KR20230125787A

KR20230125787A - 초점 감응성 계측 타겟을 사용한 극자외선 리소그래피 시스템에서의 초점 제어를 위한 시스템 및 방법

Info

Publication number: KR20230125787A
Application number: KR1020237021303A
Authority: KR
Inventors: 로엘 그로네드; 수에메이 첸
Original assignee: 케이엘에이 코포레이션
Priority date: 2021-01-07
Filing date: 2021-12-29
Publication date: 2023-08-29
Also published as: EP4252078A1; US20230037093A1; US20220214625A1; TW202242560A; US11460783B2; WO2022150213A1

Abstract

초점 감응성 계측 타겟은 제조 도구에 의해 형성되고 판독될 수도 있다. 결과적으로 나타나는 오버레이 신호는 앞서 결정되는 캘리브레이션 곡선에 대한 비교에 의해 초점 오프셋으로 변환될 수도 있다. 하나 이상의 변환된 신호는 초점 보정을 위해 제조 도구로 피드백될 수도 있거나 또는 디바이스 상에서의 오버레이의 예측(오버레이 계측 결과의 보정)을 위해 사용될 수도 있다. 하나의 실시형태에서, 초점 및 오버레이는 단일의 타겟을 사용하여 측정될 수도 있는데, 여기서 타겟의 하나의 부분은 제1 층 상에서 형성되고 초점 감응성 설계를 포함하며, 타겟의 다른 부분은 제2 층 상에서 형성되고 초점에 상대적으로 덜 감응하는 설계를 포함한다. 몇몇 실시형태에서, 초점 응답에서의 상대적인 차이는 디바이스 오버레이에 대한 초점 에러의 영향을 추정하고 넌제로 오프셋 기여도를 계산하기 위해 사용될 수도 있다.

Description

초점 감응성 계측 타겟을 사용한 극자외선 리소그래피 시스템에서의 초점 제어를 위한 시스템 및 방법

본 개시는 일반적으로 초점 감응성 계측 타겟(focus-sensitive metrology target)을 사용하는 극자외선 리소그래피 프로세스에서의 초점 제어에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 개시는 초점 유도 오버레이 계측 타겟 대 디바이스 에러의 보정에 관한 것이다.

EUV 리소그래피에서의 초점 제어는, 상이한 구조물에 대한 중첩되지 않는 프로세스 윈도우(예를 들면, 3D 마스크 효과)에 기인하여, 점점 더 중요해지고 있다. 또한, 랜덤 결함은 최상의 초점에서 벗어날 때 밀도가 크게 증가하는데, 이것은 사용 가능한 초점 윈도우를 추가로 감소시킨다. 추가적으로, EUV 리소그래피에서의 결함 및 초점 에러의 발생은 임계 치수(critical dimension; CD) 에러뿐만 아니라 패턴 배치 에러(pattern placement error; PPE)를 야기하는 것으로 공지되어 있다. 그러나, 그러한 PPE는 초점 에러 이외의 근본 원인을 또한 가질 수도 있다. 따라서, EUV 리소그래피에서 초점 에러뿐만 아니라 PPE를 독립적으로 측정하는 데 이용 가능한 빠르고 고도로 정확한 방법을 갖는 것이 바람직하다. 추가적으로, 더 엄격한 명세 내에서 초점 및 오버레이를 제어할 수 있는 계측 방법에서의 진화와 함께 계측 타겟 피쳐의 사이즈는 계속해서 감소하고 있다. 또한, 초점 제어의 현존하는 방법은 단일의 타겟을 사용하는 초점 및 오버레이 계측(예를 들면, 하나 이상의 초점 측정을 사용한 초점 유도 오버레이 계측 에러의 보정)과 일반적으로 호환되지 않는다.

따라서, 초점 감응성 계측 타겟을 사용한 초점 제어를 위한 시스템 및 방법을 제공하는 것이 바람직할 수도 있다.

본 개시의 하나 이상의 실시형태에 따른, 초점 감응성 계측 타겟이 개시된다. 하나의 실시형태에서, 초점 감응성 계측 타겟은 샘플의 하나 이상의 층 상에서 y 방향을 따라 형성되는 제1 타겟 구조물의 제1 세트를 포함할 수도 있는데, 제1 타겟 구조물의 제1 세트는 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트를 포함한다. 다른 실시형태에서, 초점 감응성 계측 타겟은 샘플의 하나 이상의 층 상에서 y 방향을 따라 형성되는 제2 타겟 구조물의 제1 세트를 포함하는데, 제2 타겟 구조물의 제1 세트는 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트를 포함한다.

본 개시의 하나 이상의 실시형태에 따른 시스템이 개시된다. 하나의 실시형태에서, 하나 이상의 컨트롤러가 하나 이상의 제조 도구에 통신 가능하게 커플링되는 하나 이상의 프로세서를 구비하는데, 하나 이상의 프로세서는 메모리에 유지되는 프로그램 명령어의 세트를 실행하도록 구성되고, 프로그램 명령어의 세트는, 하나 이상의 프로세서로 하여금, 다음의 것을 하게 하도록 구성된다: 하나 이상의 제조 도구의 하나 이상의 부분으로부터, 샘플의 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟의 제1 타겟 구조물의 제1 세트 및 제2 타겟 구조물의 제1 세트로부터 방출되는 조명을 나타내는 하나 이상의 신호를 수신하는 것 - 샘플의 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟은: 샘플의 하나 이상의 층 상에서 y 방향을 따라 형성되는 제1 타겟 구조물의 제1 세트; 및 샘플의 하나 이상의 층 상에서 y 방향을 따라 형성되는 제2 타겟 구조물의 제1 세트를 포함하고, 제1 타겟 구조물의 제1 세트는 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트를 포함함 -; 제1 타겟 구조물의 제1 세트 및 제2 타겟 구조물의 제1 세트로부터 방출되는 조명을 나타내는 하나 이상의 신호에 기초하여 하나 이상의 초점 오프셋 값을 결정하는 것; 및 하나 이상의 초점 오프셋 값에 기초한 하나 이상의 초점 보정치를 하나 이상의 제조 도구의 하나 이상의 부분에 제공하는 것.

본 개시의 하나 이상의 실시형태에 따른, 오버레이를 측정하는 방법이 개시된다. 하나의 실시형태에서, 방법은 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟을 갖는 샘플을 조명하는 것을 포함한다. 다른 실시형태에서, 방법은, 하나 이상의 계측 모드에서, 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟의 하나 이상의 부분으로부터 방출되는 조명을 나타내는 하나 이상의 신호를 검출하는 것을 포함하는데, 여기서 샘플의 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟은 샘플의 하나 이상의 층 상에서 y 방향을 따라 형성되는 제1 타겟 구조물의 제1 세트 - 제1 타겟 구조물의 제1 세트는 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트를 포함함 -; 및 샘플의 하나 이상의 층 상에서 y 방향을 따라 형성되는 제2 타겟 구조물의 제1 세트를 포함한다. 다른 실시형태에서, 방법은 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟의 하나 이상의 부분으로부터 방출되는 조명을 나타내는 하나 이상의 신호에 기초하여 하나 이상의 오버레이 측정치를 생성하는 것을 포함한다. 다른 실시형태에서, 방법은 하나 이상의 오버레이 측정치에 기초하여 샘플의 두 개 이상의 층 사이의 오버레이 에러를 결정하는 것을 포함한다.

본 개시의 하나 이상의 실시형태에 따른, 초점 감응성 계측 타겟을 형성하는 방법이 개시된다. 하나의 실시형태에서, 방법은 샘플의 하나 이상의 층 상에서 y 방향을 따라 제1 타겟 구조물의 제1 세트를 형성하는 것을 포함하는데, 제1 타겟 구조물의 제1 세트는 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트를 포함한다. 다른 실시형태에서, 방법은 샘플의 하나 이상의 층 상에서 y 방향을 따라 제2 타겟 구조물의 제1 세트를 형성하는 것을 포함하는데, 제2 타겟 구조물의 제1 세트는 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트를 포함한다.

첨부 도면에 대한 참조에 의해, 본 개시의 다양한 이점이 기술 분야의 숙련된 자에 의해 더 잘 이해될 수도 있는데:
도 1a는, 본 개시의 하나 이상의 실시형태에 따른, 초점 감응성 계측 타겟의 상면도(top view)이다.
도 1b는, 본 개시의 하나 이상의 실시형태에 따른, 초점 감응성 계측 타겟의 상면도이다.
도 1c는, 본 개시의 하나 이상의 실시형태에 따른, 초점 감응성 계측 타겟의 상면도이다.
도 1d는, 본 개시의 하나 이상의 실시형태에 따른, 초점 감응성 계측 타겟의 상면도이다.
도 2는, 본 개시의 하나 이상의 실시형태에 따른, 초점 제어 시스템의 하나 이상의 부분의 개념도이다.
도 3은, 본 개시의 하나 이상의 실시형태에 따른, 초점 제어 시스템의 개략도이다.
도 4는, 본 개시의 하나 이상의 실시형태에 따른, 초점 제어의 방법의 단계를 묘사하는 프로세스 흐름도이다.
도 5는, 본 개시의 하나 이상의 실시형태에 따른, 초점 제어 방법의 일부로서 하나 이상의 계측 타겟 설계를 선택하는 방법의 단계를 묘사하는 프로세스 흐름도이다.
도 6은, 본 개시의 하나 이상의 실시형태에 따른, 초점 제어 방법의 일부로서 하나 이상의 초점 에러를 결정하는 방법의 단계를 묘사하는 프로세스 흐름도이다.
도 7은, 본 개시의 하나 이상의 실시형태에 따른, 오버레이를 측정하는 방법의 단계를 묘사하는 프로세스 흐름도이다.
도 8은, 본 개시의 하나 이상의 실시형태에 따른, 초점 감응성 계측 타겟을 형성하는 방법의 단계를 묘사하는 프로세스 흐름도이다.

본 개시는 소정의 실시형태 및 소정의 실시형태의 특정한 피쳐와 관련하여 특별히 도시되고 설명된다. 본원에서 기술되는 실시형태는 제한하기 보다는 예시적인 것으로 간주된다. 본 개시의 취지와 범위로부터 벗어나지 않으면서 형태 및 세부 사항에서 다양한 변경 및 수정이 이루어질 수도 있다는 것이 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 쉽게 명백해야 한다. 이제, 첨부의 도면에서 예시되는, 개시되는 주제에 대한 상세한 참조가 이루어질 것이다.

본 개시의 실시형태는 초점 감응성 계측 타겟을 사용한 극자외선 리소그래피 시스템에서의 초점 제어를 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 개시의 실시형태는, 측정치 획득 시간을 감소시키는 그리고 하나 이상의 초점 측정치를 사용한 초점 유도 오버레이 계측 에러의 보정을 허용하도록 구성 가능한 오버레이 계측 타겟 제조 도구의 하나 이상의 부분의 초점을 빈번하게 제어하는 시스템 및 방법에 관한 것이다.

반도체 디바이스는 기판 상에 패턴화된 재료의 다수의 인쇄된 층으로서 형성될 수도 있다. 각각의 인쇄된 층은, 하나 이상의 재료 퇴적 단계, 하나 이상의 리소그래피 단계, 또는 하나 이상의 에칭 단계와 같은, 그러나 이들로 제한되지는 않는 일련의 프로세스 단계를 통해 제조될 수도 있다. 제조 동안, 각각의 인쇄된 층은 통상적으로 최종 디바이스를 적절하게 구성하기 위해 선택된 공차 내에서 제조되어야만 한다. 예를 들면, 각각의 층에서의 인쇄된 엘리먼트의 상대적 배치(예를 들면, 오버레이 또는 오버레이 파라미터)는 이전에 제조된 층과 관련하여 잘 특성 묘사되고 제어되어야만 한다. 따라서, 계측 타겟은 층의 오버레이의 효율적인 특성 묘사를 가능하게 하도록 하나 이상의 인쇄된 층 상에서 제조될 수도 있다. 따라서, 인쇄된 층 상의 초점 감응성 계측 타겟 피쳐의 편차(예를 들면, 특정한 층의 패턴 배치 에러(PPE) 또는 샘플 층 사이의 위치 맞춤 에러(registration error)와 관련되는 오버레이 에러)는 그 층 상의 인쇄된 디바이스 피쳐의 인쇄된 특성의 편차를 나타낼 수도 있다. 게다가, 하나의 제조 단계에서(예를 들면, 하나 이상의 샘플 층의 제조 이후) 측정되는 오버레이는, 후속하는 제조 단계에서의 추가적인 샘플 층의 제조를 위해 프로세스 도구(예를 들면, 리소그래피 도구, 또는 등등)를 정확하게 정렬하기 위한 보정 가능치(correctable)를 생성하기 위해 사용될 수도 있다.

초점 감응성 계측 타겟은 관심 샘플 층 사이의 오버레이 에러에 감응하도록 특별히 설계되는 피쳐를 통상적으로 포함한다. 그 다음, 오버레이 계측 도구를 사용하여 초점 감응성 계측 타겟을 특성 묘사하는 것 및 계측 도구의 출력에 기초하여 샘플에 대한 오버레이 에러를 결정하기 위해 알고리즘을 적용하는 것에 의해 오버레이 타입 측정이 수행될 수도 있다.

오버레이 계측 도구는 샘플 층의 오버레이를 결정하기 위해 다양한 기술을 활용할 수도 있다. 예를 들면, 이미지 기반의 오버레이 계측 도구는 초점 감응성 계측 타겟(예를 들면, 고급 이미징 계측(advanced imaging metrology; AIM) 타겟, 박스-인(in)-박스 계측 타겟, 또는 등등)을 조명할 수도 있고 상이한 샘플 층 상에 위치하는 초점 감응성 계측 타겟 피쳐의 이미지를 포함하는 오버레이 신호를 캡쳐할 수도 있다. 다른 예로서, 산란 측정법 기반의 오버레이 계측 도구(scatterometry-based overlay metrology tool)가 초점 감응성 계측 타겟(예를 들면, 격자 위 격자 계측 타겟(grating-over-grating metrology target), 또는 등등)을 조명할 수도 있고 조명 빔의 회절, 산란, 및/또는 반사와 관련되는 초점 감응성 계측 타겟으로부터 방출되는 방사선의 각도 분포를 포함하는 오버레이 신호를 캡쳐할 수도 있다. 오버레이를 측정하기 위해 다양한 오버레이 계측 도구가 사용될 수도 있다는 것이 본원에서 인식된다. 예를 들면, 광학 계측 도구(예를 들면, 조명 및/또는 검출을 위해 전자기 방사선을 사용하는 광 기반의 계측 도구)는, 이미지의 다수의 층 상에서 공간적으로 분리된 피쳐의 상대적 포지션을 결정하는 것, 다수의 층 상에서 PPE를 직접적으로 측정하는 것, 또는 오버레이가 다수의 층 상의 회절 격자로부터 산란되는 및/또는 회절되는 광에 기초하여 결정되는 산란 측정법과 같은, 그러나 이들로 제한되지는 않는 다양한 기술을 사용하여 높은 스루풋의 오버레이 측정치를 제공할 수도 있다. 본 개시의 목적을 위해, 용어 "광학 계측 도구", "광학 계측 기술", 및 등등은, x 선 파장, 극자외선(extreme ultraviolet; EUV) 파장, 진공 자외선(vacuum ultraviolet; VUV) 파장, 심자외선(deep ultraviolet; DUV) 파장, 자외선(ultraviolet; UV) 파장, 가시광선 파장, 또는 적외선(infrared; IR) 파장과 같은, 그러나 이들로 제한되지는 않는 임의의 파장의 전자기 방사선을 사용하는 계측 도구 및 기술을 나타낸다. 오버레이 측정에 관련되는 시스템, 방법, 및 장치는, 일반적으로, 2012년 12월 11일자로 발행된 발명의 명칭이 "OVERLAY MARKS, METHODS OF OVERLAY MARK DESIGN AND METHODS OF OVERLAY MEASUREMENTS"인 미국 특허 번호 제8,330,281호, 2016년 10월 25일자로 발행된 발명의 명칭이 "PERIODIC PATTERNS AND TECHNIQUE TO CONTROL MISALIGNMENT BETWEEN TWO LAYERS"인 미국 특허 번호 제9,476,698호, 2009년 6월 2일자로 발행된 발명의 명칭이 "APPARATUS AND METHODS FOR DETERMINING OVERLAY OF STRUCTURES HAVING ROTATIONAL OR MIRROR SYMMETRY"인 미국 특허 제7,541,201호, 2013년 2월 7일자로 공개된 발명의 명칭이 "METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING A QUALITY METRIC FOR IMPROVED PROCESS CONTROL"인 미국 특허 공개 번호 제2013/0035888호, 2015년 12월 15일자로 발행된 발명의 명칭이 "SYSTEM AND METHOD OF SEM OVERLAY METROLOGY"인 미국 특허 번호 제9,214,317호, 2020년 1월 7일자로 발행된 발명의 명칭이 "COMPOUND IMAGING METROLOGY TARGETS"인 미국 특허 번호 제10,527,951 B2호, 2019년 1월 29일자로 발행된 발명의 명칭이 "METROLOGY IMAGING TARGETS HAVING REFLECTION-SYMMETRIC PAIRS OF REFLECTION-ASYMMETRIC STRUCTURES"인 미국 특허 번호 제10,190,979 B2호, 및 2016년 6월 27일자로 출원된 발명의 명칭이 "APPARATUS AND METHOD FOR THE MEASUREMENT OF PATTERN PLACEMENT AND SIZE OF PATTERN AND COMPUTER PROGRAM THEREFOR"인 PCT 출원 번호 제PCT/US2016/039531호에서 설명되어 있는데, 이들 모두는 참조에 의해 그들 전체가 본원에 통합된다.

도 1a는, 본 개시의 하나 이상의 실시형태에 따른, 초점 감응성 계측 타겟(100)의 상면도이다. 몇몇 실시형태에서, 초점 감응성 계측 타겟(100)의 하나 이상의 부분(예를 들면, 타겟 구조물)은 초점 감응성 계측 타겟(100)의 동일한 층 상에서 형성될 수도 있다.

초점 감응성 계측 타겟(100)은 샘플의 하나 이상의 층(예를 들면, 샘플의 현재의 층 및/또는 이전 층) 상에서 형성되는 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b)를 포함할 수도 있다. 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b)는 제1 피치를 갖는 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103a 및 103b)를 포함할 수도 있다. 제1 피치는 초점 감응성 계측 타겟(100)(또는 다른 초점 감응성 계측 타겟)의 하나 이상의 부분의 하나 이상의 측정을 수행하도록 구성되는 하나 이상의 계측 도구의 하나 이상의 부분의 분해능보다 더 큰 값을 가질 수도 있다. 이러한 방식으로, 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103a 및 103b)는 (예를 들면, 하나 이상의 계측 도구의 하나 이상의 부분에 의해 캡쳐될 때) 하나 이상의 초점이 덜 맞춰진 이미지의 생성을 용이하게 하도록 구성될 수도 있다.

복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103a 및 103b)는 적어도 하나의 측정 방향(예를 들면, y 방향)을 따르는 오버레이 측정을 위해 구성될 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103a 및 103b)는 본 개시에 의해 고려되는 목적에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 계측 모드와 호환될 수도 있다. 예를 들면, 하나 이상의 제1 패턴 엘리먼트(103a 및 103b)는 회절 기반의 계측 모드(예를 들면, 산란 측정법 기반의 오버레이(scatterometry-based overlay; SCOL) 계측 모드)와 호환될 수도 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 제1 패턴 엘리먼트(103a 및 103b)는 회절 기반의 계측 방법을 사용하는 계측을 위해 주기적 및/또는 세그먼트화된 구조물(예를 들면, 격자 위 격자 구조물, 또는 조명 빔의 회절, 산란 및/또는 반사에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 구조물)을 포함하도록 구성될 수도 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 제1 패턴 엘리먼트(103a 및 103b)는, 고급 이미징 계측(AIM) 모드, 박스-인-박스 계측 모드, 또는 오버레이 신호(예를 들면, 상이한 샘플 층 상에 위치하는 초점 감응성 계측 타겟 피쳐의 이미지)를 캡쳐하는 데 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 계측 모드를, 제한 없이, 포함하여, 임의의 이미지 기반의 오버레이 계측 모드와 호환될 수도 있다.

복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103a 및 103b)는, 하나 이상의 리소그래피 단계, 하나 이상의 직접 에칭 단계, 또는 등등을, 제한 없이, 포함하여, 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 수단에 의해 형성되는 임의의 일차원 또는 이차원 구조물을 포함할 수도 있다는 것을 유의한다. 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b) 및/또는 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103a 및 103b)는, 정사각형 형상, 둥근 형상, 마름모와 같은 형상, 또는 별과 같은 형상을, 제한 없이, 포함하여, 임의의 형상으로 형성될 수도 있다.

초점 감응성 계측 타겟(100)은 샘플의 하나 이상의 층(예를 들면, 샘플의 현재의 층 및/또는 이전 층) 상에서 형성되는 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b)를 포함할 수도 있다. 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b)는 제2 피치를 갖는 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105a 및 105b)를 포함할 수도 있다. 제2 피치는 초점 감응성 계측 타겟(100)(또는 임의의 계측 타겟)의 하나 이상의 부분의 하나 이상의 측정을 수행하도록 구성되는 하나 이상의 계측 도구의 하나 이상의 부분의 분해능보다 더 작은 값을 가질 수도 있다. 이러한 방식으로, 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105a 및 105b)는 (예를 들면, 하나 이상의 계측 도구의 하나 이상의 부분에 의해 캡쳐될 때) 하나 이상의 초점이 더 맞춰진 이미지의 생성을 용이하게 하도록 구성될 수도 있다.

복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105a 및 105b)는 적어도 하나의 측정 방향(예를 들면, y 방향)을 따르는 오버레이 측정을 위해 구성될 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105a 및 105b)는 본 개시에 의해 고려되는 목적에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 계측 모드와 호환될 수도 있다. 예를 들면, 하나 이상의 제2 패턴 엘리먼트(105a 및 105b)는 회절 기반의 계측 모드(예를 들면, 산란 측정법 기반의 오버레이(SCOL) 계측 모드)와 호환될 수도 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 제2 패턴 엘리먼트(105a 및 105b)는 회절 기반의 계측 방법을 사용하는 계측을 위해 주기적 및/또는 세그먼트화된 구조물(예를 들면, 격자 위 격자 구조물, 또는 조명 빔의 회절, 산란 및/또는 반사에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 구조물)을 포함하도록 구성될 수도 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 제2 패턴 엘리먼트(105a 및 105b)는, 고급 이미징 계측(AIM) 모드, 박스-인-박스 계측 모드, 또는 오버레이 신호(예를 들면, 상이한 샘플 층 상에 위치하는 초점 감응성 계측 타겟 피쳐의 이미지)를 캡쳐하는 데 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 계측 모드를, 제한 없이, 포함하여, 임의의 이미지 기반의 오버레이 계측 모드와 호환될 수도 있다.

복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105a 및 105b)는, 하나 이상의 리소그래피 단계, 하나 이상의 직접 에칭 단계, 또는 등등을, 제한 없이, 포함하여, 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 수단에 의해 형성되는 임의의 일차원 또는 이차원 구조물을 포함할 수도 있다는 것을 유의한다. 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b) 및/또는 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105a 및 105b)는 정사각형 형상, 둥근 형상, 마름모와 같은 형상, 또는 별과 같은 형상을, 제한 없이, 포함하여, 임의의 형상으로 형성될 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 도 1b에서 도시되는 바와 같이, 초점 감응성 계측 타겟(100)은 샘플의 하나 이상의 층(예를 들면, 샘플의 현재의 층 및/또는 이전 층) 상에서 형성되는 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b)를 포함할 수도 있다. 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b)는 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트(107a 및 107b)를 포함할 수도 있다. 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트(107a 및 107b)는 제1 피치, 제2 피치, 또는 제3 피치를 가질 수도 있다. 제3 피치는 제1 피치 및/또는 제2 피치와 동일할 수도 있거나, 또는 제1 피치 및/또는 제2 피치와는 상이할 수도 있다. 제3 피치는 샘플의 두 개의 층 사이의 하나 이상의 오버레이 측정을 용이하게 하도록 구성될 수도 있다(예를 들면, 제3 피치는, 제3 피치가, 제1 피치 및 제2 피치, 중 적어도 하나와 함께, 두 개의 샘플 층 사이의 오버레이 에러를 나타내는 하나 이상의 오버레이 계측 신호를 생성할 수도 있도록 구성될 수도 있다).

몇몇 실시형태에서, 초점 감응성 계측 타겟(100)의 하나 이상의 부분(예를 들면, 타겟 구조물)은, 계측 타겟(100)의 하나 이상의 다른 부분이 형성되는 층과는 상이한 층 상에서 형성될 수도 있다는 것을 특히 유의한다.

복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트(107a 및 107b)는 적어도 하나의 측정 방향(예를 들면, y 방향)을 따르는 오버레이 측정을 위해 구성될 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트(107a 및 107b)는 본 개시에 의해 고려되는 목적에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 계측 모드와 호환될 수도 있다. 예를 들면, 하나 이상의 제3 패턴 엘리먼트(107a 및 107b)는 회절 기반의 계측 모드(예를 들면, 산란 측정법 기반의 오버레이(SCOL) 계측 모드)와 호환될 수도 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 제3 패턴 엘리먼트(107a 및 107b)는 회절 기반의 계측 방법을 사용하는 계측을 위해 주기적 및/또는 세그먼트화된 구조물(예를 들면, 격자 위 격자 구조물, 또는 조명 빔의 회절, 산란 및/또는 반사에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 구조물)을 포함하도록 구성될 수도 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 제3 패턴 엘리먼트(107a 및 107b)는, 고급 이미징 계측(AIM) 모드, 박스-인-박스 계측 모드, 또는 오버레이 신호(예를 들면, 상이한 샘플 층 상에 위치하는 초점 감응성 계측 타겟 피쳐의 이미지)를 캡쳐하는 데 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 계측 모드를, 제한 없이, 포함하여, 임의의 이미지 기반의 오버레이 계측 모드와 호환될 수도 있다.

복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트(107a 및 107b)는, 하나 이상의 리소그래피 단계, 하나 이상의 직접 에칭 단계, 또는 등등을, 제한 없이, 포함하여, 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 수단에 의해 형성되는 임의의 일차원 또는 이차원 구조물을 포함할 수도 있다는 것을 유의한다. 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b) 및/또는 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트(107a 및 107b)는 정사각형 형상, 둥근 형상, 마름모와 같은 형상, 또는 별과 같은 형상을, 제한 없이, 포함하여, 임의의 형상으로 형성될 수도 있다.

용어 "이전 층" 및 용어 "현재의 층"은, 본원에서 사용될 때, 하나의 이전 층 또는 하나의 현재의 층으로 제한되지는 않는다는 것을 특히 유의한다. 본원에서 사용될 때, 용어 "이전 층"은 샘플의 "현재의 층"으로서 지정되는 샘플의 임의의 다른 층 이전에 형성되는 샘플의 하나 이상의 층을 지칭하도록 의도된다. 이러한 방식으로, 샘플의 이전 층은 샘플의 현재의 층 이전에 형성되는 샘플의 임의의 하나 이상의 이전 층을 포함할 수도 있다. 유사하게, 용어 "현재의 층"은, 샘플의 이전 층 이후에 형성되는 샘플의 하나 이상의 층을 지칭하도록 의도된다. 이러한 방식으로, 샘플의 현재의 층은 샘플의 이전 층 이후에 형성되는 샘플의 임의의 하나 이상의 현재의 층을 포함할 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 도 1b에서 도시되는 바와 같이, 초점 감응성 계측 타겟(100)은 샘플의 하나 이상의 층(예를 들면, 샘플의 현재의 층 및/또는 이전 층) 상에서 형성되는 제1 타겟 구조물의 제2 세트(108a 및 108b)를 포함할 수도 있다. 제1 타겟 구조물의 제2 세트(108a 및 108b)는 제1 피치, 제2 피치, 또는 제3 피치를 갖는 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103c 및 103d)를 포함할 수도 있다.

복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103c 및 103d)는 적어도 하나의 측정 방향(예를 들면, x 방향)을 따르는 오버레이 측정을 위해 구성될 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103c 및 103d)는 본 개시에 의해 고려되는 목적에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 계측 모드와 호환될 수도 있다. 예를 들면, 하나 이상의 제1 패턴 엘리먼트(103)는 회절 기반의 계측 모드(예를 들면, 산란 측정법 기반의 오버레이(SCOL) 계측 모드)와 호환될 수도 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 제1 패턴 엘리먼트(103c 및 103d)는 회절 기반의 계측 방법을 사용하는 계측을 위해 주기적 및/또는 세그먼트화된 구조물(예를 들면, 격자 위 격자 구조물, 또는 조명 빔의 회절, 산란 및/또는 반사에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 구조물)을 포함하도록 구성될 수도 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 제1 패턴 엘리먼트(103c 및 103d)는, 고급 이미징 계측(AIM) 모드, 박스-인-박스 계측 모드, 또는 오버레이 신호(예를 들면, 상이한 샘플 층 상에 위치하는 초점 감응성 계측 타겟 피쳐의 이미지)를 캡쳐하는 데 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 계측 모드를, 제한 없이, 포함하여, 임의의 이미지 기반의 오버레이 계측 모드와 호환될 수도 있다.

복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103c 및 103d)는, 하나 이상의 리소그래피 단계, 하나 이상의 직접 에칭 단계, 또는 등등을, 제한 없이, 포함하여, 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 수단에 의해 형성되는 임의의 일차원 또는 이차원 구조물을 포함할 수도 있다는 것을 유의한다. 제1 타겟 구조물의 제2 세트(108a 및 108b) 및/또는 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103c 및 103d)는 정사각형 형상, 둥근 형상, 마름모와 같은 형상, 또는 별과 같은 형상을, 제한 없이, 포함하여, 임의의 형상으로 형성될 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 도 1b에서 도시되는 바와 같이, 초점 감응성 계측 타겟(100)은 샘플의 하나 이상의 층(예를 들면, 샘플의 현재의 층 및/또는 이전 층) 상에서 형성되는 제2 타겟 구조물의 제2 세트(110a 및 110b)를 포함할 수도 있다. 제2 타겟 구조물의 제2 세트(110a 및 110b)는 제1 피치, 제2 피치, 또는 제3 피치를 갖는 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105c 및 105d)를 포함할 수도 있다.

복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105c 및 105d)는 적어도 하나의 측정 방향(예를 들면, x 방향)을 따르는 오버레이 측정을 위해 구성될 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105c 및 105d)는 본 개시에 의해 고려되는 목적에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 계측 모드와 호환될 수도 있다. 예를 들면, 하나 이상의 제2 패턴 엘리먼트(105c 및 105d)는 회절 기반의 계측 모드(예를 들면, 산란 측정법 기반의 오버레이(SCOL) 계측 모드)와 호환될 수도 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 제2 패턴 엘리먼트(105c 및 105d)는 회절 기반의 계측 방법을 사용하는 계측을 위해 주기적 및/또는 세그먼트화된 구조물(예를 들면, 격자 위 격자 구조물, 또는 조명 빔의 회절, 산란 및/또는 반사에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 구조물)을 포함하도록 구성될 수도 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 제2 패턴 엘리먼트(105c 및 105d)는, 고급 이미징 계측(AIM) 모드, 박스-인-박스 계측 모드, 또는 오버레이 신호(예를 들면, 상이한 샘플 층 상에 위치하는 초점 감응성 계측 타겟 피쳐의 이미지)를 캡쳐하는 데 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 계측 모드를, 제한 없이, 포함하여, 임의의 이미지 기반의 오버레이 계측 모드와 호환될 수도 있다.

복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105c 및 105d)는, 하나 이상의 리소그래피 단계, 하나 이상의 직접 에칭 단계, 또는 등등을, 제한 없이, 포함하여, 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 수단에 의해 형성되는 임의의 일차원 또는 이차원 구조물을 포함할 수도 있다는 것을 유의한다. 제2 타겟 구조물의 제2 세트(110a 및 110b) 및/또는 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105c 및 105d)는 정사각형 형상, 둥근 형상, 마름모와 같은 형상, 또는 별과 같은 형상을, 제한 없이, 포함하여, 임의의 형상으로 형성될 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 도 1b에서 도시되는 바와 같이, 초점 감응성 계측 타겟(100)은 샘플의 하나 이상의 층(예를 들면, 샘플의 현재의 층 및/또는 이전 층) 상에서 형성되는 제3 타겟 구조물의 제2 세트(112a 및 112b)를 포함할 수도 있다. 제3 타겟 구조물의 제2 세트(112a 및 112b)는 제1 피치, 제2 피치, 또는 제3 피치를 갖는 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트(107c 및 107d)를 포함할 수도 있다.

복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트(107c 및 107d)는 적어도 하나의 측정 방향(예를 들면, x 방향)을 따르는 오버레이 측정을 위해 구성될 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트(107c 및 107d)는 본 개시에 의해 고려되는 목적에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 계측 모드와 호환될 수도 있다. 예를 들면, 하나 이상의 제3 패턴 엘리먼트(107c 및 107d)는 회절 기반의 계측 모드(예를 들면, 산란 측정법 기반의 오버레이(SCOL) 계측 모드)와 호환될 수도 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 제3 패턴 엘리먼트(107c 및 107d)는 회절 기반의 계측 방법을 사용하는 계측을 위해 주기적 및/또는 세그먼트화된 구조물(예를 들면, 격자 위 격자 구조물, 또는 조명 빔의 회절, 산란 및/또는 반사에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 구조물)을 포함하도록 구성될 수도 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 제3 패턴 엘리먼트(107c 및 107d)는, 고급 이미징 계측(AIM) 모드, 박스-인-박스 계측 모드, 또는 오버레이 신호(예를 들면, 상이한 샘플 층 상에 위치하는 초점 감응성 계측 타겟 피쳐의 이미지)를 캡쳐하는 데 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 계측 모드를, 제한 없이, 포함하여, 임의의 이미지 기반의 오버레이 계측 모드와 호환될 수도 있다.

복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트(107c 및 107d)는, 하나 이상의 리소그래피 단계, 하나 이상의 직접 에칭 단계, 또는 등등을, 제한 없이, 포함하여, 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 수단에 의해 형성되는 임의의 일차원 또는 이차원 구조물을 포함할 수도 있다는 것을 유의한다. 제3 타겟 구조물의 제2 세트(112a 및 112b) 및/또는 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트(107c 및 107d)는 정사각형 형상, 둥근 형상, 마름모와 같은 형상, 또는 별과 같은 형상을, 제한 없이, 포함하여, 임의의 형상으로 형성될 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 도 1b에서 도시되는 바와 같이, 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b)는 대칭 중심(114)을 중심으로 제1 타겟 구조물의 제2 세트(108a 및 108b)에 대해 회전 대칭일 수도 있다. 예를 들면, 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b)는 대칭 중심(114)을 중심으로 제1 타겟 구조물의 제2 세트(108a 및 108b)에 대해 4중 회전 대칭일(four-fold rotationally symmetric) 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 도 1b에서 도시되는 바와 같이, 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b)는 대칭 중심(114)을 중심으로 제2 타겟 구조물의 제2 세트(110a 및 110b)에 대해 회전 대칭일 수도 있다. 예를 들면, 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b)는 대칭 중심(114)을 중심으로 제2 타겟 구조물의 제2 세트(110a 및 110b)에 대해 4중 회전 대칭일 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 도 1b에서 도시되는 바와 같이, 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b)는 대칭 중심(114)을 중심으로 제3 타겟 구조물의 제2 세트(112a 및 112b)에 대해 회전 대칭일 수도 있다. 예를 들면, 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b)는 대칭 중심(114)을 중심으로 제3 타겟 구조물의 제2 세트(112a 및 112b)에 대해 4중 회전 대칭일 수도 있다.

본 개시의 실시형태는 회전 대칭을 포함하는 실시형태로 제한되지는 않는다는 것을 유의한다. 예를 들면, 샘플의 두 개 이상의 층과 관련하여, 본 개시의 실시형태는 두 개 이상의 층 사이에 오버레이 에러가 존재하는 경우 회전 대칭을 디스플레이하지 않을 수도 있다.

초점 감응성 계측 타겟(100)은 제1 타겟 구조물의 제2 세트(108a 및 108b), 제2 타겟 구조물의 제2 세트(110a 및 110b), 및/또는 제3 타겟 구조물의 제2 세트(112a 및 112b)를 갖는 실시형태로 제한되지는 않는다는 것을 고려한다. 예를 들면, 몇몇 실시형태에서, 도 1a에서 도시되는 바와 같이, 초점 감응성 계측 타겟(100)은 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b), 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b)만을 포함할 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 도 1c에서 도시되는 바와 같이, 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103a 및 103b) 및 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105a 및 105b)는 초점 및/또는 계측 측정 감도를 증가시키도록 그리고 다른 계측 타겟(예를 들면, 단일 층 계측 타겟)보다 더 큰 초점 응답을 포함하도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103a 및 103b) 및 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105a 및 105b) 각각은 샘플의 상이한 층 상에서 형성되는 중첩하는 주기적 구조물로부터 한 방향(예를 들면, y 방향)을 따라 형성되는 모아레() 패턴을 포함할 수도 있다. 다른 예로서, 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103a 및 103b) 및 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105a 및 105b) 각각은 두 개 이상의 중첩하는 주기적 구조물을 포함할 수도 있는데, 여기서 중첩하는 주기적 구조물 각각은 샘플의 상이한 층 상에서 형성된다. 중첩하는 주기적 구조물 각각의 주기성은 대략 300 나노미터와 대략 700 나노미터 사이의 주기(예를 들면, 중첩하는 주기적 구조물의 반복된 엘리먼트 사이의 이격 거리)를 가질 수도 있고, 중첩하는 주기적 구조물 각각의 주기는 대략 300 나노미터와 대략 700 나노미터의 범위 내에서 상이한 값을 가질 수도 있다. 예를 들면, 하나의 중첩하는 주기적 구조물은 대략 420 나노미터의 주기를 가질 수도 있고, 한편, 다른 중첩하는 주기적 구조물은 대략 480 나노미터의 주기를 가질 수도 있다. 이러한 방식으로, 중첩하는 주기적 구조물은, 조명되고 및/또는 이미지화될 때, 측정 정확도(예를 들면, 계측 측정 및/또는 초점 측정)가 증가되는 방식으로, 모아레 효과를 생성하도록 구성될 수도 있다. 다른 예로서, 중첩하는 주기적 구조물은 모아레 격자 위 격자 효과, 예컨대 이중 산란 모아레 효과(예를 들면, 0차 회절 및 적어도 하나의 모아레 회절 차수를 수집함), 또는 단일의 산란 광학 모아레 효과(예를 들면, 단일의 산란 효과, 예를 들면, 1차 회절을 수집하는 것 및 모아레 간섭을 격리하기 위해 이미지를 필터링하는 것 사이의 간섭에 기인하여 카메라 상에 나타나는 모아레 효과)를 사용하여 오버레이를 측정하는 방법을 생성하도록 구성될 수도 있다. 오버레이 계측에서의 모아레 패턴의 사용은, 2008년 10월 21일자로 발행된 미국 특허 번호 제7,440,105호, 2008년 3월 25일자로 발행된 미국 특허 번호 제제7,349,105호, 및 2018년 7월 5일자로 공개된 미국 특허 출원 공개 번호 제2018/0188663호에서 일반적으로 설명되는데, 이들 각각은 그 전체가 본원에 통합된다. 본 개시의 실시형태는 모아레 패턴을 갖는 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103a 및 103b) 및 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105a 및 105b)로 제한되지는 않는다는 것을 유의한다. 예를 들면, 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트(107a 및 107b)는 모아레 패턴을 포함할 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 도 1d에서 도시되는 바와 같이, 초점 감응성 계측 타겟(100)은 샘플의 하나 이상의 층(예를 들면, 샘플의 현재의 층 및/또는 이전 층) 상에서 형성되는 제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b)를 포함할 수도 있다. 제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b)는 모아레 패턴을 갖는 복수의 세그먼트화된 제4 패턴 엘리먼트(116a 및 116b)를 포함할 수도 있다.

복수의 세그먼트화된 제4 패턴 엘리먼트(116a 및 116b)는 적어도 하나의 측정 방향(예를 들면, y 방향)을 따르는 오버레이 측정을 위해 구성될 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제4 패턴 엘리먼트(116a 및 116b)는 본 개시에 의해 고려되는 목적에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 계측 모드와 호환될 수도 있다. 예를 들면, 하나 이상의 제4 패턴 엘리먼트(116a 및 116b)는 회절 기반의 계측 모드(예를 들면, 산란 측정법 기반의 오버레이(SCOL) 계측 모드)와 호환될 수도 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 제4 패턴 엘리먼트(116a 및 116b)는 회절 기반의 계측 방법을 사용하는 계측을 위해 주기적 및/또는 세그먼트화된 구조물(예를 들면, 격자 위 격자 구조물, 또는 조명 빔의 회절, 산란 및/또는 반사에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 구조물)을 포함하도록 구성될 수도 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 제4 패턴 엘리먼트(116a 및 116b)는, 고급 이미징 계측(AIM) 모드, 박스-인-박스 계측 모드, 또는 오버레이 신호(예를 들면, 상이한 샘플 층 상에 위치하는 초점 감응성 계측 타겟 피쳐의 이미지)를 캡쳐하는 데 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 계측 모드를, 제한 없이, 포함하여, 임의의 이미지 기반의 오버레이 계측 모드와 호환될 수도 있다.

복수의 세그먼트화된 제4 패턴 엘리먼트(116a 및 116b)는, 하나 이상의 리소그래피 단계, 하나 이상의 직접 에칭 단계, 또는 등등을, 제한 없이, 포함하여, 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 수단에 의해 형성되는 임의의 일차원 또는 이차원 구조물을 포함할 수도 있다는 것을 유의한다. 제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b) 및/또는 복수의 세그먼트화된 제4 패턴 엘리먼트(116a 및 116b)는 정사각형 형상, 둥근 형상, 마름모와 같은 형상, 또는 별과 같은 형상을, 제한 없이, 포함하여, 임의의 형상으로 형성될 수도 있다.

제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b)는 초점 감응성 계측 타겟(100)이 더욱 정확한 오버레이 계측 측정을 위해 사용되는 것을 허용할 수도 있다는 것을 또한 유의한다. 예를 들면, 제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b)를 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b), 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b), 및/또는 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b)와 함께 포함하는 것은, 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b), 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b), 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b), 및/또는 제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b)로부터 방출되는 하나 이상의 신호에 기초하여 추가적인 계측 측정을 허용할 수도 있다.

도 2는, 본 개시의 하나 이상의 실시형태에 따른, 초점 제어 시스템(200)의 단순화된 블록 다이어그램을 예시한다. 하나의 실시형태에서, 초점 제어 시스템(200)은 하나 이상의 제조 도구(210)를 포함한다. 하나 이상의 제조 도구(210)는, 임의의 리소그래피 도구, 임의의 EUV 스캐너, 또는 등등을 포함하는, 그러나 이들로 제한되지는 않는, 오버레이 계측 타겟을 형성하도록 구성되는 임의의 도구를 포함할 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 초점 제어 시스템(200)은 하나 이상의 계측 도구(202)를 포함한다. 하나 이상의 계측 도구(202)는 이미징 또는 비이미징 모드 중 어느 하나에서 동작하도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 이미징 모드에서, 개개의 초점 감응성 계측 타겟 엘리먼트는 (예를 들면, 명시야 이미지, 암시야 이미지, 위상차 이미지(phase-contrast image), 또는 등등의 일부로서) 샘플 상의 조명된 스팟 내에서 분해 가능할 수도 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 계측 도구(202)는, 샘플로부터의 방사선이 동공 평면에서 분석되어 (예를 들면, 샘플에 의한 방사선의 산란 및/또는 회절과 관련되는) 샘플로부터의 방사선의 각도 분포를 특성 묘사하는 산란 측정법 기반의 오버레이(SCOL) 계측 도구로서 동작할 수도 있다.

하나 이상의 계측 도구(202)는 조명을 샘플로 지향시킬 수도 있고, 두 개 이상의 샘플 층의 오버레이의 결정에 적절한 오버레이 신호를 생성하기 위해 샘플로부터 방출되는 방사선을 추가로 수집할 수도 있다. 하나 이상의 계측 도구는, 임의의 광학 계측 도구(예를 들면, 고급 이미징 계측(AIM) 도구, 고급 이미징 계측 인다이(advanced imaging metrology in-die; AIMid) 도구, 트리플 고급 이미징 계측(triple advanced imaging metrology; 트리플 AIM) 도구, 아쳐(Archer), 및 등등), 임의의 입자 기반의 계측 도구(예를 들면, 전자 빔 계측 도구), 또는 산란 측정법 기반의 오버레이(SCOL) 계측 도구를, 제한 없이, 포함하여, 샘플 상의 계측 타겟과 관련되는 오버레이를 결정하는 데 적합한 오버레이 신호를 생성하는 데 적합한 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 타입의 오버레이 계측 도구를 포함할 수도 있다.

하나 이상의 계측 도구(202)는 초점 감응성 계측 타겟의 오버레이를 결정하는 데 적합한 오버레이 신호를 획득하기 위한 측정 파라미터를 정의하는 임의의 수의 레시피에 기초하여 오버레이 신호를 생성하도록 구성 가능할 수도 있다. 예를 들면, 하나 이상의 계측 도구(202)의 레시피는, 조명 파장, 샘플로부터 방출되는 방사선의 검출된 파장, 샘플 상의 조명의 스팟 사이즈, 입사 조명의 각도, 입사 조명의 편광, 입사 빔의 파면(wave plane), 초점 감응성 계측 타겟 상에서의 입사 조명의 빔의 포지션, 오버레이 계측 도구의 초점 볼륨 내에서의 초점 감응성 계측 타겟의 포지션, 또는 등등을 포함할 수도 있지만, 그러나 이들로 제한되지는 않는다.

다른 실시형태에서, 초점 제어 시스템(200)은 하나 이상의 제조 도구(210) 및/또는 하나 이상의 계측 도구(202)에 통신 가능하게 커플링되는 컨트롤러(204)를 포함한다. 컨트롤러(204)는 초점 감응성 계측 타겟의 제조에서의 하나 이상의 단계를 수행할 것을 하나 이상의 제조 도구(210)에게 지시하도록 구성될 수도 있다. 컨트롤러(204)는 하나 이상의 선택된 레시피에 기초하여 오버레이 신호를 생성할 것을 하나 이상의 계측 도구(202)에게 지시하도록 구성될 수도 있다. 컨트롤러(204)는, 하나 이상의 계측 도구(202)로부터 오버레이 신호(예를 들면, 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟으로부터 방출되는 조명을 나타내는 신호)를 포함하는, 그러나 이것을 제한되지는 않는, 데이터를 수신하도록 추가로 구성될 수도 있다. 추가적으로, 컨트롤러(204)는 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟으로부터 방출되는 조명을 나타내는 하나 이상의 신호에 기초하여 하나 이상의 초점 오프셋 값을 결정하도록 구성될 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 컨트롤러(204)는 획득된 오버레이 신호에 기초하여 초점 감응성 계측 타겟과 관련되는 오버레이를 결정하도록 구성될 수도 있다.

다른 실시형태에서, 컨트롤러(204)는 하나 이상의 프로세서(206)를 포함한다. 예를 들면, 하나 이상의 프로세서(206)는, 메모리 매체(208) 또는 메모리에 유지되는 프로그램 명령어의 세트를 실행하도록 구성될 수도 있다. 컨트롤러(204)는 샘플의 하나 이상의 오버레이 측정치에 기초하여 하나 이상의 계측 타겟(100)을 갖는 샘플의 오버레이 에러를 결정하도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 하나의 실시형태에서, 계측 서브시스템(202)은 하나 이상의 계측 타겟(100)을 갖는 샘플에 조명을 지향시킬 수도 있다. 다른 실시형태에서, 계측 서브시스템(202)은 두 개 이상의 샘플 층의 오버레이의 결정에 적합한 하나 이상의 오버레이 측정치(또는 하나 이상의 오버레이 측정치를 나타내는 하나 이상의 신호)을 생성하기 위해 샘플로부터 방출되는 방사선을 추가로 수집하도록 구성될 수도 있다. 다른 실시형태에서, 컨트롤러(204)는 샘플로부터 방출되는 조명을 나타내는 하나 이상의 신호에 기초하여 하나 이상의 초점 오프셋 값을 결정하도록 구성될 수도 있다.

하나의 실시형태에서, 컨트롤러(204)는 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b), 제1 타겟 구조물의 제2 세트(108a 및 108b), 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b), 제2 타겟 구조물의 제2 세트(110a 및 110b), 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b), 제3 타겟 구조물의 제2 세트(112a 및 112b), 및/또는 제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b)로부터 방출되는 조명을 나타내는 신호에 기초하여 샘플의 하나 이상의 초점 오프셋 값을 결정하도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 컨트롤러(204)는, 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b), 제1 타겟 구조물의 제2 세트(108a 및 108b), 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b), 제2 타겟 구조물의 제2 세트(110a 및 110b), 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b), 제3 타겟 구조물의 제2 세트(112a 및 112b), 및/또는 제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b)로부터 방출되는 조명을 나타내는 신호를, 메모리(208)에 저장되는 사전 결정된 캘리브레이션 함수에 비교하는 것에 의해 하나 이상의 초점 오프셋 값을 생성하도록 구성될 수도 있다. 사전 결정된 캘리브레이션 함수는 시뮬레이션을 통해 또는 전용 초점 감도 실험에 의해 구성될 수도 있다. 다른 예로서, 사전 결정된 캘리브레이션 함수는 다양하지만 그러나 공지된 레벨의 초점에서 복수의 측정을 수행하는 것에 의해 생성될 수도 있다. 추가적인 예로서, 사전 결정된 캘리브레이션 함수는, 하나 이상의 Prolith(프롤리쓰) 시뮬레이션을, 제한 없이, 포함하여, 초점 범위에 걸쳐 대략 1 나노미터의 실제 초점을 예측할 수도 있는 임의의 시뮬레이션 및/또는 함수를 포함할 수도 있다. 다른 실시형태에서, 컨트롤러(204)는 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b), 제1 타겟 구조물의 제2 세트(108a 및 108b), 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b), 제2 타겟 구조물의 제2 세트(110a 및 110b), 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b), 제3 타겟 구조물의 제2 세트(112a 및 112b), 및/또는 제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b)로부터 방출되는 조명을 나타내는 신호에 기초하여 샘플의 하나 이상의 초점 오프셋 값을 결정하도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 컨트롤러(204)는, 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b), 제1 타겟 구조물의 제2 세트(108a 및 108b), 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b), 제2 타겟 구조물의 제2 세트(110a 및 110b), 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b), 제3 타겟 구조물의 제2 세트(112a 및 112b), 및/또는 제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b)로부터 방출되는 조명을 나타내는 신호를, 메모리(208)에 저장되는 사전 결정된 캘리브레이션 함수에 비교하는 것에 의해 하나 이상의 초점 오프셋 값을 생성하도록 구성될 수도 있다.

다른 실시형태에서, 컨트롤러(204)는 샘플의 하나 이상의 오버레이 측정치에 기초하여 하나 이상의 계측 타겟(100)을 갖는 샘플의 오버레이 에러를 결정하도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 컨트롤러(204)는 샘플의 하나 이상의 부분(예를 들면, 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b), 제1 타겟 구조물의 제2 세트(108a 및 108b), 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b), 제2 타겟 구조물의 제2 세트(110a 및 110b), 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b), 제3 타겟 구조물의 제2 세트(112a 및 112b), 및/또는 제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b))으로부터 방출되는 조명을 나타내는 하나 이상의 신호에 기초하여 샘플의 하나 이상의 오버레이 측정치를 생성하도록 구성될 수도 있다. 샘플의 하나 이상의 오버레이 측정치는 샘플의 하나 이상의 층의 오버레이 포지션에 대응할 수도 있다. 컨트롤러(204)는 하나 이상의 초점 오프셋 값을 사용하여 하나 이상의 보정되지 않은 오버레이 측정치(예를 들면, 적절한 및/또는 소망되는 초점에 관계없이 취해지는 오버레이 측정치)를 보정하는 것에 의해 하나 이상의 보정된 오버레이 측정치를 생성하도록 구성될 수도 있다. 이와 관련하여, 컨트롤러(204)는 하나 이상의 초점 오프셋 값에 기초하여 결정되는 하나 이상의 초점 보정치를 하나 이상의 계측 도구(202)의 하나 이상의 부분에 제공하도록 구성될 수도 있다.

제한 없이, 초점 보정 및 오버레이 계측을 위해 구성되는 초점 감응성 계측 타겟(100)의 실시형태를 비롯하여, 본원에서, 본 개시의 실시형태는 오버레이 계측 측정의 효율성을 증가시키도록 그리고 측정 사이클 시간을 감소시키도록 구성된다는 것을 유의한다. 예를 들면, 몇몇 실시형태에서, 초점 감응성 계측 타겟(100)은 초점 제어 시스템(200)의 하나 이상의 부분의 하나 이상의 컴포넌트의 초점을 동시에(또는 거의 동시에) 보정하도록 그리고 소망되는 초점에서 하나 이상의 계측 측정치를 생성하도록 구성될 수도 있다.

컨트롤러(204)의 하나 이상의 프로세서(206)는 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 프로세서 또는 프로세싱 엘리먼트를 포함할 수도 있다. 본 개시의 목적을 위해, 용어 "프로세서" 또는 "프로세싱 엘리먼트"는 하나 이상의 프로세싱 또는 로직 엘리먼트(예를 들면, 하나 이상의 마이크로프로세서 디바이스, 하나 이상의 주문형 집적 회로(application specific integrated circuit; ASIC) 디바이스, 하나 이상의 필드 프로그래머블 게이트 어레이(Field Programmable Gate Array; FPGA), 또는 하나 이상의 디지털 신호 프로세서(digital signal processor; DSP))를 구비하는 임의의 디바이스를 포괄하도록 광범위하게 정의될 수도 있다. 이러한 의미에서, 하나 이상의 프로세서(206)는 알고리즘 및/또는 명령어(예를 들면, 메모리에 저장되는 프로그램 명령어)를 실행하도록 구성되는 임의의 디바이스를 포함할 수도 있다. 하나의 실시형태에서, 하나 이상의 프로세서(206)는, 본 개시 전반에 걸쳐 설명되는 바와 같이, 데스크탑 컴퓨터, 메인프레임 컴퓨터 시스템, 워크스테이션, 이미지 컴퓨터, 병렬 프로세서, 네트워크 컴퓨터, 또는 계측 시스템(300)을 동작시키도록 또는 계측 시스템(300)과 연계하여 동작하도록 구성되는 프로그램을 실행하도록 구성되는 임의의 다른 컴퓨터 시스템으로서 구체화될 수도 있다. 게다가, 본 개시의 전반에 걸쳐 설명되는 단계는 단일의 컨트롤러(204)에 의해, 또는 대안적으로는, 다수의 컨트롤러에 의해 수행될 수도 있다. 추가적으로, 컨트롤러(204)는 공통 하우징 내에 또는 다수의 하우징 내에 수용되는 하나 이상의 컨트롤러를 포함할 수도 있다. 이 방식에서, 임의의 컨트롤러 또는 컨트롤러의 조합은, 계측 시스템(300)으로의 통합에 적절한 모듈로서 개별적으로 패키징될 수도 있다. 게다가, 컨트롤러(204)는 하나 이상의 계측 도구(202) 및/또는 하나 이상의 제조 도구(210)로부터 수신되는 데이터를 분석할 수도 있고 데이터를 초점 제어 시스템(200) 내부의 또는 초점 제어 시스템(200) 외부의 추가적인 컴포넌트에 공급할 수도 있다.

메모리 매체(208)는, 관련된 하나 이상의 프로세서(206)에 의해 실행 가능한 프로그램 명령어를 저장하기에 적합한 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 저장 매체를 포함할 수도 있다. 예를 들면, 메모리 매체(208)는 비일시적 메모리 매체를 포함할 수도 있다. 다른 예로서, 메모리 매체(208)는, 리드 온리 메모리(read-only memory; ROM), 랜덤 액세스 메모리(random-access memory; RAM), 자기 또는 광학 메모리 디바이스(예를 들면, 디스크), 자기 테이프, 솔리드 스테이트 드라이브 및 등등을 포함할 수도 있지만, 그러나 이들로 제한되지는 않는다. 메모리 매체(208)는 하나 이상의 프로세서(206)와 함께 공통 컨트롤러 하우징에 수용될 수도 있다는 것을 또한 유의한다. 하나의 실시형태에서, 메모리는 매체(208)는, 하나 이상의 프로세서(206) 및 컨트롤러(204)의 물리적 위치에 대해 원격으로 위치될 수도 있다. 예를 들면, 컨트롤러(204)의 하나 이상의 프로세서(206)는, 네트워크(예를 들면, 인터넷, 인트라넷 및 등등)를 통해 액세스 가능한 원격 메모리(예를 들면, 서버)에 액세스할 수도 있다.

하나의 실시형태에서, 유저 인터페이스(도시되지 않음)는 컨트롤러(204)에 통신 가능하게 커플링될 수도 있다. 유저 인터페이스는 하나 이상의 데스크탑, 랩탑, 태블릿, 및 등등을 포함할 수도 있지만, 그러나 이들로 제한되지는 않는다. 다른 실시형태에서, 유저 인터페이스는 초점 제어 시스템(200)의 데이터를 유저에게 디스플레이하기 위해 사용되는 디스플레이를 포함한다. 유저 인터페이스의 디스플레이는 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 디스플레이를 포함할 수도 있다. 예를 들면, 디스플레이는 액정 디스플레이(liquid crystal display; LCD), 유기 발광 다이오드(OLED) 기반의 디스플레이, 또는 CRT 디스플레이를 포함할 수도 있지만, 그러나 이들로 제한되지는 않는다. 기술 분야의 숙련된 자는, 유저 인터페이스와 통합될 수 있는 임의의 디스플레이 디바이스가 본 개시의 구현에 적합하다는 것을 인식해야 한다. 다른 실시형태에서, 유저는 유저 인터페이스의 유저 입력 디바이스를 통해 유저에게 디스플레이되는 데이터에 응답하여 선택 및/또는 명령어를 입력할 수도 있다.

하나의 실시형태에서, 도 3에서 도시되는 바와 같이, 초점 제어 시스템(200)은 하나 이상의 계측 도구(202)를 포함할 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 하나 이상의 계측 도구(202)는, x 선, 자외선(UV), 적외선(IR), 또는 가시광 파장을 갖는 광학 조명 빔을 생성하도록 및/또는 검출하도록 구성되는 광학 계측 도구를, 제한 없이 포함하는 광학 계측 도구를 포함할 수도 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 계측 도구(202)는 고급 이미징 계측(AIM) 도구, 고급 이미징 계측 인다이(AIMid) 도구, 또는 트리플 고급 이미징 계측(트리플 AIM) 도구를 포함할 수도 있다.

하나의 실시형태에서, 하나 이상의 계측 도구(202)는 광학 조명 빔(304)을 생성하도록 구성되는 광학 조명 소스(302)를 포함할 수도 있다. 광학 조명 빔(304)은 x 선, 자외선(UV) 광, 가시광, 또는 적외선(IR) 광을 포함하는, 그러나 이들로 제한되지는 않는, 하나 이상의 선택된 방사선 파장을 포함할 수도 있다.

광학 조명 소스(302)는 광학 조명 빔(304)을 제공하기에 적합한 임의의 타입의 조명 소스를 포함할 수도 있다. 하나의 실시형태에서, 광학 조명 소스(302)는 레이저 소스이다. 예를 들면, 광학 조명 소스(302)는 하나 이상의 협대역 레이저 소스, 광대역 레이저 소스, 초연속 레이저 소스, 백색 광 레이저 소스, 또는 등등을 포함할 수도 있지만, 그러나 이들로 제한되지는 않는다. 이와 관련하여, 광학 조명 소스(302)는 높은 가간섭성(coherence)(예를 들면, 높은 공간적 가간섭성 및/또는 시간적 가간섭성)을 갖는 광학 조명 빔(304)을 제공할 수도 있다. 다른 실시형태에서, 광학 조명 소스(302)는 레이저 유지 플라즈마(laser-sustained plasma; LSP) 소스를 포함한다. 예를 들면, 광학 조명 소스(302)는, LSP 램프, LSP 전구, 또는 레이저 소스에 의해 플라즈마 상태로 여기될 때 광대역 조명을 방출할 수도 있는 하나 이상의 엘리먼트를 포함하기에 적절한 LSP 챔버를 포함할 수도 있지만, 그러나 이들로 제한되지는 않는다. 다른 실시형태에서, 광학 조명 소스(302)는 램프 소스를 포함한다. 예를 들면, 광학 조명 소스(302)는, 아크 램프, 방전 램프, 무전극 램프, 또는 등등을 포함할 수도 있지만, 그러나 이들로 제한되지는 않는다. 이와 관련하여, 광학 조명 소스(302)는 낮은 가간섭성(예를 들면, 낮은 공간적 가간섭성 및/또는 시간적 가간섭성)을 갖는 광학 조명 빔(304)을 제공할 수도 있다.

다른 실시형태에서, 광학 조명 소스(302)는 조명 통로(310)를 통해 광학 조명 빔(304)을 샘플(320)로 지향시킨다. 조명 통로(310)는 하나 이상의 조명 통로 렌즈(308) 또는 광학 조명 빔(304)을 수정 및/또는 컨디셔닝하기에 적합한 추가적인 광학 컴포넌트(306)를 포함할 수도 있다. 예를 들면, 하나 이상의 광학 컴포넌트(306)는, 하나 이상의 편광기, 하나 이상의 필터, 하나 이상의 빔 분리기, 하나 이상의 확산기, 하나 이상의 균질화기(homogenizer), 하나 이상의 아포다이저(apodizer), 또는 하나 이상의 빔 성형기(beam shaper)를 포함할 수도 있지만, 그러나 이들로 제한되지는 않는다. 조명 통로(310)는 광학 조명 빔(304)을 샘플(320)로 지향시키도록 구성되는 대물 렌즈(316)를 더 포함할 수도 있다.

다른 실시형태에서, 샘플(320)은 샘플 스테이지(322) 상에 배치된다. 샘플 스테이지(322)는 하나 이상의 계측 도구(202) 내에서 샘플(320)을 위치 결정 및/또는 스캐닝하기에 적합한 임의의 디바이스를 포함할 수도 있다. 예를 들면, 샘플 스테이지(322)는 선형 병진 스테이지, 회전 스테이지, 팁/틸트 스테이지 또는 등등의 임의의 조합을 포함할 수도 있다.

다른 실시형태에서, 하나 이상의 계측 도구(202)는 수집 통로(314)를 통해 샘플(320)로부터 방출되는 광을 캡쳐하도록 구성되는 하나 이상의 검출기(324)를 포함한다. 수집 통로(314)는, 샘플(320)로부터 광을 수집하기 위한 하나 이상의 수집 통로 렌즈(312, 318)를 포함할 수도 있지만, 그러나 이들로 제한되지는 않는다. 예를 들면, 하나 이상의 검출기(324)는 하나 이상의 수집 통로 렌즈(312, 318)를 통해 샘플(320)로부터 (예를 들면, 정반사, 난반사, 및 등등을 통해) 반사되는 또는 산란되는 광을 수신할 수도 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 검출기(324)는 샘플(320)에 의해 생성되는 광(예를 들면, 광학 조명 빔(304)의 흡수와 관련되는 발광, 또는 등등)을 수신할 수도 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 검출기(324)는 샘플(320)로부터 하나 이상의 회절 차수(예를 들면, 0 차 회절, ±1 차 회절, ±2 차 회절, 및 등등)의 광을 수신할 수도 있다.

하나 이상의 검출기(324)는 샘플(320)로부터 수신되는 조명을 측정하기에 적합한 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 타입의 검출기를 포함할 수도 있다. 예를 들면, 검출기(324)는, CCD 검출기, TDI 검출기, 광전증배관(photomultiplier tube; PMT), 애벌란시 포토다이오드(avalanche photodiode; APD), 상보형 금속 산화물 반도체(complementary metal-oxide-semiconductor; CMOS) 센서, 또는 등등을 포함할 수도 있지만, 그러나 이들로 제한되지는 않는다. 다른 실시형태에서, 검출기(324)는 샘플(320)로부터 방출되는 광의 파장을 식별하기에 적합한 분광 검출기(spectroscopic detector)를 포함할 수도 있다.

하나의 실시형태에서, 하나 이상의 검출기(324)는 샘플(320)의 표면에 대략 수직으로 위치 결정된다. 다른 실시형태에서, 하나 이상의 계측 도구(202)는, 대물 렌즈(316)가 광학 조명 빔(304)을 샘플(320)로 동시에 지향시키고 샘플(320)로부터 방출되는 광을 수집할 수도 있도록 배향되는 빔 스플리터를 포함한다. 게다가, 조명 통로(310) 및 수집 통로(314)는 하나 이상의 추가적인 엘리먼트(예를 들면, 대물 렌즈(316), 어퍼쳐, 필터, 또는 등등)를 공유할 수도 있다.

도 3에서 묘사되는 바와 같은 하나 이상의 계측 도구(202)의 설명 및 상기의 관련된 설명은 단지 예시적인 목적을 위해 제공되며 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다는 것이 이해되어야 한다. 예를 들면, 하나 이상의 계측 도구(202)는 샘플(320)을 동시에 조사하기에(interrogating) 적합한 다중 빔 및/또는 다중 칼럼 시스템을 포함할 수도 있다. 추가적인 실시형태에서, 하나 이상의 계측 도구(202)는 샘플(320)의 하나 이상의 위치에 하나 이상의 전압을 인가하도록 구성되는 하나 이상의 컴포넌트(예를 들면, 하나 이상의 전극)을 포함할 수도 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 계측 도구(202)는 전압 콘트라스트 이미징 데이터를 생성할 수도 있다.

앞서 설명되는 바와 같이, 초점 제어 시스템(200)은 하나 이상의 계측 도구(202) 및/또는 하나 이상의 제조 도구(210)에 통신 가능하게 커플링되는 컨트롤러(204)를 포함할 수도 있다. 컨트롤러(204)는 하나 이상의 선택된 레시피에 기초하여 오버레이 신호를 생성할 것을 하나 이상의 계측 도구(202)에게 지시하도록 구성될 수도 있다. 컨트롤러(204)는 하나 이상의 계측 도구(202) 및/또는 하나 이상의 제조 도구(210)로부터의 오버레이 신호를 포함하는, 그러나 이들로 제한되지는 않는 데이터를 수신하도록 추가로 구성될 수도 있다. 추가적으로, 컨트롤러(204)는 획득된 오버레이 신호에 기초하여 초점 감응성 계측 타겟과 관련되는 오버레이를 결정하도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 컨트롤러(204)는 샘플의 하나 이상의 부분(예를 들면, 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b), 제1 타겟 구조물의 제2 세트(108a 및 108b), 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b), 제2 타겟 구조물의 제2 세트(110a 및 110b), 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b), 제3 타겟 구조물의 제2 세트(112a 및 112b), 및/또는 제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b))으로부터 방출되는 조명을 나타내는 하나 이상의 신호에 기초하여 샘플의 하나 이상의 오버레이 측정치를 생성하도록 구성될 수도 있다. 샘플의 하나 이상의 오버레이 측정치는 샘플의 하나 이상의 층의 오버레이 포지션에 대응할 수도 있다. 컨트롤러(204)는 하나 이상의 초점 오프셋 값을 사용하여 하나 이상의 보정되지 않은 오버레이 측정치(예를 들면, 적절한 및/또는 소망되는 초점에 관계없이 취해지는 오버레이 측정치)를 보정하는 것에 의해 하나 이상의 보정된 오버레이 측정치를 생성하도록 구성될 수도 있다. 이와 관련하여, 컨트롤러(204)는 하나 이상의 초점 오프셋 값에 기초하여 결정되는 하나 이상의 초점 보정치를 초점 제어 시스템(200)의 하나 이상의 부분에 제공하도록 구성될 수도 있다.

도 4는, 본 개시의 하나 이상의 실시형태에 따른, 초점 제어의 방법(400)의 단계를 묘사하는 프로세스 흐름도를 예시한다.

단계(402)에서, 샘플의 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟(100)으로부터 방출되는 조명을 나타내는 하나 이상의 신호가 수신된다. 예를 들면, 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟(100)을 포함하는 샘플이 조명 빔으로 조명될 수도 있고, 반사된 빔은 하나 이상의 계측 타겟(100)으로부터 방출될 수도 있으며 초점 제어 시스템(200)의 하나 이상의 부분에 의해 검출될 수도 있다. 본원에서 사용될 때, 용어 "조명 빔"은, 조명 빔(304)을, 제한 없이, 포함하여, 임의의 방사 빔을 지칭할 수도 있고, 용어 "반사 빔"은 임의의 반사된 빔(308)을 지칭할 수도 있다.

단계(404)에서, 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟(100)으로부터 방출되는 조명을 나타내는 하나 이상의 신호에 기초하여 하나 이상의 초점 오프셋 값이 결정된다. 예를 들면, 컨트롤러(204)는 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b), 제1 타겟 구조물의 제2 세트(108a 및 108b), 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b), 제2 타겟 구조물의 제2 세트(110a 및 110b), 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b), 제3 타겟 구조물의 제2 세트(112a 및 112b), 및/또는 제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b)로부터 방출되는 조명을 나타내는 신호에 기초하여 샘플의 하나 이상의 초점 오프셋 값을 결정하도록 구성될 수도 있다. 다른 예로서, 컨트롤러(204)는, 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b), 제1 타겟 구조물의 제2 세트(108a 및 108b), 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b), 제2 타겟 구조물의 제2 세트(110a 및 110b), 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b), 제3 타겟 구조물의 제2 세트(112a 및 112b), 및/또는 제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b)로부터 방출되는 조명을 나타내는 신호를, 메모리(208)에 저장되는 사전 결정된 캘리브레이션 함수에 비교하는 것에 의해 하나 이상의 초점 오프셋 값을 생성하도록 구성될 수도 있다. 사전 결정된 캘리브레이션 함수는 시뮬레이션을 통해 또는 전용 초점 감도 실험에 의해 구성될 수도 있다. 예를 들면, 사전 결정된 캘리브레이션 함수는 다양하지만 그러나 공지된 레벨의 초점에서 복수의 계측 측정을 수행하는 것에 의해 생성될 수도 있다. 다른 실시형태에서, 컨트롤러(204)는 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b), 제1 타겟 구조물의 제2 세트(108a 및 108b), 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b), 제2 타겟 구조물의 제2 세트(110a 및 110b), 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b), 제3 타겟 구조물의 제2 세트(112a 및 112b), 및/또는 제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b)로부터 방출되는 조명을 나타내는 신호에 기초하여 샘플의 하나 이상의 초점 오프셋 값을 결정하도록 구성될 수도 있다.

단계(406)에서, 적어도 단계(404)에서 결정되는 하나 이상의 초점 오프셋에 기초하여 하나 이상의 초점 보정치가 제공된다. 예를 들면, 단계(406)는 컨트롤러(204)가 하나 이상의 제조 도구(예를 들면, 리소그래피 도구, EUV 스캐너, 또는 등등)의 하나 이상의 파라미터(예를 들면, 제조 설정, 구성, 및 등등)를 조정하기 위한 하나 이상의 제어 신호(또는 제어 신호에 대한 보정치)를 생성하는 것을 포함할 수도 있다. 제어 신호(또는 제어 신호에 대한 보정치)는 피드백 및/또는 피드포워드 제어 루프의 일부로서 컨트롤러(204)에 의해 제공될 수도 있다. 컨트롤러(204)는, 하나 이상의 제조 도구로 하여금, 하나 이상의 제어 신호(또는 제어 신호에 대한 보정치)에 기초하여 하나 이상의 프로세스 도구의 하나 이상의 파라미터에 대한 하나 이상의 조정을 실행하게 할 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 컨트롤러(204)는 하나 이상의 조정을 행할 것을 유저에게 경고할 수도 있다. 이러한 의미에서, 하나 이상의 제어 신호는 하나 이상의 제조 도구의 하나 이상의 제조 프로세스의 에러를 보상할 수도 있고, 따라서 하나 이상의 제조 도구가 동일한 또는 상이한 로트(lot) 내의 후속하는 샘플에 대한 다수의 노출에 걸쳐 선택된 공차 내에서 오버레이를 유지하는 것을 가능하게 할 수도 있다.

도 5는, 본 개시의 하나 이상의 실시형태에 따른, 초점 제어 방법의 일부로서 하나 이상의 계측 타겟 설계를 선택하는 방법(500)의 단계를 묘사하는 프로세스 흐름도를 예시한다. 방법(500)의 단계 중 임의의 하나 이상, 또는 방법(500) 전체는, 방법(400)의 하나 이상의 하위 단계로서 수행되는 것을, 제한 없이, 포함하여, 본원에서 개시되는 방법 중 임의의 방법의 임의의 단계의 하나 이상의 하위 단계로서 수행될 수도 있다는 것을 유의한다.

단계(502)에서, 하나 이상의 시뮬레이팅된 조명 조건 하에서 하나 이상의 제조 시뮬레이션이 수행된다. 예를 들면, 하나 이상의 제조 시뮬레이션(예를 들면, 리소그래피 시뮬레이션)은 하나 이상의 Prolith 시뮬레이션을 포함할 수도 있다. 하나 이상의 시뮬레이팅된 조명 조건은, 샘플 상에서 제조되는 하나 이상의 계측 타겟(예를 들면, 외부 라인, 공간, 패턴, 또는 등등)의 하나 이상의 부분의 제조와 관련하여 하나 이상의 바이어스(예를 들면, 임계 치수 바이어스)의 존재에 대응할 수도 있는 및/또는 그 존재에 기여할 수도 있는 조건을 포함할 수도 있다. 예를 들면, 하나 이상의 시뮬레이팅된 조명 조건은 샘플 상에서 통상적으로 제조되는 하나 이상의 패턴의 라인, 공간, 및/또는 세그먼트의 양에서의 변동을 포함할 수도 있다. 하나 이상의 제조 시뮬레이션이 가상 공간에서 실행될 수도 있다는 것, 및 하나 이상의 제조 시뮬레이션이 현실 세계 제조 상황에서 예상될 결과를 나타내는 결과를 생성하도록 구성될 수도 있다는 것을 유의한다. 몇몇 실시형태에서, 하나 이상의 제조 시뮬레이션은 시뮬레이팅된 단순화된 계측 타겟을 사용하여 실행될 수도 있다. 예를 들면, 하나 이상의 제조 시뮬레이션은, 더 적은 피쳐(예를 들면, 상대적으로 작은 치수를 갖는 세그먼트화된 대략적인 막대)를 포함하는, 그러나, 주어진 관심 계측 타겟을 나타내는(예를 들면, 관심 계측 타겟을 나타내는 피치를 포함하는) 시뮬레이팅된 계측 타겟을 사용하여 실행될 수도 있다. 시뮬레이팅되고 단순화된 계측 타겟의 사용은 하나 이상의 제조 시뮬레이션을 수행하는 데 필요한 시간의 양을 감소시키도록 역할을 할 수도 있다는 것을 유의한다.

단계(504)에서, 하나 이상의 제조 시뮬레이션에 기초하여 하나 이상의 제조 바이어스가 결정된다. 예를 들면, 하나 이상의 제조 시뮬레이션은, 하나 이상의 시뮬레이팅된 바이어스 및/또는 패턴 배치 에러가 결정될 수도 있도록 수행될 수도 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 제조 시뮬레이션은 특정한 관심 계측 타겟의 제조 프로세스 동안 발생할 수도 있는 제조 에러를 예측할 수도 있다.

단계(506)에서, 하나 이상의 계측 타겟 설계 시뮬레이션이 하나 이상의 시뮬레이팅된 초점 조건 하에서 수행된다. 예를 들면, 하나 이상의 선택된 관심 계측 타겟 설계를 사용하여 하나 이상의 시뮬레이션이 수행될 수도 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 계측 타겟 설계 시뮬레이션은 선택된 관심 계측 타겟 설계와 유사한 웨이퍼 스택 설계를 갖는 하나 이상의 계측 타겟 설계를 사용하여 수행될 수도 있다. 하나 이상의 계측 타겟 설계 시뮬레이션은 하나 이상의 시뮬레이팅된 초점 조건 하에서 수행될 수도 있다. 예를 들면, 하나 이상의 시뮬레이팅된 초점 조건은 하나 이상의 계측 도구의 조명 설정, 예컨대 파장, 편광, 또는 대역폭을 포함할 수도 있다. 하나 이상의 계측 타겟 설계 시뮬레이션은 가상 공간에서 실행될 수도 있다는 것, 및 하나 이상의 계측 타겟 설계 시뮬레이션은 현실 세계 계측 상황에서 예상될 결과를 나타내는 결과를 생성하도록 구성될 수도 있다는 것을 유의한다.

단계(508)에서, 하나 이상의 계측 타겟 설계 시뮬레이션에 기초하여 하나 이상의 초점 감응성 계측 파라미터가 결정된다. 예를 들면, 초점 측정 및/또는 오버레이 계측의 하나 이상의 양태에 대한 다양한 계측 타겟 설계(예를 들면, 세그먼트화 피치)의 효과가 결정될 수도 있다.

단계(510)에서, 하나 이상의 초점 감응성 계측 파라미터를 갖는 하나 이상의 계측 타겟 설계가 선택된다. 예를 들면, 소망되는 초점 감도 파라미터(예를 들면, 초점 통과 응답(through-focus response))를 갖는 하나 이상의 계측 타겟 설계가 선택될 수도 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 초점 감도 파라미터(예를 들면, 샘플의 복수의 층 상에서 형성되는 타겟 피쳐의 초점 통과 응답에서의 상대적 차이)가 소망되는, 샘플의 복수의 층 상에서 형성되는 타겟 피쳐를 갖는 계측 타겟 설계가 선택될 수도 있다.

도 6은, 본 개시의 하나 이상의 실시형태에 따른, 초점 제어 방법(600)의 일부로서 하나 이상의 초점 에러를 결정하는 방법의 단계를 묘사하는 프로세스 흐름도를 예시한다. 방법(600)의 단계 중 임의의 하나 이상, 또는 방법(600) 전체는, 방법(400)의 하나 이상의 하위 단계로서 수행되는 것을, 제한 없이, 포함하여, 본원에서 개시되는 방법 중 임의의 방법의 임의의 단계의 하나 이상의 하위 단계로서 수행될 수도 있다는 것을 유의한다.

단계(602)에서, 하나 이상의 선택된 계측 타겟 설계에 기초한 복수의 캘리브레이션 시뮬레이션이 수행될 수도 있다. 예를 들면, 선택된 계측 타겟 설계에 대해 조명 조건 및/또는 초점 조건을 변경하기 위한 복수의 초점 파라미터 및/또는 복수의 제조 바이어스가 결정될 수도 있도록, 선택된 계측 타겟 설계(예를 들면, 주목하는 그리고 초점 에러가 결정될 계측 타겟 설계)에 대해 복수의 제조 시뮬레이션 및/또는 복수의 계측 타겟 설계 시뮬레이션이 수행될 수도 있다.

단계(604)에서, 복수의 캘리브레이션 시뮬레이션에 기초하여 하나 이상의 캘리브레이션 곡선이 생성될 수도 있다. 예를 들면, 조명 조건 및/또는 초점 조건에 대응하는 하나 이상의 값이 제조 바이어스 및/또는 초점 파라미터의 범위에 대응하는 하나 이상의 값에 대해 플롯될 수도 있는 하나 이상의 캘리브레이션 곡선이 생성될 수도 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 캘리브레이션 곡선은, 선택된 계측 타겟 설계에 기초하여 생성되는 하나 이상의 오버레이 측정치(예컨대, 본원에서 설명되는 방법(700)에서 생성되는 오버레이 측정치)를 하나 이상의 캘리브레이션 곡선에 비교하는 것에 의해 조명 조건 또는 초점 조건 중 적어도 하나로부터 유래하는 초점 에러를 결정하기 위해 사용될 수도 있다.

단계(606)에서, 하나 이상의 선택된 타겟 계측 설계에 대응하는 하나 이상의 계측 타겟 설계를 갖는 샘플의 하나 이상의 오버레이 측정치를 비교하는 것에 의해 하나 이상의 초점 에러가 결정된다. 예를 들면, 샘플의 하나 이상의 오버레이 측정치는, 하나 이상의 오버레이 측정치의 생성 동안 존재하는 하나 이상의 조명 조건 및/또는 초점 조건에 기초하여, 하나 이상의 캘리브레이션 곡선에 비교될 수도 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 오버레이 측정치는 제조 프로세스 내에서 존재할 수도 있는 하나 이상의 초점 에러를 나타내는 하나 이상의 신호로 변환될 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 하나 이상의 초점 에러에 기초하여 하나 이상의 초점 보정치가 제공될 수도 있다. 예를 들면, 하나 이상의 제조 도구(예를 들면, 리소그래피 도구, EUV 스캐너, 또는 등등)의 하나 이상의 파라미터(예를 들면, 제조 조건, 조명 조건, 제조 도구 구성, 및 등등)를 조정하기 위해 하나 이상의 제어 신호(또는 제어 신호에 대한 보정치)가 생성될 수도 있다. 제어 신호(또는 제어 신호에 대한 보정치)는 피드백 및/또는 피드포워드 제어 루프의 일부로서 (예를 들면, 컨트롤러(204)에 의해) 제공될 수도 있다. 컨트롤러(204)는 하나 이상의 프로세스 도구로 하여금 하나 이상의 제어 신호(또는 제어 신호에 대한 보정치)에 기초하여 하나 이상의 제조 도구의 하나 이상의 파라미터에 대한 하나 이상의 조정을 실행하게 할 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 컨트롤러(204)는 하나 이상의 조정을 행할 것을 유저에게 경고할 수도 있다. 이러한 의미에서, 하나 이상의 제어 신호는 하나 이상의 프로세스 도구의 하나 이상의 제조 프로세스의 에러를 보상할 수도 있고, 따라서 하나 이상의 프로세스 도구가 동일한 또는 상이한 로트(lot) 내의 후속하는 샘플에 대한 다수의 노출에 걸쳐 선택된 공차 내에서 오버레이를 유지하는 것을 가능하게 할 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 머신 러닝 분류기(machine learning classifier)를 생성하는 것 및 머신 러닝 분류기에 하나 이상의 오버레이 측정치를 제공하는 것에 의해, 단계(606)에서, 하나 이상의 초점 에러가 결정될 수도 있는데, 여기서 머신 러닝 분류기는 하나 이상의 초점 에러를 결정하도록 구성된다는 것을 유의한다. 머신 러닝 분류기는, 랜덤 포레스트 분류기(random forest classifier), 서포트 벡터 머신(support vector machine; SVM) 분류기, 앙상블 학습 분류기(ensemble learning classifier), 인공 신경망(artificial neural network; ANN), 및 등등을 포함하는, 그러나 이들로 제한되지는 않는, 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 타입의 머신 러닝 알고리즘/분류기 및/또는 딥 러닝 기술 또는 분류기를 포함할 수도 있다. 다른 예로서, 머신 러닝 분류기는 딥(deep) 컨볼루션 신경망(convolutional neural network; CNN)을 포함할 수도 있다. 예를 들면, 몇몇 실시형태에서, 머신 러닝 분류기는 ALEXNET 및/또는 GOOGLENET를 포함할 수도 있다. 이와 관련하여, 머신 러닝 분류기는 하나 이상의 초점 에러를 결정하도록 구성되는 임의의 알고리즘, 분류기, 또는 예측 모델을 포함할 수도 있다.

하나 이상의 제조 시뮬레이션 및 하나 이상의 캘리브레이션 시뮬레이션이 다양한 조명 및/또는 초점 조건에 대해 수행될 수도 있다는 것을 추가로 유의한다. 예를 들면, 하나 이상의 제조 시뮬레이션 및 하나 이상의 캘리브레이션 시뮬레이션은, 하나 이상의 프로세스 도구와 관련한 편차(예를 들면, 하나 이상의 프로세스 도구가 노후화됨에 따라 발생하는 드리프트)를 포함하는, 그러나 이들로 제한되지는 않는, 시스템(200)의 하나 이상의 프로세스 도구(예를 들면, 제조 도구(210))에서의 변동에 대응할 수도 있는 조명 및/또는 초점 조건을 사용하여 수행될 수도 있다.

도 7은, 본 개시의 하나 이상의 실시형태에 따른, 샘플의 오버레이를 측정하는 방법(700)의 단계를 묘사하는 프로세스 흐름도를 예시한다.

단계(702)에서, 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟(100)을 포함하는 샘플이 조명된다. 예를 들면, 하나 이상의 계측 도구(202)는 조명 빔을 샘플 상으로 지향시킬 수도 있다. 본원에서 사용될 때, 용어 "조명 빔"은, 광학 조명 빔을, 제한 없이, 포함하여, 임의의 방사 빔을 지칭할 수도 있다.

단계(704)에서, 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟(100)으로부터 방출되는 조명이 검출된다. 예를 들면, 광학 조명 빔이 검출될 수도 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 계측 도구(202)는 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟(100)의 하나 이상의 부분(예를 들면, 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b), 제1 타겟 구조물의 제2 세트(108a 및 108b), 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b), 제2 타겟 구조물의 제2 세트(110a 및 110b), 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b), 제3 타겟 구조물의 제2 세트(112a 및 112b), 및/또는 제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b))으로부터 방출되는 조명을 검출하도록 구성될 수도 있다.

단계(706)에서, 하나 이상의 오버레이 타겟(100)으로부터 방출되는 조명을 나타내는 하나 이상의 신호에 기초하여 하나 이상의 오버레이 측정치가 생성된다. 예를 들면, 컨트롤러(204)는 샘플의 하나 이상의 부분(예를 들면, 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b), 제1 타겟 구조물의 제2 세트(108a 및 108b), 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b), 제2 타겟 구조물의 제2 세트(110a 및 110b), 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b), 제3 타겟 구조물의 제2 세트(112a 및 112b), 및/또는 제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b))으로부터 방출되는 조명을 나타내는 하나 이상의 신호에 기초하여 샘플의 하나 이상의 오버레이 측정치를 생성하도록 구성될 수도 있다. 샘플의 하나 이상의 오버레이 측정치는 샘플의 하나 이상의 층의 오버레이 포지션에 대응할 수도 있다. 컨트롤러(204)는 하나 이상의 초점 오프셋 값을 사용하여 하나 이상의 보정되지 않은 오버레이 측정치(예를 들면, 적절한 및/또는 소망되는 초점에 관계없이 취해지는 오버레이 측정치)를 보정하는 것에 의해 하나 이상의 보정된 오버레이 측정치를 생성하도록 구성될 수도 있다. 이와 관련하여, 컨트롤러(204)는 하나 이상의 초점 오프셋 값에 기초하여 결정되는 하나 이상의 초점 보정치를 하나 이상의 계측 도구(202)의 하나 이상의 부분에 제공하도록 구성될 수도 있고, 하나 이상의 계측 도구(202)는 하나 이상의 초점 보정치에 기초한 보정된 초점을 사용하여 추가적인 계측 측정치를 생성하도록 구성될 수도 있다.

단계(708)에서, 샘플의 하나 이상의 오버레이 에러가 결정된다. 예를 들면, 컨트롤러(204)는 샘플의 하나 이상의 오버레이 측정치에 기초하여 샘플의 두 개 이상의 층 사이의 하나 이상의 오버레이 에러를 결정하도록 구성될 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 방법(700)은, 적어도 단계(708)에서 결정되는 하나 이상의 오버레이 에러에 기초하여 하나 이상의 오버레이 보정치가 제공되는 하나 이상의 추가적인 단계를 포함할 수도 있다. 예를 들면, 하나 이상의 추가적인 단계는, 컨트롤러(204)가 하나 이상의 프로세스 도구(예를 들면, 리소그래피 도구)의 하나 이상의 파라미터(예를 들면, 제조 설정, 구성, 및 등등)를 조정하기 위한 하나 이상의 제어 신호(또는 제어 신호에 대한 보정치)를 생성하는 것을 포함할 수도 있다. 제어 신호(또는 제어 신호에 대한 보정치)는 피드백 및/또는 피드포워드 제어 루프의 일부로서 컨트롤러(204)에 의해 제공될 수도 있다. 컨트롤러(204)는 하나 이상의 프로세스 도구로 하여금 하나 이상의 제어 신호(또는 제어 신호에 대한 보정치)에 기초하여 하나 이상의 프로세스 도구의 하나 이상의 파라미터에 대한 하나 이상의 조정을 실행하게 할 수도 있다. 몇몇 실시형태에서, 컨트롤러(204)는 하나 이상의 조정을 행할 것을 유저에게 경고할 수도 있다. 이러한 의미에서, 하나 이상의 제어 신호는 하나 이상의 프로세스 도구의 하나 이상의 제조 프로세스의 에러를 보상할 수도 있고, 따라서 하나 이상의 프로세스 도구가 동일한 또는 상이한 로트(lot) 내의 후속하는 샘플에 대한 다수의 노출에 걸쳐 선택된 공차 내에서 오버레이를 유지하는 것을 가능하게 할 수도 있다.

도 8은, 본 개시의 하나 이상의 실시형태에 따른, 초점 감응성 계측 타겟(100)을 형성하는 방법(800)의 단계를 예시하는 프로세스 흐름도를 예시한다.

단계(802)에서, 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b)가 샘플의 하나 이상의 층 상에서 형성된다. 예를 들면, 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b)는 샘플의 하나 이상의 층 상에서 y 방향을 따라 형성될 수도 있는데, 여기서 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b)는 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103a 및 103b)를 포함할 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103a 및 103b)는 적어도 하나의 측정 방향(예를 들면, y 방향)을 따르는 오버레이 측정을 위해 구성될 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103a 및 103b)는 본 개시에 의해 고려되는 목적에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 계측 모드와 호환될 수도 있다. 예를 들면, 하나 이상의 제1 패턴 엘리먼트(103a 및 103b)는 회절 기반의 계측 모드(예를 들면, 산란 측정법 기반의 오버레이(SCOL) 계측 모드)와 호환될 수도 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 제1 패턴 엘리먼트(103a 및 103b)는 회절 기반의 계측 방법을 사용하는 계측을 위해 주기적 및/또는 세그먼트화된 구조물(예를 들면, 격자 위 격자 구조물, 또는 조명 빔의 회절, 산란 및/또는 반사에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 구조물)을 포함하도록 구성될 수도 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 제1 패턴 엘리먼트(103a 및 103b)는, 고급 이미징 계측(AIM) 모드, 박스-인-박스 계측 모드, 또는 오버레이 신호(예를 들면, 상이한 샘플 층 상에 위치하는 초점 감응성 계측 타겟 피쳐의 이미지)를 캡쳐하는 데 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 계측 모드를, 제한 없이, 포함하여, 임의의 이미지 기반의 오버레이 계측 모드와 호환될 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103a 및 103b)는, 하나 이상의 리소그래피 단계, 하나 이상의 직접 에칭 단계, 또는 등등을, 제한 없이, 포함하여, 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 수단에 의해 형성되는 임의의 일차원 또는 이차원 구조물을 포함할 수도 있다는 것을 유의한다. 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b) 및/또는 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103a 및 103b)는, 정사각형 형상, 둥근 형상, 마름모와 같은 형상, 또는 별과 같은 형상을, 제한 없이, 포함하여, 임의의 형상으로 형성될 수도 있다. 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b)는, 하나 이상의 퇴적, 리소그래피, 또는 에칭 단계와 같은, 그러나 이들로 제한되지는 않는, 하나 이상의 프로세스 단계를 통해, 그리고 하나 이상의 프로세스 도구(예를 들면, 리소그래피 도구)의 사용을 통해 제조될 수도 있다.

단계(804)에서, 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b)가 샘플의 하나 이상의 층 상에서 형성된다. 예를 들면, 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b)는 샘플의 하나 이상의 층 상에서 y 방향을 따라 형성될 수도 있는데, 여기서 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b)는 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105a 및 105b)를 포함할 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105a 및 105b)는 적어도 하나의 측정 방향(예를 들면, y 방향)을 따르는 오버레이 측정을 위해 구성되는 도구일 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105a 및 105b)는 본 개시에 의해 고려되는 목적에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 계측 모드와 호환될 수도 있다. 예를 들면, 하나 이상의 제2 패턴 엘리먼트(105a 및 105b)는 회절 기반의 계측 모드(예를 들면, 산란 측정법 기반의 오버레이(SCOL) 계측 모드)와 호환될 수도 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 제2 패턴 엘리먼트(105a 및 105b)는 회절 기반의 계측 방법을 사용하는 계측을 위해 주기적 및/또는 세그먼트화된 구조물(예를 들면, 격자 위 격자 구조물, 또는 조명 빔의 회절, 산란 및/또는 반사에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 구조물)을 포함하도록 구성될 수도 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 제2 패턴 엘리먼트(105a 및 105b)는, 고급 이미징 계측(AIM) 모드, 박스-인-박스 계측 모드, 또는 오버레이 신호(예를 들면, 상이한 샘플 층 상에 위치하는 초점 감응성 계측 타겟 피쳐의 이미지)를 캡쳐하는 데 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 계측 모드를, 제한 없이, 포함하여, 임의의 이미지 기반의 오버레이 계측 모드와 호환될 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105a 및 105b)는, 하나 이상의 리소그래피 단계, 하나 이상의 직접 에칭 단계, 또는 등등을, 제한 없이, 포함하여, 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 수단에 의해 형성되는 임의의 일차원 또는 이차원 구조물을 포함할 수도 있다는 것을 유의한다. 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b) 및/또는 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105a 및 105b)는 정사각형 형상, 둥근 형상, 마름모와 같은 형상, 또는 별과 같은 형상을, 제한 없이, 포함하여, 임의의 형상으로 형성될 수도 있다. 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b)는, 하나 이상의 퇴적, 리소그래피, 또는 에칭 단계와 같은, 그러나 이들로 제한되지는 않는, 하나 이상의 프로세스 단계를 통해, 그리고 하나 이상의 프로세스 도구(예를 들면, 리소그래피 도구)의 사용을 통해 제조될 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 방법(800)은 단계(806)를 포함할 수도 있는데, 여기서 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b)가 샘플의 하나 이상의 층 상에서 형성된다. 예를 들면, 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b)는 샘플의 하나 이상의 층 상에서 y 방향을 따라 형성될 수도 있는데, 여기서 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b)는 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트(107a 및 107b)를 포함할 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트(107a 및 107b)는 적어도 하나의 측정 방향(예를 들면, y 방향)을 따르는 오버레이 측정을 위해 구성될 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트(107a 및 107b)는 본 개시에 의해 고려되는 목적에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 계측 모드와 호환될 수도 있다. 예를 들면, 하나 이상의 제3 패턴 엘리먼트(107a 및 107b)는 회절 기반의 계측 모드(예를 들면, 산란 측정법 기반의 오버레이(SCOL) 계측 모드)와 호환될 수도 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 제3 패턴 엘리먼트(107a 및 107b)는 회절 기반의 계측 방법을 사용하는 계측을 위해 주기적 및/또는 세그먼트화된 구조물(예를 들면, 격자 위 격자 구조물, 또는 조명 빔의 회절, 산란 및/또는 반사에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 구조물)을 포함하도록 구성될 수도 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 제3 패턴 엘리먼트(107a 및 107b)는, 고급 이미징 계측(AIM) 모드, 박스-인-박스 계측 모드, 또는 오버레이 신호(예를 들면, 상이한 샘플 층 상에 위치하는 초점 감응성 계측 타겟 피쳐의 이미지)를 캡쳐하는 데 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 계측 모드를, 제한 없이, 포함하여, 임의의 이미지 기반의 오버레이 계측 모드와 호환될 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트(107a 및 107b)는, 하나 이상의 리소그래피 단계, 하나 이상의 직접 에칭 단계, 또는 등등을, 제한 없이, 포함하여, 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 수단에 의해 형성되는 임의의 일차원 또는 이차원 구조물을 포함할 수도 있다는 것을 유의한다. 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b) 및/또는 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트(107a 및 107b)는 정사각형 형상, 둥근 형상, 마름모와 같은 형상, 또는 별과 같은 형상을, 제한 없이, 포함하여, 임의의 형상으로 형성될 수도 있다. 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b)는, 하나 이상의 퇴적, 리소그래피, 또는 에칭 단계와 같은, 그러나 이들로 제한되지는 않는, 하나 이상의 프로세스 단계를 통해, 그리고 하나 이상의 프로세스 도구(예를 들면, 리소그래피 도구)의 사용을 통해 제조될 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 방법(800)은 단계(808)를 포함할 수도 있는데, 여기서 제1 타겟 구조물의 제2 세트(108a 및 108b)가 샘플의 하나 이상의 층 상에서 형성된다. 예를 들면, 제1 타겟 구조물의 제2 세트(108a 및 108b)는 샘플의 하나 이상의 층 상에서 x 방향을 따라 형성될 수도 있는데, 여기서 제1 타겟 구조물의 제2 세트(108a 및 108b)는 제1 피치, 제2 피치, 또는 제3 피치를 갖는 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103c 및 103d)를 포함할 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103c 및 103d)는 적어도 하나의 측정 방향(예를 들면, x 방향)을 따르는 오버레이 측정을 위해 구성될 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103c 및 103d)는 본 개시에 의해 고려되는 목적에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 계측 모드와 호환될 수도 있다. 예를 들면, 하나 이상의 제1 패턴 엘리먼트(103)는 회절 기반의 계측 모드(예를 들면, 산란 측정법 기반의 오버레이(SCOL) 계측 모드)와 호환될 수도 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 제1 패턴 엘리먼트(103c 및 103d)는 회절 기반의 계측 방법을 사용하는 계측을 위해 주기적 및/또는 세그먼트화된 구조물(예를 들면, 격자 위 격자 구조물, 또는 조명 빔의 회절, 산란 및/또는 반사에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 구조물)을 포함하도록 구성될 수도 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 제1 패턴 엘리먼트(103c 및 103d)는, 고급 이미징 계측(AIM) 모드, 박스-인-박스 계측 모드, 또는 오버레이 신호(예를 들면, 상이한 샘플 층 상에 위치하는 초점 감응성 계측 타겟 피쳐의 이미지)를 캡쳐하는 데 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 계측 모드를, 제한 없이, 포함하여, 임의의 이미지 기반의 오버레이 계측 모드와 호환될 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103c 및 103d)는, 하나 이상의 리소그래피 단계, 하나 이상의 직접 에칭 단계, 또는 등등을, 제한 없이, 포함하여, 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 수단에 의해 형성되는 임의의 일차원 또는 이차원 구조물을 포함할 수도 있다는 것을 유의한다. 제1 타겟 구조물의 제2 세트(108a 및 108b) 및/또는 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트(103c 및 103d)는 정사각형 형상, 둥근 형상, 마름모와 같은 형상, 또는 별과 같은 형상을, 제한 없이, 포함하여, 임의의 형상으로 형성될 수도 있다. 제1 타겟 구조물의 제2 세트(108a 및 108b)는, 하나 이상의 퇴적, 리소그래피, 또는 에칭 단계와 같은, 그러나 이들로 제한되지는 않는, 하나 이상의 프로세스 단계를 통해, 그리고 하나 이상의 프로세스 도구(예를 들면, 리소그래피 도구)의 사용을 통해 제조될 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 방법(800)은 단계(810)를 포함하는데, 여기서 제2 타겟 구조물의 제2 세트(110a 및 110b)가 샘플의 하나 이상의 층 상에서 형성된다. 예를 들면, 제2 타겟 구조물의 제2 세트(110a 및 110b)는 샘플의 하나 이상의 층 상에서 x 방향을 따라 형성될 수도 있는데, 여기서 제2 타겟 구조물의 제2 세트(110a 및 110b)는 제1 피치, 제2 피치, 또는 제3 피치를 갖는 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105c 및 105d)를 포함할 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105c 및 105d)는 적어도 하나의 측정 방향(예를 들면, x 방향)을 따르는 오버레이 측정을 위해 구성될 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105c 및 105d)는 본 개시에 의해 고려되는 목적에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 계측 모드와 호환될 수도 있다. 예를 들면, 하나 이상의 제2 패턴 엘리먼트(105c 및 105d)는 회절 기반의 계측 모드(예를 들면, 산란 측정법 기반의 오버레이(SCOL) 계측 모드)와 호환될 수도 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 제2 패턴 엘리먼트(105c 및 105d)는 회절 기반의 계측 방법을 사용하는 계측을 위해 주기적 및/또는 세그먼트화된 구조물(예를 들면, 격자 위 격자 구조물, 또는 조명 빔의 회절, 산란 및/또는 반사에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 구조물)을 포함하도록 구성될 수도 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 제2 패턴 엘리먼트(105c 및 105d)는, 고급 이미징 계측(AIM) 모드, 박스-인-박스 계측 모드, 또는 오버레이 신호(예를 들면, 상이한 샘플 층 상에 위치하는 초점 감응성 계측 타겟 피쳐의 이미지)를 캡쳐하는 데 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 계측 모드를, 제한 없이, 포함하여, 임의의 이미지 기반의 오버레이 계측 모드와 호환될 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105c 및 105d)는, 하나 이상의 리소그래피 단계, 하나 이상의 직접 에칭 단계, 또는 등등을, 제한 없이, 포함하여, 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 수단에 의해 형성되는 임의의 일차원 또는 이차원 구조물을 포함할 수도 있다는 것을 유의한다. 제2 타겟 구조물의 제2 세트(110a 및 110b) 및/또는 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트(105c 및 105d)는 정사각형 형상, 둥근 형상, 마름모와 같은 형상, 또는 별과 같은 형상을, 제한 없이, 포함하여, 임의의 형상으로 형성될 수도 있다. 제2 타겟 구조물의 제2 세트(110a 및 110b)는, 하나 이상의 퇴적, 리소그래피, 또는 에칭 단계와 같은, 그러나 이들로 제한되지는 않는, 하나 이상의 프로세스 단계를 통해, 그리고 하나 이상의 프로세스 도구(예를 들면, 리소그래피 도구)의 사용을 통해 제조될 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 방법(800)은 단계(812)를 포함하는데, 여기서 제3 타겟 구조물의 제2 세트(112a 및 112b)가 샘플의 하나 이상의 층 상에서 형성된다. 예를 들면, 제3 타겟 구조물의 제2 세트(112a 및 112b)는 샘플의 하나 이상의 층 상에서 x 방향을 따라 형성될 수도 있는데, 여기서 제3 타겟 구조물의 제2 세트(112a 및 112b)는 제1 피치, 제2 피치, 또는 제3 피치를 갖는 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트(107c 및 107d)를 포함할 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트(107c 및 107d)는 적어도 하나의 측정 방향(예를 들면, x 방향)을 따르는 오버레이 측정을 위해 구성될 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트(107c 및 107d)는 본 개시에 의해 고려되는 목적에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 계측 모드와 호환될 수도 있다. 예를 들면, 하나 이상의 제3 패턴 엘리먼트(107c 및 107d)는 회절 기반의 계측 모드(예를 들면, 산란 측정법 기반의 오버레이(SCOL) 계측 모드)와 호환될 수도 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 제3 패턴 엘리먼트(107c 및 107d)는 회절 기반의 계측 방법을 사용하는 계측을 위해 주기적 및/또는 세그먼트화된 구조물(예를 들면, 격자 위 격자 구조물, 또는 조명 빔의 회절, 산란 및/또는 반사에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 구조물)을 포함하도록 구성될 수도 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 제3 패턴 엘리먼트(107c 및 107d)는, 고급 이미징 계측(AIM) 모드, 박스-인-박스 계측 모드, 또는 오버레이 신호(예를 들면, 상이한 샘플 층 상에 위치하는 초점 감응성 계측 타겟 피쳐의 이미지)를 캡쳐하는 데 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 계측 모드를, 제한 없이, 포함하여, 임의의 이미지 기반의 오버레이 계측 모드와 호환될 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트(107c 및 107d)는, 하나 이상의 리소그래피 단계, 하나 이상의 직접 에칭 단계, 또는 등등을, 제한 없이, 포함하여, 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 수단에 의해 형성되는 임의의 일차원 또는 이차원 구조물을 포함할 수도 있다는 것을 유의한다. 제3 타겟 구조물의 제2 세트(112a 및 112b) 및/또는 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트(107c 및 107d)는 정사각형 형상, 둥근 형상, 마름모와 같은 형상, 또는 별과 같은 형상을, 제한 없이, 포함하여, 임의의 형상으로 형성될 수도 있다. 제3 타겟 구조물의 제2 세트(112a 및 112b)는, 하나 이상의 퇴적, 리소그래피, 또는 에칭 단계와 같은, 그러나 이들로 제한되지는 않는, 하나 이상의 프로세스 단계를 통해, 그리고 하나 이상의 프로세스 도구(예를 들면, 리소그래피 도구)의 사용을 통해 제조될 수도 있다.

몇몇 실시형태에서, 방법(800)은 단계(814)를 포함하는데, 여기서 제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b)가 샘플의 하나 이상의 층 상에서 형성된다. 예를 들면, 제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b)는 샘플의 하나 이상의 층 상에서 y 방향을 따라 형성될 수도 있는데, 여기서 제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b)는 모아레 패턴을 갖는 복수의 세그먼트화된 제4 패턴 엘리먼트(116a 및 116b)를 포함할 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제4 패턴 엘리먼트(116a 및 116b)는 적어도 하나의 측정 방향(예를 들면, y 방향)을 따르는 오버레이 측정을 위해 구성될 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제4 패턴 엘리먼트(116a 및 116b)는 본 개시에 의해 고려되는 목적에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 계측 모드와 호환될 수도 있다. 예를 들면, 하나 이상의 제4 패턴 엘리먼트(116a 및 116b)는 회절 기반의 계측 모드(예를 들면, 산란 측정법 기반의 오버레이(SCOL) 계측 모드)와 호환될 수도 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 제4 패턴 엘리먼트(116a 및 116b)는 회절 기반의 계측 방법을 사용하는 계측을 위해 주기적 및/또는 세그먼트화된 구조물(예를 들면, 격자 위 격자 구조물, 또는 조명 빔의 회절, 산란 및/또는 반사에 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 구조물)을 포함하도록 구성될 수도 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 제4 패턴 엘리먼트(116a 및 116b)는, 고급 이미징 계측(AIM) 모드, 박스-인-박스 계측 모드, 또는 오버레이 신호(예를 들면, 상이한 샘플 층 상에 위치하는 초점 감응성 계측 타겟 피쳐의 이미지)를 캡쳐하는 데 적합한 것으로 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 계측 모드를, 제한 없이, 포함하여, 임의의 이미지 기반의 오버레이 계측 모드와 호환될 수도 있다. 복수의 세그먼트화된 제4 패턴 엘리먼트(116a 및 116b)는, 하나 이상의 리소그래피 단계, 하나 이상의 직접 에칭 단계, 또는 등등을, 제한 없이, 포함하여, 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 수단에 의해 형성되는 임의의 일차원 또는 이차원 구조물을 포함할 수도 있다는 것을 유의한다. 제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b) 및/또는 복수의 세그먼트화된 제4 패턴 엘리먼트(116a 및 116b)는 정사각형 형상, 둥근 형상, 마름모와 같은 형상, 또는 별과 같은 형상을, 제한 없이, 포함하여, 임의의 형상으로 형성될 수도 있다. 제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b)는 초점 감응성 계측 타겟(100)이 더욱 정확한 오버레이 계측 측정을 위해 사용되는 것을 허용할 수도 있다는 것을 또한 유의한다. 예를 들면, 제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b)를 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b), 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b), 및/또는 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a 및 106b)와 함께 포함하는 것은, 제1 타겟 구조물의 제1 세트(102a 및 102b), 제2 타겟 구조물의 제1 세트(104a 및 104b), 제3 타겟 구조물의 제1 세트(106a), 및/또는 제4 타겟 구조물의 제1 세트(115a 및 115b)로부터 방출되는 하나 이상의 신호에 기초하여 추가적인 계측 측정을 허용할 수도 있다.

본원에서 설명되는 모든 방법은 방법 실시형태의 하나 이상의 단계의 결과를 메모리에 저장하는 것을 포함할 수도 있다. 결과는 본원에서 설명되는 결과 중 임의의 것을 포함할 수도 있고 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 방식으로 저장될 수도 있다. 메모리는 본원에서 설명되는 임의의 메모리 또는 기술 분야에서 공지되어 있는 임의의 다른 적절한 저장 매체를 포함할 수도 있다. 결과가 저장된 이후, 결과는 메모리에서 액세스될 수 있고, 본원에서 설명되는 방법 또는 시스템 실시형태 중 임의의 것에 의해 사용될 수 있고, 유저에 대한 디스플레이를 위해 포맷될 수 있고, 다른 소프트웨어 모듈, 방법, 또는 시스템에 의해 사용될 수 있고, 및 등등일 수 있다. 더구나, 결과는 "영구적으로", "반영구적으로", "일시적으로", 또는 어떤 시간의 기간 동안 저장될 수도 있다. 예를 들면, 메모리는 랜덤 액세스 메모리(RAM)일 수도 있고, 결과는 메모리에서 반드시 무한하게 지속할 필요는 없을 수도 있다.

상기에서 설명되는 방법의 실시형태의 각각은, 본원에서 설명되는 임의의 다른 방법(들)의 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수도 있다는 것이 또한 고려된다. 또한, 상기 설명되는 방법의 실시형태의 각각은, 본원에서 설명되는 시스템 중 임의의 것에 의해 수행될 수도 있다.

기술 분야에서 숙련된 자는, 본원에서 설명되는 컴포넌트, 동작, 디바이스, 및 오브젝트, 및 그들에 수반하는 논의가 개념적 명확화를 위한 예로서 사용된다는 것 및 다양한 구성 수정이 고려된다는 것을 인식할 것이다. 결과적으로, 본원에서 사용되는 바와 같이, 기술되는 특정한 예 및 수반되는 논의는, 그들의 더욱 일반적인 클래스를 대표하도록 의도된다. 일반적으로, 임의의 특정한 예의 사용은, 그 클래스를 대표하도록 의도되며, 특정한 컴포넌트, 동작, 디바이스 및 오브젝트의 비포함은, 제한으로서 간주되지 않아야 한다.

본원에서 사용되는 바와 같이, 방향성 용어 예컨대 "상단(top)", "저부(bottom)", "위(over)", "아래(under)", "상부(upper)", "상방(upward)", "하부(lower)", "아래쪽(down)" 및 "하방(downward)"은, 설명의 목적을 위한 상대적 포지션을 제공하도록 의도된 것이며, 참조의 절대적인 프레임을 지정하도록 의도되지는 않는다. 설명된 실시형태에 대한 다양한 수정이 기술 분야의 숙련된 자에게 명백할 것이며, 본원에서 정의되는 일반적인 원리는 다른 실시형태에 적용될 수도 있다.

본원에서의 실질적으로 임의의 복수의 및/또는 단수의 용어의 사용과 관련하여, 기술 분야에서 기술을 가진 자는, 맥락 및/또는 애플리케이션에 적절하다면, 복수로부터 단수로 및/또는 단수로부터 복수로 변환할 수 있다. 다양한 단수의/복수의 조합은 명확화를 위해 본원에서 명시적으로 기술되지 않는다.

본원에서 설명되는 주제는, 때때로, 다른 컴포넌트 내에 포함되는, 또는 다른 컴포넌트와 연결되는 상이한 다른 컴포넌트를 예시한다. 그렇게 묘사된 아키텍쳐는 단순히 예시적인 것이다는 것, 및, 사실은, 동일한 기능성(functionality)을 달성하는 많은 다른 아키텍쳐가 구현될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 개념적인 의미에서, 동일한 기능성을 달성하기 위한 컴포넌트의 임의의 배열은, 소망하는 기능성이 달성되도록, 유효하게 "관련"된다. 그러므로, 특정한 기능성을 달성하기 위해 본원에서 결합되는 임의의 두 컴포넌트는, 아키텍쳐 또는 중간 컴포넌트에 관계없이, 소망하는 기능성이 달성되도록, 서로 "관련되는" 것으로 보일 수 있다. 마찬가지로, 그렇게 관련되는 임의의 두 개의 컴포넌트는 또한, 소망되는 기능성을 달성하도록 서로 "연결되는" 또는 "커플링되는" 것으로도 보일 수 있으며, 그렇게 관련될 수 있는 임의의 두 개의 컴포넌트는 또한, 소망되는 기능성을 달성하도록 서로 "커플링 가능한" 것으로 보일 수 있다. 커플링 가능한 특정 예는, 물리적으로 짝지을 수 있는 및/또는 물리적으로 상호 작용하는 컴포넌트 및/또는 무선으로 상호 작용 가능한 및/또는 무선으로 상호 작용하는 컴포넌트 및/또는 논리적으로 상호 작용하는 및/또는 논리적으로 상호 작용 가능한 컴포넌트를 포함하지만 그러나 이들로 제한되는 것은 아니다.

더구나, 첨부된 청구범위에 의해 본 발명이 정의된다는 것이 이해되어야 한다. 일반적으로, 본원에서, 그리고 특히 첨부된 청구범위(예를 들면, 첨부된 청구범위의 특징부(body))에서 사용되는 용어는 "열린" 용어로서 일반적으로 의도된다는 것이 기술 분야 내의 사람들에 의해 이해될 것이다(예를 들면, 용어 "포함하는"은 "~을 포함하지만 그러나 ~에 제한되지는 않는"으로 해석되어야 하고, 용어 "구비하는"은 "적어도 구비하는"으로 해석되어야 하고, 용어 "포함한다"는 "~을 포함하지만 그러나 ~에 제한되지는 않는"으로 해석되어야 하고, 및 등등이다). 특정한 수의 도입된 청구항 기재(introduced claim recitation)가 의도되는 경우, 그러한 의도는 청구항에서 명시적으로 언급될 것이며, 그러한 기재가 없는 경우 그러한 의도가 존재하지 않는다는 것이 기술 분야의 사람들에 의해 더 이해될 것이다. 예를 들면, 이해에 대한 보조로서, 하기의 첨부된 청구범위는, 청구항 기재를 도입하기 위해 도입 어구(introductory phrase) "적어도 하나" 및 "하나 이상"의 사용을 포함할 수도 있다. 그러나, 그러한 어구의 사용은, 부정 관사 "a(한)" 또는 "an(한)"에 의한 청구항의 기재의 도입이 그렇게 도입된 청구항 기재를 포함하는 임의의 특정한 청구항을, 심지어 동일한 청구항이 도입 어구 "하나 이상의" 또는 "적어도 하나의" 및 "a(한)" 또는 "an(한)"과 같은 부정 관사를 포함하는 경우에도, 단지 하나의 그러한 기재를 포함하는 발명으로 제한한다는 것을 암시하도록 해석되어서는 안된다(예를 들면, "a(한)" 및/또는 "한(an)"은 "적어도 하나" 또는 "하나 이상"을 의미하는 것으로 통상적으로 해석되어야 한다); 청구항 기재를 도입하기 위해 사용되는 정관사의 사용에 대해서도 마찬가지이다. 또한, 비록 도입된 청구항 기재의 특정한 수가 명시적으로 기재되더라도, 그러한 기재는 적어도 기재된 수를 의미하도록 통상적으로 해석되어야 한다는 것을 기술 분야의 숙련된 자는 인식할 것이다(예를 들면, 다른 수식어 없이 "두 개의 기재"의 순수한 기재는, 적어도 두 개의 기재, 또는 둘 이상의 기재를 통상적으로 의미한다. 더구나, "A, B, 및 C 중 적어도 하나, 및 등등"과 유사한 규약이 사용되는 그들 경우에서, 일반적으로, 그러한 구성은, 기술 분야의 숙련된 자가 그 규약을 이해할 것이라는 의미로 의도된다(예를 들면, "A, B, 및 C 중 적어도 하나를 갖는 시스템"은, A를 단독으로, B를 단독으로, C를 단독으로, A와 B를 함께, A와 C를 함께, B와 C를 함께, 및/또는 A, B 및 C를 함께, 및 등등을 갖는 시스템을 포함할 것이지만, 그러나 이들로 제한되지는 않을 것이다). "A, B, 또는 C 중 적어도 하나, 및 등등"과 유사한 규약이 사용되는 경우, 일반적으로, 그러한 구성은, 기술 분야의 숙련된 자가 그 규약을 이해할 것이라는 의미로 의도된다(예를 들면, "A, B, 또는 C 중 적어도 하나를 갖는 시스템"은, A를 단독으로, B를 단독으로, C를 단독으로, A와 B를 함께, A와 C를 함께, B와 C를 함께, 및/또는 A, B 및 C를 함께, 및 등등을 갖는 시스템을 포함할 것이지만, 그러나 이들로 제한되지는 않을 것이다). 두 개 이상의 대안적인 용어를 제시하는 사실상 임의의 이원적인 단어 및/또는 어구는, 설명에서든, 청구범위에서든, 또는 도면에서든 간에, 용어 중 하나, 용어 중 어느 하나, 또는 용어 둘 모두를 포함하는 가능성을 고려하도록 이해되어야 한다는 것이, 기술 분야 내의 사람들에 의해 또한 이해될 것이다. 예를 들면, 어구 "A 또는 B"는 "A" 또는 "B" 또는 "A 및 B"의 가능성을 포함하는 것으로 이해될 것이다.

본 개시 및 그 수반하는 이점 중 많은 것은 전술한 설명에 의해 이해될 것으로 믿어지며, 개시된 주제로부터 벗어나지 않으면서 또는 개시된 주제 중요한 이점의 전체를 희생하지 않으면서, 컴포넌트의 형태, 구성 및 배열에서 다양한 변경이 이루어질 수도 있다는 것이 명백할 것이다. 설명되는 형태는 단지 설명하는 것이며, 그러한 변경을 포괄하고 포함하는 것이 하기의 청구범위의 의도이다. 더구나, 첨부된 청구범위에 의해 본 발명이 정의된다는 것이 이해되어야 한다.

Claims

초점 감응성 계측 타겟(focus-sensitive metrology target)으로서,
샘플의 하나 이상의 층 상에서 y 방향을 따라 형성되는 제1 타겟 구조물의 제1 세트 - 상기 제1 타겟 구조물의 제1 세트는 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트를 포함함 -; 및
상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 y 방향을 따라 형성되는 제2 타겟 구조물의 제1 세트 - 상기 제2 타겟 구조물의 제1 세트는 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트를 포함함 - 를 포함하는, 초점 감응성 계측 타겟.
제1항에 있어서,
상기 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트 및 상기 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트 각각은 제1 피치 및 제2 피치, 중 적어도 하나를 갖는 복수의 패턴 엘리먼트를 포함하며, 상기 제1 피치는 하나 이상의 계측 도구의 하나 이상의 부분의 분해능보다 더 크고 상기 제2 피치는 상기 하나 이상의 계측 도구의 상기 하나 이상의 부분의 상기 분해능보다 더 작은, 초점 감응성 계측 타겟.
제1항에 있어서,
상기 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트 및 상기 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트 각각은 상기 샘플의 두 개의 층 상의 중첩하는 주기적 구조물들로부터 상기 y 방향을 따라 형성되는 모아레(
) 패턴을 포함하고, 상기 중첩하는 주기적 구조물들의 주기들은 상이한, 초점 감응성 계측 타겟.
제2항에 있어서,
상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 x 방향을 따라 형성되는 제1 타겟 구조물의 제2 세트 - 상기 제1 타겟 구조물의 제2 세트는 상기 제1 피치 및 상기 제2 피치, 중 적어도 하나를 갖는 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트를 포함함 -;
상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 상기 x 방향을 따라 형성되는 제2 타겟 구조물의 제2 세트 - 상기 제2 타겟 구조물의 제2 세트는 상기 제1 피치 및 상기 제2 피치, 중 적어도 하나를 갖는 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트를 포함함 -; 및
상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 상기 x 방향을 따라 형성되는 제3 타겟 구조물의 제2 세트를 더 포함하고, 상기 제3 타겟 구조물의 제2 세트는 상기 제1 피치, 상기 제2 피치, 및 제3 피치, 중 적어도 하나를 갖는 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트를 포함하는, 초점 감응성 계측 타겟.
제4항에 있어서,
상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 형성되는 제3 타겟 구조물의 제1 세트 - 상기 제3 타겟 구조물의 제1 세트는 상기 샘플의 두 개의 층 상의 중첩하는 주기적 구조물들로부터 상기 y 방향을 따라 형성되는 모아레 패턴을 포함하는 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트를 포함하고, 상기 중첩하는 주기적 구조물들의 주기들은 상이함 -; 및
상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 형성되는 제4 타겟 구조물의 제1 세트를 더 포함하고, 상기 제4 타겟 구조물의 제1 세트는 상기 샘플의 두 개의 층 상의 중첩하는 주기적 구조물들로부터 상기 y 방향을 따라 형성되는 모아레 패턴을 포함하는 복수의 세그먼트화된 제4 패턴 엘리먼트를 포함하고, 상기 중첩하는 주기적 구조물들의 주기들은 상이한, 초점 감응성 계측 타겟.
제2항에 있어서,
상기 하나 이상의 제조 도구는 극자외선(extreme ultraviolet; EUV) 스캐너 및 하나 이상의 리소그래피 도구, 중 적어도 하나를 포함하는, 초점 감응성 계측 타겟.
제1항에 있어서,
상기 샘플은 반도체 웨이퍼를 포함하는, 초점 감응성 계측 타겟.
시스템으로서,
하나 이상의 제조 도구에 통신 가능하게 커플링되는 하나 이상의 프로세서를 구비하는 하나 이상의 컨트롤러를 포함하며,
상기 하나 이상의 프로세서는 메모리에 유지되는 프로그램 명령어의 세트를 실행하도록 구성되고, 상기 프로그램 명령어의 세트는, 상기 하나 이상의 프로세서로 하여금:
하나 이상의 제조 도구의 하나 이상의 부분으로부터, 샘플의 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟의 제1 타겟 구조물의 제1 세트 및 제2 타겟 구조물의 제1 세트로부터 방출되는 조명을 나타내는 하나 이상의 신호를 수신하게 하고 - 상기 샘플의 상기 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟은: 샘플의 하나 이상의 층 상에서 y 방향을 따라 형성되는 제1 타겟 구조물의 제1 세트; 및 상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 y 방향을 따라 형성되는 제2 타겟 구조물의 제1 세트를 포함하고, 상기 제1 타겟 구조물의 제1 세트는 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트를 포함함 -;
상기 제1 타겟 구조물의 제1 세트 및 상기 제2 타겟 구조물의 제1 세트로부터 방출되는 조명을 나타내는 상기 하나 이상의 신호에 기초하여 하나 이상의 초점 오프셋 값을 결정하게 하고;
상기 하나 이상의 초점 오프셋 값에 기초한 하나 이상의 초점 보정치를 상기 하나 이상의 제조 도구의 하나 이상의 부분에 제공하게 하도록 구성되는, 시스템.
제8항에 있어서, 상기 하나 이상의 계측 도구는 적어도:
조명 소스;
상기 조명 소스로부터의 조명 빔을 상기 샘플의 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟의 하나 이상의 부분 상으로 지향시키도록 구성되는 하나 이상의 조명 광학기기(illumination optic); 및
상기 샘플의 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟의 상기 하나 이상의 부분으로부터 반사되는 조명을 수집하도록 구성되는 하나 이상의 투영 광학기기; 및
하나 이상의 검출기를 포함하는, 시스템.
제8항에 있어서,
상기 제1 타겟 구조물의 제1 세트 및 상기 제2 타겟 구조물의 제1 세트로부터 방출되는 조명을 나타내는 상기 하나 이상의 신호에 기초하여 하나 이상의 초점 오프셋 값을 결정하는 것은 조명을 나타내는 상기 하나 이상의 신호를 캘리브레이션 곡선을 사용하여 초점 오프셋 값으로 변환하는 것을 포함하는, 시스템.
제8항에 있어서,
상기 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트 및 상기 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트 각각은 제1 피치 및 제2 피치, 중 적어도 하나를 갖는 복수의 패턴 엘리먼트를 포함하며, 상기 제1 피치는 하나 이상의 계측 도구의 하나 이상의 부분의 분해능보다 더 크고 상기 제2 피치는 상기 하나 이상의 계측 도구의 상기 하나 이상의 부분의 상기 분해능보다 더 작은, 시스템.
제8항에 있어서,
상기 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트 및 상기 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트 각각은 상기 샘플의 두 개의 층 상의 중첩하는 주기적 구조물들로부터 상기 y 방향을 따라 형성되는 모아레 패턴을 포함하고, 상기 중첩하는 주기적 구조물들의 주기들은 상이한, 시스템.
제11항에 있어서, 상기 하나 이상의 오버레이 타겟은:
상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 x 방향을 따라 형성되는 제1 타겟 구조물의 제2 세트 - 상기 제1 타겟 구조물의 제2 세트는 상기 제1 피치 및 상기 제2 피치, 중 적어도 하나를 갖는 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트를 포함함 -;
상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 상기 x 방향을 따라 형성되는 제2 타겟 구조물의 제2 세트 - 상기 제2 타겟 구조물의 제2 세트는 상기 제1 피치 및 상기 제2 피치, 중 적어도 하나를 갖는 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트를 포함함 -; 및
상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 상기 x 방향을 따라 형성되는 제3 타겟 구조물의 제2 세트 - 상기 제3 타겟 구조물의 제2 세트는 상기 제1 피치, 상기 제2 피치, 및 제3 피치, 중 적어도 하나를 갖는 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트를 포함함 - 를 더 포함하는, 시스템.
제12항에 있어서, 상기 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟은:
상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 형성되는 제3 타겟 구조물의 제1 세트 - 상기 제3 타겟 구조물의 제1 세트는 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트를 포함하고, 상기 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트는 상기 샘플의 두 개의 층 상의 중첩하는 주기적 구조물들로부터 상기 y 방향을 따라 형성되는 모아레 패턴을 포함하고, 상기 중첩하는 주기적 구조물들의 주기들은 상이함 -; 및
상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 형성되는 제4 타겟 구조물의 제1 세트 - 상기 제4 타겟 구조물의 제1 세트는 복수의 세그먼트화된 제4 패턴 엘리먼트를 포함하고, 상기 복수의 세그먼트화된 제4 패턴 엘리먼트는 상기 샘플의 두 개의 층 상의 중첩하는 주기적 구조물들로부터 상기 y 방향을 따라 형성되는 모아레 패턴을 포함하고, 상기 중첩하는 주기적 구조물들의 주기들은 상이함 - 를 더 포함하는, 시스템.
제8항에 있어서,
상기 하나 이상의 제조 도구는 극자외선(EUV) 스캐너 및 하나 이상의 리소그래피 도구, 중 적어도 하나를 포함하는, 시스템.
제8항에 있어서,
상기 샘플은 반도체 웨이퍼를 포함하는, 시스템.
오버레이를 측정하는 방법으로서,
하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟을 갖는 샘플을 조명하는 단계;
하나 이상의 계측 모드에서, 상기 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟의 하나 이상의 부분으로부터 방출되는 조명을 나타내는 하나 이상의 신호를 검출하는 단계 - 상기 샘플의 상기 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟은 샘플의 하나 이상의 층 상에서 y 방향을 따라 형성되는 제1 타겟 구조물의 제1 세트; 및 상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 y 방향을 따라 형성되는 제2 타겟 구조물의 제1 세트를 포함하고, 상기 제1 타겟 구조물의 제1 세트는 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트를 포함함 -;
상기 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟의 하나 이상의 부분으로부터 방출되는 조명을 나타내는 상기 하나 이상의 신호에 기초하여 하나 이상의 오버레이 측정치를 생성하는 단계; 및
상기 하나 이상의 오버레이 측정치에 기초하여 상기 샘플의 두 개 이상의 층 사이의 오버레이 에러를 결정하는 단계를 포함하는, 방법.
제17항에 있어서,
상기 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트 및 상기 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트 각각은 제1 피치 및 제2 피치, 중 적어도 하나를 갖는 복수의 패턴 엘리먼트를 포함하며, 상기 제1 피치는 하나 이상의 계측 도구의 하나 이상의 부분의 분해능보다 더 크고 상기 제2 피치는 상기 하나 이상의 계측 도구의 상기 하나 이상의 부분의 상기 분해능보다 더 작은, 방법.
제17항에 있어서,
상기 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트 및 상기 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트 각각은 상기 샘플의 두 개의 층 상의 중첩하는 주기적 구조물들로부터 상기 y 방향을 따라 형성되는 모아레 패턴을 포함하고, 상기 중첩하는 주기적 구조물들의 주기들은 상이한, 방법.
제18항에 있어서, 상기 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟은:
상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 x 방향을 따라 형성되는 제1 타겟 구조물의 제2 세트 - 상기 제1 타겟 구조물의 제2 세트는 상기 제1 피치 및 상기 제2 피치, 중 적어도 하나를 갖는 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트를 포함함 -;
상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 상기 x 방향을 따라 형성되는 제2 타겟 구조물의 제2 세트 - 상기 제2 타겟 구조물의 제2 세트는 상기 제1 피치 및 상기 제2 피치, 중 적어도 하나를 갖는 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트를 포함함 -; 및
상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 상기 x 방향을 따라 형성되는 제3 타겟 구조물의 제2 세트를 더 포함하고, 상기 제3 타겟 구조물의 제2 세트는 상기 제1 피치, 상기 제2 피치, 및 제3 피치, 중 적어도 하나를 갖는 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트를 포함하는, 방법.
제19항에 있어서, 상기 하나 이상의 초점 감응성 계측 타겟은:
상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 형성되는 제3 타겟 구조물의 제1 세트 - 상기 제3 타겟 구조물의 제1 세트는 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트를 포함하고, 상기 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트는 상기 샘플의 두 개의 층 상의 중첩하는 주기적 구조물들로부터 상기 y 방향을 따라 형성되는 모아레 패턴을 포함하고, 상기 중첩하는 주기적 구조물들의 주기들은 상이함 -; 및
상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 형성되는 제4 타겟 구조물의 제1 세트를 더 포함하고, 상기 제4 타겟 구조물의 제1 세트는 복수의 세그먼트화된 제4 패턴 엘리먼트를 포함하고, 상기 복수의 세그먼트화된 제4 패턴 엘리먼트는 상기 샘플의 두 개의 층 상의 중첩하는 주기적 구조물들로부터 상기 y 방향을 따라 형성되는 모아레 패턴을 포함하고, 상기 중첩하는 주기적 구조물들의 주기들은 상이한, 방법.
제18항에 있어서,
상기 하나 이상의 제조 도구는 극자외선(EUV) 스캐너 및 하나 이상의 제조 도구, 중 적어도 하나를 포함하는, 방법.
제17항에 있어서,
상기 샘플은 반도체 웨이퍼를 포함하는, 방법.
초점 감응성 계측 타겟을 형성하는 방법으로서,
샘플의 하나 이상의 층 상에서 y 방향을 따라 제1 타겟 구조물의 제1 세트 - 상기 제1 타겟 구조물의 제1 세트는 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트를 포함함 - 를 형성하는 단계; 및
상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 y 방향을 따라 제2 타겟 구조물의 제1 세트 - 상기 제2 타겟 구조물의 제1 세트는 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트를 포함함 - 를 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
제24항에 있어서,
상기 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트 및 상기 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트 각각은 제1 피치 및 제2 피치, 중 적어도 하나를 갖는 복수의 패턴 엘리먼트를 포함하며, 상기 제1 피치는 하나 이상의 계측 도구의 하나 이상의 부분의 분해능보다 더 크고 상기 제2 피치는 상기 하나 이상의 계측 도구의 상기 하나 이상의 부분의 상기 분해능보다 더 작은, 방법.
제24항에 있어서,
상기 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트 및 상기 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트 각각은 상기 샘플의 두 개의 층 상의 중첩하는 주기적 구조물들로부터 상기 y 방향을 따라 형성되는 모아레 패턴을 포함하고, 상기 중첩하는 주기적 구조물들의 주기들은 상이한, 방법.
제25항에 있어서,
상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 x 방향을 따라 제1 타겟 구조물의 제2 세트를 형성하는 단계 - 상기 제1 타겟 구조물의 제2 세트는 상기 제1 피치 및 상기 제2 피치, 중 적어도 하나를 갖는 복수의 세그먼트화된 제1 패턴 엘리먼트를 포함함 -;
상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 상기 x 방향을 따라 제2 타겟 구조물의 제2 세트를 형성하는 단계 - 상기 제2 타겟 구조물의 제2 세트는 상기 제1 피치 및 상기 제2 피치, 중 적어도 하나를 갖는 복수의 세그먼트화된 제2 패턴 엘리먼트를 포함함 -; 및
상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 상기 x 방향을 따라 제3 타겟 구조물의 제2 세트를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제3 타겟 구조물의 제2 세트는 상기 제1 피치, 상기 제2 피치, 및 제3 피치, 중 적어도 하나를 갖는 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트를 포함하는, 방법.
제26항에 있어서,
상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 제3 타겟 구조물의 제1 세트를 형성하는 단계 - 상기 제3 타겟 구조물의 제1 세트는 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트를 포함하고, 상기 복수의 세그먼트화된 제3 패턴 엘리먼트는 상기 샘플의 두 개의 층 상의 중첩하는 주기적 구조물들로부터 상기 y 방향을 따라 형성되는 모아레 패턴을 포함하고, 상기 중첩하는 주기적 구조물들의 주기들은 상이함 -; 및
상기 샘플의 하나 이상의 층 상에서 제4 타겟 구조물의 제1 세트를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제4 타겟 구조물의 제1 세트는 복수의 세그먼트화된 제4 패턴 엘리먼트를 포함하고, 상기 복수의 세그먼트화된 제4 패턴 엘리먼트는 상기 샘플의 두 개의 층 상의 중첩하는 주기적 구조물들로부터 상기 y 방향을 따라 형성되는 모아레 패턴을 포함하고, 상기 중첩하는 주기적 구조물들의 주기들은 상이한, 방법.
제24항에 있어서,
상기 샘플은 반도체 웨이퍼를 포함하는, 방법.