JPWO2022071300A5 - - Google Patents
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Claims (17)
- 基材と、前記基材上に設けられた導電性インク膜と、を備え、
前記導電性インク膜において、前記基材に近い側の面を第１主面、前記基材から遠い側の面を第２主面としたとき、
前記第１主面から前記第２主面に向かって５０％の厚さ位置までの領域における第１空隙率が１５％～５０％であり、かつ、
前記第２主面から前記第１主面に向かって１０％の厚さ位置から、前記第２主面までの領域における第２空隙率が、前記第１空隙率より小さく、
前記導電性インク膜は、銀、金、白金、ニッケル、パラジウム及び銅からなる群より選択される少なくとも１種を含む、
導電積層体。 - 前記第１空隙率が３０％～４０％である、請求項１に記載の導電積層体。
- 前記第２空隙率が２０％以下である、請求項１又は請求項２に記載の導電積層体。
- 前記導電性インク膜は、厚さが０．５μｍ～３０μｍである、請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の導電積層体。
- 基材上に、金属粒子を含む第１導電性インクを付与する工程と、
前記第１導電性インクを焼成する工程と、
焼成後の第１導電性インク上に、金属塩又は金属錯体を含む第２導電性インクを付与する工程と、
前記第２導電性インクを焼成する工程と、を含む
請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の導電積層体の製造方法。 - 前記金属粒子は、銀、金、白金、ニッケル、パラジウム及び銅からなる群より選択される少なくとも１種を含む粒子である、請求項５に記載の導電積層体の製造方法。
- 前記金属粒子は、平均粒径が１０ｎｍ～２００ｎｍである、請求項５又は請求項６に記載の導電積層体の製造方法。
- 前記金属粒子の含有量は、前記第１導電性インクの全量に対して１０質量％～９０質量％である、請求項５～請求項７のいずれか１項に記載の導電積層体の製造方法。
- 前記金属塩及び前記金属錯体はそれぞれ、銀、金、白金、ニッケル、パラジウム及び銅からなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項５～請求項８のいずれか１項に記載の導電積層体の製造方法。
- 前記金属錯体は、アンモニウムカルバメート系化合物、アンモニウムカーボネート系化合物、アルキルアミン、及び、炭素数８～２０のカルボン酸からなる群より選択される少なくとも１種に由来する構造を有する金属錯体であり、
前記金属塩は、炭素数８～２０の金属カルボン酸塩である、請求項５～請求項９のいずれか１項に記載の導電積層体の製造方法。 - 前記金属塩及び前記金属錯体の含有量はそれぞれ、前記第２導電性インクの全量に対して１０質量％～９０質量％である、請求項５～請求項１０のいずれか１項に記載の導電積層体の製造方法。
- 前記第１導電性インクを付与する工程では、インクジェット記録方式を用いて前記第１導電性インクを付与し、
前記第２導電性インクを付与する工程では、インクジェット記録方式を用いて前記第２導電性インクを付与する、請求項５～請求項１１のいずれか１項に記載の導電積層体の製造方法。 - 前記第１導電性インクを付与する工程において、前記第１導電性インクを付与する際の基材の温度は、２０℃～１２０℃である、請求項５～請求項１２のいずれか１項に記載の導電積層体の製造方法。
- 前記第１導電性インクを焼成する工程では、焼成温度は２５０℃以下であり、かつ、焼成時間は１分～１２０分である、請求項５～請求項１３のいずれか１項に記載の導電積層体の製造方法。
- 前記第２導電性インクを付与する工程において、前記第２導電性インクを付与する際の基材の温度は、２０℃～１２０℃である、請求項５～請求項１４のいずれか１項に記載の導電積層体の製造方法。
- 前記第２導電性インクを焼成する工程では、焼成温度は２５０℃以下であり、かつ、焼成時間は１分～１２０分である、請求項５～請求項１５のいずれか１項に記載の導電積層体の製造方法。
- 前記第２導電性インクを付与する工程を終了した時点から前記第２導電性インクを焼成する工程を開始する時点までの時間は６０秒以下である、請求項５～請求項１６のいずれか１項に記載の導電積層体の製造方法。
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