JPWO2021165308A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2021165308A5 JPWO2021165308A5 JP2022549907A JP2022549907A JPWO2021165308A5 JP WO2021165308 A5 JPWO2021165308 A5 JP WO2021165308A5 JP 2022549907 A JP2022549907 A JP 2022549907A JP 2022549907 A JP2022549907 A JP 2022549907A JP WO2021165308 A5 JPWO2021165308 A5 JP WO2021165308A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- substrate
- medium
- chemical
- treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Claims (7)
- 少なくとも1つの有効化学物質を含有する処理媒体を用いて基板を処理する方法であって、前記処理媒体が加熱されており、前記少なくとも1つの化学物質、特に、高温、特に処理温度、になると崩壊の危険性がある化学物質、を含有する前記処理媒体を、前記処理媒体を前記基板上に塗布する直前に、前記処理温度にまで加熱し、かつ、前記処理媒体が前記基板上に当たる時点での前記媒体の温度が前記処理温度の範囲内にあることを特徴とする、方法。
- 前記基板の前記処理が、前記基板からの少なくとも1つの層の選択的除去を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記処理が、少なくとも1つのマスキング層、例えば窒化チタンからなるマスキング層の除去を含むことを特徴とする、請求項2に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの化学物質を水又は有機溶媒中に含有する処理媒体を使用することを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの化学物質及び前記溶媒に加えて、無機若しくは有機酸、又は無機若しくは有機塩基を含有する処理媒体を使用することを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載の方法。
- 窒化チタン層を除去するために、化学物質として過酸化水素(H2O2)を含有する処理媒体を使用することを特徴とする、請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。
- 腐食防止剤を含有する処理媒体を使用することを特徴とする、請求項1~6のいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
ATGM21/2020U AT16977U3 (de) | 2020-02-20 | 2020-02-20 | Verfahren zum Behandeln von Substraten mit Chemikalien |
ATGM21/2020 | 2020-02-20 | ||
PCT/EP2021/053867 WO2021165308A1 (de) | 2020-02-20 | 2021-02-17 | Verfahren zum behandeln von substraten mit chemikalien |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023519493A JP2023519493A (ja) | 2023-05-11 |
JPWO2021165308A5 true JPWO2021165308A5 (ja) | 2023-10-02 |
Family
ID=74125756
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022549907A Pending JP2023519493A (ja) | 2020-02-20 | 2021-02-17 | 化学物質を用いた基板処理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP4122006A1 (ja) |
JP (1) | JP2023519493A (ja) |
AT (1) | AT16977U3 (ja) |
WO (1) | WO2021165308A1 (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6558879B1 (en) * | 2000-09-25 | 2003-05-06 | Ashland Inc. | Photoresist stripper/cleaner compositions containing aromatic acid inhibitors |
DE102009060931A1 (de) * | 2009-12-23 | 2011-06-30 | Gebr. Schmid GmbH & Co., 72250 | Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Siliziumsubstraten |
AT515147B1 (de) | 2013-12-09 | 2016-10-15 | 4Tex Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Gegenständen mit einer Flüssigkeit |
US9831100B2 (en) * | 2014-06-24 | 2017-11-28 | Intermolecular, Inc. | Solution based etching of titanium carbide and titanium nitride structures |
US10283384B2 (en) * | 2015-04-27 | 2019-05-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for etching etch layer and wafer etching apparatus |
WO2017034057A1 (ko) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | 주식회사 제우스 | 기판처리장치와 기판처리방법 |
DE102018206978A1 (de) * | 2018-01-26 | 2019-08-01 | Singulus Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von geätzten Oberflächen eines Halbleitersubstrats unter Verwendung von ozonhaltigem Medium |
-
2020
- 2020-02-20 AT ATGM21/2020U patent/AT16977U3/de unknown
-
2021
- 2021-02-17 JP JP2022549907A patent/JP2023519493A/ja active Pending
- 2021-02-17 WO PCT/EP2021/053867 patent/WO2021165308A1/de unknown
- 2021-02-17 EP EP21707631.4A patent/EP4122006A1/de active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5861064A (en) | Process for enhanced photoresist removal in conjunction with various methods and chemistries | |
JP2020522882A5 (ja) | ||
JP2019510379A5 (ja) | ||
JP2002038283A5 (ja) | ||
KR980700798A (ko) | 구리 코팅(copper coating) | |
JP2006192426A (ja) | マスク洗浄方法 | |
JP2018527463A5 (ja) | ||
JP2731730B2 (ja) | フォトレジストの除去方法 | |
TWI327606B (en) | Methods and removers for removing anodized films | |
CN107346095A (zh) | 一种半导体制程正性光刻胶去胶液及应用 | |
JPWO2021165308A5 (ja) | ||
DE69934326D1 (de) | Verfahren zur entfernung organischen materials von trägern | |
US20010049131A1 (en) | Baths for producing microstructures | |
WO2003064581A8 (en) | Methods and compositions for chemically treating a substrate using foam technology | |
TR200102255T2 (tr) | Suyla kullanìlan seramik rn ve bu rne ynelik lekeye diren iin kimyasal uygulama yntemi | |
JPH0829989A (ja) | フォトレジスト膜の除去方法 | |
US20040163668A1 (en) | Method of cleaning a substrate | |
KR960702185A (ko) | 반도체 기판의 스트립핑, 불활성화 및 부식억제 방법(stripping, passivation and corrosion inhibition of semiconductor substrates) | |
JPH0959685A (ja) | 半導体装置の洗浄に使用される洗浄液及びこれを用いた洗浄方法 | |
TW202419617A (zh) | 基板處理方法 | |
JP4433836B2 (ja) | 有機物除去方法 | |
FR2601379A1 (fr) | Produit decapant pour pieces en acier et procede de decapage utilisant ce produit | |
JPH04114428A (ja) | 洗浄法 | |
JP2008258395A (ja) | タングステン系金属のエッチング液および同金属の除去方法 | |
JPS6314038B2 (ja) |