JPH05136333A - インテリジエントパワーモジユール - Google Patents
インテリジエントパワーモジユールInfo
- Publication number
- JPH05136333A JPH05136333A JP32661391A JP32661391A JPH05136333A JP H05136333 A JPH05136333 A JP H05136333A JP 32661391 A JP32661391 A JP 32661391A JP 32661391 A JP32661391 A JP 32661391A JP H05136333 A JPH05136333 A JP H05136333A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- layer
- metal
- foil layer
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電力用半導体素子および制御電子部品を同一
基板上に搭載したインテリジェントパワーモジュールの
組立時における電子部品の劣化を抑える。 【構成】 金属ベース基板１上の金属箔層４に電力用半
導体素子５および制御電子部品６ａ〜６ｃを半田付け固
着する際に、金属ベース基板１の周縁へのケース８の半
田付け固着を同時に行う。
基板上に搭載したインテリジェントパワーモジュールの
組立時における電子部品の劣化を抑える。 【構成】 金属ベース基板１上の金属箔層４に電力用半
導体素子５および制御電子部品６ａ〜６ｃを半田付け固
着する際に、金属ベース基板１の周縁へのケース８の半
田付け固着を同時に行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は金属ベース基板上に電
力用半導体素子と該素子を制御する制御電子部品とを搭
載したインテリジェントパワーモジュールに関するもの
である。
力用半導体素子と該素子を制御する制御電子部品とを搭
載したインテリジェントパワーモジュールに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、インテリジェントパワーモジュー
ルとしては図２に示す構造のものが用いられている。即
ち、アルミニウム板、鋼板などの金属ベース板２上にエ
ポキシ樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂など
の絶縁層３を形成した金属ベース基板１を用い、この金
属ベース基板１の絶縁層３上に金属箔層４として銅箔層
が形成されている。この銅箔層には通常行われている感
光レジストの塗布、露光、現像、エッチング等の工程に
よって回路が形成され、この回路上に電力用半導体素子
５および半導体素子５を制御する制御電子部品６ａ、６
ｂ、６ｃが半田を用いた通常の表面実装技術によって取
り付けられている。
ルとしては図２に示す構造のものが用いられている。即
ち、アルミニウム板、鋼板などの金属ベース板２上にエ
ポキシ樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂など
の絶縁層３を形成した金属ベース基板１を用い、この金
属ベース基板１の絶縁層３上に金属箔層４として銅箔層
が形成されている。この銅箔層には通常行われている感
光レジストの塗布、露光、現像、エッチング等の工程に
よって回路が形成され、この回路上に電力用半導体素子
５および半導体素子５を制御する制御電子部品６ａ、６
ｂ、６ｃが半田を用いた通常の表面実装技術によって取
り付けられている。
【０００３】その後、金属ベース基板１の周縁の絶縁層
３上にシリコーンゴム層７を設け、このシリコーンゴム
層７上にケース８の端縁部を当接して加熱炉にてシリコ
ーンゴム層７を固化することにより金属ベース基板１上
にケース８が取り付けられる。その後ケース８の上部開
口８ａからケース内にゲル状のシリコーンゴムを注入
し、加熱炉で加熱硬化させてシリコーンゴム層１０を形
成し、さらにシリコーンゴム層１０上にエポキシ樹脂を
注入し、加熱硬化によってエポキシ樹脂層１１を形成す
ることにより半導体素子等を封止してインテリジェント
パワーモジュールを得ているのである。
３上にシリコーンゴム層７を設け、このシリコーンゴム
層７上にケース８の端縁部を当接して加熱炉にてシリコ
ーンゴム層７を固化することにより金属ベース基板１上
にケース８が取り付けられる。その後ケース８の上部開
口８ａからケース内にゲル状のシリコーンゴムを注入
し、加熱炉で加熱硬化させてシリコーンゴム層１０を形
成し、さらにシリコーンゴム層１０上にエポキシ樹脂を
注入し、加熱硬化によってエポキシ樹脂層１１を形成す
ることにより半導体素子等を封止してインテリジェント
パワーモジュールを得ているのである。
【０００４】なお、図２において９は先端がケース外部
に引き出され、ケース上面で折り曲げられて外部配線と
接続される端子部材である。
に引き出され、ケース上面で折り曲げられて外部配線と
接続される端子部材である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構造のインテリジェントパワーモジュールにおい
ては、その製造時に電力用半導体素子や電子部品を金属
箔上に半田付けする時、ケースをシリコーンゴム層によ
って金属ベース基板に固着する時、注入したシリコーン
ゴムによるシリコーンゴム層形成時、および注入エポキ
シ樹脂によるエポキシ樹脂層形成時、などの加熱工程に
おいてその都度電子部品に熱がかかることになり、この
ためインテリジェントパワーモジュールの組立時に電子
部品が劣化してしまうという問題があった。
ような構造のインテリジェントパワーモジュールにおい
ては、その製造時に電力用半導体素子や電子部品を金属
箔上に半田付けする時、ケースをシリコーンゴム層によ
って金属ベース基板に固着する時、注入したシリコーン
ゴムによるシリコーンゴム層形成時、および注入エポキ
シ樹脂によるエポキシ樹脂層形成時、などの加熱工程に
おいてその都度電子部品に熱がかかることになり、この
ためインテリジェントパワーモジュールの組立時に電子
部品が劣化してしまうという問題があった。
【０００６】また、上記のように組立時の加熱工程が多
いということはそれだけ組立作業時間を必要とするとい
う問題もある。
いということはそれだけ組立作業時間を必要とするとい
う問題もある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記した従
来のインテリジェントパワーモジュールにおける問題点
に鑑みて、組立時における加熱工程を減じるならば搭載
された電子部品の劣化がかなり抑えられることを見出し
たものである。
来のインテリジェントパワーモジュールにおける問題点
に鑑みて、組立時における加熱工程を減じるならば搭載
された電子部品の劣化がかなり抑えられることを見出し
たものである。
【０００８】即ち、この発明は金属ベース基板の電力用
半導体素子および該素子制御用電子部品を搭載する所要
個所と周縁に金属箔層を形成し、この金属箔層上に半導
体素子と電子部品を載置し、周縁の金属箔層上にはこの
金属箔層と接する周縁部分にメタライズ層を形成したケ
ースを載置して、金属箔層と半導体素子、電子部品、ケ
ースなどとの固着を同時に半田結合にて行うというもの
である。
半導体素子および該素子制御用電子部品を搭載する所要
個所と周縁に金属箔層を形成し、この金属箔層上に半導
体素子と電子部品を載置し、周縁の金属箔層上にはこの
金属箔層と接する周縁部分にメタライズ層を形成したケ
ースを載置して、金属箔層と半導体素子、電子部品、ケ
ースなどとの固着を同時に半田結合にて行うというもの
である。
【０００９】
【作用】この発明はインテリジェントパワーモジュール
組立時において、金属ベース基板上の金属箔層に半導体
素子と電子部品を半田接合させる際に、金属ベース基板
周縁の金属箔層とケースのメタライズ層との半田接合を
も同時に行うことにより、金属ベース基板へのケース固
着が行えるので、従来のように金属基板とケースの半田
付け加熱工程を別個に設定することが不要となり、これ
によって電子部品の加熱に伴う特性劣化を極力抑えるこ
とができる。
組立時において、金属ベース基板上の金属箔層に半導体
素子と電子部品を半田接合させる際に、金属ベース基板
周縁の金属箔層とケースのメタライズ層との半田接合を
も同時に行うことにより、金属ベース基板へのケース固
着が行えるので、従来のように金属基板とケースの半田
付け加熱工程を別個に設定することが不要となり、これ
によって電子部品の加熱に伴う特性劣化を極力抑えるこ
とができる。
【００１０】この発明で金属ベース基板周縁の金属箔層
と半田接合するケース周縁部メタライズ層の形成は、金
属ベース基板と接する部分以外をマスキングしておいて
金属ベース基板と接するケースの周縁部に無電解メッ
キ、金属溶射あるいは蒸着などの方法によって行えばよ
い。
と半田接合するケース周縁部メタライズ層の形成は、金
属ベース基板と接する部分以外をマスキングしておいて
金属ベース基板と接するケースの周縁部に無電解メッ
キ、金属溶射あるいは蒸着などの方法によって行えばよ
い。
【００１１】この発明になるインテリジェントパワーモ
ジュールはエアコンディショナー、電磁調理器、パーソ
ナルコンピュータやワークステーションなどの電力制御
される装置に広く用いられる。
ジュールはエアコンディショナー、電磁調理器、パーソ
ナルコンピュータやワークステーションなどの電力制御
される装置に広く用いられる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図１により詳細
に説明する。図において１は金属ベース板２上に絶縁層
３を形成した金属ベース基板である。この金属ベース基
板１には電力用半導体素子５、該素子５を制御する制御
電子部品６ａ、６ｂ、６ｃ、端子部材９を搭載する所要
位置に金属箔層４として銅箔層が形成されている。そし
てこの銅箔層４には常法により回路が形成されている。
また、この銅箔層は４ａのようにケース８が固着される
金属ベース基板１の周縁にも形成される。一方、ケース
８の金属ベース基板周縁の銅箔層４ａに当接させて固着
させる周縁部分には金属溶射法にてメタライズ層１２を
形成しておく。
に説明する。図において１は金属ベース板２上に絶縁層
３を形成した金属ベース基板である。この金属ベース基
板１には電力用半導体素子５、該素子５を制御する制御
電子部品６ａ、６ｂ、６ｃ、端子部材９を搭載する所要
位置に金属箔層４として銅箔層が形成されている。そし
てこの銅箔層４には常法により回路が形成されている。
また、この銅箔層は４ａのようにケース８が固着される
金属ベース基板１の周縁にも形成される。一方、ケース
８の金属ベース基板周縁の銅箔層４ａに当接させて固着
させる周縁部分には金属溶射法にてメタライズ層１２を
形成しておく。
【００１３】このようにして金属ベース基板１に形成し
た銅箔層４上に半田を介して電力用半導体素子５、制御
電子部品６ａ、６ｂ、６ｃおよび端子部材９の下端折曲
部９ａを載置する。また、周縁の銅箔層４ａ上には半田
１３を載せ、その上にケース８のメタライズ層１２を当
接させることにより金属ベース基板１上にケース８を被
せる。この時、端子部材９の先端をケース８の外部に引
き出すが、ケース内で端子部材９が直立状となるように
調節する。次いでケース８を被せた金属ベース基板１を
リフロー炉に移し、銅箔４と半導体素子５、制御電子部
品６ａ、６ｂ、６ｃ、端子部材９の半田付けを行うと同
時に銅箔４ａとケース８のメタライズ層１２との半田付
けをも行う。
た銅箔層４上に半田を介して電力用半導体素子５、制御
電子部品６ａ、６ｂ、６ｃおよび端子部材９の下端折曲
部９ａを載置する。また、周縁の銅箔層４ａ上には半田
１３を載せ、その上にケース８のメタライズ層１２を当
接させることにより金属ベース基板１上にケース８を被
せる。この時、端子部材９の先端をケース８の外部に引
き出すが、ケース内で端子部材９が直立状となるように
調節する。次いでケース８を被せた金属ベース基板１を
リフロー炉に移し、銅箔４と半導体素子５、制御電子部
品６ａ、６ｂ、６ｃ、端子部材９の半田付けを行うと同
時に銅箔４ａとケース８のメタライズ層１２との半田付
けをも行う。
【００１４】かくして半導体素子や電子部品を銅箔４上
に固着し、ケース８を金属ベース基板１上に固着してか
らケース８上面の開口８ａからケース８内にゲル状のシ
リコーンゴムを注入し、加熱炉で加熱硬化せしめてシリ
コーンゴム層１０を形成する。次いでシリコーンゴム層
１０上にエポキシ樹脂を注入し、加熱硬化させてエポキ
シ樹脂層１１を形成させてケース内を封止する。その
後、ケース８の外部に引き出されている端子部材９の先
端はケース上面に折り曲げられ、ケース８の肉厚部分の
ナット挿入用穴１４に埋込まれたナット１５によって外
部配線と接続されるようにすることによってこの発明の
インテリジェントパワーモジュールが得られる。
に固着し、ケース８を金属ベース基板１上に固着してか
らケース８上面の開口８ａからケース８内にゲル状のシ
リコーンゴムを注入し、加熱炉で加熱硬化せしめてシリ
コーンゴム層１０を形成する。次いでシリコーンゴム層
１０上にエポキシ樹脂を注入し、加熱硬化させてエポキ
シ樹脂層１１を形成させてケース内を封止する。その
後、ケース８の外部に引き出されている端子部材９の先
端はケース上面に折り曲げられ、ケース８の肉厚部分の
ナット挿入用穴１４に埋込まれたナット１５によって外
部配線と接続されるようにすることによってこの発明の
インテリジェントパワーモジュールが得られる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明のインテ
リジェントパワーモジュールは、金属ベース基板上への
ケースの固着を別工程とすることなく、金属基板への電
力用半導体素子、制御電子部品や端子部材の半田付け工
程時に同時に行ったもであり、従って加熱工程を減じた
ことにより電子部品の特性劣化を極力抑えることができ
るという利点を有するのである。また加熱工程の減少に
より組立時の作業時間も短縮することができて作業性の
向上にも寄与するところ大である。
リジェントパワーモジュールは、金属ベース基板上への
ケースの固着を別工程とすることなく、金属基板への電
力用半導体素子、制御電子部品や端子部材の半田付け工
程時に同時に行ったもであり、従って加熱工程を減じた
ことにより電子部品の特性劣化を極力抑えることができ
るという利点を有するのである。また加熱工程の減少に
より組立時の作業時間も短縮することができて作業性の
向上にも寄与するところ大である。
【図１】この発明のインテリジェントパワーモジュール
の側断面図である。
の側断面図である。
【図２】従来のインテリジェントパワーモジュールの側
断面図である。
断面図である。
１ 金属ベース基板 ２ 金属ベース板 ３ 絶縁層 ４ 金属箔層 ５ 電力用半導体素子 ６ａ 制御電子部品 ６ｂ 制御電子部品 ６ｃ 制御電子部品 ８ ケース １２ メタライズ層 １３ 半田
Claims (1)
- 【請求項１】 金属ベース板上に絶縁層を形成して得た
金属ベース基板の電力用半導体素子および該素子制御用
電子部品を搭載する所要個所と周縁に金属箔層を形成
し、この金属箔層上に前記半導体素子と電子部品を載置
するとともに、周縁の金属箔層上にはこの金属箔層と接
する周縁部分にメタライズ層を形成したケースを載置
し、金属箔層と前記半導体素子、電子部品およびケース
を同時に半田接合し、ケース内をシリコーンゴムおよび
エポキシ樹脂で封止してなるインテリジェントパワーモ
ジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32661391A JPH07114254B2 (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | インテリジェントパワーモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32661391A JPH07114254B2 (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | インテリジェントパワーモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136333A true JPH05136333A (ja) | 1993-06-01 |
| JPH07114254B2 JPH07114254B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=18189763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32661391A Expired - Fee Related JPH07114254B2 (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | インテリジェントパワーモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07114254B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0751570A2 (de) * | 1995-06-26 | 1997-01-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektronisches kombiniertes Logik-Leistungsmodul |
| DE4418426B4 (de) * | 1993-09-08 | 2007-08-02 | Mitsubishi Denki K.K. | Halbleiterleistungsmodul und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterleistungsmoduls |
| WO2013105456A1 (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-18 | 住友ベークライト株式会社 | 回路基板および電子デバイス |
| US11935820B2 (en) | 2020-03-23 | 2024-03-19 | Sansha Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4486556B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2010-06-23 | 本田技研工業株式会社 | 電気回路ユニット |
-
1991
- 1991-11-13 JP JP32661391A patent/JPH07114254B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4418426B4 (de) * | 1993-09-08 | 2007-08-02 | Mitsubishi Denki K.K. | Halbleiterleistungsmodul und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterleistungsmoduls |
| EP0751570A2 (de) * | 1995-06-26 | 1997-01-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektronisches kombiniertes Logik-Leistungsmodul |
| EP0751570A3 (de) * | 1995-06-26 | 1999-04-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektronisches kombiniertes Logik-Leistungsmodul |
| WO2013105456A1 (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-18 | 住友ベークライト株式会社 | 回路基板および電子デバイス |
| CN104040714A (zh) * | 2012-01-13 | 2014-09-10 | 住友电木株式会社 | 电路基板以及电子器件 |
| JPWO2013105456A1 (ja) * | 2012-01-13 | 2015-05-11 | 住友ベークライト株式会社 | 回路基板および電子デバイス |
| US11935820B2 (en) | 2020-03-23 | 2024-03-19 | Sansha Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07114254B2 (ja) | 1995-12-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5661441A (en) | Dielectric resonator oscillator and method of manufacturing the same | |
| JP2001015682A (ja) | 樹脂封止型電子装置 | |
| JPH07153907A (ja) | 電力用半導体モジュール | |
| JPH05136333A (ja) | インテリジエントパワーモジユール | |
| US5470796A (en) | Electronic package with lead wire connections and method of making same | |
| JPH07153906A (ja) | 電力用半導体モジュール | |
| JPH05327249A (ja) | 電子回路モジュール及びその製造方法 | |
| JP2636602B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3297959B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07297320A (ja) | Ｂｇａ型半導体装置 | |
| JP3423174B2 (ja) | チップ・オン・ボード実装構造およびその製造方法 | |
| JPS6153852B2 (ja) | ||
| JP2822987B2 (ja) | 電子回路パッケージ組立体およびその製造方法 | |
| JPH04262376A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH0536872A (ja) | 混成集積回路 | |
| JPH06112361A (ja) | 混成集積回路 | |
| JPH0442550A (ja) | 電子部品の実装方法 | |
| JPH08116152A (ja) | 回路基板構体 | |
| JPH0955448A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08255870A (ja) | 電子部品実装板及びその製造方法 | |
| JPH0231794Y2 (ja) | ||
| JPH0249758Y2 (ja) | ||
| JPH04154156A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH06326460A (ja) | プリント配線基板の製造方法 | |
| JPS5846659A (ja) | 電子回路装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960528 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |