JPWO2023286711A5 - - Google Patents

Description

［８］本発明の銅－銅積層体は、例えば図６Ｂ（Ａ）に示すように、第１の銅導体膜１０を接合面に有する第１の構造体１４と、第２の銅導体膜２０を接合面に有する第２の構造体２４と、第１の構造体１４と第２の構造体２４との接合面の間に、酸化銅（ＩＩ）のナノ結晶を含む架橋層３０とを有するものである。
［９］本発明の銅－銅積層体において、好ましくは、前記ナノ結晶の結晶粒径は１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であるとよい。
さらに、他の記載と重複するが本発明の諸態様を以下に示す。
［１’］
第１の銅導体膜を接合面に有する第１の構造体と、
第２の銅導体膜を接合面に有する第２の構造体と、
前記第１の構造体と前記第２の構造体の接合面の間に、酸化銅（ＩＩ）のナノ結晶を含む架橋層とを有する銅－銅積層体の分離方法であって、
前記架橋層を酸化銅（ＩＩ）の磁気転移温度以下に冷却して、前記第１の構造体と前記第２の構造体の接合面を離間させる銅－銅積層体の分離方法。
［２’］
前記架橋層の膜厚は、前記第１及び／又は第２の銅導体膜から前記酸化銅（ＩＩ）への銅イオンの拡散が前記架橋層の膜全体に達する程度であることを特徴とする［１’］に記載の銅－銅積層体の分離方法。
［３’］
前記架橋層の膜厚は、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする［１’］又は［２’］に記載の銅－銅積層体の分離方法。
［４’］
前記架橋層の冷却温度は、少なくとも酸化銅（ＩＩ）の熱膨張係数が負の値に転じる温度未満であることを特徴とする［１’］乃至［３’］の何れかに記載の銅－銅積層体の分離方法。
［５’］
前記架橋層に含まれる前記酸化銅（ＩＩ）のナノ結晶は、蒸気アシスト真空紫外光照射手法により生成された架橋物質に由来することを特徴とする［１’］乃至［４’］の何れかに記載の銅－銅積層体の分離方法。
［６’］
前記架橋層は、
前記第１の銅導体膜と前記第２の銅導体膜とを離間させた状態で、前記第１の銅導体膜と前記第２の銅導体膜とに、酸素を含有しない窒素ガス雰囲気のもと、水蒸気の存在下、波長１５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の真空紫外線を照射する照射工程と、
前記第１の銅導体膜と前記第２の銅導体膜とのうち少なくとも一方を、架橋物質に曝露する曝露工程と、
前記第１の銅導体膜と前記第２の銅導体膜とを当接させる当接工程と、
により生成されることを特徴とする［１’］乃至［５’］の何れかに記載の銅－銅積層体の分離方法。
［７’］
前記架橋物質はＣｕ（ＯＨ） _２ ・［Ｈ _２ Ｏ］ _２ であることを特徴とする［６’］に記載の銅－銅積層体の分離方法。
［８’］
第１の銅導体膜を接合面に有する第１の構造体と、
第２の銅導体膜を接合面に有する第２の構造体と、
前記第１の構造体と前記第２の構造体の接合面の間に、酸化銅（ＩＩ）のナノ結晶を含む架橋層を有する銅－銅積層体。
［９’］
前記ナノ結晶の結晶粒径は１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である［８’］に記載の銅－銅積層体。

Claims (7)

1. 第１の銅導体膜を接合面に有する第１の構造体と、
   第２の銅導体膜を接合面に有する第２の構造体と、
   前記第１の構造体と前記第２の構造体の接合面の間に、酸化銅（ＩＩ）のナノ結晶を含む架橋層とを有する銅－銅積層体の分離方法であって、
   前記架橋層を酸化銅（ＩＩ）の磁気転移温度以下に冷却して、前記第１の構造体と前記第２の構造体の接合面を離間させる銅－銅積層体の分離方法。
2. 前記架橋層の膜厚は、前記第１及び／又は第２の銅導体膜から前記酸化銅（ＩＩ）への銅イオンの拡散が前記架橋層の膜全体に達する程度であることを特徴とする請求項１に記載の銅－銅積層体の分離方法。
3. 前記架橋層の膜厚は、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の銅－銅積層体の分離方法。
4. 前記架橋層の冷却温度は、少なくとも酸化銅（ＩＩ）の熱膨張係数が負の値に転じる温度未満であることを特徴とする請求項１に記載の銅－銅積層体の分離方法。
5. 前記架橋層に含まれる前記酸化銅（ＩＩ）のナノ結晶は、蒸気アシスト真空紫外光照射手法により生成された架橋物質に由来することを特徴とする請求項１に記載の銅－銅積層体の分離方法。
6. 前記架橋層は、
   前記第１の銅導体膜と前記第２の銅導体膜とを離間させた状態で、前記第１の銅導体膜と前記第２の銅導体膜とに、酸素を含有しない窒素ガス雰囲気のもと、水蒸気の存在下、波長１５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の真空紫外線を照射する照射工程と、
   前記第１の銅導体膜と前記第２の銅導体膜とのうち少なくとも一方を、架橋物質に曝露する曝露工程と、
   前記第１の銅導体膜と前記第２の銅導体膜とを当接させる当接工程と、
   により生成されることを特徴とする請求項１に記載の銅－銅積層体の分離方法。
7. 前記架橋物質はＣｕ（ＯＨ）_２・［Ｈ_２Ｏ］_２であることを特徴とする請求項６に記載の銅－銅積層体の分離方法。