JPWO2022224887A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JPWO2022224887A5
JPWO2022224887A5 JP2023515432A JP2023515432A JPWO2022224887A5 JP WO2022224887 A5 JPWO2022224887 A5 JP WO2022224887A5 JP 2023515432 A JP2023515432 A JP 2023515432A JP 2023515432 A JP2023515432 A JP 2023515432A JP WO2022224887 A5 JPWO2022224887 A5 JP WO2022224887A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
gas supply
heat transfer
pressure
supply system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2023515432A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2022224887A1 (https=
JP7702479B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/JP2022/017694 external-priority patent/WO2022224887A1/ja
Publication of JPWO2022224887A1 publication Critical patent/JPWO2022224887A1/ja
Publication of JPWO2022224887A5 publication Critical patent/JPWO2022224887A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7702479B2 publication Critical patent/JP7702479B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2023515432A 2021-04-21 2022-04-13 ガス供給システム、基板処理装置、及びガス供給システムの運用方法 Active JP7702479B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021071667 2021-04-21
JP2021071667 2021-04-21
PCT/JP2022/017694 WO2022224887A1 (ja) 2021-04-21 2022-04-13 ガス供給システム、基板処理装置、及びガス供給システムの運用方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPWO2022224887A1 JPWO2022224887A1 (https=) 2022-10-27
JPWO2022224887A5 true JPWO2022224887A5 (https=) 2024-03-26
JP7702479B2 JP7702479B2 (ja) 2025-07-03

Family

ID=83722937

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023515432A Active JP7702479B2 (ja) 2021-04-21 2022-04-13 ガス供給システム、基板処理装置、及びガス供給システムの運用方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US12553132B2 (https=)
JP (1) JP7702479B2 (https=)
KR (1) KR20230171955A (https=)
CN (1) CN117121171A (https=)
WO (1) WO2022224887A1 (https=)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2025250431A1 (en) * 2024-05-31 2025-12-04 Lam Research Corporation Dual backside gas supply system

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3055847B2 (ja) * 1993-07-02 2000-06-26 東京エレクトロン株式会社 減圧処理装置
JPH07249586A (ja) * 1993-12-22 1995-09-26 Tokyo Electron Ltd 処理装置及びその製造方法並びに被処理体の処理方法
JPH10240356A (ja) * 1997-02-21 1998-09-11 Anelva Corp 基板処理装置の基板温度制御法と基板温度制御性判定法
US6949202B1 (en) 1999-10-26 2005-09-27 Reflectivity, Inc Apparatus and method for flow of process gas in an ultra-clean environment
US7041224B2 (en) * 1999-10-26 2006-05-09 Reflectivity, Inc. Method for vapor phase etching of silicon
JP2003347283A (ja) 2002-05-30 2003-12-05 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置
JP4694249B2 (ja) 2005-04-20 2011-06-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置及び試料の真空処理方法
JP5714449B2 (ja) * 2011-08-25 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP5912439B2 (ja) 2011-11-15 2016-04-27 東京エレクトロン株式会社 温度制御システム、半導体製造装置及び温度制御方法
US10553463B2 (en) * 2011-11-15 2020-02-04 Tokyo Electron Limited Temperature control system, semiconductor manufacturing device, and temperature control method
JP2013153171A (ja) * 2013-02-15 2013-08-08 Panasonic Corp プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP6689020B2 (ja) 2013-08-21 2020-04-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US9753463B2 (en) * 2014-09-12 2017-09-05 Applied Materials, Inc. Increasing the gas efficiency for an electrostatic chuck
GB2592022A (en) * 2020-02-12 2021-08-18 Edwards Vacuum Llc A pressure regulated semiconductor wafer cooling apparatus and method and a pressure regulating apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20240002720A (ko) 플라즈마 처리 시스템 및 플라즈마 처리 방법
JP7702479B2 (ja) ガス供給システム、基板処理装置、及びガス供給システムの運用方法
JPWO2022224887A5 (https=)
TW202425051A (zh) 蝕刻方法及電漿處理裝置
KR20250040655A (ko) 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법
US12609277B2 (en) Method for determining amount of wear of edge ring, plasma processing apparatus, and substrate processing system
TWI913455B (zh) 氣體供給系統、基板處理裝置及氣體供給系統之運用方法
JP7378668B2 (ja) 静電チャックおよび基板処理装置
JP2024134515A (ja) プラズマ処理装置
JP2023165222A (ja) 静電チャック、基板支持アセンブリ、及びプラズマ処理装置
US20240321559A1 (en) Plasma processing apparatus
JP2022078719A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP7799906B2 (ja) プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
WO2025216074A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP7582749B2 (ja) 温度制御方法及び温度制御装置
WO2024048461A1 (ja) 温度制御装置、基板処理装置及び温度制御方法
JP2024012994A (ja) 流量制御方法、および制御装置
JP2024011192A (ja) 基板支持器及びプラズマ処理装置
JP2024033855A (ja) プラズマ処理装置
WO2025182632A1 (ja) プラズマ処理装置
TW202531376A (zh) 基板處理裝置及冷卻方法
JP2024115405A (ja) プラズマ処理装置
JP2024154160A (ja) プラズマ処理システム、基板処理システム及びプラズマ処理装置
WO2025142138A1 (ja) プラズマ処理装置
WO2024070580A1 (ja) プラズマ処理装置及び電源システム