JPWO2022138434A1 - - Google Patents
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- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- H—ELECTRICITY
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- H10P76/204—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials of organic photoresist masks
- H10P76/2041—Photolithographic processes
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020217665 | 2020-12-25 | ||
| PCT/JP2021/046485 WO2022138434A1 (ja) | 2020-12-25 | 2021-12-16 | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2022138434A1 true JPWO2022138434A1 (https=) | 2022-06-30 |
| JPWO2022138434A5 JPWO2022138434A5 (https=) | 2024-10-23 |
Family
ID=82159285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022572256A Pending JPWO2022138434A1 (https=) | 2020-12-25 | 2021-12-16 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230418148A1 (https=) |
| JP (1) | JPWO2022138434A1 (https=) |
| KR (1) | KR20230119111A (https=) |
| TW (1) | TW202240277A (https=) |
| WO (1) | WO2022138434A1 (https=) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6929340B2 (ja) * | 2019-11-21 | 2021-09-01 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクおよび反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP7612408B2 (ja) * | 2020-12-22 | 2025-01-14 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| WO2024009819A1 (ja) * | 2022-07-05 | 2024-01-11 | Agc株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、および反射型マスクの製造方法 |
| JP7392236B1 (ja) | 2022-07-05 | 2023-12-06 | Agc株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、および反射型マスクの製造方法 |
| WO2024024513A1 (ja) * | 2022-07-25 | 2024-02-01 | Agc株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、および反射型マスクの製造方法 |
| KR20250036525A (ko) | 2023-09-07 | 2025-03-14 | 주식회사 엘지에너지솔루션 | 배터리 유닛 |
| TW202603476A (zh) * | 2024-03-23 | 2026-01-16 | 日商Hoya股份有限公司 | 附導電膜基板、附多層反射膜基板、遮罩基底、反射型遮罩、及半導體裝置之製造方法 |
| JP7681153B1 (ja) | 2024-04-11 | 2025-05-21 | テクセンドフォトマスク株式会社 | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクの製造方法 |
| JP7557098B1 (ja) | 2024-04-11 | 2024-09-26 | 株式会社トッパンフォトマスク | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクの製造方法 |
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| WO2015037564A1 (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-19 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付き基板、euvリソグラフィー用反射型マスクブランク、euvリソグラフィー用反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP2015109366A (ja) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク若しくはeuvリソグラフィ用の反射層付基板、およびその製造方法 |
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| JP2024099662A (ja) * | 2020-12-03 | 2024-07-25 | Agc株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、euvリソグラフィ用反射型マスク、およびそれらの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2021
- 2021-12-16 WO PCT/JP2021/046485 patent/WO2022138434A1/ja not_active Ceased
- 2021-12-16 KR KR1020237015136A patent/KR20230119111A/ko active Pending
- 2021-12-16 JP JP2022572256A patent/JPWO2022138434A1/ja active Pending
- 2021-12-16 US US18/039,192 patent/US20230418148A1/en active Pending
- 2021-12-23 TW TW110148346A patent/TW202240277A/zh unknown
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| WO2015037564A1 (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-19 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付き基板、euvリソグラフィー用反射型マスクブランク、euvリソグラフィー用反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP2015109366A (ja) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク若しくはeuvリソグラフィ用の反射層付基板、およびその製造方法 |
| US20160116835A1 (en) * | 2014-10-22 | 2016-04-28 | Seong-Sue Kim | Reflective masks for use in extreme ultraviolet lithography apparatus and methods of manufacturing the same |
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| JP2018031982A (ja) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | Hoya株式会社 | 反射型マスク、並びに反射型マスクブランク及び半導体装置の製造方法 |
| JP2022024617A (ja) * | 2020-07-28 | 2022-02-09 | Agc株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、euvリソグラフィ用反射型マスク、およびそれらの製造方法 |
| JP2023134697A (ja) * | 2020-07-28 | 2023-09-27 | Agc株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、euvリソグラフィ用反射型マスク、およびそれらの製造方法 |
| JP2024099662A (ja) * | 2020-12-03 | 2024-07-25 | Agc株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、euvリソグラフィ用反射型マスク、およびそれらの製造方法 |
| JP2025029113A (ja) * | 2020-12-03 | 2025-03-05 | Agc株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、euvリソグラフィ用反射型マスク、およびそれらの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202240277A (zh) | 2022-10-16 |
| US20230418148A1 (en) | 2023-12-28 |
| KR20230119111A (ko) | 2023-08-16 |
| WO2022138434A1 (ja) | 2022-06-30 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20241011 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20241011 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20250805 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20251223 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20260304 |
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