JPWO2020250587A1 - スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】隣り合うターゲット部材間に形成される間隙への接合材の侵入をより確実に抑制する。【解決手段】バッキングチューブは筒状であり、外周面に複数の凹部が形成されている。ターゲット本体は、バッキングチューブの外周面を囲む円筒状の複数のターゲット部材を有し、複数のターゲット部材のそれぞれが離間するように並設される。中心軸方向に複数のターゲット部材が並ぶにことによって隣り合うターゲット部材間に形成される間隙がバッキングチューブの中心軸周りを周回し、間隙が複数の凹部のそれぞれと交差する。接合材は、バッキングチューブとターゲット本体との間に設けられ、上記バッキングチューブと複数のターゲット部材のそれぞれとを接合する。遮蔽部材は、複数の凹部のそれぞれを跨ぐように接合材とターゲット本体との間に配置され、間隙を接合材の側から遮蔽する。【選択図】図１

Description

本発明は、スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法に関する。
薄型テレビの大画面化に伴い、フラットパネルディスプレイを製造するときに使用されるスパッタリングターゲットの大型化が進行している。これに伴い、大面積の酸化物ターゲットが出現している。特に、長く且つ円筒型の酸化物ターゲットが取り付けられる成膜装置が開発されている。長い円筒型の酸化物ターゲットを得るために、複数個の円筒型の酸化物焼結体を円筒型のバッキングチューブに接合材で接合する方法が提供されている。
しかし、複数個のターゲット部材でスパッタリングターゲットを構成した場合、ターゲット部材の熱膨張によって隣り合うターゲット部材同士が接触して、ターゲット部材が割れる場合がある。この接触による割れを防ぐために、隣り合うターゲット部材間には、間隙が設けられる場合がある（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１５−１６８８３２号公報
しかしながら、間隙が設けられると、必然的に間隙に接合材が侵入する確率が高くなったり、バッキングチューブが隙間に露出したりして、ターゲット部材以外の成分が間隙から放出される可能性がある。このような現象が起きると、酸化物以外の成分が被膜に混入し、被膜の特性が悪化することになる。また、成膜工程での異常放電の要因にもなる。
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、隣り合うターゲット部材間に形成される間隙からの異物の放出をより確実に抑制するスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るスパッタリングターゲットは、バッキングチューブと、ターゲット本体と、接合材と、遮蔽部材とを具備する。
上記バッキングチューブは、筒状であり、外周面に複数の凹部が形成され、上記複数の凹部のそれぞれが中心軸方向に延在し、上記複数の凹部のそれぞれが中心軸周りに並設されている。
上記ターゲット本体は、上記バッキングチューブの外周面を囲む円筒状の複数のターゲット部材を有し、上記複数のターゲット部材のそれぞれが上記バッキングチューブの中心軸方向に離間するように並設される。上記中心軸方向に上記複数のターゲット部材が並ぶにことによって隣り合うターゲット部材間に形成される間隙が上記バッキングチューブの中心軸周りを周回し、上記間隙が上記複数の凹部のそれぞれと交差する。
上記接合材は、上記バッキングチューブと上記ターゲット本体との間に設けられ、上記バッキングチューブと上記複数のターゲット部材のそれぞれとを接合する。
上記遮蔽部材は、上記複数の凹部のそれぞれを跨ぐように上記接合材と上記ターゲット本体との間に配置され、上記間隙を上記接合材の側から遮蔽する。
このようなスパッタリングターゲットによれば、隣り合うターゲット部材間に形成される間隙が遮蔽部材によって確実に遮蔽されて、間隙からの異物の放出が確実に抑制される。
上記スパッタリングターゲットにおいては、上記遮蔽部材は、環状の弾性部材により構成されてもよい。
このようなスパッタリングターゲットによれば、隣り合うターゲット部材間に形成される間隙が環状の弾性部材により構成された遮蔽部材によって確実に遮蔽されて、間隙からの異物の放出が確実に抑制される。
上記スパッタリングターゲットにおいては、上記遮蔽部材が当接する上記ターゲット部材の面が上記中心軸方向に対し傾いてもよい。
このようなスパッタリングターゲットによれば、遮蔽部材が当接するターゲット部材の面が中心軸方向に対し傾いているので、隣り合うターゲット部材間に形成される間隙が弾性部材により確実に遮蔽されて、間隙からの異物の放出が確実に抑制される。
上記スパッタリングターゲットにおいては、上記ターゲット本体は、上記バッキングチューブの上記中心軸方向に列状となって複数並設されてもよい。
このようなスパッタリングターゲットによれば、長尺のスパッタリングターゲットが簡便に得られる。
上記スパッタリングターゲットにおいては、上記複数のターゲット部材のそれぞれは、酸化物の焼結体によって構成されてもよい。
このようなスパッタリングターゲットによれば、複数のターゲット部材のそれぞれが酸化物の焼結体によって構成されても、間隙への接合材の侵入が抑制される。
上記スパッタリングターゲットにおいては、上記酸化物は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを有してもよい。
このようなスパッタリングターゲットによれば、焼結体がＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを有するので、安定した酸化物半導体膜が形成される。
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るスパッタリングターゲットの製造方法では、外周面に複数の凹部が形成され、上記複数の凹部のそれぞれが中心軸方向に延在し、上記複数の凹部のそれぞれが中心軸周り並設されたバッキングチューブが準備される。
上記複数の凹部のそれぞれを跨ぐように環状の遮蔽部材が上記バッキングチューブの周りに配置される。
第１ターゲット部材及び第２ターゲット部材によって上記バッキングチューブの上記外周面が包囲される。
上記第１ターゲット部材及び上記第２ターゲット部材が上記中心軸方向に並ぶように配置される。
上記第１ターゲット部材及び上記第２ターゲット部材との間に形成される間隙が上記遮蔽部材によって上記バッキングチューブの側から遮蔽される。
上記第１ターゲット部材と上記バッキングチューブとの間に溶融した上記接合材が充填され、上記接合材が上記複数の凹部を通じて上記第２ターゲット部材と上記バッキングチューブとの間に充填される。
上記接合材を固化することで、上記第１ターゲット部材と上記バッキングチューブとの間及び上記第２ターゲット部材と上記バッキングチューブとの間が接合され、上記第１ターゲット部材と上記第２ターゲット部材とを有する上記ターゲット本体が上記バッキングチューブの周りに形成される。
このようなスパッタリングターゲットの製造方法によれば、隣り合うターゲット部材間に形成される間隙が遮蔽部材によって確実に遮蔽されて、間隙からの異物の放出が確実に抑制される。
以上述べたように、本発明によれば、隣り合うターゲット部材間に形成される間隙からの異物の放出をより確実に抑制するスパッタリングターゲット及びその製造方法が提供される。
図（ａ）は、本実施形態に係るスパッタリングターゲットを示す模式的斜視図である。図（ｂ）は、本実施形態に係るスパッタリングターゲットを示す模式的段面図である。 本実施形態に係るスパッタリングターゲットのバッキングチューブと、バッキングチューブを囲む遮蔽部材とを示す模式的斜視図である。 ターゲット本体と接合材との間に設けられた遮蔽部材を示す模式的断面図である。 ターゲット本体とバッキングチューブとの間に接合材が充填される様子を示す模式図である。 本実施形態に係るスパッタリングターゲットの変形例１を示す模式的斜視図である。 本実施形態に係るスパッタリングターゲットの変形例２を示す模式的断面図である。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。各図面には、ＸＹＺ軸座標が導入される場合がある。また、同一の部材または同一の機能を有する部材には同一の符号を付す場合があり、その部材を説明した後には適宜説明を省略する場合がある。
図１（ａ）は、本実施形態に係るスパッタリングターゲットを示す模式的斜視図である。図１（ｂ）は、本実施形態に係るスパッタリングターゲットを示す模式的段面図である。図１（ｂ）には、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線に沿ったＸ−Ｙ軸断面が示されている。
図２は、本実施形態に係るスパッタリングターゲットのバッキングチューブと、バッキングチューブを囲む遮蔽部材とを示す模式的斜視図である。図２には、図１（ａ）から、接合材３０と、ターゲット本体２０とが取り除かれた状態が示されている。
図１（ａ）、（ｂ）に示すスパッタリングターゲット１は、スパッタリング成膜に用いられる円筒状のターゲットアセンブリである。スパッタリングターゲット１は、バッキングチューブ１０と、ターゲット本体２０と、接合材３０と、遮蔽部材４０とを具備する。
バッキングチューブ１０は、筒状体であり、その内部が中空状になっている。バッキングチューブ１０は、一軸方向（例えば、中心軸１０ｃの方向）に延在する。中心軸１０ｃの方向は、バッキングチューブ１０の長手方向である。また、バッキングチューブ１０は、スパッタリングターゲット１の基材であることから、中心軸１０ｃは、スパッタリングターゲット１の中心軸でもある。
バッキングチューブ１０は、中心軸１０ｃの周りを周回する外周面１０１と、外周面１０１とは反対側に位置し、中心軸１０ｃの周りを周回する内周面１０２とを有する。バッキングチューブ１０を中心軸１０ｃと直交する平面（例えば、Ｘ−Ｙ軸平面）で切断した場合、その形状は、例えば、環状になっている。
バッキングチューブ１０の外周面１０１には、複数の凹部１０３が形成されている（図２）。複数の凹部１０３のそれぞれは、例えば、スリット状の溝であり、それぞれが中心軸１０ｃの方向に延在する。複数の凹部のそれぞれは、中心軸１０ｃの周りに並設されている。凹部１０３の個数は、特に限定されず、例えば、８個の凹部１０３が外周面１０１に設けられる。
バッキングチューブ１０の材料は、熱伝導性に優れた材料を有し、例えば、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）等である。バッキングチューブ１０の内部には、適宜、冷媒が流通する流路が形成されてもよい。
ターゲット本体２０は、バッキングチューブ１０の外周面１０１を囲む。ターゲット本体２０は、バッキングチューブ１０に対して同心状に配置される。ターゲット本体２０は、複数のターゲット部材を有する。例えば、図１（ａ）、（ｂ）の例では、ターゲット本体２０は、一組のターゲット部材２０Ａ、２０Ｂを有している。本実施形態では、ターゲット部材２０Ａを第１ターゲット部材、ターゲット部材２０Ｂを第２ターゲット部材とする。
ターゲット部材２０Ａ、２０Ｂのそれぞれは、円筒状である。ターゲット部材２０Ａ、２０Ｂのそれぞれは、バッキングチューブ１０を囲む。また、ターゲット部材２０Ａ、２０Ｂは、バッキングチューブ１０の中心軸１０ｃの方向に並設される。
ターゲット部材２０Ａ、２０ＢのそれぞれをＸ−Ｙ軸平面で切断した場合、その形状は、例えば、環状になっている。例えば、Ｘ−Ｙ軸平面におけるターゲット部材２０Ａ、２０Ｂのそれぞれの断面形状は、同じ形状をしている。また、Ｚ軸方向におけるターゲット部材２０Ａ、２０Ｂのそれぞれの長さは、同じである。
ターゲット部材２０Ａ、２０Ｂのそれぞれは、互いに接触することなく、バッキングチューブ１０の中心軸１０ｃの方向に互いに接触することなく離間するように並設される。換言すれば、ターゲット本体２０は、中心軸１０ｃに沿った方向で分割された分割構造を有する。
これにより、ターゲット部材２０Ａとターゲット部材２０Ｂとの間には、間隙（分割部）２０１が形成される。間隙２０１は、バッキングチューブ１０の中心軸１０ｃの周りを周回する。間隙２０１は、複数の凹部１０３のそれぞれを跨ぎ、複数の凹部１０３のそれぞれと交差する。間隙２０１の中心軸１０ｃの方向における幅については、特に限定されず、例えば、ターゲット部材２０Ａ、２０Ｂの熱膨張によって、それぞれが互いに接触しない程度に設定される。例えば、間隙２０１の幅は、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である。
ターゲット部材２０Ａ、２０Ｂは、同一材料で構成され、例えば、酸化物の焼結体によって構成されている。一例として、焼結体は、Ｉｎ及びＺｎを有する。例えば、焼結体は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ（ＩＧＺＯ）からなる。例えば、焼結体は、Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＩＴＺＴＯ）焼結体、Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＩＧＴＯ）焼結体等でもよい。
接合材３０は、バッキングチューブ１０とターゲット本体２０との間に介設されている。接合材３０は、バッキングチューブ１０とターゲット本体２０とに密に接している。接合材３０は、バッキングチューブ１０と複数のターゲット部材２０Ａ、２０Ｂのそれぞれとを接合する。接合材３０をバッキングチューブ１０とターゲット本体２０との間に充填した後には、凹部１０３にも接合材３０が注入される。接合材３０は、例えば、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、ハンダ材等を有する。
遮蔽部材４０は、複数の凹部１０３以外のバッキングチューブ１０の外周面１０１に接し、複数の凹部１０３のそれぞれを跨ぐように接合材３０とターゲット本体２０との間に配置される（図２）。遮蔽部材４０は、間隙２０１と接合材３０との間に位置する。遮蔽部材４０は、間隙２０１を接合材３０の側から遮蔽する。
図３は、ターゲット本体と接合材との間に設けられた遮蔽部材を示す模式的断面図である。図３には、凹部１０３の位置から中心軸１０ｃの周りに逸れた遮蔽部材４０が示されている。
ターゲット部材２０Ａとターゲット部材２０Ｂとが中心軸１０ｃの方向に間隙２０１を隔てて対向することで、ターゲット部材２０Ａは、ターゲット部材２０Ｂに対向する端面２０２を有し、ターゲット部材２０Ｂは、ターゲット部材２０Ａに対向する端面２０３を有する。
また、ターゲット部材２０Ａは、バッキングチューブ１０の側に傾斜面２０５を有し、ターゲット部材２０Ｂは、バッキングチューブ１０の側に傾斜面２０６を有する。傾斜面２０５は、端面２０２に連設され、傾斜面２０６は、端面２０３に連設されている。傾斜面２０５、２０６のそれぞれは、中心軸１０ｃの方向に対して傾いている。
中心軸１０ｃの方向における傾斜面２０５と傾斜面２０６との距離は、中心軸１０ｃから遠ざかるほど狭くなる。傾斜面２０５と傾斜面２０６とが中心軸１０ｃの方向に対向することで、間隙２０１のバッキングチューブ１０の側にはテーパ構造が構成される。遮蔽部材４０は、ターゲット部材２０Ａの傾斜面２０５に当接し、ターゲット部材２０Ｂの傾斜面２０６に当接している。
遮蔽部材４０の断面径は、特に限ることなく、例えば、その最小径が傾斜面２０５と、傾斜面２０６と、外周面１０１とに当接する程度あればよい。遮蔽部材４０が傾斜面２０５と、傾斜面２０６と、外周面１０１とに当接し、遮蔽部材４０が若干の弾性変形することで、遮蔽部材４０のターゲット部材２０Ａ、２０Ｂに対する接触面積が充分に確保される。なお、弾性変形をする前の遮蔽部材４０の断面の外形は、例えば、円状をしている。
また、この構成によれば、遮蔽部材４０が中心軸１０ｃの方向において傾斜面２０５と傾斜面２０６とによって挟まれることになる。これにより、接合材３０の注入時には、遮蔽部材４０の中心軸１０ｃの方向における位置ずれが起きにくくなる。
遮蔽部材４０は、環状の弾性部材により構成されている。遮蔽部材４０は、例えば、Ｏリングである。遮蔽部材４０の材料は、耐熱性、プラズマ耐性に優れた材料を有し、例えば、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂等である。
このような遮蔽部材４０を間隙２０１と接合材３０との間に配置することにより、接合材３０の間隙２０１への漏れが抑制され、間隙２０１に接合材３０が侵入しにくくなる。また、スパッタリング時に間隙２０１がプラズマに晒されたとしても、遮蔽部材４０により接合材３０がプラズマから遮蔽される。これにより、スパッタリング時には、接合材３０の成分（例えば、Ｉｎ）がターゲット本体２０の成分と混ざりにくくなる。さらに、遮蔽部材４０がプラズマ耐性を有することから、遮蔽部材４０もターゲット本体２０の成分と混ざりにくくなる。
次に、スパッタリングターゲット１の製造方法について説明する。
先ず、図２に示すバッキングチューブ１０が準備され、ターゲット部材２０Ａによって、バッキングチューブ１０の外周面１０１が包囲される。
次に、複数の凹部１０３のそれぞれを跨ぐように環状の遮蔽部材４０がバッキングチューブ１０の周りに配置される。遮蔽部材４０は、例えば、中心軸１０ｃの方向において、複数の凹部１０３のそれぞれの中心付近に位置する。遮蔽部材４０とバッキングチューブ１０との間には、凹部１０３によって空隙が形成される。
次に、ターゲット部材２０Ｂによって、バッキングチューブ１０の外周面１０１が包囲される。これにより、ターゲット部材２０Ａ及びターゲット部材２０Ｂによってバッキングチューブ１０の外周面１０１が包囲される。
この際、ターゲット部材２０Ａとターゲット部材２０Ｂとが中心軸１０ｃの方向に並ぶように配置される。遮蔽部材４０は、ターゲット部材２０Ａとターゲット部材２０Ｂとによって挟まれる。これにより、ターゲット部材２０Ａとターゲット部材２０Ｂとの間に形成される間隙２０１は、バッキングチューブ１０の側から遮蔽部材４０によって遮蔽される。
次に、バッキングチューブ１０を立てかけた状態で、溶融した接合材３０がバッキングチューブ１０の下方からバッキングチューブ１０とターゲット本体２０との間に充填される。接合材３０の充填では、圧力（重力）差を利用した充填、圧入等が利用される。
図４（ａ）、（ｂ）は、ターゲット本体とバッキングチューブとの間に接合材が充填される様子を示す模式図である。
まずは、図４（ａ）に示すように、ターゲット本体２０の中、ターゲット部材２０Ａとバッキングチューブ１０との間に接合材３０が注入される。接合材３０の注入を続け、接合材３０が遮蔽部材４０の位置に到達しても、間隙２０１が遮蔽部材４０で遮蔽されているため、接合材３０がバッキングチューブ１０の側から間隙２０１に漏れにくくなっている。
この後、バッキングチューブ１０の外周面１０１には、凹部１０３が設けられているため、図４（ｂ）に示すように、接合材３０は、遮蔽部材４０とバッキングチューブ１０との間の凹部１０３を通り抜ける。これにより、接合材３０は、凹部１０３を介してバッキングチューブ１０とターゲット部材２０Ｂとの間にも充填される。
この後、接合材３０が固化し、バッキングチューブ１０とターゲット部材２０Ａとが接合材３０によって接合され、バッキングチューブ１０とターゲット部材２０Ｂとが接合材３０によって接合される。これにより、ターゲット本体２０がバッキングチューブ１０の周りに形成される。この後、必要に応じて、ターゲット部材２０Ａ、２０Ｂの表面粗さを調える仕上げ加工が施される。
スパッタリングターゲット１を用いた場合の効果の一例について説明する。
スパッタリングターゲット１においては、ターゲット部材２０Ａ、２０Ｂ間の間隙２０１がバッキングチューブ１０の側から遮蔽部材４０により遮蔽される。遮蔽部材４０は、弾性変形が可能な材料で構成されている。
これにより、間隙２０１は、バッキングチューブ１０の側から遮蔽部材４０によって確実に遮蔽される。この結果、接合材３０が間隙２０１に挿入しにくくなり、接合材３０の成分、バッキングチューブ１０の成分が被膜に混入しにくくなる。また、バッキングチューブ１０も間隙２０１に露出されず、間隙２０１からターゲット部材の成分以外の成分（異物）が放出されにくくなる。
また、遮蔽部材４０が間隙２０１を通じてプラズマに晒されたとしても、遮蔽部材４０は、プラズマ耐性の高い材料で構成されているため、遮蔽部材４０の成分は、被膜に混入しにくくなっている。
また、遮蔽部材として、粘着性テープを代用した場合に比べて、断面が円状の遮蔽部材４０では、傾斜面２０５、２０６によって、その位置が強固に固定される。従って、遮蔽部材４０を用いれば、粘着性テープに比べて接合材注入時の中心軸１０ｃの方向における位置ずれが起きにくくなる。
また、遮蔽部材４０は、粘着層を有しないため、貼付作業がなく、取り付けが簡便になる。また、バッキングチューブ１０への取り付けで、その位置がずれたとしても、バッキングチューブ１０に貼付されていないため、再度の位置調整が簡便になる。
また、バッキングチューブ１０の外周面１０１には凹部１０３が設けられている。このため、遮蔽部材４０がターゲット本体２０及びに密着したとしても、接合材３０は、凹部１０３を通じて、複数のターゲット部材のそれぞれと、バッキングチューブ１０との間の全域に行き渡る。
（変形例１）
図５は、本実施形態に係るスパッタリングターゲットの変形例１を示す模式的斜視図である。
スパッタリングターゲット２においては、ターゲット本体２０がバッキングチューブ１０の中心軸１０ｃの方向に列状となって複数並設されている。複数のターゲット本体２０のそれぞれは、中心軸１０ｃの方向に互いに離間して配置される。傾斜面２０５、２０６は、一組のターゲット部材２０Ａ、２０Ｂに限らず、隣り合うターゲット部材間に形成される。複数のターゲット本体２０を有するスパッタリングターゲット２の中心軸１０ｃの方向における長さは、２０００ｍｍ以上である。
このような構成によれば、上述した効果に加え、スパッタリングターゲットの中心軸１０ｃの方向における長さを簡便に長くすることができる。
（変形例２）
図６は、本実施形態に係るスパッタリングターゲットの変形例２を示す模式的断面図である。
例えば、遮蔽部材４０が当接するバッキングチューブ１０の外周面１０１に、中心軸１０ｃの周りを周回する浅い凹部１０４が設けられてもよい。凹部１０４の深さは、凹部１０３の深さよりも浅い。このような凹部１０４を設けることにより、遮蔽部材４０は、傾斜面２０５、２０６のほかに、凹部１０４によってもその位置が固定される。これにより、遮蔽部材４０の位置ずれがさらに抑制される。
（実施例）
原料として、一次粒子の平均粒径が１．１μｍであるＩｎ２Ｏ３粉と、一次粒子の平均粒径が０．５μｍであるＺｎＯ粉と、一次粒子の平均粒径が１．３μｍであるＧａ２Ｏ３を酸化物のモル比で１：２：１となるように秤量した。これらの原料粉末を湿式ボールミルで粉砕・混合した。粉砕メディアとしてφ５ｍｍのジルコニアボールを使用した。粉砕混合したスラリーをスプレードライヤで乾燥造粒し、造粒粉を得た。
造粒粉を金属製の芯棒を内部に設置したポリウレタン製の円筒状のゴム型に充填して、造粒粉を密封後、９８ＭＰａの圧力でＣＩＰ（Cold Isostatic Pressing）成形を行い、円筒状の成形体を得た。成形体を設定温度１５００℃、１０時間、焼成することで円筒型の焼成体（ターゲット部材２０Ａ、またはターゲット部材２０Ｂに相当）を得た。
ターゲット部材を外径１５５ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ２６０ｍｍになるように機械加工を行った。外径１３３ｍｍ、内径１２５ｍｍ、長さ１６００ｍｍのＴｉ製のバッキングチューブ１０の中心軸１０ｃの周りに等間隔に幅２ｍｍ、最大深さ２ｍｍ、長さ２０ｍｍの凹部１０３を１２個、形成した。
ターゲット部材及びバッキングチューブ１０を加熱装置にセットして１８０℃に加熱しながらターゲット部材の内周面と、バッキングチューブ１０の外周面１０１とに加熱融解したＩｎを晒した。
ターゲット部材２０Ａにバッキングチューブ１０を挿入した後、バッキングチューブ１０に、断面径１．５ｍｍ、直径１３３ｍｍの環状のフッ素樹脂製Ｏリングを取り付けて、ターゲット部材２０Ａに密着させた。さらに、２個目のターゲット部材２０Ｂにバッキングチューブ１０を挿入し、Ｏリングを挿入した。この動作を繰り返して、６個のターゲット部材と、５個のＯリングとを有するスパッタリングターゲットを得た。
バッキングチューブ１０とターゲット部材との位置を調整した後、１６０℃で加熱溶融したＩｎをバッキングチューブ１０と、各ターゲット部材との間に注入した。Ｉｎが冷却後、マイクロスコープを用いて、間隙２０１の観察を行ったところ、Ｉｎは、観察されなかった。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。各実施形態は、独立の形態とは限らず、技術的に可能な限り複合することができる。
１、２…スパッタリングターゲット
１０…バッキングチューブ
１０ｃ…中心軸
２０…ターゲット本体
２０Ａ、２０B…ターゲット部材
３０…接合材
４０…遮蔽部材
１０１…外周面
１０２…内周面
１０３、１０４…凹部
２０１…間隙
２０２、２０３…端面
２０５、２０６…傾斜面

Claims (7)

  1. 筒状であり、外周面に複数の凹部が形成され、前記複数の凹部のそれぞれが中心軸方向に延在し、前記複数の凹部のそれぞれが中心軸周りに並設されたバッキングチューブと、
    前記バッキングチューブの外周面を囲む円筒状の複数のターゲット部材を有し、前記複数のターゲット部材のそれぞれが前記バッキングチューブの中心軸方向に離間するように並設され、前記中心軸方向に前記複数のターゲット部材が並ぶにことによって隣り合うターゲット部材間に形成される間隙が前記バッキングチューブの中心軸周りを周回し、前記間隙が前記複数の凹部のそれぞれと交差するターゲット本体と、
    前記バッキングチューブと前記ターゲット本体との間に設けられ、前記バッキングチューブと前記複数のターゲット部材のそれぞれとを接合する接合材と、
    前記複数の凹部のそれぞれを跨ぐように前記接合材と前記ターゲット本体との間に配置され、前記間隙を前記接合材の側から遮蔽する遮蔽部材と
    を具備するスパッタリングターゲット。
  2. 請求項１に記載のスパッタリングターゲットにおいて、
    前記遮蔽部材は、環状の弾性部材により構成されている
    スパッタリングターゲット。
  3. 請求項１または２に記載のスパッタリングターゲットであって、
    前記遮蔽部材が当接する前記ターゲット部材の面が前記中心軸方向に対し傾いている
    スパッタリングターゲット。
  4. 請求項１〜３に記載のスパッタリングターゲットにおいて、
    前記ターゲット本体は、前記バッキングチューブの前記中心軸方向に列状となって複数並設されている
    スパッタリングターゲット。
  5. 請求項１〜４のいずれか１つに記載のスパッタリングターゲットにおいて、
    前記複数のターゲット部材のそれぞれは、酸化物の焼結体によって構成されている
    スパッタリングターゲット。
  6. 請求項５に記載のスパッタリングターゲットにおいて、
    前記酸化物は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを有する
    スパッタリングターゲット。
  7. 筒状のバッキングチューブと、前記バッキングチューブを囲むターゲット本体と、前記バッキングチューブと前記ターゲット本体との間に介設され、前記バッキングチューブと前記ターゲット本体とを接合する接合材とを有するスパッタリングターゲットの製造方法であって、
    外周面に複数の凹部が形成され、前記複数の凹部のそれぞれが中心軸方向に延在し、前記複数の凹部のそれぞれが中心軸周り並設されたバッキングチューブを準備し、
    前記複数の凹部のそれぞれを跨ぐように環状の遮蔽部材を前記バッキングチューブの周りに配置し、
    第１ターゲット部材及び第２ターゲット部材によって前記バッキングチューブの前記外周面を包囲し、
    前記第１ターゲット部材及び前記第２ターゲット部材を前記中心軸方向に並ぶように配置し、
    前記第１ターゲット部材及び前記第２ターゲット部材との間に形成される間隙を前記遮蔽部材によって前記バッキングチューブの側から遮蔽し、
    前記第１ターゲット部材と前記バッキングチューブとの間に溶融した前記接合材を充填し、前記接合材を前記複数の凹部を通じて前記第２ターゲット部材と前記バッキングチューブとの間に充填し、
    前記接合材を固化することで、前記第１ターゲット部材と前記バッキングチューブとの間及び前記第２ターゲット部材と前記バッキングチューブとの間を接合し、前記第１ターゲット部材と前記第２ターゲット部材とを有する前記ターゲット本体を前記バッキングチューブの周りに形成する
    スパッタリングターゲットの製造方法。
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