JPWO2023277103A5 - - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 12
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004918 carbon fiber reinforced polymer Substances 0.000 claims 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims 1
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021109059 | 2021-06-30 | ||
| JP2021109059 | 2021-06-30 | ||
| PCT/JP2022/026095 WO2023277103A1 (ja) | 2021-06-30 | 2022-06-29 | 周期表第13族元素窒化物結晶基板の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2023277103A1 JPWO2023277103A1 (https=) | 2023-01-05 |
| JPWO2023277103A5 true JPWO2023277103A5 (https=) | 2024-11-08 |
| JP7650355B2 JP7650355B2 (ja) | 2025-03-24 |
Family
ID=84691818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023532039A Active JP7650355B2 (ja) | 2021-06-30 | 2022-06-29 | 周期表第13族元素窒化物結晶基板の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240293912A1 (https=) |
| JP (1) | JP7650355B2 (https=) |
| WO (1) | WO2023277103A1 (https=) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2026002629A (ja) * | 2024-06-21 | 2026-01-08 | 三桜工業株式会社 | GaN基板及びGaN基板の表面加工方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4207976B2 (ja) * | 2006-05-17 | 2009-01-14 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体基板の表面処理方法、および化合物半導体結晶の製造方法 |
| EP1446263B1 (en) * | 2001-11-20 | 2008-12-24 | Rensselaer Polytechnic Institute | Method for polishing a substrate surface |
| US7008308B2 (en) * | 2003-05-20 | 2006-03-07 | Memc Electronic Materials, Inc. | Wafer carrier |
| JP2009272380A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶およびその表面処理方法、iii族窒化物積層体およびその製造方法、ならびにiii族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法 |
| JP5966524B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2016-08-10 | 三菱化学株式会社 | 第13族窒化物結晶基板の製造方法 |
| JPWO2015050218A1 (ja) * | 2013-10-02 | 2017-03-09 | 日本碍子株式会社 | 研磨物の製造方法 |
| WO2017010166A1 (ja) * | 2015-07-14 | 2017-01-19 | 三菱化学株式会社 | 非極性または半極性GaNウエハ |
| JP6240943B2 (ja) * | 2015-11-19 | 2017-12-06 | 株式会社岡本工作機械製作所 | 研磨装置およびそれを用いたGaN基板の研磨加工方法 |
| JP2018070415A (ja) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 三菱ケミカル株式会社 | GaNウエハの製造方法 |
| JP6280678B1 (ja) * | 2016-12-22 | 2018-02-14 | 三井金属鉱業株式会社 | 研摩液及び研摩方法 |
| JP7033972B2 (ja) * | 2018-03-20 | 2022-03-11 | 株式会社東京精密 | 研磨装置 |
| CN109866084A (zh) * | 2019-04-08 | 2019-06-11 | 北京建筑大学 | 一种uv光催化辅助化学机械抛光装置及抛光方法 |
-
2022
- 2022-06-29 US US18/574,699 patent/US20240293912A1/en active Pending
- 2022-06-29 JP JP2023532039A patent/JP7650355B2/ja active Active
- 2022-06-29 WO PCT/JP2022/026095 patent/WO2023277103A1/ja not_active Ceased
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