JP6324071B2 - Ｅｕｖ結像のための装置およびその装置を用いた方法 - Google Patents

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本願は、２０１１年１月１１日出願の「Ａｐｐａｒａｔｕｓ ｆｏｒ ＥＵＶ Ｉｍａｇｉｎｇ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｏｆ Ｕｓｉｎｇ Ｓａｍｅ」と題された米国仮特許出願第６１／４３１，７６８号の利益を主張するものであり、その開示は参照により本明細書に組み入れられる。

本開示は、光学装置およびその装置を用いた方法に関する。

市販されているフォトマスク検査用の従来の装置は、一般に、１９３ナノメートル（ｎｍ）またはそれ以上の波長を有する紫外（ＵＶ）光を用いる。この装置は、１９３ｎｍの光に基づいたリソグラフィ用に設計されたマスク検査に好適である。最小形状での印刷をさらに改善するために、次世代のリソグラフィ機器は、およそ１３．５ｎｍの光での実施を目的として現在では設計されている。それゆえに、１３ｎｍ付近の光での実施用に設計されたパターンニングマスクには検査が必要となる。そのようなマスクは反射性であり、共鳴反射型の基板（ＥＵＶ多層膜、通常、７ｎｍ周期の４０組のモリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）とを含む）一面にパターンニングされた吸収層を有する。

米国特許出願公開第２００５／０２０１５１４号

従来の検査装置は、２２ナノメートル（ｎｍ）未満のハーフピッチによって特徴づけられるＥＵＶマスクパターンの対象の（印刷可能な）パターン特徴およびパターン欠陥を解像するのに十分ではない（すなわち、小さ過ぎる）波長と開口数（ＮＡ）との組み合わせを有する光学系を利用している。

開示の一実施態様は、極端紫外（ＥＵＶ）光を用いてフォトマスクを検査するための装置に関する。この装置は、ターゲット基板を照らすＥＵＶ光を生成するための照射光源と、ターゲット基板から反射したＥＵＶ光を受けて投影するための対物光学系と、対物光学系によって投影されたＥＵＶ光を検出するためのセンサと、を含む。対物光学系は、ターゲット基板から反射したＥＵＶ光を受けて反射するように配置されている第一のミラーと、第一のミラーによって反射したＥＵＶ光を受けて反射するように配置されている第二のミラーと、第二のミラーによって反射したＥＵＶ光を受けて反射するように配置されている第三のミラーと、第三のミラーによって反射したＥＵＶ光を受けて反射するように配置されている第四のミラーと、を含む。

他の実施態様、態様および特徴も開示する。

本発明の実施態様に係る反射型結像装置を示す概略図である。 本発明の第一の実施態様に係る、反射型の対物光学系におけるミラー配置を示す光学光路図である。 本発明の第二の実施態様に係る、反射型の対物光学系におけるミラー配置を示す光学光路図である。 本発明の第三の実施態様に係る、反射型の対物光学系におけるミラー配置を示す光学光路図である。

前に開示した（２〜４個の層で多層コーティングされたミラーを有する）ＥＵＶ顕微鏡対物光学系は、欠陥またはパターンを調べる用途用に設計されており、およそ１３ｎｍの光の波長での実施に用いるものである。これは、基本的に０．０５〜０．１２の範囲のＮＡを有しており、マスクにおける５〜２０ミクロンの範囲の（顕微鏡検査）タスクを調べるのに丁度適正な程度の照射野を有する。ＮＡおよび欠陥サイズに応じた欠陥検出能力の厳密な解析に従えば、この範囲におけるＮＡを有するＥＵＶ対物光学系の分解能および欠陥検出感度は、ＮＡおよび質の高い照射野サイズ両方における短所に起因して、１８ｎｍ程度未満のハーフピッチ（ＨＰ）特徴を有するマスクにおける生産に使用可能なＥＵＶマスクの検査には不適当である。

現在のマスク検査システムは、高輝度および比較的高出力の光を出すＵＶおよびＤＵＶレーザ光源をベースにしている。およそ１３ｎｍの有意なスペクトル輝度を有する光源は、２０〜５０ｅＶの範囲における温度を有するパルスプラズマをベースにしている。変換効率（入力エネルギーから帯域内放射への変換）の弱さに起因して、そのようなプラズマ源は１３〜１４ｎｍの光において限られた輝度しか示さない。また、輝度の上昇に伴い、光源コスト（それ故に、製作中のマスクにかかる検査費）が、ＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）の経済的魅力を損なうレベルにまで顕著に押し上げられることがある。

低輝度のプラズマ源（放電またはレーザー励起型）を備えたマスク検査システムにおけるハイスループットでの実施では、瞬時的な画像信号積分およびデジタル表現への変換の速度を増大するために、大きな照射野および検出器アレイが要求される。

同時に、背景画像ノイズからの欠陥信号を選別するために、結像光学系は、対象のＥＵＶマスクに存在するパターニングまたは多層膜欠陥によって分散または散乱した光の収集を最大化する必要がある。広範な角度にわたって入射光を分散および散乱する対象の欠陥の多くにおいて、対物光学系のＮＡの増大は欠陥信号の増大を引き起こす。

多層膜ミラーベースの結像系の光透過率は弱い。これは、１３〜１４ｎｍ付近の設計波長における、多層膜の限られた反射性に起因する。単一のＭｏＳｉ多層膜ミラーのピーク分光反射率は、１３．５ｎｍ付近において６０〜７０％の範囲を示す。標準的な照射、そしてＥＵＶシステムの結像光学系におけるほぼ正常な入射鏡からの多重反射を経て、システムの透過率は１％を超えて下がることがある。

検査タスクを十分に実行するために、マスクの各解像領域から像平面に達する光は、検出器アレイによってデジタル信号に変換され、ある程度の主（１３ｎｍ）量子数、それに従い、良く設計されたシステムにおいて（検出器材料、通常、シリコンに吸収される光子の）主量子数の強力な作用となるある程度最小の信号対雑音比に達する必要がある。検出器に入射する光を一定に維持しつつ光学系における損失を相殺するために、光源の輝度を増大する必要がある。しかしながら、現在公知の光源技術を用いてそのような光源を開発するのは困難であり、製造に費用がかかる。

あるいは、光量は角度範囲に応じて増大するため、照明光学系によってマスクに転送される、光源から放射される光の角度範囲を、少なくとも光源の輝度従いサポートされる角度範囲内に増大することができる。換言すると、物理的制約条件によって妨げられない程度まで照射瞳のサイズを増大することができる。検査光学系設計における欠陥ＳＮＲの厳密な調査によって、ＥＵＶマスクにおいて、限られた輝度のプラズマ源を用いる場合に、そのような主としてインコヒーレント結像が、大抵、より低いシグマよりも高いＳＮＲ、設計およびシステムにおけるよりコヒーレントな動作を与えることが示唆された。

反射体と共に用いる反射型結像系（例えば、ＥＵＶ光を用いたＥＵＶマスク検査）にビームスプリッタを使用することにより、角度空間における照射および結像瞳の相互貫入または重複が可能になり、光学系設計およびレイアウトを簡素化することができる。現在のＥＵＶビームスプリッタ技術は、低反射であり、低透過係数（２５〜３５％）を有する。ビームスプリッタを用いた検査システムでは、光源の輝度を大いに増大して検出器に達する光の損失を相殺する必要がある。それ故に、ビームスプリッタ要素を備えない検査光学系が非常に好ましい。

そのような一様な（無パターンの）ミラーに入射する、共鳴反射の多層膜におけるスペクトルバンド幅内の波長の光は、入射角が角度帯域内に適切にある場合に限り６０〜７０％反射する。周期的なＭｏＳｉ多層膜の角度帯域は、１３．５ｎｍの光において２０〜２５度である。この角度帯域を超えて入射する光は、非常に低いレベルにおいて多層膜に反射し、それ故、大部分は吸収されるか、浪費される。

ＥＵＶマスクにおけるパターンによる光伝搬および光分散の厳密な調査によって、この傾向がパターンニングマスクに入射する光にもなおも保持されることが示唆される。さらに、ＥＵＶパターンニングマスク上またはその内部に存在する欠陥によって分散および散乱した光の角度分布も、多層膜の角度帯域によって調節される。欠陥によって散乱した光の角度分布は、欠陥形状および局所パターンの形状に応じて適切に決まり、結像瞳の一面または別の部分を顕著に湾曲させてもよい。任意のパターン形状において、全ての欠陥タイプから適正な光を集めるために、結像瞳のサイズを最大化する必要がある。その結果、ビームスプリッタを備えず、マスクの有限の角度帯域内において概して作動し、そして限られた輝度のプラズマ源を利用する検査光学系の設計においては、競い合う照射の角度要求と結像瞳とに対処する必要がある。これらの各々は、それらの角度広がりのサイズの最大化を追及している。

１１ＨＰにおけるＥＵＶＬには、ＥＵＶマスク設計において、角度帯域の増大を引き起こし、従来の周期的な多層膜において可能なＮＡよりも高いＮＡにおいてＥＵＶＬ結像を可能にする非周期的な多層膜を用いてもよい。これは有限の角度帯域の課題を改善するが、それを完全に緩和するわけではない。

結像設計においてミラーの数を増加することにより、高いＮＡおよび広い照射野を同時に可能にする設計能力を与えることができるが、ミラーの増加により検出器に達する光の禁止的な減少が引き起こされることがある。それ故に、最小の総数のミラーにおいて、ビームスプリッタを用いず、そして照射および結像瞳のサイズおよび場所に関する競い合う要求についてのバランスを保つ適正な検査性能を提供し、それによって、低輝度のプラズマベースのＥＵＶ光源の生産使用が可能になる設計を見出すことには有意な価値がある。

さらに、少なくとも２つのテクノロジーノード、例として、１６ＨＰおよび１１ＨＰにおける適正な欠陥検査性能を与える光学系設計を見出すことは強力な経済的利益となる。チップを限定する致命的なサイズの欠陥がテクノロジーノードの縮小を引き起こす場合には、検査システムのＮＡを増大することによって、散乱光の減退を相殺する必要がある。

要約すれば、ＵＶ光を利用する従来の装置は、極端紫外線フォトマスク（「ＥＵＶマスク」）を検査する用途では明らかに制限されている。従来の装置は、リソグラフィ中にＥＵＶ光を用いたと認識されるものを表さないマスクの画像を結果生じるという点において、通常、「非化学線」である。むしろ、得られるマスクの画像は、分解能およびコントラストの両方が欠如しており、パターン検査および欠陥検出に極めて有効ではない。

より近年では、結像にＥＵＶ光を用いるフォトマスク検査機器（「ＥＵＶ検査機器」）が開発されている。しかしながら、現在のＥＵＶ検査機器にも制限および欠点がある。第一に、画像の照射野が極めて狭い。この制限により、この装置を用いてＥＵＶマスク全体の欠陥を検査する場合に、結果としてスループットが低くなる。第二に、光学系の開口数が低い。この制限により、結果として分解能が比較的低くなる。そのようなより低い分解能により、パターン検査および欠陥検出のための画像の実際の使用が制限される。

本特許出願は、フォトマスク検査機器に関する前述の問題を克服する反射型結像装置を開示する。

パターンニングマスクの検査中、局部的欠陥パターンに対応する信号の取得およびその後の信号処理は、事前情報を利用して画像を取得または合成するかにかかわらず、パターンのテスト領域におけるデジタル画像と参照領域におけるそれとを比較または差異を識別することによって実現することができる。そのような差異識別工程によってパターンが除去され、準一様な背景信号における摂動として欠陥が残される。

結像瞳は、大抵、環状に対称的であり、像平面において対称的な点広がり関数を結果生じる。リソグラフィには大抵そのような対称性が要求されるが、異なる結像によるマスク検査には対称的なｐｓｆが要求されず、その結果、結像瞳は非対称でもよい。とりわけ、欠陥信号の収集に顕著な障害が生じない場合には、結像瞳の一部分の不明瞭は許容され得る。

加えて、もとの瞳の形状は円形である必要はない。一例として、もとの瞳は正方形または長方形状でもよい。この形状は、瞳領域の追加により散乱する欠陥光または信号の増加ゲインを考慮する場合にはさらに有利となる。

瞳区域の一部分として表される不明瞭の一部分は、５または１０％未満であることが好ましい。４鏡設計における不明瞭は、多くの場合、第二のミラー、すなわちＭ２による、マスクから反射または散乱した光の遮断またはシャドウイングを通じて生じる。Ｍ２の反射面および周囲支持体両方のサイズを最小化することにより、不明瞭を最小化できる。

Ｍ２の構造支持体の設計においては、環境外乱または振動がＭ２位置の動的摂動を駆動または引き起こし、それ故、ピンぼけにより画質を劣化させないような十分な剛性をそれが有する必要がある。

ＥＵＶ光用のミラーは適正な反射性に達するように多層膜コーティングする必要があるため、高度に湾曲した要素のあらゆる位置における入射角の範囲を考慮し、それを多層堆積処理技術の制限内に限定する必要がある。特定の対物光学系およびシステム設計における欠陥ＳＮＲを見積もる場合には、多層堆積処理により誘発される、各ミラー上の反射点における局所的な反射性の変動に応じたアポディゼーションまたは各光線の透過率の調節を考慮する必要がある。

とりわけ、設計プロセスでは、迅速かつ経済的なマスク検査を可能にするように、存在し得る欠陥ＳＮＲを確実に最小にするために、不明瞭化と、構造応答と、第二のミラー、すなわちＭ２形状の曲率とのバランスを保つ必要がある。

マスク検査用の対物光学系の設計における主光線の選択においては、いくつかの競い合う要素のバランスを保つ必要がある。主光線は、対物光学系によって像平面に送られる光線における角度分布の重心によって、すなわち、ミラーコーティングを原因とする瞳アポディゼーションを十分に考慮して画定される。反射型結像用の、ビームスプリッタを備えない従来の設計では、光軸において照射および収集光の束を分割する面であって、オブジェクト表面法線と一致する面を設置するが、検査を重視した光学系では、この選択は要求されないか、強くは好まれない。それ故に、表面法線より下のより低い位置への結像瞳の周辺光線の配置が可能になると、欠陥信号の収集に有利であることが見出された。

これに対応して、欠陥ＳＮＲを増大する処理において、ＮＡが低レベルから増大する場合には、より高い性能設計において（表面法線に関連する）結像主光線はＮＡの数値を下回る。検査を最適化したＥＵＶ対物光学系設計では、表面法線に向かう結像主光線にバイアスをかけて、照射瞳に（多層膜の角度帯域がなおも大いに限定された）十分な角度範囲を与えることにより、限られた輝度のプラズマＥＵＶ光源からの適正な光子束を確保しつつ、パターン欠陥によって散乱した光の角度分布を調節した多層膜を用いて結像瞳の重複を最大化する。

図１は、本発明の実施態様に係る反射型結像装置を示す概略図である。装置１００は、ＥＵＶ照射光源１０２、照射ミラー１０４、ターゲット基板１０６、基板ホルダ１０７、対物光学系１０８、センサ（検出器）１１０、およびデータ処理システム１１２を含む。

ＥＵＶ照射光源１０２は、例として、ＥＵＶ光ビーム１２２を出力するレーザ誘起プラズマ源を含むことができる。一実施態様では、ＥＵＶ光は１３．５ｎｍの波長の光である。照射ミラー１０４は、ビーム１２４をターゲット基板１０６に照らすようにＥＵＶ光を反射する。本発明の一実施態様では、ターゲット基板１０６は、検査されるＥＵＶマスクである。結像装置の視界が検査する基板における領域を覆うように、基板ホルダを制御可能に変形することによって、ターゲット基板１０６は、ビーム１２４を受けてスキャンされることができる。

パターンニング光１２６は、ターゲット基板１０６から反射型の対物光学系１０８に反射する。対物光学系１０８の好ましい態様を、図２、図３および図４に関して以下に詳細に記述する。

対物光学系１０８は、パターンニング光の投影１２８をセンサ１１０に出力する。一実施態様では、センサ１１０は、ターゲット基板がビーム１２４受けてスキャン（変形）されている間にデータを検出できる時間遅延型の一体型検出器アレイでもよい。

データ処理システム１１２は、電子回路、１以上のマイクロプロセッサ、データストレージ、メモリならびに入力装置および出力装置を含むことができる。データ処理システム１１２は、センサ１１０からのデータを受信および処理するように構成することができる。一実施態様に従い、データ処理システム１１２は、パターン検査および欠陥検出に関する検出したデータを処理および解析することができる。

図２は、本発明の第一の実施態様に係る、対物光学系１０８におけるミラー配置を示す光学光路図である。図２に示す対物光学系１０８についての光学的規定は、以下の補足Ａに提供する。

この実施態様では、図２に示すように配置された４個のミラー（２０２、２０４、２０６および２０８）が存在する。これらのミラーは、パターンニング光１２６が、第一、第二、第三および第四のミラー（それぞれ、２０２、２０４、２０６および２０８）からこの順で反射するように配置される。この配置では、第一のミラー２０２は凹面鏡であり、第二のミラー２０４は凹面鏡であり、第三のミラー２０６は凸面鏡であり、第四のミラー２０８は凹面鏡である。従って、ミラーは順に、凹面鏡、凹面鏡、凸面鏡、凹面鏡である。

この実施態様では、第二のミラー２０４は、第一のミラー２０２をパターンニング光１２６から部分的に覆い隠す。換言すると、第一のミラー２０２の区域の一部は、第二のミラー２０４によって、ターゲット基板１０６から反射した光１２６の受信が遮られる。さらに、第一のミラー２０２に形成された開口部を利用することにより、第二のミラー２０４が反射した光は第三のミラー２０６に届くように第一のミラー２０２を通過することができる。出願人らは、第一のミラー２０２が部分的に覆い隠され、貫通穴が必要となるにもかかわらず、この実施態様ではそれでもなお高い開口数を達成できることを発見した。

好ましい態様によれば、対物光学系の開口数は少なくとも０．２、視界は面積で少なくとも５０００平方ミクロンである。対物光学系１０８のこの実施において、開口数が０．２４、視界サイズが３２７ミクロン×３０ミクロン（その面積は９８１０平方ミクロン）であることが測定された。有利にも、この実施態様では、開口数および視覚の両方が比較的大きい。

作動距離とは、ターゲット基板１０６とそれに最も近い光学要素（この場合では、第二のミラー２０４）との間の距離である。作動距離は、ターゲット基板１０６の照射のための十分な空間を提供するために、少なくとも１００ミリメートル（ｍｍ）あることが望ましい。この実施態様では、作動距離は１４５ｍｍである。

全行路は、ターゲット基板１０６からセンサ１１０までの距離として規定することができる。この特定の実施態様では、全トレースは１５００ｍｍである。

図３は、本発明の第二の実施態様に係る、反射型の対物光学系におけるミラー配置を示す光学光路図である。図３に示す対物光学系１０８についての光学的規定は、以下の補足Ｂに提供する。

この実施態様では、図３に示すように配置された４個のミラー（３０２、３０４、３０６および３０８）が存在する。これらのミラーは、パターンニング光１２６が、第一、第二、第三および第四のミラー（それぞれ、３０２、３０４、３０６および３０８）からこの順で反射するように配置される。この配置では、第一のミラー３０２は凹面鏡であり、第二のミラー３０４は凹面鏡であり、第三のミラー３０６は凸面鏡であり、第四のミラー３０８は凹面鏡である。従って、ミラーは順に、凹面鏡、凸面鏡、凹面鏡、凸面鏡である。

この実施態様では、第二のミラー３０４は、第一のミラー３０２をパターンニング光１２６から部分的に覆い隠す。換言すると、第一のミラー３０２の区域の一部は、第二のミラー３０４によって、ターゲット基板１０６から反射した光１２６の受信が遮られる。さらに、第一のミラー３０２に形成された開口部を利用することにより、第二のミラー３０４が反射した光は第三のミラー３０６に届くように第一のミラー３０２を通過することができる。出願人らは、第一のミラー３０２が部分的に覆い隠され、貫通穴が必要となるにもかかわらず、この実施態様ではそれでもなお高い開口数を達成できることを発見した。

好ましい態様によれば、対物光学系の開口数は少なくとも０．２、視界は面積で少なくとも５０００平方ミクロンである。対物光学系１０８のこの実施において、開口数が０．２４、視界サイズが４４０ミクロン×４２０ミクロン（その面積は１８４８００平方ミクロン）であることが測定された。有利にも、この実施態様では、開口数は比較的大きく、視覚は特に大きい。大きな視界は、有利にも、多重センサ列の配置が可能になる。

作動距離とは、ターゲット基板１０６とそれに最も近い光学要素（この場合では、第二のミラー３０４）との間の距離である。作動距離は、ターゲット基板１０６の照射のための十分な空間を提供するために、少なくとも１００ミリメートル（ｍｍ）あることが望ましい。この実施態様では、作動距離は２３７ｍｍである。

全行路は、ターゲット基板１０６からセンサ１１０までの距離として規定することができる。この特定の実施態様では、全トレースは８７３ｍｍである。

図４は、本発明の第三の実施態様に係る、反射型の対物光学系におけるミラー配置を示す光学光路図である。図４に示す対物光学系１０８についての光学的規定は、以下の補足Ｃに提供する。

この実施態様では、図４に示すように配置された４個のミラー（４０２、４０４、４０６および４０８）が存在する。これらのミラーは、パターンニング光１２６が、第一、第二、第三および第四のミラー（それぞれ、４０２、４０４、４０６および４０８）からこの順で反射するように配置される。この配置では、第一のミラー４０２は凹面鏡であり、第二のミラー４０４は凸面鏡であり、第三のミラー４０６は凹面鏡であり、第四のミラー４０８は凹面鏡である。従って、ミラーは順に、凹面鏡、凸面鏡、凹面鏡、凹面鏡である。

この実施態様では、第二のミラー４０４は、第一のミラー４０２をパターンニング光１２６から部分的に覆い隠す。換言すると、第一のミラー４０２の区域の一部は、第二のミラー４０４によって、ターゲット基板１０６から反射した光１２６の受信が遮られる。さらに、第一のミラー４０２に形成された開口部を利用することにより、第二のミラー４０４が反射した光は第三のミラー４０６に届くように第一のミラー４０２を通過することができる。出願人らは、第一のミラー４０２が部分的に覆い隠され、貫通穴が必要となるにもかかわらず、この実施態様ではそれでもなお高い開口数を達成できることを発見した。

好ましい態様によれば、対物光学系の開口数は少なくとも０．２、視界は面積で少なくとも５０００平方ミクロンである。対物光学系１０８のこの実施において、開口数が０．２４、視界サイズが４１０ミクロン×２５５ミクロン（その面積は１０４５５０平方ミクロン）であることが測定された。有利にも、この実施態様では、開口数は比較的大きく、視覚も大きい。

作動距離とは、ターゲット基板１０６とそれに最も近い光学要素（この場合では、第二のミラー４０４）との間の距離である。作動距離は、ターゲット基板１０６の照射のための十分な空間を提供するために、少なくとも１００ミリメートル（ｍｍ）あることが望ましい。この実施態様では、作動距離は２３０ｍｍである。

全行路は、ターゲット基板１０６からセンサ１１０までの距離として規定することができる。この特定の実施態様では、全トレースは１４２０ｍｍである。

前の記述において、本発明の実施態様の徹底的な理解を提供するために、非常に多くの具体的な詳細が与えられる。しかしながら、本発明の例証した実施態様についての前の記述は、網羅的であることを意図せず、開示するまさにその形態に本発明を制限しない。当業者は、具体的な詳細の一つまたは複数が無くとも本発明を実施でき、また、他の方法、構成部材などによっても実施できることを認識する。他の例では、本発明の態様を不明瞭にすることを避けるため、周知の構造または工程を詳細には示し、記述しない。本発明についての具体的な実施態様および実施例を、例証を目的として本明細書に記述したが、当業者が認識するように、さまざまな同等の変形が本発明の範囲内で可能である。

これらの変形を、前の詳細な説明を考慮して本発明に為すことができる。以下の請求項に用いる用語は、明細書および請求項に開示する具体的な実施態様に本発明を制限するようには解釈されないはずである。むしろ、本発明の範囲は、請求項の論理解釈について確立された原則に従い解釈される以下の請求項によって確定される。

Claims (12)

1. 極端紫外（ＥＵＶ）光を用いてフォトマスクを検査するための装置であって、
   ターゲット基板を照らす前記ＥＵＶ光を生成するための照射光源と、
   前記ターゲット基板から反射された前記ＥＵＶ光を受けて投影するための対物光学系と、
   前記対物光学系によって投影された前記ＥＵＶ光を検出するためのセンサと、を含み、
   前記対物光学系が、
   前記ターゲット基板から反射された前記ＥＵＶ光を受けて反射するように配置されている、光軸を備える第一のミラーと、
   前記第一のミラーの前記光軸から外れた位置に形成された開口部と、
   前記第一のミラーによって反射された前記ＥＵＶ光を受けて反射するように配置されている第二のミラーと、
   前記第二のミラーによって反射された前記ＥＵＶ光を受けて反射するように配置されている第三のミラーと、
   前記第二のミラーによって反射された前記ＥＵＶ光は、前記第一のミラーの前記開口部を通過して前記第三のミラーに向かい、
   前記第三のミラーによって反射された前記ＥＵＶ光を受けて反射するように配置されている第四のミラーと、を含み、
   前記第一、第二、第三及び第四のミラーが、それぞれ、凹面鏡、凹面鏡、凸面鏡及び凹面鏡である、装置。
2. 前記第二のミラーが、前記反射されたＥＵＶ光から前記第一のミラーを部分的に覆い隠す、請求項１記載の装置。
3. 前記対物光学系の開口数が０．２よりも大きい、請求項１記載の装置。
4. 視界が少なくとも５０００平方ミクロンよりも広い、請求項１記載の装置。
5. 前記ターゲット基板と前記第二のミラーとの間の距離が、１００ミリメートルよりも長い、請求項１記載の装置。
6. ミラーの配置によって形成された、極端紫外（ＥＵＶ）光のための対物光学系であって、
   ターゲット基板から反射された前記ＥＵＶ光を受けて反射するように配置されている、光軸を備える第一のミラーと、
   前記第一のミラーの前記光軸から外れた位置に形成された開口部と、
   前記第一のミラーによって反射された前記ＥＵＶ光を受けて反射するように配置されている第二のミラーと、
   前記第二のミラーによって反射された前記ＥＵＶ光を受けて反射するように配置されている第三のミラーと、
   前記第二のミラーによって反射された前記ＥＵＶ光は、前記第一のミラーの前記開口部を通過して前記第三のミラーに向かい、
   前記第三のミラーによって反射された前記ＥＵＶ光を受けて反射するように配置されている第四のミラーと、を含み、
   前記第一、第二、第三及び第四のミラーが、それぞれ、凹面鏡、凹面鏡、凸面鏡及び凹面鏡であり、
   開口数が０．２よりも大きい、対物光学系。
7. 前記第二のミラーが、前記反射されたＥＵＶ光から前記第一のミラーを部分的に覆い隠す、請求項６記載の対物光学系。
8. 装置の視界が少なくとも５０００平方ミクロンよりも広い、請求項６記載の対物光学系。
9. 前記ターゲット基板と前記第二のミラーとの間の距離が、１００ミリメートルよりも長い、請求項６記載の対物光学系。
10. 製造された基板からセンサに反射した極端紫外（ＥＵＶ）光を投影するための方法であって、
    開口部を有する第一のミラーによってターゲット基板から反射された前記ＥＵＶ光を受信して反射することであり、前記開口部は前記第一のミラーの光軸から外れた位置に形成されている、反射することと、
    第二のミラーによって前記第一のミラーから反射された前記ＥＵＶ光を受信して反射することと、
    前記第二のミラーによって反射された前記ＥＵＶ光は、前記第一のミラーの前記開口部を通過して第三のミラーに向かい、前記第三のミラーによって前記第二のミラーから反射された前記ＥＵＶ光を受信して反射することと、
    第四のミラーによって前記第三のミラーから反射された前記ＥＵＶ光を受信して反射することと、
    前記第四のミラーから反射された前記ＥＵＶ光を検出することと、を含み、
    前記第一、第二、第三及び第四のミラーが、それぞれ、凹面鏡、凹面鏡、凸面鏡及び凹面鏡である、方法。
11. 対物光学系の開口数が０．２よりも大きい、請求項１０記載の方法。
12. 前記第二のミラーが、前記反射されたＥＵＶ光から前記第一のミラーを部分的に覆い隠す、請求項１０記載の方法。

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