
向上する。
て硬化させているので、従来の熱硬化法に比べて樹脂硬
化時間を大幅に短縮することができる。また、硬化時に
熱を加えないので、塗装時に巻き込んだ空気の熱膨張に
よるピンホールが発生せず、ハイブリッドＩＣの品質が
向上する。
【００２０】さらに、紫外線硬化樹脂を用いたＵＶ硬化
法に比べても樹脂硬化時間を短縮することができ、アク
リレート系樹脂の塗膜厚の大きなものでも硬化可能であ
るという利点がある。
法に比べても樹脂硬化時間を短縮することができ、アク
リレート系樹脂の塗膜厚の大きなものでも硬化可能であ
るという利点がある。
【図１】（ａ）（ｂ）（ｃ）本発明の一実施例によるハ
イブリッドＩＣの製造方法を示す断面図である。
イブリッドＩＣの製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の別な実施例によるハイブリッドＩＣを
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】従来例のハイブリッドＩＣを示す断面図である
６ ハイブリッドＩＣ ７ 被覆樹脂層 ８ 電子線
Claims (1)
- 【請求項１】 電子部品本体の表面にアクリレート系樹
脂を塗布し、このアクリレート系樹脂に電子線を照射し
て外面側で架橋密度が大きく、内部側で架橋密度が小さ
な被覆樹脂層を形成することを特徴とする電子部品の被
覆形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3348692A JPH05160177A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 電子部品の被覆形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3348692A JPH05160177A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 電子部品の被覆形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160177A true JPH05160177A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18398718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3348692A Pending JPH05160177A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 電子部品の被覆形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05160177A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10896860B2 (en) | 2016-07-11 | 2021-01-19 | Robert Bosch Gmbh | Method and curable compound for casting electronic components or component groups |
-
1991
- 1991-12-04 JP JP3348692A patent/JPH05160177A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10896860B2 (en) | 2016-07-11 | 2021-01-19 | Robert Bosch Gmbh | Method and curable compound for casting electronic components or component groups |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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