JPWO2021124719A5 - - Google Patents
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Description
昇圧回路34を設けることにより、電源電圧Vccが定常の場合、状態通知スイッチ31は、ハイインピーダンス状態となり、出力電圧Voutに影響を及ぼさない。一方、電源電圧Vccが過電圧の場合、出力端子62から電源端子61までのインピーダンスが低くなり、出力電圧Voutは強制的に電源電圧Vccとなる。出力電圧Voutが電源電圧Vccになると、図2の上側故障検知領域に入ることになる。したがって、外部において、出力電圧Voutが上側故障検知領域に入ったことを検知することができるため、上位システム側で故障状態であること検知することが可能となる。
状態通知スイッチ31は、P型高圧MOSトランジスタであり、ゲート端子が接続点N1と接続している。つまり、接続点N1における電圧Vaを、検知ノードの電圧としてよい。出力トランジスタ15がオン状態(電源電圧Vccが定常)の際に、状態通知スイッチ31がオフ状態となり、出力トランジスタ15がオフ状態(電源電圧Vccが過電圧)の際に、状態通知スイッチ31がオン状態となる。電源電圧Vccが定常の場合、状態通知スイッチ31は、ハイインピーダンス状態となり、出力電圧Voutに影響を及ぼさない。一方、電源電圧Vccが過電圧の場合、出力端子62から電源端子61までのインピーダンスが低くなり、出力電圧Voutは強制的に電源電圧Vccとなる。状態通知スイッチ31は、検知ノードの電圧(接続点N1における電圧Va)に応じて、内部状態通知線72を内部電源線71に接続するか否かを切り替えてよい。出力電圧Voutが電源電圧Vccになると、図2の上側故障検知領域に入ることになる。したがって、外部において、出力電圧Voutが上側故障検知領域に入ったことを検知することができるため、簡単な回路構成により上位システム側で故障状態であること検知することが可能となる。接続点N1における電圧Vaを、検知ノードの電圧として検知してよい。
状態通知スイッチ31は、P型高圧MOSトランジスタであり、ゲート端子が出力線74と接続している。つまり、出力トランジスタ15が負荷回路5へ供給する供給電圧Vddを、検知ノードの電圧としてよい。出力トランジスタ15がオン状態(電源電圧Vccが定常)の際に、状態通知スイッチ31がオフ状態となり、出力トランジスタ15がオフ状態(電源電圧Vccが過電圧)の際に、状態通知スイッチ31がオン状態となる。電源電圧Vccが定常の場合、状態通知スイッチ31は、ハイインピーダンス状態となり、出力電圧Voutに影響を及ぼさない。一方、電源電圧Vccが過電圧の場合、出力端子62から電源端子61までのインピーダンスが低くなり、出力電圧Voutは強制的に電源電圧Vccとなる。状態通知スイッチ31は、検知ノードの供給電圧Vddに応じて、内部状態通知線72を内部電源線71に接続するか否かを切り替えてよい。出力電圧Voutが電源電圧Vccになると、図2の上側故障検知領域に入ることになる。したがって、外部において、出力電圧Voutが上側故障検知領域に入ったことを検知することができるため、簡単な回路構成により上位システム側で故障状態であること検知することが可能となる。状態通知部3は、出力線74の供給電圧Vddを、検知ノードの電圧として検知してよい。
状態通知スイッチ31は、N型高圧MOSトランジスタであり、ゲート端子が接続点N2と接続している。つまり、接続点N2における電圧Vbを、検知ノードの電圧としてよい。出力トランジスタ15がオン状態(電源電圧Vccが定常)の際に、状態通知スイッチ31がオフ状態となり、出力トランジスタ15がオフ状態(電源電圧Vccが過電圧)の際に、状態通知スイッチ31がオン状態となる。電源電圧Vccが定常の場合、状態通知スイッチ31は、ハイインピーダンス状態となり、出力電圧Voutに影響を及ぼさない。一方、電源電圧Vccが過電圧の場合、出力端子62から負荷回路5までのインピーダンスが低くなり、出力電圧Voutは強制的に負荷回路5の出力電圧となる。負荷回路5の出力電圧は、過電圧時にはほぼ接地電圧GNDとなるため、出力電圧Voutは強制的に接地電圧GNDとなる。状態通知スイッチ31は、検知ノードの電圧(接続点N2における電圧Vb)に応じて、内部状態通知線72を負荷回路5に接続するか否かを切り替えてよい。出力電圧Voutが接地電圧GNDになると、図2の下側故障検知領域に入ることになる。したがって、外部において、出力電圧Voutが下側故障検知領域に入ったことを検知することができるため、簡単な回路構成により上位システム側で故障状態であること検知することが可能となる。
外部電源線75が断線した場合、下側故障検知領域の範囲に出力電圧Voutが入るように、第4抵抗素子23の抵抗値を調整してよい。下側故障検知領域の範囲とは、V11からV12までの範囲である。例として、V11からV12までの範囲は、0.0Vから0.2Vまでの範囲である。また、外部基準電位線77が断線した場合、上側故障検知領域の範囲に出力電圧Voutが入り、外部電源線75が断線した場合、下側故障検知領域の範囲に出力電圧Voutが入るように第4抵抗素子23の抵抗値を調整することで、容易に断線箇所を特定することが可能である。
Claims (18)
- 負荷回路に接続し、前記負荷回路への電力供給を制御する車載用半導体回路であって、
電源電圧が印加される電源線と、
前記電源線における前記電源電圧が過電圧の時に、前記電源線から前記負荷回路への電力供給を遮断する出力部を有する過電圧保護部と、
前記出力部が前記電力供給を遮断しているか否かを示す状態信号を前記負荷回路と異なる外部回路に通知する状態通知部と
を備える車載用半導体回路。 - 前記負荷回路からの電圧および前記状態信号を前記外部回路に出力する状態通知線を更に備える
請求項1に記載の車載用半導体回路。 - 前記状態通知線は、異なる電圧範囲で、前記負荷回路からの電圧および前記状態信号を前記外部回路に出力する
請求項2に記載の車載用半導体回路。 - 前記状態通知部は、前記過電圧保護部において、前記電力供給を遮断している場合と、前記電力供給を遮断していない場合とで異なる電位になる検知ノードの電圧に基づいて、前記状態信号を生成する
請求項2または3に記載の車載用半導体回路。 - 基準電位が印加される基準電位線を更に備え、
前記状態通知部は、前記検知ノードの電圧に応じて、前記状態通知線を前記基準電位線に接続するか否かを切り替える状態通知スイッチを有する
請求項4に記載の車載用半導体回路。 - 前記状態通知部は、前記検知ノードの電圧に応じて、前記状態通知線を前記電源線に接続するか否かを切り替える状態通知スイッチを有する
請求項4に記載の車載用半導体回路。 - 前記状態通知部は、前記検知ノードの電圧に応じて、前記状態通知線を前記負荷回路に接続するか否かを切り替える状態通知スイッチを有する
請求項4に記載の車載用半導体回路。 - 前記負荷回路に接続される出力線を更に備え、
前記出力部は、前記電源線を前記出力線に接続するか否かを切り替える出力トランジスタであり、
前記状態通知部は、前記出力トランジスタのゲート端子の電圧を、前記検知ノードの電圧として検知する
請求項5から7のいずれか一項に記載の車載用半導体回路。 - 基準電位が印加される基準電位線を更に備え、
前記過電圧保護部は、前記電源線および前記基準電位線の間に設けられ、前記電源電圧の大きさに応じて、前記電源電圧に応じた電圧と、前記基準電位に応じた電圧のいずれかを選択して前記出力トランジスタのゲート端子に印加する保護トランジスタを更に有し、
前記状態通知部は、前記保護トランジスタが前記ゲート端子に出力する電圧を、前記検知ノードの電圧として検知する
請求項8に記載の車載用半導体回路。 - 基準電位が印加される基準電位線と、
前記負荷回路に接続される出力線と
を更に備え、
前記出力部は、前記電源線を前記出力線に接続するか否かを切り替える出力トランジスタであり、
前記過電圧保護部は、
ツェナーダイオードと、
前記ツェナーダイオードと直列に接続された第1抵抗素子と、
前記電源線および前記基準電位線の間に設けられ、前記ツェナーダイオードと前記第1抵抗素子との接続点における電圧がゲート端子に印加され、前記電源電圧に応じた電圧と、前記基準電位に応じた電圧のいずれかを選択して前記出力トランジスタのゲート端子に印加する保護トランジスタと
を更に有し、
前記状態通知部は、前記ツェナーダイオードと前記第1抵抗素子との接続点における電圧を、前記検知ノードの電圧として検知する
請求項5から7のいずれか一項に記載の車載用半導体回路。 - 前記負荷回路に接続される出力線を更に備え、
前記出力部は、前記電源線を前記出力線に接続するか否かを切り替える出力トランジスタであり、
前記状態通知部は、前記出力線の電圧を、前記検知ノードの電圧として検知する
請求項5から7のいずれか一項に記載の車載用半導体回路。 - 基準電位が印加される基準電位線と、
前記電源線、前記基準電位線および前記状態通知線に接続する断線検知部と
を更に備え、
前記断線検知部は、前記車載用半導体回路が断線しているか否かを示す断線信号を前記外部回路に通知する
請求項5から11のいずれか一項に記載の車載用半導体回路。 - 前記断線検知部は、
前記電源線と前記状態通知線との間に接続された第2抵抗素子と、
前記状態通知線と前記基準電位線との間に接続された第3抵抗素子と、
前記電源線と前記基準電位線との間に接続された第4抵抗素子と
を有する
請求項12に記載の車載用半導体回路。 - 前記状態通知線は、前記断線信号を前記外部回路に出力する
請求項12または13に記載の車載用半導体回路。 - 前記状態通知線は、異なる電圧範囲で、前記負荷回路からの電圧、前記状態信号および前記断線信号を前記外部回路に出力する
請求項12に記載の車載用半導体回路。 - 前記負荷回路は、圧力センサである
請求項1から15のいずれか一項に記載の車載用半導体回路。 - 負荷回路に接続し、前記負荷回路への電力供給を制御する半導体回路であって、
電源電圧が印加される電源線と、
前記電源線における前記電源電圧が過電圧の時に、前記電源線から前記負荷回路への電力供給を遮断する出力部を有する過電圧保護部と、
前記出力部が前記電力供給を遮断しているか否かを示す状態信号を前記負荷回路と異なる外部回路に通知する状態通知部と、
前記半導体回路が断線しているか否かを示す断線信号を前記外部回路に通知する断線検知部と、
前記負荷回路からの電圧、前記状態信号および前記断線信号を前記外部回路に出力する状態通知線と
を備える半導体回路。 - 前記負荷回路は、圧力センサである
請求項17に記載の半導体回路。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019227401 | 2019-12-17 | ||
JP2019227401 | 2019-12-17 | ||
PCT/JP2020/041492 WO2021124719A1 (ja) | 2019-12-17 | 2020-11-06 | 車載用半導体回路および半導体回路 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2021124719A1 JPWO2021124719A1 (ja) | 2021-06-24 |
JPWO2021124719A5 true JPWO2021124719A5 (ja) | 2022-02-24 |
JP7276511B2 JP7276511B2 (ja) | 2023-05-18 |
Family
ID=76476583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021565358A Active JP7276511B2 (ja) | 2019-12-17 | 2020-11-06 | 車載用半導体回路および半導体回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220080907A1 (ja) |
JP (1) | JP7276511B2 (ja) |
CN (1) | CN113994560A (ja) |
WO (1) | WO2021124719A1 (ja) |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5587126U (ja) * | 1978-12-11 | 1980-06-16 | ||
JP2000332207A (ja) * | 1999-05-25 | 2000-11-30 | Hitachi Ltd | 過電圧保護回路 |
JP3918614B2 (ja) * | 2002-04-09 | 2007-05-23 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 断線故障検知回路 |
JP3899984B2 (ja) * | 2002-04-09 | 2007-03-28 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 過電圧保護回路 |
JP4220916B2 (ja) * | 2004-02-24 | 2009-02-04 | 株式会社デンソー | 半導体スイッチ |
JP2007195330A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Sharp Corp | 電子機器及び移動体通信端末 |
JP6681357B2 (ja) * | 2017-03-10 | 2020-04-15 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体装置 |
JP7067033B2 (ja) * | 2017-11-24 | 2022-05-16 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 給電制御装置、給電制御方法及びコンピュータプログラム |
JP7110870B2 (ja) * | 2018-09-26 | 2022-08-02 | Tdk株式会社 | 判定回路および電源装置 |
-
2020
- 2020-11-06 CN CN202080040728.0A patent/CN113994560A/zh active Pending
- 2020-11-06 WO PCT/JP2020/041492 patent/WO2021124719A1/ja active Application Filing
- 2020-11-06 JP JP2021565358A patent/JP7276511B2/ja active Active
-
2021
- 2021-11-25 US US17/456,577 patent/US20220080907A1/en active Pending
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