JPWO2023106174A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 少なくとも１層のセラミック層を含む絶縁基板と、
   前記絶縁基板に設けられた複数の放電電極と、
   前記絶縁基板の厚み方向において前記放電電極と対向する位置に、前記放電電極と空間を隔てて設けられた集電電極と、を備え、
   前記セラミック層は、前記厚み方向に相対する第１主面及び第２主面のうち、前記第１主面が前記放電電極と前記集電電極との間の前記空間に接する第１セラミック層を含み、
   前記放電電極の先端の幅は前記放電電極の底面の幅よりも狭く、かつ、前記放電電極の先端が前記第１セラミック層の前記第１主面から突出している、イオン発生器。
2. 前記放電電極の底面が前記絶縁基板の内部に埋設されている、請求項１に記載のイオン発生器。
3. 前記放電電極の底面は、前記第１セラミック層と、前記厚み方向において前記第１セラミック層の前記第２主面側に隣り合うセラミック層との界面の位置に設けられている、請求項２に記載のイオン発生器。
4. 前記絶縁基板には、少なくとも前記第１セラミック層を前記厚み方向に貫通する複数の第１貫通孔が設けられている、請求項１～３のいずれか１項に記載のイオン発生器。
5. 前記絶縁基板の一方主面は、前記第１セラミック層の前記第１主面に加えて、前記放電電極の先端よりも前記厚み方向において高い位置に存在するセラミック層の主面を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載のイオン発生器。
6. 前記セラミック層は、前記厚み方向において前記第１セラミック層の前記第１主面と対向する位置に設けられた第２セラミック層を更に含み、
   前記第２セラミック層に前記集電電極が設けられ、かつ、前記集電電極の一部が前記第２セラミック層から露出している、請求項１～３のいずれか１項に記載のイオン発生器。
7. 前記放電電極の先端に最も近い前記集電電極の露出部は、前記第２セラミック層と、前記厚み方向において前記第２セラミック層の前記放電電極側に隣り合うセラミック層との界面の位置に設けられている、請求項６に記載のイオン発生器。
8. 前記絶縁基板には、少なくとも前記第２セラミック層を前記厚み方向に貫通する複数の第２貫通孔が設けられている、請求項６に記載のイオン発生器。
9. 前記放電電極の形状は、錐体、錐台又はこれらの組合せである、請求項１～３のいずれか１項に記載のイオン発生器。
10. 前記放電電極は、前記厚み方向に積層され、かつ、互いに接合された複数の電極層を含み、
    前記厚み方向に隣接する電極層において、前記放電電極の先端側に位置する電極層の底面の幅は、前記放電電極の底面側に位置する電極層の先端の幅よりも狭い、請求項１～３のいずれか１項に記載のイオン発生器。
11. 前記厚み方向に隣接する電極層の接合面において、前記放電電極の先端側に位置する電極層の外縁は、前記放電電極の底面側に位置する電極層の外縁よりも外側に位置しない、請求項１０に記載のイオン発生器。
12. 前記セラミック層は、低温焼結セラミック材料を含有する、請求項１～３のいずれか１項に記載のイオン発生器。
13. 少なくとも１層のセラミック層を含む絶縁基板と、
    前記絶縁基板に設けられた複数の放電電極と、を備え、
    前記セラミック層は、前記厚み方向に相対する第１主面及び第２主面のうち、前記第１主面が前記絶縁基板の一方主面を構成する第１セラミック層を含み、
    前記放電電極の先端の幅は前記放電電極の底面の幅よりも狭く、かつ、前記放電電極の先端が前記第１セラミック層の前記第１主面から突出している、イオン発生器用の放電ユニット。
14. 少なくとも１層のセラミック層を含む絶縁基板と、前記絶縁基板に設けられた複数の放電電極と、前記絶縁基板の厚み方向において前記放電電極と対向する位置に、前記放電電極と空間を隔てて設けられた集電電極と、を備えるイオン発生器の製造方法であって、
    未焼結の第１セラミック層を含む未焼結のセラミック層を準備する工程と、
    前記未焼結のセラミック層が焼結する温度では実質的に焼結せず、未焼結の第１セラミック拘束層を含む未焼結のセラミック拘束層を準備する工程と、
    前記厚み方向に相対する前記未焼結の第１セラミック拘束層の第１主面及び第２主面のうち、前記未焼結の第１セラミック拘束層の前記第１主面側の端部の幅が前記第２主面側の端部の幅よりも狭い複数の第１孔を、前記未焼結の第１セラミック拘束層の前記第２主面から前記第１主面に達するように、又は、前記未焼結の第１セラミック拘束層の前記第２主面から前記第１主面に達しないように形成する工程と、
    前記未焼結の第１セラミック拘束層に形成された前記第１孔の内部に、未焼結の放電電極の少なくとも一部を形成する工程と、
    前記厚み方向に相対する前記未焼結の第１セラミック層の第１主面及び第２主面のうち、前記未焼結の第１セラミック層の前記第１主面と前記未焼結の第１セラミック拘束層の前記第２主面とが対向するように、前記未焼結の第１セラミック層を含む前記未焼結のセラミック層と前記未焼結の第１セラミック拘束層を含む前記未焼結のセラミック拘束層とを積層することにより、複合積層体を作製する工程と、
    前記未焼結のセラミック層が焼結する温度で前記複合積層体を焼成する工程と、を備える、イオン発生器の製造方法。
15. 前記未焼結の第１セラミック拘束層に形成された前記第１孔の内部に、未焼結の放電電極の一部を形成し、
    前記未焼結の第１セラミック層の前記第１主面側の端部の幅が前記第２主面側の端部の幅よりも狭い複数の第２孔を、前記未焼結の第１セラミック層の前記第２主面から前記第１主面に達するように形成する工程と、
    前記未焼結の第１セラミック層に形成された前記第２孔の内部に、未焼結の放電電極の一部を形成する工程と、を更に備え、
    前記複合積層体を作製する工程では、前記未焼結の第１セラミック層に形成された前記未焼結の放電電極と前記未焼結の第１セラミック拘束層に形成された前記未焼結の放電電極とが前記厚み方向に重なるように、前記未焼結の第１セラミック層の前記第１主面と前記未焼結の第１セラミック拘束層の前記第２主面とを対向させる、請求項１４に記載のイオン発生器の製造方法。
16. 前記未焼結のセラミック層は未焼結の第２セラミック層を更に含み、
    前記未焼結の第２セラミック層に、一部が前記未焼結の第２セラミック層から露出するように、未焼結の集電電極を形成する工程と、を更に備え、
    前記複合積層体を作製する工程では、前記未焼結の放電電極が形成された前記未焼結の第１セラミック拘束層の前記第１主面に、前記未焼結の集電電極が形成された前記未焼結の第２セラミック層を、直接的又は間接的に積層する、請求項１４又は１５に記載のイオン発生器の製造方法。