JPWO2023176020A5 - - Google Patents

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6415808B2 (ja) 2012-12-13 2018-10-31 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US10573511B2 (en) * 2013-03-13 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon nitride thin films
JP6501560B2 (ja) * 2015-03-06 2019-04-17 東京エレクトロン株式会社 シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置
JP6478330B2 (ja) * 2016-03-18 2019-03-06 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP6873007B2 (ja) * 2017-08-09 2021-05-19 東京エレクトロン株式会社 シリコン窒化膜の成膜方法及び成膜装置
CN118315255A (zh) * 2017-08-14 2024-07-09 株式会社国际电气 等离子体生成装置
US11955331B2 (en) * 2018-02-20 2024-04-09 Applied Materials, Inc. Method of forming silicon nitride films using microwave plasma

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