JPWO2020236303A5 - - Google Patents

Description

いくつかのプロセスパラメータもまた、第２のガス前駆体３１０のパルス状にする間に調整される。一実施形態では、プロセス圧力は、約１ｍＴｏｒｒと約１００ｍＴｏｒｒとの間で制御される。処理温度は、摂氏約１１０度未満、例えば、摂氏約－１０度と摂氏約１１０度との間、例えば、摂氏約２０度と摂氏約１００度との間に維持される。ＲＦ源電力は、約５００ワット及び約１０００ワットなど、約１００ワットと約２５００ワットとの間で制御することができる。ＲＦバイアス電力は、第２のガス前駆体３１０を供給している間に任意に供給され得る。適用されるＲＦ源及びバイアス電力は、ケイ素元素３５０への酸素又は窒素元素３１１の吸収を増強するように、活性化／励起状態での基板３０２からの酸素又は窒素元素３１１並びにケイ素元素３５０の活性化を支援し得ると考えられている。第２のガス前駆体３１０の各パルスは、約３Åと約１５Åとの間の厚さを有する材料層３６０の第１の単分子層を堆積させることができる。

Claims (20)

1. 基板上に材料層を形成するための方法であって：
   有機ケイ素化合物を含む第１のガス前駆体を前記基板の表面にパルス状にすることと；
   前記第１のガス前駆体からの第１の元素を前記基板の表面上に配置することと；
   前記第１の元素を配置する間、前記基板の温度を摂氏約１１０度未満に維持することと；
   前記基板の表面上に第２のガス前駆体をパルス状にすることと；
   前記第２のガス前駆体からの第２の元素を、前記基板の表面上の前記第１の元素に配置することと
   を含む、方法。
2. 前記第１のガス前駆体をパルス状にすることが：
   前記第１のガス前駆体からプラズマを生成することなく前記第１のガス前駆体をパルス状にすることをさらに含み、前記第１のガス前駆体は、エッチング処理チャンバ内に配置された前記基板の表面上にパルス状にされる、請求項１に記載の方法。
3. 前記第１のガス前駆体が、ＲＦ源電力又はバイアス電力を印加することなく前記基板の表面にパルス状にされ、前記基板の温度は、前記第１のガス前駆体をパルス状にする間約－２０℃と約５０℃との間に維持される、請求項１に記載の方法。
4. 前記有機ケイ素化合物がアミノシランを含み、前記有機ケイ素化合物が、ビス（ジエチルアミド）シラン（ＢＤＥＡＳ）又はトリス（ジメチルアミノ）シラン（ＴＤＭＡＳ）、ビス（ターシャリーブチルアミノ）シラン（ＢＴＢＡＳ）の少なくとも１つである、請求項１に記載の方法。
5. 前記第２のガス前駆体をパルス状にすることが：
   前記第２のガス前駆体をパルス状にする間ＲＦ源電力又はＲＦバイアス電力を適用することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
6. パージガスが、前記第１のガス前駆体をパルス状にすることと前記第２のガス前駆体をパルス状にすることとの間に供給される、請求項１に記載の方法。
7. 前記第２のガス前駆体が、窒素又は酸素含有ガスを含む、請求項１に記載の方法。
8. 前記窒素又は酸素含有ガスがＮ_２又はＯ_２である、請求項７に記載の方法。
9. 前記基板上に配置されたフィーチャの表面上に共形性に材料層を形成することをさらに含み、前記フィーチャは、２０：１を超えるアスペクト比を有し、前記材料層は、酸化ケイ素又は窒化ケイ素から形成される、請求項１に記載の方法。
10. 前記基板上の構造の表面上に前記材料層を選択的に形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
11. 基板上に材料層を形成するための方法であって：
    第１の元素を含む有機ケイ素化合物を含む第１のガス前駆体を、エッチング処理チャンバ内に配置された前記基板にパルス状にすることと；
    第２の元素を含む第２のガス前駆体を、前記エッチング処理チャンバ内に配置された前記基板にパルス状にすることと；
    前記エッチング処理チャンバ内の前記基板の表面上に、第１の元素及び第２の元素を含む材料層を形成することと
    を含む、方法。
12. 前記基板の温度を摂氏１１０度未満に維持することをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
13. 前記第１のガス前駆体が、ＲＦ源電力又はバイアス電力を前記エッチング処理チャンバに印加することなく、前記エッチング処理チャンバ中にパルス状にされる、請求項１１に記載の方法。
14. 前記第２のガス前駆体が、ＲＦバイアス電力又はＲＦ源電力を前記エッチング処理チャンバに印加する間、前記エッチング処理チャンバ中にパルス状にされる、請求項１１に記載の方法。
15. 基板上に材料層を形成するための方法であって：
    第１のガス前駆体及び第２のガス前駆体を、エッチング処理チャンバ内に配置された前記基板の表面に順次パルス状にすることであって、前記第１のガス前駆体は有機ケイ素化合物を含む、前記パルス状にすることと；
    前記基板の温度を摂氏１１０度未満に維持することと；
    前記基板の表面上に材料層を選択的に形成することと
    を含む、方法。
16. 前記第１のガス前駆体をパルス状にすることが：
    前記第１のガス前駆体からプラズマを生成することなく、前記第１のガス前駆体をパルス状にすることをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
17. 前記第１のガス前駆体が、前記エッチング処理チャンバ内に配置された前記基板の表面上にパルス状にされ、前記第１のガス前駆体はケイ素含有ガスを含む、請求項１１に記載の方法。
18. 前記エッチング処理チャンバ内の前記第１のガス前駆体の圧力を約１ｍＴｏｒｒと約１００ｍＴｏｒｒとの間に維持することをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
19. 前記エッチング処理チャンバの温度を摂氏約２０度と摂氏約９０度との間に維持することをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
20. 前記エッチング処理チャンバ内の前記第２のガス前駆体の温度を摂氏約－１０度と摂氏約１１０度との間に維持することをさらに含む、請求項１８に記載の方法。