JPWO2023038129A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2023038129A5 JPWO2023038129A5 JP2023547015A JP2023547015A JPWO2023038129A5 JP WO2023038129 A5 JPWO2023038129 A5 JP WO2023038129A5 JP 2023547015 A JP2023547015 A JP 2023547015A JP 2023547015 A JP2023547015 A JP 2023547015A JP WO2023038129 A5 JPWO2023038129 A5 JP WO2023038129A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group iii
- iii nitride
- nitride semiconductor
- type group
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021147191 | 2021-09-09 | ||
| PCT/JP2022/033975 WO2023038129A1 (ja) | 2021-09-09 | 2022-09-09 | Ｉｉｉ族窒化物発光デバイス、ｉｉｉ族窒化物エピタキシャルウエハ、ｉｉｉ族窒化物発光デバイスを作製する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2023038129A1 JPWO2023038129A1 (https=) | 2023-03-16 |
| JPWO2023038129A5 true JPWO2023038129A5 (https=) | 2026-03-03 |
Family
ID=85506469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023547015A Pending JPWO2023038129A1 (https=) | 2021-09-09 | 2022-09-09 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240379906A1 (https=) |
| EP (1) | EP4401158A4 (https=) |
| JP (1) | JPWO2023038129A1 (https=) |
| KR (1) | KR20240053652A (https=) |
| CN (1) | CN117916901A (https=) |
| WO (1) | WO2023038129A1 (https=) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4723177A1 (en) * | 2023-06-01 | 2026-04-08 | Mie University | Group iii nitride light-emitting device |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5352248B2 (ja) | 2009-01-09 | 2013-11-27 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP5777196B2 (ja) * | 2009-04-22 | 2015-09-09 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP5594530B2 (ja) | 2010-10-21 | 2014-09-24 | 創光科学株式会社 | 窒化物半導体紫外線発光素子 |
| KR20130022719A (ko) * | 2011-08-26 | 2013-03-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 |
| US20130082274A1 (en) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | Bridgelux, Inc. | Light emitting devices having dislocation density maintaining buffer layers |
| US9252329B2 (en) * | 2011-10-04 | 2016-02-02 | Palo Alto Research Center Incorporated | Ultraviolet light emitting devices having compressively strained light emitting layer for enhanced light extraction |
| JP6092961B2 (ja) * | 2015-07-30 | 2017-03-08 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| CN107078030B (zh) | 2015-09-11 | 2022-08-23 | 国立大学法人三重大学 | 氮化物半导体衬底的制造方法 |
| US9680056B1 (en) * | 2016-07-08 | 2017-06-13 | Bolb Inc. | Ultraviolet light-emitting device with a heavily doped strain-management interlayer |
| JP6383826B1 (ja) | 2017-03-15 | 2018-08-29 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
| US10135227B1 (en) * | 2017-05-19 | 2018-11-20 | Palo Alto Research Center Incorporated | Electron beam pumped non-c-plane UV emitters |
| US10276746B1 (en) * | 2017-10-18 | 2019-04-30 | Bolb Inc. | Polarization electric field assisted hole supplier and p-type contact structure, light emitting device and photodetector using the same |
| JP6829235B2 (ja) | 2018-11-01 | 2021-02-10 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
| JP2021034509A (ja) * | 2019-08-22 | 2021-03-01 | 旭化成株式会社 | 紫外線発光素子 |
-
2022
- 2022-09-09 US US18/690,683 patent/US20240379906A1/en active Pending
- 2022-09-09 WO PCT/JP2022/033975 patent/WO2023038129A1/ja not_active Ceased
- 2022-09-09 JP JP2023547015A patent/JPWO2023038129A1/ja active Pending
- 2022-09-09 KR KR1020247011757A patent/KR20240053652A/ko active Pending
- 2022-09-09 CN CN202280060971.8A patent/CN117916901A/zh active Pending
- 2022-09-09 EP EP22867450.3A patent/EP4401158A4/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101627458B (zh) | 具有夹层结构的氮化物半导体结构和制作具有夹层结构的氮化物半导体结构的方法 | |
| JP4954298B2 (ja) | 中間層構造を有する厚い窒化物半導体構造、及び厚い窒化物半導体構造を製造する方法 | |
| JP5665676B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物エピタキシャル基板およびその製造方法 | |
| JP4826703B2 (ja) | 半導体素子の形成に使用するための板状基体 | |
| WO2013125126A1 (ja) | 半導体素子および半導体素子の製造方法 | |
| JP2012015303A (ja) | 半導体基板および半導体装置 | |
| CN103489896B (zh) | 氮化镓基半导体器件及其制造方法 | |
| JPWO2011122322A1 (ja) | エピタキシャル基板およびエピタキシャル基板の製造方法 | |
| WO2014068838A1 (ja) | エピタキシャルウェハ及びその製造方法 | |
| US8994032B2 (en) | III-N material grown on ErAIN buffer on Si substrate | |
| JP6265328B2 (ja) | 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 | |
| JP2018067712A (ja) | 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 | |
| JP5384450B2 (ja) | 化合物半導体基板 | |
| JP5146626B2 (ja) | 半導体積層基板、半導体チップおよび半導体積層基板の製造方法 | |
| JP2014022685A (ja) | 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 | |
| JPWO2023038129A5 (https=) | ||
| JP5662184B2 (ja) | 半導体素子用のエピタキシャル基板、および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法 | |
| JP2016154221A (ja) | 半導体基板および半導体装置 | |
| Lin et al. | A stress analysis of transferred thin-GaN light-emitting diodes fabricated by Au-Si wafer bonding | |
| JP2014192246A (ja) | 半導体基板およびそれを用いた半導体素子 | |
| KR20130142415A (ko) | 질화갈륨계 반도체 소자 및 제조방법 | |
| JP2007227494A (ja) | 発光素子形成用の積層構造体、発光素子、および発光素子の製造方法 | |
| TW511143B (en) | Method for forming GaN/AlN superlattice structure |