JPWO2021006092A5 - - Google Patents

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エッチング装置40は、第1の分離ウェハW1の分離面W1a又は第2の分離ウェハW2の分離面W2aをエッチングする。例えば、分離面W1a又は分離面W2aに対してエッチング(薬液)を供給し、当該分離面W1a又は分離面W2aをウェットエッチングする。エッチング液には、例えばHF、HNO、HPO、TMAH、Choline、KOHなどが用いられる。
内部改質装置81は、処理ウェハWの内部にレーザ光を照射し、周縁改質層と内部面改質層を形成する。レーザ光には、処理ウェハWに対して透過性を有する波長のレーザ光(YAGレーザ)が用いられる。なお、周縁改質層と内部面改質層は、処理ウェハWを第1の分離ウェハW1と第2の分離ウェハW2に分離する際の基点となる。
第1の保持部120の下面は、荷重測定部としてのロードセル130を介してステージ140に支持されている。第1の保持部120に作用する力(負荷)を検出するロードセル130は、第1の保持部120の外周部において、当該第1の保持部120の同心円上に等間隔に複数、例えば3つ設けられている。なお、ロードセル130の数や配置はこれ限定されない。例えばロードセル130は、第1の保持部120の中心部に設けられていてもよい。
次に、図14及び図15に示すようにレーザヘッド(図示せず)からレーザ光L3(内部面用レーザ光L3)を照射して、面方向に沿って内部面改質層M2を形成する(図9のステップA4)。具体的には例えば、処理ウェハWを1周(360度)回転させながらレーザ光L3を照射して、環状の内部面改質層M2を形成した後、レーザヘッドを処理ウェハWの径方向内側に移動させる。これら環状の内部面改質層M2の形成と、レーザヘッドの径方向内側への移動とを繰り返し行って、面方向に内部面改質層M2を形成する。なお、処理ウェハWの内部には、内部面改質層M2から面方向にクラックC2が進展する。クラックC2は、周縁改質層M1の内側のみに進展する。
分離装置61では先ず、ウェハ搬送装置70の搬送アーム71から第1の支持ピン150に重合ウェハTが受け渡される。続いて、ステージ140を介して第1の保持部120を上昇させて、第1の支持ピン150から第1の保持部120に重合ウェハTが受け渡され吸着保持される。さらに第1の保持部120を上昇させて、図16(a)に示すように重合ウェハTのうち、第1の保持部120で支持ウェハS(第1の分離ウェハW1側)を吸着保持しつつ、第2の保持部121で処理ウェハW(第2の分離ウェハW2側)を吸着保持する。
ステップA13では、スピンチャック(図示せず)に第2の分離ウェハW2を回転保持した状態で、第2の分離ウェハW2の上方に配置されたノズル210から、分離面W2aの中心部にエッチング液Eを供給する。このエッチング液Eにより分離面W2aがエッチングされ、当該分離面W2aに残存する周縁改質層M1と内部面改質層M2が除去される。また、ステップA12のスクラブ洗浄では周縁改質層M1と内部面改質層M2が残っているため、このままの状態だと再びパーティクルが発生するおそれがあるが、本ステップA13でのエッチングにより、かかるパーティクルも除去される。
次に、図26(d)に示すように移動機構(図示せず)によって第2の支持ピン270を上昇させて、第2の保持部121から第2の支持ピン270に第2の分離ウェハW2が受け渡される。その後、第2の支持ピン270から搬送アーム71に第2の分離ウェハW2が受け渡され、分離装置61から搬出される。
なお、第4の実施形態では図27(a)に示すように、第1の保持部120と第1の支持ピン150は一体に構成されている。これら第1の保持部120と第1の支持ピン150は、回動部(図示せず)によって一体として90度回動する。また、第2の保持部121と第2の支持ピン270も一体に構成され、回動部(図示せず)によって一体として90度回動する。
また、図27(c)に示すように移動機構(図示せず)によって第2の支持ピン270を上昇させて、第2の保持部121から第2の支持ピン270に第2の分離ウェハW2が受け渡される。その後、第2の支持ピン270から搬送アーム71に第2の分離ウェハW2が受け渡され、分離装置61から搬出される。

Claims (2)

  1. 前記第1の保持部を貫通して設けられ、当該第1の保持部に保持された前記第1の分離体を支持する第1の支持部材と、
    前記回動部によって反転後の前記第2の保持部を貫通して設けられ、当該第2の保持部に保持された前記第2の分離体を支持する第の支持部材と、を有する、請求項5に記載の分離装置。
  2. 前記処理対象体を分離後、前記回動部によって、前記第1の保持部と、当該第1の保持部を貫通して設けられた第1の支持部材とを一体として回動させることと、
    前記回動部によって回動後の前記第1の保持部から前記第1の支持部材に前記第1の分離体を受け渡すことと、
    前記処理対象体を分離後、前記回動部によって、前記第2の保持部と、当該第2の保持部を貫通して設けられた第2の支持部材とを一体として回動させることと、
    前記回動部によって回動後の前記第2の保持部から前記第2の支持部材に前記第2の分離体を受け渡すことと、を有する、請求項18に記載の分離方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7187162B2 (en) * 2002-12-16 2007-03-06 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. Tools and methods for disuniting semiconductor wafers
JP2013004845A (ja) 2011-06-20 2013-01-07 Tokyo Electron Ltd 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5580805B2 (ja) 2011-10-21 2014-08-27 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5664543B2 (ja) * 2011-12-26 2015-02-04 東京エレクトロン株式会社 搬送装置及び搬送方法
JP2013219328A (ja) 2012-03-13 2013-10-24 Tokyo Electron Ltd 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR102283920B1 (ko) * 2015-01-16 2021-07-30 삼성디스플레이 주식회사 필름 박리 장치
CN111052316A (zh) 2017-09-04 2020-04-21 琳得科株式会社 薄型化板状部件的制造方法以及制造装置

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