JPWO2022138434A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6929340B2 (ja) * 2019-11-21 2021-09-01 Hoya株式会社 反射型マスクブランクおよび反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法
JP7612408B2 (ja) * 2020-12-22 2025-01-14 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
WO2024009819A1 (ja) * 2022-07-05 2024-01-11 Agc株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、および反射型マスクの製造方法
JP7392236B1 (ja) 2022-07-05 2023-12-06 Agc株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、および反射型マスクの製造方法
WO2024024513A1 (ja) * 2022-07-25 2024-02-01 Agc株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、および反射型マスクの製造方法
KR20250036525A (ko) 2023-09-07 2025-03-14 주식회사 엘지에너지솔루션 배터리 유닛
TW202603476A (zh) * 2024-03-23 2026-01-16 日商Hoya股份有限公司 附導電膜基板、附多層反射膜基板、遮罩基底、反射型遮罩、及半導體裝置之製造方法
JP7681153B1 (ja) * 2024-04-11 2025-05-21 テクセンドフォトマスク株式会社 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクの製造方法
JP7557098B1 (ja) 2024-04-11 2024-09-26 株式会社トッパンフォトマスク 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクの製造方法
WO2025239179A1 (ja) * 2024-05-13 2025-11-20 Agc株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクの製造方法
TW202548405A (zh) * 2024-06-03 2025-12-16 日商Agc股份有限公司 反射型光罩基底、反射型光罩及反射型光罩之製造方法
WO2026009614A1 (ja) * 2024-07-05 2026-01-08 Agc株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法
WO2026042468A1 (ja) * 2024-08-22 2026-02-26 Agc株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクブランクの製造方法、反射型マスク、反射型マスクの製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5371162B2 (ja) 2000-10-13 2013-12-18 三星電子株式会社 反射型フォトマスク
KR100455383B1 (ko) * 2002-04-18 2004-11-06 삼성전자주식회사 반사 포토마스크, 반사 포토마스크의 제조방법 및 이를이용한 집적회로 제조방법
JP4521696B2 (ja) * 2003-05-12 2010-08-11 Hoya株式会社 反射多層膜付き基板及び反射型マスクブランクス並びに反射型マスク
JP4693395B2 (ja) * 2004-02-19 2011-06-01 Hoya株式会社 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法
JP2006173497A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Nikon Corp 光学素子及びこれを用いた投影露光装置
TWI427334B (zh) * 2007-02-05 2014-02-21 Zeiss Carl Smt Gmbh Euv蝕刻裝置反射光學元件
US8962220B2 (en) * 2009-04-02 2015-02-24 Toppan Printing Co., Ltd. Reflective photomask and reflective photomask blank
JP5766393B2 (ja) * 2009-07-23 2015-08-19 株式会社東芝 反射型露光用マスクおよび半導体装置の製造方法
TWI467318B (zh) * 2009-12-04 2015-01-01 旭硝子股份有限公司 An optical member for EUV microfilm, and a method for manufacturing a substrate with a reflective layer for EUV microfilm
KR20130111524A (ko) * 2010-07-27 2013-10-10 아사히 가라스 가부시키가이샤 Euv 리소그래피용 반사층 형성 기판, 및 euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크
JP6377361B2 (ja) * 2013-02-11 2018-08-22 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板及びその製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
JP6408790B2 (ja) * 2013-05-31 2018-10-17 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
KR102109129B1 (ko) * 2013-07-02 2020-05-08 삼성전자주식회사 반사형 포토마스크 블랭크 및 반사형 포토마스크
US9740091B2 (en) * 2013-07-22 2017-08-22 Hoya Corporation Substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank for EUV lithography, reflective mask for EUV lithography, and method of manufacturing the same, and method of manufacturing a semiconductor device
US9720317B2 (en) 2013-09-11 2017-08-01 Hoya Corporation Substrate with a multilayer reflective film, reflective mask blank for EUV lithography, reflective mask for EUV lithography and method of manufacturing the same, and method of manufacturing a semiconductor device
JP2015109366A (ja) * 2013-12-05 2015-06-11 旭硝子株式会社 Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク若しくはeuvリソグラフィ用の反射層付基板、およびその製造方法
KR102246876B1 (ko) * 2014-10-22 2021-04-30 삼성전자 주식회사 극자외선 리소그래피 장치용 반사형 마스크 및 그 제조방법
US10061191B2 (en) * 2016-06-01 2018-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High durability extreme ultraviolet photomask
JP6855190B2 (ja) * 2016-08-26 2021-04-07 Hoya株式会社 反射型マスク、並びに反射型マスクブランク及び半導体装置の製造方法
JP7318607B2 (ja) * 2020-07-28 2023-08-01 Agc株式会社 Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、euvリソグラフィ用反射型マスク、およびそれらの製造方法
WO2022118762A1 (ja) * 2020-12-03 2022-06-09 Agc株式会社 Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、euvリソグラフィ用反射型マスク、およびそれらの製造方法

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