JPWO2021060234A1 - RuO4ガスの発生抑制剤及びRuO4ガスの発生抑制方法 - Google Patents
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Abstract
Description
項1 オニウムイオンと臭素含有イオンから成るオニウム塩を含む、RuO4ガスの発生抑制剤。
項2 前記オニウム塩が、式(1)で示される第四級オニウム塩、式(2)で示される第三級オニウム塩、式(3)で示されるオニウム塩、または式(4)で示されるオニウム塩である、項1に記載のRuO4ガスの発生抑制剤。
式(2)中、A+はスルホニウムイオンであり、R1、R2、R3は独立して、炭素数1〜25のアルキル基、アリル基、炭素数1〜25のアルキル基を有するアラルキル基、又はアリール基である。ただし、R1、R2、R3がアルキル基である場合、R1、R2、R3のうち少なくとも1つのアルキル基の炭素数が2以上である。また、アラルキル基中のアリール基及びアリール基の環において少なくとも1つの水素原子は、フッ素原子、塩素原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数1〜9のアルコキシ基、又は炭素数2〜9のアルケニルオキシ基で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも1つの水素原子は、フッ素原子又は塩素原子で置き換えられてもよい。
式(3)中、Zは、窒素原子、硫黄原子、酸素原子を含んでもよい芳香族基又は脂環式基であり、該芳香族基又は該脂環式基において、炭素原子又は窒素原子に結合している水素原子は、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、ヨウ素原子、少なくとも1つの炭素数1〜15のアルキル基、少なくとも1つの炭素数2〜9のアルケニルオキシ基、少なくとも1つの炭素数1〜15のアルキル基で置換されてもよい芳香族基、又は、少なくとも1つの炭素数1〜15のアルキル基で置換されてもよい脂環式基を有していてもよい。A+は、アンモニウムイオン又はスルホニウムイオンである。Rは塩素原子、臭素原子、フッ素原子、ヨウ素原子、炭素数1〜15のアルキル基、アリル基、少なくとも1つの炭素数1〜15のアルキル基で置換されてもよい芳香族基、又は少なくとも1つの炭素数1〜15のアルキル基で置換されてもよい脂環式基である。nは1又は2の整数であり、Rの数を示す。nが2の場合、Rは同一又は異なっていてもよく、環を形成してもよい。
式(4)中、A+は独立して、アンモニウムイオン、又はホスホニウムイオンであり、R1、R2、R3、R4、R5、R6は独立して、炭素数1〜25のアルキル基、アリル基、炭素数1〜25のアルキル基を有するアラルキル基、又はアリール基である。アラルキル基中のアリール基及びアリール基の環において少なくとも1つの水素原子は、フッ素原子、塩素原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数1〜9のアルコキシ基、又は炭素数2〜9のアルケニルオキシ基で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも1つの水素原子は、フッ素原子又は塩素原子で置き換えられてもよい。aは1〜10の整数である。
式(1)〜(4)中、X-は臭素含有イオンである。)
項3 前記第四級オニウム塩が、テトラエチルアンモニウムイオン、テトラプロピルアンモニウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン、テトラペンチルアンモニウムイオン、およびテトラへキシルアンモニウムイオンの群から選ばれる少なくとも一種のアンモニウムイオンから成る塩である、項2に記載のRuO4ガスの発生抑制剤。
項4 前記オニウム塩のRuO4ガスの発生抑制剤中における濃度が、0.0001〜50質量%である、項1〜3のいずれか一項に記載のRuO4ガスの発生抑制剤。
項5 前記臭素含有イオンが、亜臭素酸イオン、臭素酸イオン、過臭素酸イオン、次亜臭素酸イオン、または臭化物イオンである、項1〜4のいずれか一項に記載のRuO4ガスの発生抑制剤。
項6 前記RuO4ガスの発生抑制剤中における次亜臭素酸イオン濃度が0.001mol/L以上0.20mol/L以下である、項1〜5のいずれか一項に記載のRuO4ガスの発生抑制剤。
項7 前記RuO4ガスの発生抑制剤中における次亜臭素酸イオン濃度が0.01mol/L以上0.10mol/L以下である、項1〜6のいずれか一項に記載のRuO4ガスの発生抑制剤。
項8 前記RuO4ガスの発生抑制剤の25℃におけるpHが8以上14以下である、項1〜7のいずれか一項に記載のRuO4ガスの発生抑制剤。
項9 前記RuO4ガスの発生抑制剤の25℃におけるpHが12以上13以下である、項1〜8のいずれか一項に記載のRuO4ガスの発生抑制剤。
項10 前記RuO4ガスの発生抑制剤が、臭素含有イオンとは異なる酸化剤を含む、項1〜9のいずれか一項に記載のRuO4ガスの発生抑制剤。
項11 前記酸化剤が、次亜塩素酸イオンまたはオゾンを含む酸化剤である、項10に記載のRuO4ガスの発生抑制剤。
項12 項1〜11のいずれか一項に記載のRuO4ガスの発生抑制剤を用いる工程を含む、RuO4ガスの発生を抑制する方法。
RuO4ガスの発生抑制剤とは、ルテニウムを処理するための液(以下、ルテニウム処理液と記す)に添加する事で、RuO4ガスの発生を抑制する組成物であり、オニウムイオンと臭素含有イオンから成るオニウム塩を含む液を指す。
本発明のRuO4ガスの発生抑制剤には、RuO4ガスの発生を抑制するために、オニウム塩が含まれている。該オニウム塩は、オニウムイオンと臭素含有イオンから成る。ここで、臭素含有イオンは、臭素を含有して成るイオンであり、一例として亜臭素酸イオン、臭素酸イオン、過臭素酸イオン、次亜臭素酸イオン、または臭化物イオンなどが挙げられる。
本発明のRuO4ガスの発生抑制剤に含まれるオニウム塩がRuO4ガス抑制能を発揮するためには、該オニウム塩がオニウムイオンと臭素含有イオンに解離する必要がある。該オニウム塩の解離により生じたオニウムイオンがRuO4 -等と相互作用し、RuO4ガスの発生を抑制するためである。ハロゲン含有イオンを含むオニウム塩は解離しやすく、溶解性に優れ、オニウムイオンを安定に供給できることから、本発明のRuO4ガスの発生抑制剤に含まれるオニウム塩として用いることができる。中でも、臭素含有イオンを含むオニウム塩は、塩素含有イオンやフッ素含有イオンを含むオニウム塩よりも安定性が高く、合成しやすいため、高純度品が工業的に安価に入手可能である。また、臭素含有イオンを含むオニウム塩は、ヨウ素含有イオンを含むものに比べて、単位重量当たりのオニウムイオンが多いという利点がある。よって、RuO4ガスの発生抑制剤に含まれるオニウム塩は、臭素含有イオンを含む。
本発明のRuO4ガスの発生抑制剤は、酸化剤を含む事ができる。酸化剤は、半導体ウェハに含まれるルテニウムを実質的に溶解し得る能力を有するものを指す。酸化剤としてはルテニウムを溶解し得る酸化剤として公知の酸化剤を何ら制限なく用いることができる。該酸化剤の一例を挙げれば、ハロゲン酸素酸、過マンガン酸、およびこれらの塩、過酸化水素、オゾン、セリウム(IV)塩等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。ここで、ハロゲン酸素酸は、次亜塩素酸、亜塩素酸、塩素酸、過塩素酸、次亜臭素酸、亜臭素酸、臭素酸、過臭素酸、次亜ヨウ素酸、亜ヨウ素酸、ヨウ素酸、メタ過ヨウ素酸、オルト過ヨウ素酸またはこれらのイオンを指す。該酸化剤は、ウェハに含まれるルテニウムを溶解することができるため、該酸化剤とオニウム塩を含むRuO4ガスの発生抑制は、ルテニウムの溶解とRuO4ガス抑制を同時に行うことができる。また、酸化剤を含有することで、ルテニウムの溶解が促進されると共に、析出したRuO2パーティクルの再溶解が促進される。このため、オニウム塩と酸化剤を含有するRuO4ガスの発生抑制は、RuO4ガスとRuO2パーティクルの発生を抑制しながら、効率的にルテニウム含有ウェハの処理を行うことができる。
本発明のRuO4ガスの発生抑制剤は、25℃におけるpHが、8以上14以下であることが好ましい。pHが8未満の場合、ルテニウムの溶解はRuO4 -等のアニオンではなくRuО2やRu(ОH)3を経由して起こりやすくなるため、オニウム塩によるガス抑制効果は低下しやすい。このRuО2はパーティクル源となるし、さらに、pHが8未満では、RuО4ガスの発生量が多くなるといった問題も生じるようになる。また、pHが14より大きいと、RuO2の再溶解が生じにくくなるため、RuO2パーティクルの発生が問題となる。したがって、RuО4ガス発生抑制能を十分に発揮するためには、該抑制剤のpHは8以上14以下が好ましく、12以上13以下がより好ましい。このpH範囲であれば、溶解したルテニウムはRuO4 -又はRuO4 2-のアニオンとして存在するため、該抑制剤に含まれるオニウムイオンとイオン対を形成しやすくなり、効果的にRuО4ガス発生を抑制し得る。
本発明のRuO4ガスの発生抑制剤には、所望により発明の目的を損なわない範囲で、従来から半導体用処理液に使用されているその他の添加剤を配合してもよい。例えば、その他の添加剤として、酸、金属防食剤、水溶性有機溶媒、フッ素化合物、酸化剤、還元剤、錯化剤、キレート剤、界面活性剤、消泡剤、pH調整剤、安定化剤などを加えることができる。これらの添加剤は単独で添加してもよいし、複数を組み合わせて添加してもよい。
RuО4ガスの発生抑制方法は、本発明のRuO4ガスの発生抑制剤を、ルテニウム処理液に添加する工程を含む方法である。具体的には、たとえば、半導体製造工程におけるエッチング工程、残渣除去工程、洗浄工程、CMP工程等において用いるルテニウム処理液に対して、本発明のRuO4ガスの発生抑制剤を添加する事で、RuО4ガスの発生を抑制する事ができる。また、これら半導体製造工程に使用した各装置において、チャンバー内壁や配管等に付着したルテニウムを洗浄する際にも、本発明のRuO4ガスの発生抑制剤を用いる事でRuО4ガスの発生を抑制できる。例えば、物理蒸着(PVD)や化学蒸着(CVD)、原子層堆積法(ALD)等を用いてRuを形成する装置のメンテナンスにおいて、チャンバーや配管等に付着したRuを除去する際に使用する洗浄液へ、該RuO4ガスの発生抑制剤を添加する事により、洗浄中に発生するRuО4ガスの抑制が可能となる。当該方法によれば、上述したメカニズムにより、RuО4ガスの発生を抑制できる。
また、RuO4ガスの発生抑制剤と、ルテニウム処理液、または、ルテニウム含有液との混合液の25℃におけるpHは、例えば7〜14であることが好ましい。この混合液のpHを調整するために、上記で例示したpH調整剤を添加してもよい。
(ルテニウム処理液とRuO4ガスの発生抑制剤の混合液の調製)
まず、100mLのフッ素樹脂製容器に、次亜塩素酸ナトリウム(NaClO; 和光純薬製)および超純水を加え、15質量%のHCl水溶液または1.0mol/LのNaOH水溶液を用いて、表1に記載のpHに調整する事で、30mLのルテニウム処理液を得た。次に、100mLのフッ素樹脂製容器に、オニウム塩および超純水を加えた後、上記と同様、表1に記載のpHに調整する事で、30mLのRuO4ガスの発生抑制剤を得た。なお、実施例21のオニウム塩は、臭素酸ナトリウムと水酸化テトラプロピルアンモニウム水溶液を混合する事で調製した。得られたルテニウム処理液と、RuO4ガスの発生抑制剤を混合する事で、混合液60mLを得た。なお、比較例1〜4では、RuO4ガスの抑制剤の代わりに、ルテニウム処理液と同じpHに調整した超純水30mLを混合した。上記において、次亜塩素酸ナトリウムを添加したルテニウム処理液については、酸化剤濃度が0.56mоl/L(有効塩素濃度として4.0質量%)となっていることを確認した。
各実施例及び各比較例で調製した混合液10mLを、卓上型pHメーター(LAQUAF―73、堀場製作所製)を用いてpH測定した。pH測定は、混合液を調製し、25℃で安定した後に、実施した。
RuO4ガスの発生量は、ICP−OESを用いて測定した。密閉容器に混合液を5mLとり、膜厚1200Åのルテニウムを成膜した10×20mmのSiウェハ1枚を、25℃または50℃でルテニウムが全て溶解するまで浸漬させた。浸漬中の混合液の温度(処理温度)を表1または表2に示した。その後、密閉容器にAirをフローし、密閉容器内の気相を吸収液(1mol/L NaOH)の入った容器にバブリングして、ウェハ浸漬中に発生したRuO4ガスを吸収液にトラップした。この吸収液中のルテニウム量をICP−OESにより測定し、発生したRuO4ガス中のRu量を求めた。なお、表1におけるRuO4ガス中のRu量は、吸収液中に含まれるルテニウムの重量を、浸漬したウェハの面積で割った値である。混合液に浸漬したSiウェハ上のルテニウムが全て溶解したことは、四探針抵抗測定器(ロレスタ‐GP、三菱ケミカルアナリテック社製)により浸漬前及び浸漬後のシート抵抗をそれぞれ測定し、膜厚に換算することで確認した。
酸化剤として0.07mоl/Lのオルト過ヨウ素酸(H5IO6; 富士フィルム和光純薬製)を用いた以外は実施例1または比較例1と同様にして混合液を調製した。この混合液を用いて、実施例1と同様にpH測定、RuO4ガスの定量評価を行った。
酸化剤として0.002、0.02、0.2、0.4および0.6mоl/Lの次亜臭素酸ナトリウム(NaBrO; 関東化学製)を用いた以外は実施例4と同様にして混合液を調製した。混合液中の次亜臭素酸ナトリウムの濃度は紫外可視分光光度計(UV−2600、島津製作所社製)を用いて確認した。この混合液を用いて、実施例1と同様にpH測定、RuO4ガスの定量評価を行った。
0.56mоl/Lの次亜塩素酸ナトリウムをさらに含むRuO4ガスの発生抑制剤を用いた以外は、実施例4と同様にして混合液を調製した。この混合液を用いて、実施例1と同様にpH測定、RuO4ガスの定量評価を行った。
(ルテニウム含有液とRuO4ガスの発生抑制剤の混合液の調製)
100mLのフッ素樹脂製容器に、次亜塩素酸ナトリウム(和光純薬製)および超純水を加え、30mLのルテニウム処理液を得た。なお、ルテニウム処理液のpHは、15質量%のHCl水溶液または1.0mol/LのNaOH水溶液を用いて、表2に記載のルテニウム含有液のpHと同じ値になるように調整した。得られた処理液30mLへ膜厚2400Åのルテニウムを成膜した10×20mmのSiウェハ6枚を25℃にてルテニウムが全て溶解するまで浸漬する事で、表2に記載のルテニウム含有液を得た。ICP−OESにより測定した、ルテニウム含有液に含まれるルテニウムの濃度を表2に示した。
次に、100mLのフッ素樹脂製容器に、オニウム塩および超純水を加えた後、表2に記載のpHに調整する事で、30mLのRuO4ガスの発生抑制剤を得た。実施例50のオニウム塩は、臭素酸ナトリウムと水酸化テトラプロピルアンモニウム水溶液を混合する事で調製した。
得られたルテニウム含有液と、RuO4ガスの発生抑制剤を混合した液(混合液)について、実施例1に記載の方法により、混合液のpHを測定した後、混合液から発生するRuO4ガスの定量評価を行った。ウェハ浸漬中の混合液の温度(処理温度)を表2に示した。ただし、混合液には既にルテニウムが含まれるため、RuO4ガスの定量評価において、ルテニウムの溶解は行わなかった。
酸化剤として0.035mоl/Lのオルト過ヨウ素酸(富士フィルム和光純薬製)を用いた以外は実施例30と同様にして混合液を調製した。この混合液を用いて、実施例30と同様にRuO4ガスの定量評価を行った。
酸化剤として0.001、0.01、0.1、0.2および0.3mоl/Lの次亜臭素酸ナトリウムを用いた以外は実施例33と同様にして混合液を調製した。混合液中の次亜臭素酸ナトリウムの濃度は紫外可視分光光度計(UV−2600、島津製作所社製)を用いて確認した。この混合液を用いて、実施例30と同様にRuO4ガスの定量評価を行った。
1.5Lのフッ素樹脂製容器に、0.42gの過酸化ルテニウムテトラプロピルアンモニウムおよび超純水を加え、15質量%のHCl水溶液または1.0mol/LのNaOH水溶液を用いて、表2に記載のpHに調整する事で、1Lのルテニウム含有液を得た。
次に、100mLのフッ素樹脂製容器に、オニウム塩および超純水を加えた後、表2に記載のpHに調整する事で、30mLのRuO4ガスの発生抑制剤を得た。
得られたルテニウム含有液30mLと、RuO4ガスの発生抑制剤30mLを混合した液について、実施例30と同様に25℃にてRuO4ガスの定量評価を行った。
4.8mgのRuO2粉末を超純水30mLに分散した液を、ルテニウム含有液とした。ルテニウム含有液は、15質量%のHCl水溶液または1.0mol/LのNaOH水溶液を用いて、pH12.0に調整した。次に、100mLのフッ素樹脂製容器に、表2に記載のオニウム塩および超純水を加えた後、表2に記載のpHに調整する事で、30mLのRuO4ガスの発生抑制剤を得た。得られたルテニウム含有液と、RuO4ガスの発生抑制剤を混合して得た混合液を用いて、実施例30と同様にRuO4ガスの定量評価を行った。
1.9mgのRu粉末および2.4mgのRuO2粉末を超純水に添加し、15質量%のHCl水溶液または1.0mol/LのNaOH水溶液を用いて、表2に記載のpHに調整する事で、6.0×10-4mol/LのRuおよび6.0×10-4mol/LのRuO2を含むルテニウム含有液30mLを得た。
次に、100mLのフッ素樹脂製容器に、オニウム塩および超純水を加えた後、表2に記載のpHに調整する事で、30mLのRuO4ガスの発生抑制剤を得た。
得られたルテニウム含有液30mLと、RuO4ガスの発生抑制剤30mLを25℃にて混合した液(混合液)について、実施例30と同様にRuO4ガスの定量評価を行った。
100mLのフッ素樹脂製容器に、次亜塩素酸ナトリウム(和光純薬製)および超純水を加え、15質量%のHCl水溶液または1.0mol/LのNaOH水溶液を用いて、表2に記載のpHに調整した。得られたルテニウム処理液へ、1.9mgのRu粉末および2.4mgのRuO2粉末を添加する事で、6.0×10-4mol/LのRuおよび6.0×10-4mol/LのRuO2を含むルテニウム含有液30mLを得た。
次に、100mLのフッ素樹脂製容器に、オニウム塩および超純水を加えた後、表2に記載のpHに調整する事で、30mLのRuO4ガスの発生抑制剤を得た。
得られたルテニウム含有液30mLと、RuO4ガスの発生抑制剤30mLを混合した液について、実施例30と同様に25℃にてRuO4ガスの定量評価を行った。
100mLのフッ素樹脂製容器に、次亜塩素酸ナトリウム(和光純薬製)またはオルト過ヨウ素酸(富士フイルム和光純薬製)、および超純水を加え、15質量%のHCl水溶液または1.0mol/LのNaOH水溶液を用いて、表2に記載のpHに調整する事で、30mLのルテニウム処理液を得た。得られたルテニウム処理液30mLへ膜厚2400Åのルテニウムを成膜した10×20mmのSiウェハ6枚を25℃にてルテニウムが全て溶解するまで浸漬する事で、表2に記載のルテニウム含有液を得た。次亜塩素酸ナトリウムを添加したルテニウム含有液については、0.28mоl/L(有効塩素濃度として2.0質量%)となっていることを確認した。得られたルテニウム含有液へ、同じpHに調整した30mLの超純水を混合し、実施例30と同様にRuO4ガスの定量評価を行った。
Claims (12)
- オニウムイオンと臭素含有イオンから成るオニウム塩を含む、RuO4ガスの発生抑制剤。
- 前記オニウム塩が、式(1)で示される第四級オニウム塩、式(2)で示される第三級オニウム塩、式(3)で示されるオニウム塩、または式(4)で示されるオニウム塩である、請求項1に記載のRuO4ガスの発生抑制剤。
式(2)中、A+はスルホニウムイオンであり、R1、R2、R3は独立して、炭素数1〜25のアルキル基、アリル基、炭素数1〜25のアルキル基を有するアラルキル基、又はアリール基である。ただし、R1、R2、R3がアルキル基である場合、R1、R2、R3のうち少なくとも1つのアルキル基の炭素数が2以上である。また、アラルキル基中のアリール基及びアリール基の環において少なくとも1つの水素原子は、フッ素原子、塩素原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数1〜9のアルコキシ基、又は炭素数2〜9のアルケニルオキシ基で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも1つの水素原子は、フッ素原子又は塩素原子で置き換えられてもよい。
式(3)中、Zは、窒素原子、硫黄原子、酸素原子を含んでもよい芳香族基又は脂環式基であり、該芳香族基又は該脂環式基において、炭素原子又は窒素原子に結合している水素原子は、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、ヨウ素原子、少なくとも1つの炭素数1〜15のアルキル基、少なくとも1つの炭素数2〜9のアルケニルオキシ基、少なくとも1つの炭素数1〜15のアルキル基で置換されてもよい芳香族基、又は、少なくとも1つの炭素数1〜15のアルキル基で置換されてもよい脂環式基を有していてもよい。A+は、アンモニウムイオン又はスルホニウムイオンである。Rは塩素原子、臭素原子、フッ素原子、ヨウ素原子、炭素数1〜15のアルキル基、アリル基、少なくとも1つの炭素数1〜15のアルキル基で置換されてもよい芳香族基、又は少なくとも1つの炭素数1〜15のアルキル基で置換されてもよい脂環式基である。nは1又は2の整数であり、Rの数を示す。nが2の場合、Rは同一又は異なっていてもよく、環を形成してもよい。
式(4)中、A+は独立して、アンモニウムイオン、又はホスホニウムイオンであり、R1、R2、R3、R4、R5、R6は独立して、炭素数1〜25のアルキル基、アリル基、炭素数1〜25のアルキル基を有するアラルキル基、又はアリール基である。アラルキル基中のアリール基及びアリール基の環において少なくとも1つの水素原子は、フッ素原子、塩素原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数1〜9のアルコキシ基、又は炭素数2〜9のアルケニルオキシ基で置き換えられてもよく、これらの基において、少なくとも1つの水素原子は、フッ素原子又は塩素原子で置き換えられてもよい。aは1〜10の整数である。
式(1)〜(4)中、X-は臭素含有イオンである。) - 前記第四級オニウム塩が、テトラエチルアンモニウムイオン、テトラプロピルアンモニウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン、テトラペンチルアンモニウムイオンおよびテトラへキシルアンモニウムイオンの群から選ばれる少なくとも一種のアンモニウムイオンから成る塩である、請求項2に記載のRuO4ガスの発生抑制剤。
- 前記オニウム塩のRuO4ガスの発生抑制剤中における濃度が、0.0001〜50質量%である、請求項1〜3のいずれか一項に記載のRuO4ガスの発生抑制剤。
- 前記臭素含有イオンが、亜臭素酸イオン、臭素酸イオン、過臭素酸イオン、次亜臭素酸イオン、または臭化物イオンである、請求項1〜4のいずれか一項に記載のRuO4ガスの発生抑制剤。
- 前記RuO4ガスの発生抑制剤中における次亜臭素酸イオン濃度が0.001mol/L以上0.20mol/L以下である、請求項1〜5のいずれか一項に記載のRuO4ガスの発生抑制剤。
- 前記RuO4ガスの発生抑制剤中における次亜臭素酸イオン濃度が0.01mol/L以上0.10mol/L以下である、請求項1〜6のいずれか一項に記載のRuO4ガスの発生抑制剤。
- 前記RuO4ガスの発生抑制剤の25℃におけるpHが8以上14以下である、請求項1〜7のいずれか一項に記載のRuO4ガスの発生抑制剤。
- 前記RuO4ガスの発生抑制剤の25℃におけるpHが12以上13以下である、請求項1〜8のいずれか一項に記載のRuO4ガスの発生抑制剤。
- 前記RuO4ガスの発生抑制剤が、臭素含有イオンとは異なる酸化剤を含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載のRuO4ガスの発生抑制剤。
- 前記酸化剤が、次亜塩素酸イオンまたはオゾンを含む酸化剤である、請求項10に記載のRuO4ガスの発生抑制剤。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載のRuO4ガスの発生抑制剤を用いる工程を含む、RuO4ガスの発生抑制方法。
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