TWI433217B - 液體處理裝置、液體處理方法及記憶媒體 - Google Patents

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Description

液體處理裝置、液體處理方法及記憶媒體
本發明係關於一種對具備本體部以及設置於本體部上之複數凸狀部的被處理體進行處理的液體處理裝置、液體處理方法以及記憶媒體。
習知技術揭示一種液體處理方法，包含：沖洗步驟，其對在基板本體部(本體部)的表面側由複數細微的凸條列(凸狀部)形成細微圖案的半導體基板(被處理體)用純水等的沖洗液實施沖洗處理；以及乾燥步驟，其在對該半導體基板實施過沖洗處理之後接著實施乾燥處理。然而，若採用該等液體處理方法，則在讓半導體基板上的沖洗液乾燥時，形成於基板本體部上的凸條列之間會受到沖洗液的表面張力作用，互相隣接的二凸條列之間可能會受到拉力而崩塌。
關於這個問題點，為了防止該凸條列的崩塌，有嘗試在對半導體基板實施沖洗處理之前，先對作為微細圖案的凸條列供給疏水化液以實施疏水化處理(參照例如專利文獻1)。
[習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]　日本特開平7-273083號公報
然而，即使像這樣供給疏水化液，也只能抑制作用於構成半導體的凸狀列(凸狀部)之間的表面張力而已，當處理堆疊了無機膜以及與該無機膜性質不同的異質膜(金屬膜或有機膜等)的被處理體時，仍無法抑制作用於異質膜之間以及無機膜與異質膜之間的表面張力。
有鑑於上述問題點，本發明提供一種即使在處理堆疊了無機膜以及與該無機膜性質不同的異質膜(金屬膜或有機膜等)的被處理體時，也能夠防止凸狀部崩塌的液體處理裝置、液體處理方法以及記憶媒體。
本發明之液體處理裝置可對被處理體進行處理，該被處理體具備本體部以及設置在該本體部上的複數凸狀部，並堆疊了無機膜以及與該無機膜性質不同的異質膜，該液體處理裝置的特徵為包含：支持部，其支持該被處理體的該本體部；疏水化液供給機構，其對該支持部所支持的該被處理體供給疏水化液；以及沖洗液供給部，其對由該疏水化液供給機構供給過疏水化液的該被處理體供給沖洗液；該疏水化液供給機構包含：第一疏水化液供給部，其對該被處理體供給第一疏水化液以將該無機膜疏水化；以及第二疏水化液供給部，其對該被處理體供給第二疏水化液以將該異質膜疏水化。
本發明之液體處理方法，可對被處理體進行處理，該被處理體具備本體部以及設置在該本體部上的複數凸狀部，並堆疊了無機膜以及與該無機膜性質不同的異質膜，該液體處理方法的特徵為包含以下步驟：利用支持部支持該被處理體的該本體部；對該支持部所支持的該被處理體供給第一疏水化液以將該無機膜疏水化；對該支持部所支持的該被處理體供給第二疏水化液以將該異質膜疏水化；以及對供給過第一疏水化液與第二疏水化液的該被處理體供給沖洗液。
本發明之記憶媒體儲存了使液體處理裝置實施液體處理方法的電腦程式，該液體處理方法可對被處理體進行處理，該被處理體具備本體部以及設置在該本體部上的複數凸狀部，並堆疊了無機膜以及與該無機膜性質不同的異質膜，該液體處理方法包含以下步驟：利用支持部支持該被處理體的該本體部；對該支持部所支持的該被處理體供給第一疏水化液以將該無機膜疏水化；對該支持部所支持的該被處理體供給第二疏水化液以將該異質膜疏水化；以及對供給過第一疏水化液與第二疏水化液的該被處理體供給沖洗液。
若利用本發明，則由於第一疏水化液將無機膜疏水化，且第二疏水化液將異質膜疏水化，故即使在對堆疊了無機膜以及與該無機膜性質不同的異質膜(金屬膜或有機膜等)的被處理體進行處理時，也能夠防止凸狀部崩塌。
 (實施形態)
以下，參照圖面說明本發明之液體處理裝置以及液體處理方法的實施形態。在此，圖1到圖8係表示本發明之實施形態的圖式。
本實施形態的液體處理裝置可用來處理被處理基板(被處理體)W，該被處理基板W具備由無機膜所構成的基板本體部(本體部)Wi 以及設置在該基板本體部Wi 上的複數凸狀部Wm (參照圖3)。其中，凸狀部Wm 係由與無機膜性質不同的異質膜(在本實施形態中為金屬膜)所構成，由無機膜所構成的基板本體部Wi 與由金屬膜所構成的凸狀部Wm 形成堆疊構造。另外，該凸狀部Wm 在基板本體部Wi 上形成既定圖案。
另外，構成基板本體部Wi 的無機膜材料可使用例如Si、SiO2 、SiN等，構成凸狀部Wm 的金屬膜材料可使用例如TiN(氮化鈦)、W(鎢)、Hf(鉿)等，惟並非以此為限。另外，上述被處理基板W可以是例如半導體晶圓等的半導體基板。
如圖1所示的，液體處理裝置包含：支持板51，其具備支持部50並形成中空構造，該支持部50可保持並支持被處理基板W的基板本體部Wi ；旋轉軸52，其連結支持板51的底面而朝上下方向延伸並形成中空構造；升降銷板55，其配置在支持板51的中空部位內並具備可抵接被處理基板W的背面(底面)的升降銷55a；升降軸56，其連結升降銷板55的底面並在旋轉軸52的中空部位內朝上下方向延伸；以及升降驅動部45，其使升降軸56朝上下方向移動。另外，在支持板51的周圍外部設有杯狀部59，該杯狀部59包圍受支持部50支持的被處理基板W的周圍與其斜上方。另外，在圖1中僅圖示出1個升降銷55a，惟在本實施形態中實際上在升降銷板55上設置了3個升降銷55a。
另外，如圖1所示的，液體處理裝置更包含旋轉驅動機構40，其具備配置在旋轉軸52的周圍外部的帶輪43，以及透過驅動帶42對該帶輪43賦予驅動力的馬達41。然後，該旋轉驅動機構40以馬達41帶動旋轉軸52旋轉，讓支持部50也以旋轉軸52為中心旋轉，結果，便可構成使支持部50所保持並支持的被處理基板W旋轉的構造。另外，在旋轉軸52的周圍外部配置了軸承44。
另外，如圖2所示的，液體處理裝置更包含：藥液供給機構10，其對支持部50所支持的被處理基板W供給藥液；疏水化液供給機構30，其對被處理基板W供給疏水化液；沖洗液供給部22，其對被處理基板W供給沖洗液；以及置換液供給部27，其對被處理基板W供給置換液。
其中，藥液供給機構10包含：藥液供給部12，其供給藥液；藥液供給管13，其引導藥液供給部12所供給的藥液；液體供給臂5，該藥液供給管13的一部分通過該液體供給臂5；以及液體供給噴嘴14，其設置在該液體供給臂5的端部上。另外，本實施形態所使用的藥液例如：硫酸/過氧化氫水溶液、氨/過氧化氫水溶液、稀氟酸等，惟並非以此為限。
另外，如圖2所示的，沖洗液供給部22連結著引導該沖洗液供給部22所供給之沖洗液的沖洗液供給管23，該沖洗液供給管23的端部連結著液體供給噴嘴14。另外，置換液供給部27連結著引導該置換液供給部27所供給之置換液的置換液供給管28，該置換液供給管28的端部連結著置換液供給噴嘴24。另外，沖洗液供給管23的一部分與置換液供給管28的一部分通過液體供給臂5內部。另外，本實施形態所使用的沖洗液，可使用例如純水(DIW)，置換液可使用例如IPA(異丙醇)等兩親媒性液體，惟並非以此為限。
另外，如圖2所示的，疏水化液供給機構30具備對被處理基板W供給第一疏水化液的第一疏水化液供給機構31，以對由無機膜所構成的基板本體部Wi 實施疏水化處理。然後，該第一疏水化液供給機構31包含：第一疏水化液供給部32，其供給第一疏水化液；第一疏水化液供給管33，其引導第一疏水化液供給部32所供給的第一疏水化液；液體供給臂5，該第一疏水化液供給管33的一部分通過該液體供給臂5；以及第一疏水化液供給噴嘴34，其連結第一疏水化液供給管33且設置在液體供給臂5的端部上。另外，本實施形態的第一疏水化液可使用例如：二甲基胺基三甲基矽烷(TMSDMA)、二甲基(二甲胺基)矽烷(DMSDMA)、1,1,3,3-四甲基二矽烷(TMDS)、六甲基二矽氮烷(HMDS)等的矽烷化劑，或氟聚合物藥液等，惟並非以此為限。
另外，如圖2所示的，疏水化液供給機構30更具備對被處理基板W供給第二疏水化液的第二疏水化液供給機構36，以對由金屬膜(異質膜)所構成的凸狀部Wm 實施疏水化處理。然後，該第二疏水化液供給機構36包含：第二疏水化液供給部37，其供給第二疏水化液；第二疏水化液供給管38，其引導第二疏水化液供給部37所供給的第二疏水化液；液體供給臂5，該第二疏水化液供給管38的一部分通過該液體供給臂5；以及第二疏水化液供給噴嘴39，其連結第二疏水化液供給管38且設置在液體供給臂5的端部上。另外，本實施形態的第二疏水化液可使用例如界面活性劑等，惟並非以此為限。
另外，如圖2所示的，液體處理裝置具備讓液體供給臂5以擺動軸5a為中心朝水平方向(與旋轉軸52垂直的方向)擺動的液體供給臂移動部65。另外，如圖1所示的，液體處理裝置更具備控制該液體處理裝置本體的控制部62。
另外，在本實施形態中，用來讓液體處理裝置實施後述液體處理方法的電腦程式儲存於記憶媒體61(參照圖1)。然後，液體處理裝置更具備可接收該記憶媒體61的電腦60。然後，控制部62接收電腦60的信號，對液體處理裝置本體(更具體而言係指藥液供給機構10、沖洗液供給部22、置換液供給部27、疏水化液供給機構30、旋轉驅動機構40以及升降驅動部45)進行控制。另外，在本案中記憶媒體61係指例如CD、DVD、MD、硬碟、RAM等。
接著，敘述由該等構造所構成的本實施形態的作用。
首先，升降驅動部45使升降銷板55就位於上方位置[運送機械臂(未經圖示)將被處理基板W送到傳遞位置](上方位置就位步驟)。此時，液體供給臂5就位於離開支持板51上方的位置上。
接著，利用升降銷板55的3個升降銷55a從運送臂接收被處理基板W，該升降銷55a支持被處理基板W的背面(底面)(接收步驟)。
接著，升降驅動部45讓升降銷板55就位於下方位置(被處理基板W可受藥液處理的位置)(下方位置就位步驟)(參照圖1)。
像這樣在升降銷板55就位於下方位置的這段時間，支持板51的支持部50便會保持並支持被處理基板W的基板本體部Wi (支持步驟)(參照圖1)。此時，被處理基板W以凸狀部Wm 位於上方，而基板本體部Wi 位於下方的方式就定位[參照圖3(a)(b)]。另外此時，液體供給臂移動部65讓液體供給臂5以擺動軸5a為中心朝水平方向移動，而使液體供給臂5移動到被處理基板W的上方。
接著，馬達41驅動旋轉軸52旋轉，使支持板51的支持部50所保持並支持的被處理基板W也跟著旋轉(旋轉步驟)(參照圖2的箭號A)。然後，在被處理基板W旋轉的期間，進行以下的步驟。
首先，藥液供給機構10對被處理基板W供給藥液(藥液供給步驟91)(參照圖2以及圖4)。
接著，沖洗液供給部22對藥液供給機構10供給過藥液之後的被處理基板W的表面在不讓被處理基板W的凸狀部Wm 從液面露出的狀態下供給沖洗液(沖洗液供給步驟92)(參照圖2以及圖4)。像這樣對被處理基板W供給沖洗液，便能夠讓被處理基板W的藥液反應停止。
接著，置換液供給部27對沖洗液供給部22供給過沖洗液之後的被處理基板W的表面在不讓被處理基板W的凸狀部Wm 從液面露出的狀態下供給用來將沖洗液置換成第一疏水化液的置換液(置換液供給步驟93a)(參照圖2以及圖4)。
接著，疏水化液供給機構30的第一疏水化液供給機構31對置換液供給部27供給過置換液之後的被處理基板W的表面在不讓被處理基板W的凸狀部Wm 從液面露出的狀態下供給第一疏水化液(第一疏水化液供給步驟95)(參照圖2以及圖4)。此時，第一疏水化液附著於由無機膜所構成的基板本體部Wi 的表面上，基板本體部Wi 便被疏水化。另外，在本實施形態中，由於在對被處理基板W供給第一疏水化液之前，先供給能夠輕易溶解第一疏水化液的置換液，故能夠更有效率地將基板本體部Wi 疏水化。
接著，置換液供給部27在不讓被處理基板W的凸狀部Wm 從液面露出的狀態下供給用來將第一疏水化液置換為沖洗液的置換液(置換液供給步驟93b)(參照圖2以及圖4)。
接著，沖洗液供給部22在不讓被處理基板W的凸狀部Wm 從液面露出的狀態下供給沖洗液(沖洗液供給步驟96a)(參照圖2以及圖4)。像這樣在供給置換液之後供給沖洗液，便能夠將所附著的第一疏水化液溶解於置換液並由沖洗液沖掉，使第一疏水化液不再附著於基板本體部Wi 的表面上。如是，便能夠確實地去除掉所附著的第一疏水化液。
接著，疏水化液供給機構30的第二疏水化液供給機構36對沖洗液供給部22供給過沖洗液之後的被處理基板W的表面在不讓被處理基板W的凸狀部Wm 從液面露出的狀態下供給第二疏水化液(第二疏水化液供給步驟97)(參照圖2以及圖4)。此時，第二疏水化液附著在由金屬膜(異質膜)所構成的凸狀部Wm 的表面上，凸狀部Wm 便被疏水化。
接著，沖洗液供給部22在不讓被處理基板W的凸狀部Wm 從液面露出的狀態下供給沖洗液(沖洗液供給步驟96b)(參照圖2以及圖4)。像這樣，在供給第二疏水化液之後供給沖洗液，便能夠將所附著的第二疏水化液沖掉，使第二疏水化液不再附著於凸狀部Wm 的表面上。
接著，沖洗液供給部22停止供給沖洗液，之後，提高馬達41的旋轉速度使被處理基板W乾燥(乾燥步驟99)。結果，雖然被處理基板W從沖洗液的液面露出，但是由於凸狀部Wm 與基板本體部Wi 均相對於沖洗液受到疏水化處理，故如後所述的，能夠減少作用於凸狀部Wm 之間或凸狀部Wm 與基板本體部Wi 之間的表面張力，進而防止凸狀部Wm 崩塌。另外，在上述被處理基板W旋轉乾燥期間，液體供給臂移動部65讓液體供給臂5以擺動軸5a為中心朝水平方向移動，使液體供給臂5移動到離開被處理基板W上方的位置上。
接著，停止馬達41的旋轉，被處理基板W的旋轉也跟著停止(參照圖1)。接著，升降驅動部45使升降銷板55就位於上方位置，升降銷55a將被處理基板W頂起(上方位置就位步驟)。之後，運送臂接收被處理基板W並將其送出(送出步驟)。
如上所述的，在本實施形態中，由於在凸狀部Wm 不會從液面露出的狀態下分別實施藥液供給步驟91、沖洗液供給步驟92、96a、96b、置換液供給步驟93a、93b、第一疏水化液供給步驟95以及第二疏水化液供給步驟97，故能夠防止在實施乾燥步驟99之前到停止供給沖洗液為止凸狀部Wm 之間受到表面張力的作用。
另外，因為由無機膜所構成的基板本體部Wi 被第一疏水化液疏水化，而由金屬膜(異質膜)所構成的凸狀部Wm 被第二疏水化液疏水化，故能夠在沖洗液的供給停止之後，大幅減小讓凸狀部Wm 崩塌的力量F。
更具體而言，當凸狀部Wm 之間存在沖洗液R時讓凸狀部Wm 崩塌的力量F可由以下算式導出[參照圖3(a)]。
【式1】
在此，γ為沖洗液R與凸狀部Wm 之間的界面張力，θ(θ1 )為沖洗液R相對於凸狀部Wm 之側面的傾斜角度，H為凸狀部Wm 之間的沖洗液R的液面高度，D為凸狀部Wm 的深度(未經圖示)，S為凸狀部Wm 之間的間隔[參照圖3(a)]。另外，在沖洗液R即將從凸狀部Wm 之間消失之前[參照圖3(b)]，力量F會作用於凸狀部Wm 與基板本體部Wi 之間。此時，取決於相對凸狀部Wm 之側面的傾斜角度θ1 與相對基板本體部Wi 之表面的傾斜角度θ2 的力量F，會作用於凸狀部Wm 與基板本體部Wi 之間。
如圖9(a)～(c)所示的被處理基板W那樣，當凸狀部Wm 的側面未經過疏水化處理時，沖洗液R被拉伸到凸狀部Wm 上，如圖9(a)所示的傾斜角度θ1 變小(cosθ1 變大)。結果，讓凸狀部Wm 崩塌的力量F會變大，進而使凸狀部Wm 崩塌[參照圖9(c)]。
相對於此，在本實施形態中，因為由金屬膜(異質膜)所構成的凸狀部Wm 被第二疏水化液疏水化，故在被處理基板W的乾燥過程中能夠將沖洗液R相對於凸狀部Wm 之側面的傾斜角度θ1 保持在90°左右[參照圖3(a)]，進而使力量F減小。因此，能夠防止凸狀部Wm 崩塌。
另外，在本實施形態中，因為由無機膜所構成的基板本體部Wi 被第一疏水化液疏水化，故能夠在被處理基板W完全乾燥之前，使作用於凸狀部Wm 與基板本體部Wi 之間的表面張力減小。亦即，如圖9(a)～(c)所示的被處理基板W那樣，當基板本體部Wi 未受到疏水化處理時，除了沖洗液R相對於凸狀部Wm 的側面的傾斜角度θ1 之外，沖洗液R相對於基板本體部Wi 的表面的傾斜角度θ2 也會變小[參照圖9(b)]，作用於凸狀部Wm 與基板本體部Wi 之間的表面張力會變大。因此，讓凸狀部Wm 崩塌的力量F變大，結果造成凸狀部Wm 崩塌[參照圖9(c)]。相對於此，在本實施形態中，由於除了凸狀部Wm 之外基板本體部Wi 也受到疏水化處理，故能夠將沖洗液R相對於凸狀部Wm 的側面的傾斜角度θ1 保持在90°左右，此外更能夠將沖洗液R相對於基板本體部Wi 的表面的傾斜角度θ2 保持在90°左右[參照圖3(b)]。因此，能夠減小在凸狀部Wm 與基板本體部Wi 之間透過沖洗液R作用的力量F，進而防止凸狀部Wm 崩塌。
上述係用在第一疏水化液供給步驟95之後進行第二疏水化液供給步驟97的態樣進行說明，惟並非以此為限，亦可在第二疏水化液供給步驟97之後，進行第一疏水化液供給步驟95。更具體而言，亦可在藥液供給步驟91與乾燥步驟99之間，如圖5所示的，依序進行沖洗液供給步驟96a、第二疏水化液供給步驟97、沖洗液供給步驟96b、置換液供給步驟93a、第一疏水化液供給步驟95、置換液供給步驟93b以及沖洗液供給步驟98。
因為此時由無機膜所構成的基板本體部Wi 被第一疏水化液疏水化，且由金屬膜(異質膜)所構成的凸狀部Wm 被第二疏水化液疏水化，故即使在沖洗液的供給停止之後，也能夠大幅減小讓凸狀部Wm 崩塌的力量F。
另外，表1係表示對被檢査體T什麼都沒有實施時(未實施任何處理時)、僅實施第二疏水化液供給步驟97時、僅實施第一疏水化液供給步驟95時、在第一疏水化液供給步驟95之後實施第二疏水化液供給步驟97時(參照圖4)、在第二疏水化液供給步驟97之後實施第一疏水化液供給步驟95時(參照圖5)，於該被檢査體T上載置純水(DIW)作為沖洗液R，而該沖洗液R相對於該被檢査體T的表面的傾斜角度θ0 的測量結果(參照圖6)。在此，被檢査體T使用TiN(氮化鈦)以及W(鎢)作為金屬膜，並使用SiO2 作為無機膜。
由上述表1的結果可知，當僅實施第二疏水化液供給步驟97時相對於無機膜(SiO2 )的傾斜角會變小。另一方面，當僅實施第一疏水化液供給步驟95時相對於金屬膜(TiN以及W)的傾斜角會變小。
相對於此，當在第二疏水化液供給步驟97之後實施第一疏水化液供給步驟95時，除了相對於無機膜(SiO2 )的傾斜角度θ0 非常接近90°之外，相對於金屬膜(TiN以及W)的傾斜角度θ0 也有一定程度的大小，達到優異的效果。再者，當在第一疏水化液供給步驟95之後實施第二疏水化液供給步驟97時，除了相對於無機膜(SiO2 )的傾斜角度θ0 非常接近90°之外，相對於金屬膜(TiN以及W)的傾斜角度θ0 也非常接近90°，達到更優異的效果。
另外，由表1的結果可知，在第一疏水化液供給步驟95之後實施第二疏水化液供給步驟97的情況比起在第二疏水化液供給步驟97之後實施第一疏水化液供給步驟95的情況更好。其理由吾人認為是因為第二疏水化的反應性比第一疏水化液的反應性更弱。亦即，若先供給第二疏水化液，則由於第二疏水化液對金屬膜的反應性較弱，故附著於金屬膜的第二疏水化液很容易被接下來供給的第一疏水化液沖掉，相對於此，若先供給第一疏水化液，則由於第一疏水化液對無機膜的反應性較強，故附著於無機膜的第一疏水化液不易被接下來供給的第二疏水化液沖掉。
另外，上述係使用被處理基板W的基板本體部Wi 由無機膜所構成而凸狀部Wm 由金屬膜所構成且堆疊由無機膜所構成的基板本體部Wi 與由金屬膜所構成的凸狀部Wm 的構造態樣進行說明[參照圖3(a)(b)]，惟並非以此為限。例如，凸狀部Wpi 、Wpm 也可以是由無機膜Wpi 與金屬膜Wpm 堆疊所構成(參照圖7)。又此時，第一疏水化液可使作用於各無機膜(基板本體部Wbi 與各凸狀部Wpi 以及互相隣接的各凸狀部Wpi )之間的表面張力減小，第二疏水化液可使作用於各金屬膜(互相隣接的各凸狀部Wpm )之間的表面張力減小，第一疏水化液與第二疏水化液雙方均可使作用於無機膜(基板本體部Wbi )與金屬膜(凸狀部Wpm )之間的表面張力減小。因此，可大幅減小讓凸狀部Wpi 、Wpm 崩塌的力量F，進而防止凸狀部Wpi 、Wpm 崩塌。
另外，上述係使用異質膜由金屬膜所構成的態樣進行說明。然而，並非以此為限，例如異質膜由有機膜所構成，或異質膜由有機膜與金屬膜二者所構成，也是可以。
異質膜由有機膜與金屬膜二者所構成的例子，例如：被處理基板W’，其具備設置於基板本體部Wi 上的金屬膜Wm 以及設置於該金屬膜Wm 上且由有機膜所構成的抗蝕劑膜Wo (參照圖8)。以下，就處理被處理基板W’的態樣簡單說明，該被處理基板W’具備基板本體部Wi 以及設置在基板本體部Wi 上的異質膜，該異質膜係由有機膜亦即抗蝕劑膜Wo 與金屬膜Wm 二者所構成。
首先，準備基板本體部Wi 。接著，在基板本體部Wi 上設置金屬膜Wm 。接著，在金屬膜Wm 上設置由有機膜所構成的抗蝕劑膜Wo 。接著，在被處理基板W’的抗蝕劑膜Wo 曝光形成既定圖案之後將其顯影。接著，用蝕刻液將抗蝕劑膜Wo 未保護到的金屬膜Wm 蝕刻除去，之後用沖洗液(例如DIW)洗淨被處理基板W’，此時，如後所述的，實施第一疏水化液供給步驟95與第二疏水化液供給步驟97。
更具體而言，先對被處理基板W’供給藥液亦即蝕刻液以蝕刻未受抗蝕劑膜Wo 保護的金屬膜(藥液供給步驟91)(參照圖4)，進而形成凸狀部Wm 、Wo 。接著，對被處理基板W’的表面在不讓被處理基板W’的凸狀部Wm 、Wo 從液面露出的狀態下供給沖洗液(沖洗液供給步驟92)(參照圖4)。
接著，對供給過沖洗液的被處理基板W’的表面在不讓被處理基板W’的凸狀部Wm 、Wo 從液面露出的狀態下供給置換液(置換液供給步驟93a)(參照圖4)。接著，對供給過置換液的被處理基板W’的表面在不讓被處理基板W’的凸狀部Wm 、Wo 從液面露出的狀態下供給第一疏水化液(第一疏水化液供給步驟95)(參照圖4)。此時，由無機膜所構成的基板本體部Wi 被疏水化。接著，在不讓被處理基板W’的凸狀部Wm 、Wo 從液面露出的狀態下供給置換液(置換液供給步驟93b)(參照圖4)。另外，因為由有機膜所構成的抗蝕劑膜Wo 具有會被列舉用來作為兩親媒介性質液體的例子的IPA溶解的性質，故在異質膜由有機膜所構成的態樣中，不宜使用IPA作為置換液。此時，在異質膜由有機膜所構成的態樣中，可使用HMDS(六甲基二矽氮烷)等作為置換液。
接著，在不讓被處理基板W’的凸狀部Wm 、Wo 從液面露出的狀態下供給沖洗液(沖洗液供給步驟96a)(參照圖4)。接著，對供給過沖洗液的被處理基板W’的表面在不讓被處理基板W’的凸狀部Wm 、Wo 從液面露出的狀態下供給第二疏水化液(第二疏水化液供給步驟97)(參照圖4)。此時，異質膜亦即由有機膜與金屬膜所構成的凸狀部Wm 、Wo 被疏水化。接著，沖洗液供給部22在不讓被處理基板W’的凸狀部Wm 、Wo 從液面露出的狀態下供給沖洗液(沖洗液供給步驟96b)(參照圖4)。
接著，讓被處理基板W’乾燥(乾燥步驟99)，之後，除去金屬膜上的抗蝕劑膜Wo ，製得在基板本體部Wi 上設有形成既定圖案之金屬膜的被處理基板W’。
如以上所述的，若利用本實施形態，則即使在處理異質膜係由有機膜亦即抗蝕劑膜Wo 與金屬膜Wm 二者所構成的被處理基板W’時，由於在凸狀部Wm 、Wo 不會從液面露出的情況下，分別實施藥液供給步驟91、沖洗液供給步驟92、96a、96b、置換液供給步驟93a、93b、第一疏水化液供給步驟95以及第二疏水化液供給步驟97，故能夠防止在實施乾燥步驟99之前表面張力作用於凸狀部Wm 、Wo 之間。
另外，因為由無機膜所構成的基板本體部Wi 被第一疏水化液疏水化，且由金屬膜(異質膜)或有機膜(異質膜)所構成的凸狀部Wm 、Wo 被第二疏水化液疏水化，故在讓被處理基板W’乾燥時，能夠大幅縮小使凸狀部Wm 、Wo 崩塌的力量F。
另外，由於抗蝕劑膜Wo 係由有機膜所構成的，故本來就應該會有疏水性。然而，上述蝕刻液的處理使得位於外面(抗蝕劑膜Wo 的側面)的有機分子在途中被切斷。因此，該有機分子與位於周圍的-OH(羥基)等反應結合，進而變成具備親水性。因此，在用沖洗液洗淨以蝕刻液處理過的抗蝕劑膜Wo 時包含抗蝕劑膜Wo 在內的凸狀部Wm 、Wo 會有崩塌的可能性，然而在本實施形態中，藉由實施第一疏水化液供給步驟95與第二疏水化液供給步驟97，便能夠防止抗蝕劑膜Wo 崩塌。
另外，上述係用在第一疏水化液供給步驟95之後實施第二疏水化液供給步驟97的態樣進行說明，惟並非以此為限，亦可使用在第二疏水化液供給步驟97之後實施第一疏水化液供給步驟95的態樣。然而，即使在異質膜包含由有機膜所構成的抗蝕劑膜Wo 的情況下，還是在第一疏水化液供給步驟95之後實施第二疏水化液供給步驟97比較好，這樣能夠更確實地將金屬膜與有機膜疏水化，進而達到更優異的效果。
另外，若先對被處理基板W供給由界面活性劑等構成而選擇性較高的第二疏水化液，則該第二疏水化液會附著於無機膜上，進而妨礙第一疏水化液附著到無機膜上。從這個理由來看，還是在第一疏水化液供給步驟95之後實施第二疏水化液供給步驟97比較好，這樣能夠更確實地讓無機膜疏水化，進而達到優異的效果。
5．．．液體供給臂
5a．．．擺動軸
10．．．藥液供給機構
12．．．藥液供給部
13．．．藥液供給管
14．．．液體供給噴嘴
22．．．沖洗液供給部
23．．．沖洗液供給管
24．．．置換液供給噴嘴
27．．．置換液供給部
28．．．置換液供給管
30．．．疏水化液供給機構
31．．．第一疏水化液供給機構
32．．．第一疏水化液供給部
33．．．第一疏水化液供給管
34．．．第一疏水化液供給噴嘴
36．．．第二疏水化液供給機構
37．．．第二疏水化液供給部
38．．．第二疏水化液供給管
39．．．第二疏水化液供給噴嘴
40．．．旋轉驅動機構
41．．．馬達
42．．．驅動帶
43．．．帶輪
44．．．軸承
45．．．升降驅動部
50．．．支持部
51．．．支持板
52．．．旋轉軸
55a．．．升降銷
55．．．升降銷板
56．．．升降軸
59．．．杯狀部
60．．．電腦
61．．．記憶媒體
62．．．控制部
65．．．液體供給臂移動部
91．．．藥液供給步驟
92．．．沖洗液供給步驟
93a．．．置換液供給步驟
93b．．．置換液供給步驟
95．．．第一疏水化液供給步驟
96a．．．沖洗液供給步驟
96b．．．沖洗液供給步驟
97．．．第二疏水化液供給步驟
98．．．沖洗液供給步驟
99．．．乾燥步驟
A．．．箭號
W、W’．．．被處理基板
Wi ．．．基板本體部
Wm ．．．凸狀部
Wpm ．．．金屬膜
Wpi ．．．無機膜
Wbi ．．．基板本體部
Wo ．．．抗蝕劑膜
R．．．沖洗液
T．．．被檢査體
θ1 、θ2 、θ0 ．．．角度
H．．．液面高度
S．．．間隔
F．．．力量
圖1係表示本發明實施形態之液體處理裝置的構造的側視剖面圖。
圖2係表示本發明實施形態之液體處理裝置的構造的俯視平面圖。
圖3係用來說明本發明實施形態之液體處理方法的作用效果的側視剖面圖。
圖4係表示本發明實施形態之液體處理方法的一部分順序的流程圖。
圖5係表示本發明實施形態之變化實施例的液體處理方法的一部分順序的流程圖。
圖6係用來說明表1所示之實驗結果的側視剖面圖。
圖7係表示在本發明實施形態使用的被處理基板的另一態樣的側視剖面圖。
圖8係表示在本發明實施形態使用的被處理基板的另一態樣的側視剖面圖。
圖9係表示使用習知液體處理方法處理被處理基板的態樣的側視剖面圖。
5．．．液體供給臂
5a．．．擺動軸
10．．．藥液供給機構
12．．．藥液供給部
13．．．藥液供給管
14．．．液體供給噴嘴
22．．．沖洗液供給部
23．．．沖洗液供給管
24．．．置換液供給噴嘴
27．．．置換液供給部
28．．．置換液供給管
30．．．疏水化液供給機構
31．．．第一疏水化液供給機構
32．．．第一疏水化液供給部
33．．．第一疏水化液供給管
34．．．第一疏水化液供給噴嘴
36．．．第二疏水化液供給機構
37．．．第二疏水化液供給部
38．．．第二疏水化液供給管
39．．．第二疏水化液供給噴嘴
65．．．液體供給臂移動部
A．．．箭號
W．．．被處理基板

Claims (18)

  1. 一種液體處理裝置，用以對被處理體進行處理，該被處理體具備本體部以及設置在該本體部上的複數之凸狀部，並堆疊了無機膜以及與該無機膜性質不同的異質膜，該液體處理裝置包含：支持部，其支持該被處理體的該本體部；疏水化液供給機構，其對該支持部所支持的該被處理體供給疏水化液；以及沖洗液供給部，其對由該疏水化液供給機構供給過疏水化液之後的該被處理體供給沖洗液；該疏水化液供給機構包含：第一疏水化液供給部，其將用來使該無機膜疏水化的第一疏水化液供給至該被處理體；以及第二疏水化液供給部，其將用來使該異質膜疏水化的第二疏水化液供給至該被處理體。
  2. 如申請專利範圍第1項之液體處理裝置，其中，更包含控制部，其至少控制該疏水化液供給機構，該控制部於由該第一疏水化液供給部將第一疏水化液供給至該被處理體之後，再由該第二疏水化液供給部將第二疏水化液供給至該被處理體。
  3. 如申請專利範圍第1項之液體處理裝置，其中，該異質膜包含金屬膜，由該第二疏水化液供給部所供給的第二疏水化液包含界面活性劑。
  4. 如申請專利範圍第1項之液體處理裝置，其中，該異質膜包含有機膜，該第二疏水化液供給部所供給的第二疏水化液包含界面活性劑。
  5. 如申請專利範圍第1項之液體處理裝置，其中，由該第一疏水化液供給部所供給的第一疏水化液包含矽烷化劑或氟聚合物藥液。
  6. 如申請專利範圍第1項之液體處理裝置，其中，更包含控制部，其至少控制該疏水化液供給機構，該控制部於由該第二疏水化液供給部將第二疏水化液供給至該被處理體之前或之後，自該沖洗液供給部將沖洗液供給至該被處理體。
  7. 如申請專利範圍第1項之液體處理裝置，其中，更包含：控制部，其至少控制該疏水化液供給機構；以及置換液供給部，其供給置換液；該控制部於由該第一疏水化液供給部將第一疏水化液供給至該被處理體之前或之後，自該置換液供給部將置換液供給至該被處理體。
  8. 如申請專利範圍第1項之液體處理裝置，其中，更包含旋轉驅動機構，用以使該支持部所支持的該被處理體旋轉，該旋轉驅動機構在至少將第一疏水化液、第二疏水化液以及沖洗液供給至該被處理體之後，旋轉該被處理體使其乾燥。
  9. 如申請專利範圍第7項之液體處理裝置，其中，更包含旋轉驅動機構，其使該支持部所支持的該被處理體旋轉，該控制部使該置換液供給部對該被處理體供給置換液，之後，該控制部使該第一疏水化液供給部對該被處理體供給第一疏水化液，之後，該控制部使該置換液供給部對該被處理體供給置換液，之後，該控制部使該沖洗液供給部對該被處理體供給沖洗液，之後，該控制部使該第二疏水化液供給部對該被處理體供給第二疏水化液，之後，該控制部使該沖洗液供給部對該被處理體供給沖洗液，之後，該旋轉驅動機構旋轉該被處理體使其乾燥。
  10. 一種液體處理方法，其對被處理體進行處理，該被處理體具備本體部以及設置在該本體部上的複數凸狀部，並堆疊了無機膜以及與該無機膜性質不同的異質膜，該液體處理方法特徵為包含以下步驟：利用支持部支持該被處理體的該本體部；對該支持部所支持的該被處理體供給第一疏水化液以將該無機膜疏水化；對該支持部所支持的該被處理體供給第二疏水化液以將該異質膜疏水化；以及對供給過第一疏水化液與第二疏水化液之後的該被處理體供給沖洗液；其中，在對該被處理體供給第一疏水化液之後，對該被處理體供給第二疏水化液。
  11. 如申請專利範圍第10項之液體處理方法，其中，更包含以下步驟：在至少對被處理體供給第一疏水化液、第二疏水化液以及沖洗液之後，旋轉該被處理體使其乾燥。
  12. 如申請專利範圍第11項之液體處理方法，其中，在對該被處理體供給第一疏水化液、第二疏水化液以及沖洗液的期間，該被處理體的該凸狀部不會從第一疏水化液、第二疏水化液以及沖洗液的液面露出，在旋轉該被處理體使其乾燥時，該被處理體的該凸狀部才開始從該液面露出。
  13. 如申請專利範圍第10項之液體處理方法，其中，更包含以下步驟：供給置換液；以及旋轉該被處理體使其乾燥；首先對該被處理體供給置換液之後，對該被處理體供給第一疏水化液，之後，對該被處理體供給置換液，之後，對該被處理體供給沖洗液， 之後，對該被處理體供給第二疏水化液，之後，對該被處理體供給沖洗液，之後，旋轉該被處理體使其乾燥。
  14. 一種記憶媒體，其儲存有使液體處理裝置實施液體處理方法的電腦程式，其特徵為：該液體處理方法可對被處理體進行處理，該被處理體具備本體部以及設置在該本體部上的複數凸狀部，並堆疊了無機膜以及與該無機膜性質不同的異質膜，該該液體處理方法包含以下步驟：利用支持部支持該被處理體的該本體部；對該支持部所支持的該被處理體供給第一疏水化液以將該無機膜疏水化；對該支持部所支持的該被處理體供給第二疏水化液以將該異質膜疏水化；以及對供給過第一疏水化液與第二疏水化液之後的該被處理體供給沖洗液。
  15. 如申請專利範圍第14項之記憶媒體，其中，在該液體處理方法中，係在對該被處理體供給第一疏水化液之後，才對該被處理體供給第二疏水化液。
  16. 如申請專利範圍第14項之記憶媒體，其中，該液體處理方法更包含以下步驟：在至少對該被處理體供給第一疏水化液、第二疏水化液以及沖洗液之後，旋轉該被處理體使其乾燥。
  17. 如申請專利範圍第16項之記憶媒體，其中，在該液體處理方法中，在對該被處理體供給第一疏水化液、第二疏水化液以及沖洗液的期間，該被處理體的該凸狀部不會從第一疏水化液、第二疏水化液以及沖洗液的液面露出，在旋轉該被處理體使其乾燥時，該被處理體的該凸狀部才開始從該液面露出。
  18. 如申請專利範圍第15項之記憶媒體，其中，該液體處理方法更包含以下步驟： 供給置換液；以及旋轉該被處理體使其乾燥；在該液體處理方法中，首先對該被處理體供給置換液，之後，對該被處理體供給第一疏水化液，之後，對該被處理體供給置換液，之後，對該被處理體供給沖洗液，之後，對該被處理體供給第二疏水化液，之後，對該被處理體供給沖洗液，之後，旋轉該被處理體使其乾燥。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4927158B2 (ja) * 2009-12-25 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置
JP5538128B2 (ja) * 2010-08-09 2014-07-02 東京エレクトロン株式会社 排気方法およびガス処理装置
JP5771035B2 (ja) * 2011-03-29 2015-08-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP5662081B2 (ja) * 2010-08-20 2015-01-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR101266620B1 (ko) 2010-08-20 2013-05-22 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리방법 및 기판처리장치
WO2013132881A1 (ja) * 2012-03-06 2013-09-12 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体
JP5674851B2 (ja) * 2013-04-09 2015-02-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6289241B2 (ja) * 2013-06-20 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体
JP6118309B2 (ja) * 2014-12-22 2017-04-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6466315B2 (ja) 2015-12-25 2019-02-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理システム
US10867814B2 (en) * 2016-02-15 2020-12-15 Tokyo Electron Limited Liquid processing method, substrate processing apparatus, and storage medium
JP6310583B2 (ja) * 2017-02-10 2018-04-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03209715A (ja) * 1990-01-11 1991-09-12 Fujitsu Ltd レジスト現像方法
JPH07142349A (ja) * 1993-11-16 1995-06-02 Mitsubishi Electric Corp 現像工程におけるフォトレジストパターンの倒れを防止する方法
JPH07273083A (ja) 1994-03-30 1995-10-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 微細パターン形成法
JPH088163A (ja) * 1994-06-21 1996-01-12 Sony Corp パターン形成方法
EP0789383B1 (en) * 1996-02-08 2008-07-02 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing electron-emitting device, electron source and image-forming apparatus and method of examining the manufacturing
US6451512B1 (en) * 2000-05-01 2002-09-17 Advanced Micro Devices, Inc. UV-enhanced silylation process to increase etch resistance of ultra thin resists
JP2002155268A (ja) * 2000-11-20 2002-05-28 Toshiba Corp 化学的機械的研磨用スラリ及び半導体装置の製造方法
KR100393118B1 (ko) * 2001-02-22 2003-07-31 현만석 반도체 소자의 레지스트 패턴 형성 방법 및 이 방법에서 사용되는 반도체 웨이퍼 세척액
JP2003178946A (ja) * 2001-12-10 2003-06-27 Tokyo Electron Ltd 現像処理方法及び現像処理装置
JP3592702B1 (ja) * 2003-08-12 2004-11-24 エス・イー・エス株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP4607755B2 (ja) * 2005-12-19 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
KR100650901B1 (ko) * 2005-12-29 2006-11-28 동부일렉트로닉스 주식회사 매립 게이트를 갖는 금속 산화물 반도체 트랜지스터
JP4749173B2 (ja) * 2006-02-10 2011-08-17 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US20080008973A1 (en) * 2006-07-10 2008-01-10 Tomohiro Goto Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP4866165B2 (ja) * 2006-07-10 2012-02-01 大日本スクリーン製造株式会社 基板の現像処理方法および基板の現像処理装置
US20080241489A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Renesas Technology Corp. Method of forming resist pattern and semiconductor device manufactured with the same
JP2008277748A (ja) * 2007-03-30 2008-11-13 Renesas Technology Corp レジストパターンの形成方法とその方法により製造した半導体デバイス
JP2009010043A (ja) 2007-06-26 2009-01-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法，基板処理装置，記録媒体
US7838425B2 (en) * 2008-06-16 2010-11-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of treating surface of semiconductor substrate

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Publication number Publication date
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