JPWO2020236303A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2020236303A5 JPWO2020236303A5 JP2021568761A JP2021568761A JPWO2020236303A5 JP WO2020236303 A5 JPWO2020236303 A5 JP WO2020236303A5 JP 2021568761 A JP2021568761 A JP 2021568761A JP 2021568761 A JP2021568761 A JP 2021568761A JP WO2020236303 A5 JPWO2020236303 A5 JP WO2020236303A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas precursor
- substrate
- pulsing
- gas
- precursor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 34
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 claims 5
- VYIRVGYSUZPNLF-UHFFFAOYSA-N n-(tert-butylamino)silyl-2-methylpropan-2-amine Chemical compound CC(C)(C)N[SiH2]NC(C)(C)C VYIRVGYSUZPNLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GIRKRMUMWJFNRI-UHFFFAOYSA-N tris(dimethylamino)silicon Chemical compound CN(C)[Si](N(C)C)N(C)C GIRKRMUMWJFNRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Description
いくつかのプロセスパラメータもまた、第2のガス前駆体310のパルス状にする間に調整される。一実施形態では、プロセス圧力は、約1mTorrと約100mTorrとの間で制御される。処理温度は、摂氏約110度未満、例えば、摂氏約-10度と摂氏約110度との間、例えば、摂氏約20度と摂氏約100度との間に維持される。RF源電力は、約500ワット及び約1000ワットなど、約100ワットと約2500ワットとの間で制御することができる。RFバイアス電力は、第2のガス前駆体310を供給している間に任意に供給され得る。適用されるRF源及びバイアス電力は、ケイ素元素350への酸素又は窒素元素311の吸収を増強するように、活性化/励起状態での基板302からの酸素又は窒素元素311並びにケイ素元素350の活性化を支援し得ると考えられている。第2のガス前駆体310の各パルスは、約3Åと約15Åとの間の厚さを有する材料層360の第1の単分子層を堆積させることができる。
Claims (20)
- 基板上に材料層を形成するための方法であって:
有機ケイ素化合物を含む第1のガス前駆体を前記基板の表面にパルス状にすることと;
前記第1のガス前駆体からの第1の元素を前記基板の表面上に配置することと;
前記第1の元素を配置する間、前記基板の温度を摂氏約110度未満に維持することと;
前記基板の表面上に第2のガス前駆体をパルス状にすることと;
前記第2のガス前駆体からの第2の元素を、前記基板の表面上の前記第1の元素に配置することと
を含む、方法。 - 前記第1のガス前駆体をパルス状にすることが:
前記第1のガス前駆体からプラズマを生成することなく前記第1のガス前駆体をパルス状にすることをさらに含み、前記第1のガス前駆体は、エッチング処理チャンバ内に配置された前記基板の表面上にパルス状にされる、請求項1に記載の方法。 - 前記第1のガス前駆体が、RF源電力又はバイアス電力を印加することなく前記基板の表面にパルス状にされ、前記基板の温度は、前記第1のガス前駆体をパルス状にする間約-20℃と約50℃との間に維持される、請求項1に記載の方法。
- 前記有機ケイ素化合物がアミノシランを含み、前記有機ケイ素化合物が、ビス(ジエチルアミド)シラン(BDEAS)又はトリス(ジメチルアミノ)シラン(TDMAS)、ビス(ターシャリーブチルアミノ)シラン(BTBAS)の少なくとも1つである、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のガス前駆体をパルス状にすることが:
前記第2のガス前駆体をパルス状にする間RF源電力又はRFバイアス電力を適用することをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - パージガスが、前記第1のガス前駆体をパルス状にすることと前記第2のガス前駆体をパルス状にすることとの間に供給される、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のガス前駆体が、窒素又は酸素含有ガスを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記窒素又は酸素含有ガスがN2又はO2である、請求項7に記載の方法。
- 前記基板上に配置されたフィーチャの表面上に共形性に材料層を形成することをさらに含み、前記フィーチャは、20:1を超えるアスペクト比を有し、前記材料層は、酸化ケイ素又は窒化ケイ素から形成される、請求項1に記載の方法。
- 前記基板上の構造の表面上に前記材料層を選択的に形成することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 基板上に材料層を形成するための方法であって:
第1の元素を含む有機ケイ素化合物を含む第1のガス前駆体を、エッチング処理チャンバ内に配置された前記基板にパルス状にすることと;
第2の元素を含む第2のガス前駆体を、前記エッチング処理チャンバ内に配置された前記基板にパルス状にすることと;
前記エッチング処理チャンバ内の前記基板の表面上に、第1の元素及び第2の元素を含む材料層を形成することと
を含む、方法。 - 前記基板の温度を摂氏110度未満に維持することをさらに含む、請求項11に記載の方法。
- 前記第1のガス前駆体が、RF源電力又はバイアス電力を前記エッチング処理チャンバに印加することなく、前記エッチング処理チャンバ中にパルス状にされる、請求項11に記載の方法。
- 前記第2のガス前駆体が、RFバイアス電力又はRF源電力を前記エッチング処理チャンバに印加する間、前記エッチング処理チャンバ中にパルス状にされる、請求項11に記載の方法。
- 基板上に材料層を形成するための方法であって:
第1のガス前駆体及び第2のガス前駆体を、エッチング処理チャンバ内に配置された前記基板の表面に順次パルス状にすることであって、前記第1のガス前駆体は有機ケイ素化合物を含む、前記パルス状にすることと;
前記基板の温度を摂氏110度未満に維持することと;
前記基板の表面上に材料層を選択的に形成することと
を含む、方法。 - 前記第1のガス前駆体をパルス状にすることが:
前記第1のガス前駆体からプラズマを生成することなく、前記第1のガス前駆体をパルス状にすることをさらに含む、請求項11に記載の方法。 - 前記第1のガス前駆体が、前記エッチング処理チャンバ内に配置された前記基板の表面上にパルス状にされ、前記第1のガス前駆体はケイ素含有ガスを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記エッチング処理チャンバ内の前記第1のガス前駆体の圧力を約1mTorrと約100mTorrとの間に維持することをさらに含む、請求項11に記載の方法。
- 前記エッチング処理チャンバの温度を摂氏約20度と摂氏約90度との間に維持することをさらに含む、請求項18に記載の方法。
- 前記エッチング処理チャンバ内の前記第2のガス前駆体の温度を摂氏約-10度と摂氏約110度との間に維持することをさらに含む、請求項18に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201962852023P | 2019-05-23 | 2019-05-23 | |
US62/852,023 | 2019-05-23 | ||
PCT/US2020/024472 WO2020236303A1 (en) | 2019-05-23 | 2020-03-24 | In-situ atomic layer deposition process |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022533388A JP2022533388A (ja) | 2022-07-22 |
JPWO2020236303A5 true JPWO2020236303A5 (ja) | 2023-04-05 |
JP7539927B2 JP7539927B2 (ja) | 2024-08-26 |
Family
ID=73456146
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021568761A Active JP7539927B2 (ja) | 2019-05-23 | 2020-03-24 | in-situ原子層堆積プロセス |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200373149A1 (ja) |
JP (1) | JP7539927B2 (ja) |
KR (1) | KR20210158862A (ja) |
CN (1) | CN113906539A (ja) |
TW (1) | TW202043532A (ja) |
WO (1) | WO2020236303A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11521849B2 (en) * | 2018-07-20 | 2022-12-06 | Applied Materials, Inc. | In-situ deposition process |
US11508572B2 (en) * | 2020-04-01 | 2022-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US11970769B2 (en) * | 2021-06-24 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition methods |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7399388B2 (en) * | 2003-07-25 | 2008-07-15 | Applied Materials, Inc. | Sequential gas flow oxide deposition technique |
US7651961B2 (en) * | 2007-03-30 | 2010-01-26 | Tokyo Electron Limited | Method for forming strained silicon nitride films and a device containing such films |
JP2011023718A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Asm Japan Kk | PEALDによってSi−N結合を有するストレス調節された誘電体膜を形成する方法 |
US8728956B2 (en) * | 2010-04-15 | 2014-05-20 | Novellus Systems, Inc. | Plasma activated conformal film deposition |
US20140273530A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Victor Nguyen | Post-Deposition Treatment Methods For Silicon Nitride |
US9362111B2 (en) * | 2014-02-18 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Hermetic CVD-cap with improved step coverage in high aspect ratio structures |
KR20170019668A (ko) * | 2015-08-12 | 2017-02-22 | (주)디엔에프 | 플라즈마 원자층 증착법을 이용한 실리콘 질화 박막의 제조방법 |
JP6415730B2 (ja) | 2015-08-26 | 2018-10-31 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
US10062563B2 (en) | 2016-07-01 | 2018-08-28 | Lam Research Corporation | Selective atomic layer deposition with post-dose treatment |
US10703915B2 (en) * | 2016-09-19 | 2020-07-07 | Versum Materials Us, Llc | Compositions and methods for the deposition of silicon oxide films |
US10832908B2 (en) * | 2016-11-11 | 2020-11-10 | Lam Research Corporation | Self-aligned multi-patterning process flow with ALD gapfill spacer mask |
US10134579B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-11-20 | Lam Research Corporation | Method for high modulus ALD SiO2 spacer |
JP6804277B2 (ja) | 2016-11-30 | 2020-12-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法および処理装置 |
US10269559B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-04-23 | Lam Research Corporation | Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer |
US10658174B2 (en) * | 2017-11-21 | 2020-05-19 | Lam Research Corporation | Atomic layer deposition and etch for reducing roughness |
KR20210053351A (ko) * | 2018-09-28 | 2021-05-11 | 램 리써치 코포레이션 | 증착 부산물 빌드업 (buildup) 으로부터 진공 펌프 보호 |
-
2020
- 2020-03-24 WO PCT/US2020/024472 patent/WO2020236303A1/en active Application Filing
- 2020-03-24 CN CN202080037396.0A patent/CN113906539A/zh active Pending
- 2020-03-24 JP JP2021568761A patent/JP7539927B2/ja active Active
- 2020-03-24 KR KR1020217041882A patent/KR20210158862A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-03-26 US US16/831,217 patent/US20200373149A1/en active Pending
- 2020-05-13 TW TW109115854A patent/TW202043532A/zh unknown
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10515794B2 (en) | Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials | |
TWI842531B (zh) | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 | |
JP7158616B2 (ja) | SiNの堆積 | |
US10497561B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device, substrate-processing apparatus, and recording medium | |
KR100519798B1 (ko) | 향상된 생산성을 갖는 박막 형성 방법 | |
KR102012532B1 (ko) | 플라즈마 활성화된 컨포멀 유전체 막 증착 | |
KR100660890B1 (ko) | Ald를 이용한 이산화실리콘막 형성 방법 | |
JP3602072B2 (ja) | ヘキサクロロジシランおよびアンモニアを用いた原子層蒸着によるシリコン含有固体薄膜の製造方法 | |
TWI496232B (zh) | 半導體裝置之製造方法、基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體 | |
TWI710015B (zh) | 基板處理方法 | |
JPH1187341A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
KR20080106984A (ko) | 유전체막들에 대한 스텝 커버리지 및 패턴 로딩 개선 방법 | |
KR20150018455A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 | |
TW200935514A (en) | Reduction of etch-rate drift in HDP processes | |
WO2021187163A1 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
TW202041105A (zh) | 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體 | |
KR102046163B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
JPWO2020236303A5 (ja) | ||
JP7210647B2 (ja) | 薄膜蒸着方法及びこれを用いた半導体素子の製造方法 | |
TW202240661A (zh) | 基板處理方法 | |
KR101008490B1 (ko) | 저온 화학기상증착에 의한 산화막 증착 방법 | |
JP7368545B2 (ja) | 基板処理装置および方法 | |
JP7416210B2 (ja) | 炭化ケイ素含有膜を形成する方法及び装置 | |
WO2022059188A1 (ja) | 基板処理装置、プラズマ発光装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
TW202420379A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 |