JPWO2021167816A5 - - Google Patents

Claims (22)

1. 検査システムであって、
   標本を照明するための極端紫外（ＥＵＶ）照明ビームを放射するよう構成された照明源を備え、
   １個又は複数個の第１マルチセル検出器を備え、
   前記第１マルチセル検出器それぞれが、少なくとも２個のセグメントを備え、且つ、前記照明ビームが前記１個又は複数個の第１マルチセル検出器内を通ったときに第１光電流を生成するよう構成されており、
   前記第１マルチセル検出器それぞれが、その中央部にアパーチャを有し、
   前記第１マルチセル検出器それぞれが、前記第１光電流に基づき第１照明強度分布信号を生成するよう構成されており、
   １個又は複数個の第２マルチセル検出器を備え、
   前記第２マルチセル検出器それぞれが、少なくとも２個のセグメントを備え、且つ、前記照明ビームが前記１個又は複数個の第２マルチセル検出器内を通ったときに第２光電流を生成するよう構成されており、
   前記第２マルチセル検出器それぞれが、前記第２光電流に基づき第２照明強度分布信号を生成するよう構成されており、
   前記照明ビームを前記標本から受光し前記照明ビームに基づき画像を生成するよう構成された検出器アセンブリを備え、
   前記検出器アセンブリ、前記１個又は複数個の第１マルチセル検出器及び前記１個又は複数個の第２マルチセル検出器に可通信結合されたコントローラを備え、前記コントローラが、プログラム命令を実行するよう構成された１個又は複数個のプロセッサを有し、それらプログラム命令に従い、前記１個又は複数個のプロセッサが、
   前記検出器アセンブリから前記画像を受け取り、
   前記第２照明強度分布信号における歪を前記画像内の有歪画素にマッピングすることによって、前記第２マルチセル検出器により生成された前記第２照明強度分布信号を前記検出器アセンブリにより生成された前記画像について校正し、
   前記画像内の前記有歪画素の強度を前記第２照明強度分布信号に基づき調整することによって、補正済画像を生成し、且つ
   前記補正済画像を用い前記標本上の欠陥を検出する、
   検査システム。
2. 請求項１に記載の検査システムであって、前記標本がフォトマスク、レティクル及び半導体ウェハのうち少なくとも一つである検査システム。
3. 請求項１に記載の検査システムであって、前記第１マルチセル検出器それぞれの前記中央部にある前記アパーチャが、前記照明ビームを通すよう構成されている検査システム。
4. 請求項１に記載の検査システムであって、前記プログラム命令に従い、前記１個又は複数個のプロセッサが更に、
   前記第１照明強度分布信号における中心点からのオフセットを前記照明ビームの不安定性にマッピングすることによって、前記第１照明強度分布信号を前記照明ビームについて校正する検査システム。
5. 請求項４に記載の検査システムであって、前記プログラム命令に従い、前記１個又は複数個のプロセッサが更に、
   （ｉ）前記照明源及び（ｉｉ）前記照明ビームの経路上にある光学部材のうち少なくとも一方に対し補正動作を適用することによって、前記照明ビームを前記第１照明強度分布信号に基づき安定化する検査システム。
6. 請求項５に記載の検査システムであって、
   前記照明ビームの第１部分の第１照明路上に、前記第１マルチセル検出器、前記第２マルチセル検出器及び前記検出器アセンブリが備わり、且つ、
   前記照明ビームの第２部分の第２照明路上に、前記照明ビームの前記第２部分がその上に射突したときに第３照明強度分布信号を生成するよう構成されたサイド検出器が備わる検査システム。
7. 請求項６に記載の検査システムであって、前記プログラム命令に従い、前記１個又は複数個のプロセッサが更に、
   前記第３照明強度分布信号における歪を前記画像内の前記有歪画素にマッピングすることによって、前記第３照明強度分布信号を前記画像について校正し、
   前記画像内の前記有歪画素の前記強度を前記第３照明強度分布信号及び前記第２照明強度分布信号に基づき調整することによって、前記補正済画像を生成し、且つ
   前記補正済画像を用い前記標本上の前記欠陥を検出する、
   検査システム。
8. 請求項７に記載の検査システムであって、前記サイド検出器が、
   電荷結合デバイス（ＣＣＤ）、相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）センサ、能動画素センサ（ＡＰＳ）及び時間遅延積分（ＴＤＩ）センサのうち少なくとも一つである検査システム。
9. 請求項１に記載の検査システムであって、
   前記照明ビームの第１部分の第１照明路上に、前記第１マルチセル検出器、前記第２マルチセル検出器及び前記検出器アセンブリが備わり、且つ、
   前記照明ビームの第２部分の第２照明路上に、前記照明ビームの前記第２部分がその上に射突したときに第３照明強度分布信号を生成するよう構成されたサイド検出器が備わる検査システム。
10. 請求項９に記載の検査システムであって、前記プログラム命令に従い、前記１個又は複数個のプロセッサが更に、
    前記第３照明強度分布信号における歪を前記画像内の前記有歪画素にマッピングすることによって、前記第３照明強度分布信号を前記画像について校正し、
    前記画像内の前記有歪画素の前記強度を前記第３照明強度分布信号及び前記第２照明強度分布信号に基づき調整することによって、前記補正済画像を生成し、且つ
    前記補正済画像を用い前記標本上の前記欠陥を検出する、
    検査システム。
11. 請求項１に記載の検査システムであって、前記第１マルチセル検出器の前記２個以上のセグメントが、４個のセグメント、６個のセグメント及び８個のセグメントのうち少なくとも一つを含み、前記第２マルチセル検出器の前記２個以上のセグメントが、４個のセグメント、６個のセグメント及び８個のセグメントのうち少なくとも一つを含む検査システム。
12. 検査方法であって、
    照明源を用い極端紫外（ＥＵＶ）照明ビームを放射し、
    前記照明ビームが第１マルチセル検出器それぞれを通ったときに１個又は複数個の前記第１マルチセル検出器で以て第１光電流を生成し、但し前記第１マルチセル検出器それぞれが、少なくとも２個のセグメントと、その中央部にあるアパーチャとを備えるものであり、
    前記第１光電流に基づき第１照明強度分布信号を生成し、
    前記照明ビームが第２マルチセル検出器それぞれを通ったときに１個又は複数個の前記第２マルチセル検出器で以て第２光電流を生成し、但し前記第２マルチセル検出器それぞれが少なくとも２個のセグメントを備えるものであり、
    前記第２光電流に基づき第２照明強度分布信号を生成し、
    前記照明ビームで以て標本を照明し、
    検出器アセンブリで以て前記照明ビームを前記標本から受光し、
    前記照明ビームに基づき画像を生成し、
    前記第２照明強度分布信号における歪を前記画像内の有歪画素にマッピングすることによって、前記第２マルチセル検出器により生成された前記第２照明強度分布信号を前記検出器アセンブリにより生成された前記画像について校正し、
    前記画像内の前記有歪画素の強度を前記第２照明強度分布信号に基づき調整することによって、補正済画像を生成し、且つ
    前記補正済画像を用い前記標本上の欠陥を検出する検査方法。
13. 請求項１２に記載の検査方法であって、前記標本がフォトマスク、レティクル及び半導体ウェハのうち少なくとも一つである検査方法。
14. 請求項１２に記載の検査方法であって、前記第１マルチセル検出器それぞれの前記中央部にある前記アパーチャを、前記照明ビームを通すよう構成する検査方法。
15. 請求項１２に記載の検査方法であって、更に、
    前記第１照明強度分布信号における中心点からのオフセットを前記照明ビームの不安定性にマッピングすることによって、前記第１照明強度分布信号を前記照明ビームについて校正する検査方法。
16. 請求項１５に記載の検査方法であって、更に、
    （ｉ）前記照明源及び（ｉｉ）前記照明ビームの経路上にある光学部材のうち少なくとも一方に対し補正動作を適用することによって、前記照明ビームを前記第１照明強度分布信号に基づき安定化する検査方法。
17. 請求項１６に記載の検査方法であって、
    前記照明ビームの第１部分の第１照明路上に、前記第１マルチセル検出器、前記第２マルチセル検出器及び前記検出器アセンブリを設け、且つ、
    前記照明ビームの第２部分の第２照明路上に、前記照明ビームの前記第２部分がその上に射突したときに第３照明強度分布信号を生成するよう構成されたサイド検出器を設ける検査方法。
18. 請求項１７に記載の検査方法であって、更に、
    前記第３照明強度分布信号における歪を前記画像内の前記有歪画素にマッピングすることによって、前記第３照明強度分布信号を前記画像について校正し、
    前記画像内の前記有歪画素の前記強度を前記第３照明強度分布信号及び前記第２照明強度分布信号に基づき調整することによって、前記補正済画像を生成し、且つ
    前記補正済画像を用い前記標本上の前記欠陥を検出する検査方法。
19. 請求項１８に記載の検査方法であって、前記サイド検出器が、
    電荷結合デバイス（ＣＣＤ）、相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）センサ、能動画素センサ（ＡＰＳ）及び時間遅延積分（ＴＤＩ）センサのうち少なくとも一つである検査方法。
20. 請求項１２に記載の検査方法であって、
    前記照明ビームの第１部分の第１照明路上に、前記第１マルチセル検出器、前記第２マルチセル検出器及び前記検出器アセンブリを設け、且つ、
    前記照明ビームの第２部分の第２照明路上に、前記照明ビームの前記第２部分がその上に射突したときに第３照明強度分布信号を生成するよう構成されたサイド検出器を設ける検査方法。
21. 請求項２０に記載の検査方法であって、更に、
    前記第３照明強度分布信号における歪を前記画像内の前記有歪画素にマッピングすることによって、前記第３照明強度分布信号を前記画像について校正し、
    前記画像内の前記有歪画素の前記強度を前記第３照明強度分布信号及び前記第２照明強度分布信号に基づき調整することによって、前記補正済画像を生成し、且つ
    前記補正済画像を用い前記標本上の前記欠陥を検出する検査方法。
22. 請求項１２に記載の検査方法であって、前記第１マルチセル検出器の前記２個以上のセグメントが、４個のセグメント、６個のセグメント及び８個のセグメントのうち少なくとも一つを含み、前記第２マルチセル検出器の前記２個以上のセグメントが、４個のセグメント、６個のセグメント又は８個のセグメントを含む検査方法。