JPWO2023032355A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 配線基板と、前記配線基板上に配置されている電子部品と、表面に有機酸を有するグランド電極と、を備える電子基板を準備する工程と、
   前記表面に有機酸を有するグランド電極上の少なくとも一部に対して、導電層形成用インクを付与し、前記導電層形成用インクの硬化膜である導電層を形成する工程と、を含み、
   前記有機酸は、分子量３５０未満のモノカルボン酸及び分子量３５０未満のジカルボン酸からなる群より選択される少なくとも１種の化合物を含む、電子デバイスの製造方法。
2. 前記ジカルボン酸は、コハク酸、グルタル酸、又はアジピン酸である、請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
3. 前記モノカルボン酸は、アビエチン酸である、請求項１又は請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
4. 前記有機酸は、コハク酸、グルタル酸、及びアビエチン酸からなる群より選択される少なくとも１種の化合物を含む、請求項１又は請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
5. 前記グランド電極と接し、前記電子部品を被覆する絶縁層を形成する工程をさらに含み、
   前記導電層を形成する工程では、前記絶縁層上、及び、前記表面に有機酸を有するグランド電極上の少なくとも一部に対して、前記導電層形成用インクを付与する、請求項１又は請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
6. 前記絶縁層を形成する工程は、
   絶縁層形成用インクを付与し、活性エネルギー線を照射して、前記絶縁層形成用インクの硬化膜である絶縁層を形成する工程である、請求項５に記載の電子デバイスの製造方法。
7. 前記絶縁層は、アクリル樹脂又はエポキシ樹脂を含む、請求項５に記載の電子デバイスの製造方法。
8. 前記導電層形成用インクは、金属錯体又は金属塩を含む、請求項１又は請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。