JPWO2023285408A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2023285408A5 JPWO2023285408A5 JP2023576428A JP2023576428A JPWO2023285408A5 JP WO2023285408 A5 JPWO2023285408 A5 JP WO2023285408A5 JP 2023576428 A JP2023576428 A JP 2023576428A JP 2023576428 A JP2023576428 A JP 2023576428A JP WO2023285408 A5 JPWO2023285408 A5 JP WO2023285408A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aqueous solution
- producing
- manufacturing
- resist pattern
- electronic devices
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021117253 | 2021-07-15 | ||
| JP2021117253 | 2021-07-15 | ||
| PCT/EP2022/069365 WO2023285408A2 (en) | 2021-07-15 | 2022-07-12 | Electronic device manufacturing aqueous solution, method for manufacturing resist pattern and method for manufacturing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2024526547A JP2024526547A (ja) | 2024-07-19 |
| JPWO2023285408A5 true JPWO2023285408A5 (enExample) | 2025-07-02 |
Family
ID=82786609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023576428A Pending JP2024526547A (ja) | 2021-07-15 | 2022-07-12 | 電子機器製造水溶液、レジストパターンの製造方法およびデバイスの製造方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240294855A1 (enExample) |
| EP (1) | EP4370977A2 (enExample) |
| JP (1) | JP2024526547A (enExample) |
| KR (1) | KR20240035567A (enExample) |
| CN (1) | CN117693718A (enExample) |
| IL (1) | IL309082A (enExample) |
| TW (1) | TW202319530A (enExample) |
| WO (1) | WO2023285408A2 (enExample) |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3817012A1 (de) | 1988-05-19 | 1989-11-30 | Basf Ag | Positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche gemische sowie verfahren zur herstellung von reliefmustern |
| EP0366590B2 (en) | 1988-10-28 | 2001-03-21 | International Business Machines Corporation | Highly sensitive positive photoresist compositions |
| WO2005103832A1 (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-03 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | レジストパターン形成方法及び複合リンス液 |
| JP4657899B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2011-03-23 | 富士通株式会社 | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 |
| US20090133716A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-28 | Wai Mun Lee | Methods of post chemical mechanical polishing and wafer cleaning using amidoxime compositions |
| JP5336306B2 (ja) | 2008-10-20 | 2013-11-06 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成方法、これを用いたパターン形成方法、及びレジスト下層膜材料 |
| US8361237B2 (en) * | 2008-12-17 | 2013-01-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Wet clean compositions for CoWP and porous dielectrics |
| JP5513181B2 (ja) * | 2010-03-12 | 2014-06-04 | 富士フイルム株式会社 | 洗浄組成物及び半導体装置の製造方法 |
| JP6240404B2 (ja) | 2013-05-09 | 2017-11-29 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法 |
| CN109313398B (zh) | 2016-06-20 | 2022-08-02 | Az电子材料(卢森堡)有限公司 | 冲洗组合物、形成抗蚀剂图案的方法以及半导体器件的制备方法 |
| KR102287420B1 (ko) | 2016-11-25 | 2021-08-11 | 리지필드 액퀴지션 | 리소그래피 조성물, 레지스트 패턴의 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP7057653B2 (ja) * | 2017-12-08 | 2022-04-20 | 花王株式会社 | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 |
| DE102020124247A1 (de) * | 2019-10-31 | 2021-05-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Fotolackentwickler und verfahren zum entwickeln von fotolack |
| JP2021165771A (ja) * | 2020-04-06 | 2021-10-14 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | 電子機器製造水溶液、レジストパターンの製造方法およびデバイスの製造方法 |
-
2022
- 2022-07-12 EP EP22750806.6A patent/EP4370977A2/en active Pending
- 2022-07-12 KR KR1020247005356A patent/KR20240035567A/ko active Pending
- 2022-07-12 CN CN202280049410.8A patent/CN117693718A/zh active Pending
- 2022-07-12 WO PCT/EP2022/069365 patent/WO2023285408A2/en not_active Ceased
- 2022-07-12 IL IL309082A patent/IL309082A/en unknown
- 2022-07-12 US US18/578,342 patent/US20240294855A1/en active Pending
- 2022-07-12 JP JP2023576428A patent/JP2024526547A/ja active Pending
- 2022-07-13 TW TW111126273A patent/TW202319530A/zh unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6533629B1 (ja) | リンス組成物、レジストパターンの形成方法および半導体素子の製造方法 | |
| KR101084454B1 (ko) | 포토레지스트 현상액 | |
| US5175078A (en) | Positive type photoresist developer | |
| TW202204592A (zh) | 製造電子機器之水溶液、光阻圖案之製造方法及裝置之製造方法 | |
| KR101340863B1 (ko) | 레지스트 기판용 처리액과 이를 사용한 레지스트 기판의 처리방법 | |
| JP3410707B2 (ja) | パターン形成材料及びパターン形成方法 | |
| JPWO2021204651A5 (enExample) | ||
| TW202104572A (zh) | 用於避免處理線距尺寸為50 nm或更小的經圖案化材料時圖案塌陷的包含硼型添加劑的組合物 | |
| JPWO2023285408A5 (enExample) | ||
| CN104471487B (zh) | 用于制造集成电路装置、光学装置、微机械及机械精密装置的组合物 | |
| WO2025087999A1 (en) | Electronic device manufacturing aqueous solution, method for producing resist pattern, and method for manufacturing device | |
| KR100993516B1 (ko) | 포토레지스트 현상액, 및 그 현상액을 사용한 기판의 제조방법 | |
| JP6785035B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| KR100594940B1 (ko) | 포토레지스트 세정용 수용액 조성물, 및 이를 이용한 패턴형성 방법 | |
| KR20250137630A (ko) | 전자 기기 제조 수용액, 레지스트 패턴의 제조 방법 및 디바이스의 제조 방법 | |
| CN120457392A (zh) | 制造电子器件的水溶液、制造抗蚀剂图案的方法以及制造器件的方法 | |
| US20060040216A1 (en) | Method of patterning photoresist film | |
| JP7677548B2 (ja) | 樹脂組成物、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法およびポリマー | |
| CN112912799A (zh) | 半导体水溶性组合物及其使用 | |
| JP2011171497A (ja) | マスクの製造方法 | |
| TW202319530A (zh) | 電子設備製造用水溶液、光阻圖案之製造方法及裝置之製造方法 | |
| JP2819568B2 (ja) | ポジ型フォトレジスト現像液 | |
| KR20010092308A (ko) | 패턴형성재료 및 패턴형성방법 | |
| KR20210015801A (ko) | 50 nm 이하의 라인 간격 치수를 갖는 패턴화 재료를 처리할 때 패턴 붕괴를 피하기 위한 용매 혼합물을 포함하는 조성물의 용도 | |
| JPWO2021239467A5 (enExample) |