JPWO2023176020A5 - - Google Patents
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Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022041115 | 2022-03-16 | ||
| JP2022041115 | 2022-03-16 | ||
| PCT/JP2022/034286 WO2023176020A1 (ja) | 2022-03-16 | 2022-09-13 | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム、および基板処理装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2023176020A1 JPWO2023176020A1 (https=) | 2023-09-21 |
| JPWO2023176020A5 true JPWO2023176020A5 (https=) | 2024-08-23 |
| JP7751073B2 JP7751073B2 (ja) | 2025-10-07 |
Family
ID=88023091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024507494A Active JP7751073B2 (ja) | 2022-03-16 | 2022-09-13 | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム、および基板処理装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20250003068A1 (https=) |
| JP (1) | JP7751073B2 (https=) |
| KR (1) | KR20240160114A (https=) |
| CN (1) | CN118556281A (https=) |
| TW (1) | TWI857401B (https=) |
| WO (1) | WO2023176020A1 (https=) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2025074669A1 (ja) * | 2023-10-03 | 2025-04-10 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6415808B2 (ja) | 2012-12-13 | 2018-10-31 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| US10573511B2 (en) * | 2013-03-13 | 2020-02-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon nitride thin films |
| JP6501560B2 (ja) * | 2015-03-06 | 2019-04-17 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置 |
| JP6478330B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2019-03-06 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| JP6873007B2 (ja) * | 2017-08-09 | 2021-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン窒化膜の成膜方法及び成膜装置 |
| CN118315255A (zh) * | 2017-08-14 | 2024-07-09 | 株式会社国际电气 | 等离子体生成装置 |
| US11955331B2 (en) * | 2018-02-20 | 2024-04-09 | Applied Materials, Inc. | Method of forming silicon nitride films using microwave plasma |
-
2022
- 2022-09-13 KR KR1020247030327A patent/KR20240160114A/ko active Pending
- 2022-09-13 JP JP2024507494A patent/JP7751073B2/ja active Active
- 2022-09-13 WO PCT/JP2022/034286 patent/WO2023176020A1/ja not_active Ceased
- 2022-09-13 CN CN202280089139.0A patent/CN118556281A/zh active Pending
- 2022-11-24 TW TW111144935A patent/TWI857401B/zh active
-
2024
- 2024-09-11 US US18/882,248 patent/US20250003068A1/en active Pending
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