JPH0235791A - 厚膜抵抗体を含む回路装置 - Google Patents
厚膜抵抗体を含む回路装置Info
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- JPH0235791A JPH0235791A JP18655488A JP18655488A JPH0235791A JP H0235791 A JPH0235791 A JP H0235791A JP 18655488 A JP18655488 A JP 18655488A JP 18655488 A JP18655488 A JP 18655488A JP H0235791 A JPH0235791 A JP H0235791A
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、厚膜抵抗体を含む回路装置に関する。
［従来の技術〕
従来の一般的な混成集積回路装置は、以下の工程により
製造される。
製造される。
（１） アルミナ基板から成る回路基板の表面にスクリ
ーン印刷によりＡｇ−Ｐｄペーストを塗布し、焼き付は
処理して厚膜配線導体を形成した後、厚膜配線導体に接
続するようにスクリーン印刷によりＲｕＯ２ペーストを
塗布し、焼き付は処理して厚膜抵抗体を形成する。
ーン印刷によりＡｇ−Ｐｄペーストを塗布し、焼き付は
処理して厚膜配線導体を形成した後、厚膜配線導体に接
続するようにスクリーン印刷によりＲｕＯ２ペーストを
塗布し、焼き付は処理して厚膜抵抗体を形成する。
（２） こうして得られた厚膜回路基板の表面の部品ラ
ンド及びリードランドを除いた部分にスクリーン印刷に
より保護ガラスを印刷し、焼き付は処理して保護ガラス
層を形成する。
ンド及びリードランドを除いた部分にスクリーン印刷に
より保護ガラスを印刷し、焼き付は処理して保護ガラス
層を形成する。
（３） 得られたＪ！！、膜回路基板の部品ランド上に
半田ペーストを印刷し、チップ状電子部品等を搭載した
後、リフロー半田付は炉で熱処理して部品ランドに電子
部品を導電固着する。
半田ペーストを印刷し、チップ状電子部品等を搭載した
後、リフロー半田付は炉で熱処理して部品ランドに電子
部品を導電固着する。
（４） 上記電子部品を実装した厚膜回路基板の厚膜抵
抗体の抵抗値をレーザートリミングにより調整する。
抗体の抵抗値をレーザートリミングにより調整する。
（５） リードランドにそれぞれ外部接続用す−ドのク
リップ部を嵌合させ、この嵌合部を半田槽内に浸漬して
引上げ、リードランドにクリップノードを導電固着する
。
リップ部を嵌合させ、この嵌合部を半田槽内に浸漬して
引上げ、リードランドにクリップノードを導電固着する
。
（６） 得られた混成集積回路基板を外部接続用リード
を除いてエポキシ樹脂あるいはフェノールｆｉｊｌ詣等
の耐湿性を有する絶縁塗料にデイツプした後、熱処理に
より絶縁塗料を硬化させて保護被覆層を形成する。
を除いてエポキシ樹脂あるいはフェノールｆｉｊｌ詣等
の耐湿性を有する絶縁塗料にデイツプした後、熱処理に
より絶縁塗料を硬化させて保護被覆層を形成する。
（７） 保護被覆層を形成した混成集積回路より外部接
続用リードのタイバーを切り離して混成集積回路装置を
得る。
続用リードのタイバーを切り離して混成集積回路装置を
得る。
ところで、上記製造工程（６）において、絶縁塗料を硬
化させると、硬化時の応力で厚膜抵抗体の抵抗値が変化
する。また、硬化後のヒートサイクル試＠等にＪ：る応
力によっても厚膜抵抗体の抵抗値が変化する。この抵抗
値変化を抑制するために、絶縁塗料にＣａＣＯ３＝ Ｓ
ｉ０２等の無機物粉末（フィラー）を添加して保護被
覆層の熱膨脹係数を回路基板の熱膨脹係数に近付けるこ
とが行われている。また、絶縁塗料にゴム系の樹、脂を
添加してゴム変性を施し、回路基板の膨脹収縮に合わせ
て伸び縮みさせることが検討されている。
化させると、硬化時の応力で厚膜抵抗体の抵抗値が変化
する。また、硬化後のヒートサイクル試＠等にＪ：る応
力によっても厚膜抵抗体の抵抗値が変化する。この抵抗
値変化を抑制するために、絶縁塗料にＣａＣＯ３＝ Ｓ
ｉ０２等の無機物粉末（フィラー）を添加して保護被
覆層の熱膨脹係数を回路基板の熱膨脹係数に近付けるこ
とが行われている。また、絶縁塗料にゴム系の樹、脂を
添加してゴム変性を施し、回路基板の膨脹収縮に合わせ
て伸び縮みさせることが検討されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記前者の場合、回路基板に近い熱膨脹
係数を得る為には、絶縁塗料にＣａｃ。
係数を得る為には、絶縁塗料にＣａｃ。
３．５Ｌ０２等の無機物粉末を大量に添加しなければな
らず、このように樹脂に対する無機物粉末の比率が大き
くなった場合、硬化後の保護被覆層の内部に多数の空隙
部が生じ、保護被覆層の回路基板表面への密着強度が低
下しなり、あるいは、保護被覆層の耐湿性が著しく低下
して、混成集積回路装置の絶縁劣化や回路基板表面の配
線導体間のマイグレーション等の問題が発生する。
らず、このように樹脂に対する無機物粉末の比率が大き
くなった場合、硬化後の保護被覆層の内部に多数の空隙
部が生じ、保護被覆層の回路基板表面への密着強度が低
下しなり、あるいは、保護被覆層の耐湿性が著しく低下
して、混成集積回路装置の絶縁劣化や回路基板表面の配
線導体間のマイグレーション等の問題が発生する。
また、上記後者の場合、回路基板の膨脹収縮に合わせて
保護被覆屑を伸び縮みさせる為には、絶縁塗料に多量の
ゴム系樹脂を添加しなければならず、このように塗料中
のゴム系樹脂の比率が大きくなった場合、硬化後の保護
被覆層の内部に多数の空隙部が生じ、上記前者の場合と
同様に保護被膜の耐湿性が著しく低下して、混成ｔＡ積
回路装置の絶縁劣化や回路基板表面の配線導体間のマイ
グレーション等の問題が発生する。
保護被覆屑を伸び縮みさせる為には、絶縁塗料に多量の
ゴム系樹脂を添加しなければならず、このように塗料中
のゴム系樹脂の比率が大きくなった場合、硬化後の保護
被覆層の内部に多数の空隙部が生じ、上記前者の場合と
同様に保護被膜の耐湿性が著しく低下して、混成ｔＡ積
回路装置の絶縁劣化や回路基板表面の配線導体間のマイ
グレーション等の問題が発生する。
そこで、本発明の目的は、保護被覆層の密着強度や耐湿
性の低下を生じることなく厚膜抵抗体の抵抗値変化を小
さくすることができる回路装置を提供することにある。
性の低下を生じることなく厚膜抵抗体の抵抗値変化を小
さくすることができる回路装置を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するための本発明は、回路基板と、この
回路基板上に設けられた１γ膜抵抗体と、この厚膜抵抗
体上に設けられた保護ガラス層と、この保護ガラス層上
に設けられた絶縁性樹脂から成る保護被覆層とを備えた
回路装置において、前記保護ガラス層と前記保護被覆層
との間に、硬化後の針入度が１０以上の柔軟性を有する
樹脂層を設けな厚膜抵抗体を含む回路装置に係わるもの
である。
回路基板上に設けられた１γ膜抵抗体と、この厚膜抵抗
体上に設けられた保護ガラス層と、この保護ガラス層上
に設けられた絶縁性樹脂から成る保護被覆層とを備えた
回路装置において、前記保護ガラス層と前記保護被覆層
との間に、硬化後の針入度が１０以上の柔軟性を有する
樹脂層を設けな厚膜抵抗体を含む回路装置に係わるもの
である。
なお、柔軟性を有する樹脂層は、ゲル状シリコーン樹脂
であることが望ましい。
であることが望ましい。
［作用］
本発明に従う針入度が１０以上の柔軟性を有する樹脂層
は、保護被覆層の硬化時、あるいは硬化後のヒートサイ
クル試験時等における応力の吸収又は緩和作用を発揮す
る。柔軟性を有する樹脂層をゲル状シリコーン樹脂で形
成すると、応力吸収及び緩和作用を良好に得ることがで
きる。
は、保護被覆層の硬化時、あるいは硬化後のヒートサイ
クル試験時等における応力の吸収又は緩和作用を発揮す
る。柔軟性を有する樹脂層をゲル状シリコーン樹脂で形
成すると、応力吸収及び緩和作用を良好に得ることがで
きる。
［実施例］
次に、第１図〜第３図を参照して、本発明の実施例に係
わる混成集積回路装置を説明する。
わる混成集積回路装置を説明する。
まず、第１図に示すアルミナ基板から成る回路基板１を
用意し、この回路基板１の表面にスクリーン印刷により
Ａｇ−Ｐｄペーストを塗布し、１５０℃で１０分間乾燥
した後、８５０℃で１０分間焼き付は処理して１．７膜
配線導体２を形成した後、この厚膜配線導体２に接続す
るようにスクリーン印刷によりシート抵抗１００Ω／口
が得られるようにＲｕ ＯＺ系抵抗ベース１−を塗布し
、１５０°Ｃで１０分間乾燥した後８５０℃で１０分間
焼き付は処理して厚膜抵抗体３を形成した。
用意し、この回路基板１の表面にスクリーン印刷により
Ａｇ−Ｐｄペーストを塗布し、１５０℃で１０分間乾燥
した後、８５０℃で１０分間焼き付は処理して１．７膜
配線導体２を形成した後、この厚膜配線導体２に接続す
るようにスクリーン印刷によりシート抵抗１００Ω／口
が得られるようにＲｕ ＯＺ系抵抗ベース１−を塗布し
、１５０°Ｃで１０分間乾燥した後８５０℃で１０分間
焼き付は処理して厚膜抵抗体３を形成した。
次に、回路基板１の表面の部品ランド（図示せずン及び
リードランド（図示せず）を除いた部分にスクリーン印
刷により保護ガラスを印刷し、１５０°Ｃで１０分間乾
燥した後５３０℃で２分間焼き付は処理して保護ガラス
層４を形成した。
リードランド（図示せず）を除いた部分にスクリーン印
刷により保護ガラスを印刷し、１５０°Ｃで１０分間乾
燥した後５３０℃で２分間焼き付は処理して保護ガラス
層４を形成した。
次に、チップ状電子部品（図示せず）を半田リフロー法
で部品ランドに導電固着した。
で部品ランドに導電固着した。
次に、厚膜抵抗体３の抵抗値をレーザトリミング装置を
使用して調整した。
使用して調整した。
次に、厚膜抵抗体３が形成されている部分を覆うように
、保護ガラス層３の上にデイスペンサーを用いてゲル化
可能なシリコーン樹脂を所定量ボッティングした後、１
５０℃で１時間加熱し、シリコーン樹脂を硬化させるこ
とによってゲル状シリコーン樹脂層５を形成した。この
ゲル状シリコーン樹脂層５は針入度（ＡＳＴＭ Ｄ−
１４０３に準じて１／４スケールコーンを使用）が約１
２０の柔軟性を有する樹脂層である。
、保護ガラス層３の上にデイスペンサーを用いてゲル化
可能なシリコーン樹脂を所定量ボッティングした後、１
５０℃で１時間加熱し、シリコーン樹脂を硬化させるこ
とによってゲル状シリコーン樹脂層５を形成した。この
ゲル状シリコーン樹脂層５は針入度（ＡＳＴＭ Ｄ−
１４０３に準じて１／４スケールコーンを使用）が約１
２０の柔軟性を有する樹脂層である。
次に、リードランド（図示せず）に外部接続用リード６
のクリ・ツブ部を嵌合させ、この嵌合部を半田槽内に浸
漬してリードランド（こクリップリード６を導電固着し
た。
のクリ・ツブ部を嵌合させ、この嵌合部を半田槽内に浸
漬してリードランド（こクリップリード６を導電固着し
た。
次に、混成ｇ＆積回路基板を外部接続用リード６を除い
てエポキシ系樹脂塗料中にデイツプした後、１５０’Ｃ
で１時間の熱処理を施して樹脂塗料を硬化させ、第２図
及び第３図に示すように保護被覆層７を形成した。
てエポキシ系樹脂塗料中にデイツプした後、１５０’Ｃ
で１時間の熱処理を施して樹脂塗料を硬化させ、第２図
及び第３図に示すように保護被覆層７を形成した。
次に、上記保護被覆１７を形成した混成集積回路より外
部接続用リード６のタイバー（図示せず）を切り離して
混成集積回路装置を得た。
部接続用リード６のタイバー（図示せず）を切り離して
混成集積回路装置を得た。
上記混成集積回路における厚膜抵抗体３の抵抗値変化率
を求めるために、厚膜抵抗体３の抵抗値を独立に測定ず
ろことができるように配線を変えた他は実施例の混成集
積回路と同一方法で同一・構成のものを作り、−２５°
Ｃ〜１２５°Ｃのヒートサイクルを５００回与えた後の
厚膜抵抗体３の抵抗値Ｒｆを測定し、ヒートサイクル前
のレーデトリミング後の抵抗値Ｒｉ（初期抵抗値）に対
する変化率△Ｒを次式で求めたところ、０．００５％以
下であった。
を求めるために、厚膜抵抗体３の抵抗値を独立に測定ず
ろことができるように配線を変えた他は実施例の混成集
積回路と同一方法で同一・構成のものを作り、−２５°
Ｃ〜１２５°Ｃのヒートサイクルを５００回与えた後の
厚膜抵抗体３の抵抗値Ｒｆを測定し、ヒートサイクル前
のレーデトリミング後の抵抗値Ｒｉ（初期抵抗値）に対
する変化率△Ｒを次式で求めたところ、０．００５％以
下であった。
ΔＲ＝［（Ｒｉ−Ｒｆ）／Ｒｉ］ Ｘ１００ （％）シ
ート抵抗値を１にΩ／口及び１００にΩに変えた他は、
前述のシート抵抗値１００Ω／口の場合と同一の方法で
混成集積回路装置を作り、抵抗値変化率を同様に求めた
ところ、それぞれ０．００５％以下であった。
ート抵抗値を１にΩ／口及び１００にΩに変えた他は、
前述のシート抵抗値１００Ω／口の場合と同一の方法で
混成集積回路装置を作り、抵抗値変化率を同様に求めた
ところ、それぞれ０．００５％以下であった。
比較のために、ゲル状シリコーン樹脂層５を設けない他
は、実施例と同−構造の混成集積回路装置を作り、この
抵抗値変化率を求めたところ、シート抵抗値が１００Ω
／′口の場合には０．２％、シート抵抗値１にΩ／′■
の場合には０．１％、シート抵抗値が１００ ｋΩ／′
口の場合には０．３％であった。
は、実施例と同−構造の混成集積回路装置を作り、この
抵抗値変化率を求めたところ、シート抵抗値が１００Ω
／′口の場合には０．２％、シート抵抗値１にΩ／′■
の場合には０．１％、シート抵抗値が１００ ｋΩ／′
口の場合には０．３％であった。
なお、タル状シリコーン樹脂層５は保護ガラス層４及び
樹脂被覆層７に対して良好に密着している。また、樹脂
被覆層７の厚膜抵抗体３に対する応力の開題が解決され
るため、樹脂被覆Ｎ４７の無機物粉末のｔｆｌ’量を低
減して回路基板１に対する密着性の向上及び耐湿性の向
上番図ることができる。
樹脂被覆層７に対して良好に密着している。また、樹脂
被覆層７の厚膜抵抗体３に対する応力の開題が解決され
るため、樹脂被覆Ｎ４７の無機物粉末のｔｆｌ’量を低
減して回路基板１に対する密着性の向上及び耐湿性の向
上番図ることができる。
［変形例］
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、変形可
能なものである。例えば、ゲル状シリコーン樹脂屑５と
して針入度が１０以上のものであれば本発明の目的を達
成することができる。針入度が１０よりも小さくなると
所望の応力吸収又は緩和作用が得られなくなる。また、
ゲル状シリコーン樹脂層５の代りに別の樹脂から成る針
入度１０以上の絶縁性ｖＡＩＩｆＴ層を形成してもよい
６［発明の効果］ 上述のように本発明によれば、厚膜抵抗体の抵抗値変化
の少ない回路装置を提供することができる。
能なものである。例えば、ゲル状シリコーン樹脂屑５と
して針入度が１０以上のものであれば本発明の目的を達
成することができる。針入度が１０よりも小さくなると
所望の応力吸収又は緩和作用が得られなくなる。また、
ゲル状シリコーン樹脂層５の代りに別の樹脂から成る針
入度１０以上の絶縁性ｖＡＩＩｆＴ層を形成してもよい
６［発明の効果］ 上述のように本発明によれば、厚膜抵抗体の抵抗値変化
の少ない回路装置を提供することができる。
第１図は本発明の実施例に係わる混成集積回路装置の一
部を樹脂被覆層形成前の状態で示す断面図、 第２図は樹脂被覆屑形成後の混成集積回路装置の一部を
示す断面図、 第３図は第２図の混成集積回路装置の一部を示す平面図
である。 １・・・回路基板、２・・・配線導体、３・・・厚膜抵
抗体２４・・・保護ガラス層、 ５・・・ゲル状シリコーン樹脂層、 ６・・・リード、 ７・・・保護波ＦＪ層。 代 理 人 １司 野 則 次 ５ ７−、Ｌづ入ン゛ツク ）・川今属
部を樹脂被覆層形成前の状態で示す断面図、 第２図は樹脂被覆屑形成後の混成集積回路装置の一部を
示す断面図、 第３図は第２図の混成集積回路装置の一部を示す平面図
である。 １・・・回路基板、２・・・配線導体、３・・・厚膜抵
抗体２４・・・保護ガラス層、 ５・・・ゲル状シリコーン樹脂層、 ６・・・リード、 ７・・・保護波ＦＪ層。 代 理 人 １司 野 則 次 ５ ７−、Ｌづ入ン゛ツク ）・川今属
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］回路基板と、この回路基板上に設けられた厚膜抵
抗体と、この厚膜抵抗体上に設けられた保護ガラス層と
、この保護ガラス層上に設けられた絶縁性樹脂から成る
保護被覆層とを備えた回路装置において、 前記保護ガラス層と前記保護被覆層との間に、硬化後の
針入度が１０以上の柔軟性を有する樹脂層を設けたこと
を特徴とする厚膜抵抗体を含む回路装置。 ［２］前記柔軟性を有する樹脂層はゲル状シリコーン樹
脂層であることを特徴とする請求項１の厚膜抵抗体を含
む回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18655488A JPH0235791A (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | 厚膜抵抗体を含む回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18655488A JPH0235791A (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | 厚膜抵抗体を含む回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0235791A true JPH0235791A (ja) | 1990-02-06 |
Family
ID=16190551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18655488A Pending JPH0235791A (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | 厚膜抵抗体を含む回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0235791A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03283593A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Ngk Insulators Ltd | 厚膜多層基板 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63141301A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | 富士通テン株式会社 | 厚膜回路製造方法 |
| JPS63155688A (ja) * | 1986-12-18 | 1988-06-28 | 日本電気株式会社 | 混成集積回路の抵抗体保護膜の形成方法 |
-
1988
- 1988-07-25 JP JP18655488A patent/JPH0235791A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63141301A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | 富士通テン株式会社 | 厚膜回路製造方法 |
| JPS63155688A (ja) * | 1986-12-18 | 1988-06-28 | 日本電気株式会社 | 混成集積回路の抵抗体保護膜の形成方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH03283593A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Ngk Insulators Ltd | 厚膜多層基板 |
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