JPWO2023170782A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023170782A1 (ja) * 2022-03-08 2023-09-14 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド 半導体メモリ装置
WO2025074607A1 (ja) * 2023-10-06 2025-04-10 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド 半導体素子を用いたメモリ装置
JP7754535B1 (ja) 2024-05-30 2025-10-15 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド 半導体素子を用いたメモリ装置と、その製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3808763B2 (ja) 2001-12-14 2006-08-16 株式会社東芝 半導体メモリ装置およびその製造方法
US7391640B2 (en) * 2004-12-10 2008-06-24 Intel Corporation 2-transistor floating-body dram
JP5078338B2 (ja) * 2006-12-12 2012-11-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置
US7919800B2 (en) 2007-02-26 2011-04-05 Micron Technology, Inc. Capacitor-less memory cells and cell arrays
FR2933802B1 (fr) * 2008-07-10 2010-10-15 Commissariat Energie Atomique Structure et procede de realisation d'un dispositif microelectronique de memoire 3d de type flash nand.
JP4922373B2 (ja) * 2009-09-16 2012-04-25 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
US8441053B2 (en) * 2010-10-15 2013-05-14 Powerchip Technology Corporation Vertical capacitor-less DRAM cell, DRAM array and operation of the same
JP5789733B1 (ja) * 2014-10-07 2015-10-07 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 柱状半導体メモリ装置及びその製造方法
KR102529073B1 (ko) * 2015-04-29 2023-05-08 제노 세미컨덕터, 인크. 백바이어스를 이용한 드레인 전류가 향상된 트랜지스터 및 메모리 셀
US10833078B2 (en) 2017-12-04 2020-11-10 Tokyo Electron Limited Semiconductor apparatus having stacked gates and method of manufacture thereof
US10468414B2 (en) * 2017-12-28 2019-11-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory devices
WO2019168752A1 (en) * 2018-02-27 2019-09-06 Micron Technology, Inc Three dimensional memory devices
KR102634622B1 (ko) * 2019-02-28 2024-02-08 에스케이하이닉스 주식회사 수직형 메모리 장치
KR102226206B1 (ko) * 2020-02-06 2021-03-11 포항공과대학교 산학협력단 이중 pn 접합을 포함하는 메모리 소자 및 그 구동방법
US11495283B2 (en) * 2021-01-11 2022-11-08 Micron Technology, Inc. Integrated assembly with memory array over base, sense amplifiers in base, and vertically-extending digit lines associated with the memory array
US20220335982A1 (en) * 2021-04-19 2022-10-20 Micron Technology, Inc. Shared vertical digit line for semiconductor devices
WO2023170782A1 (ja) * 2022-03-08 2023-09-14 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド 半導体メモリ装置
WO2023188006A1 (ja) * 2022-03-29 2023-10-05 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド 半導体メモリ装置

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