JPWO2020235537A1 - キャリア付金属箔並びにその使用方法及び製造方法 - Google Patents
キャリア付金属箔並びにその使用方法及び製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2020235537A1 JPWO2020235537A1 JP2021520786A JP2021520786A JPWO2020235537A1 JP WO2020235537 A1 JPWO2020235537 A1 JP WO2020235537A1 JP 2021520786 A JP2021520786 A JP 2021520786A JP 2021520786 A JP2021520786 A JP 2021520786A JP WO2020235537 A1 JPWO2020235537 A1 JP WO2020235537A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- layer
- metal foil
- less
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 247
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 246
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims abstract description 100
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 127
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 68
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 26
- 238000011161 development Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 36
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 13
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 372
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 55
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 31
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 28
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 24
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 19
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 18
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 8
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 7
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- -1 nitrogen-containing organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- CKFGINPQOCXMAZ-UHFFFAOYSA-N methanediol Chemical compound OCO CKFGINPQOCXMAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- CUPFNGOKRMWUOO-UHFFFAOYSA-N hydron;difluoride Chemical compound F.F CUPFNGOKRMWUOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0266—Marks, test patterns or identification means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
- H01L21/4807—Ceramic parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
- H01L21/481—Insulating layers on insulating parts, with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4857—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0266—Marks, test patterns or identification means
- H05K1/0269—Marks, test patterns or identification means for visual or optical inspection
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
- H05K3/025—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates by transfer of thin metal foil formed on a temporary carrier, e.g. peel-apart copper
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68309—Auxiliary support including alignment aids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68345—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during the manufacture of self supporting substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68363—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving transfer directly from an origin substrate to a target substrate without use of an intermediate handle substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/5442—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising non digital, non alphanumeric information, e.g. symbols
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
- H01L2223/54486—Located on package parts, e.g. encapsulation, leads, package substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
- H05K2203/025—Abrading, e.g. grinding or sand blasting
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
- H05K2203/107—Using laser light
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4679—Aligning added circuit layers or via connections relative to previous circuit layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4682—Manufacture of core-less build-up multilayer circuits on a temporary carrier or on a metal foil
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
Description
その全域にわたって前記キャリア、前記剥離層及び前記金属層が存在する配線用領域と、
前記キャリア付金属箔の前記少なくとも一方の面に設けられ、露光及び現像を伴う配線形成時の位置合わせに用いられるアライメントマークを成す、少なくとも2つの位置決め用領域と、
を有する、キャリア付金属箔が提供される。
回路幅の異なる複数の回路の露光が別々に行われ、かつ、前記複数の回路の現像が同時に行われる、方法が提供される。
キャリアを用意する工程と、
前記キャリアの少なくとも一方の面の所定領域を加工して、少なくとも2つの前記アライメントマークを構成する加工部を形成し、それにより少なくとも2つの位置決め用領域を画定する工程と、
前記キャリアの前記少なくとも一方の面に、前記剥離層及び前記金属層を順に形成する工程と、
を含む、方法が提供される。
本発明のキャリア付金属箔の一例が図1及び2に模式的に示される。図1及び2に示されるように、キャリア付金属箔10は、キャリア12と、剥離層16と、金属層18とをこの順に備えたものである。キャリア12は、例えばガラス又はセラミックスで構成される。剥離層16はキャリア12の少なくとも一方の面上に設けられる。金属層18は剥離層16上に設けられる。所望により、キャリア付金属箔10は、キャリア12と剥離層16との間に中間層14をさらに有していてもよい。中間層14、剥離層16及び金属層18の各々は、1層から構成される単層であってもよく、2層以上から構成される多層であってもよい。キャリア付金属箔10は、キャリア12の両面に上下対称となるように上述の各種層を順に備えてなる構成としてもよい。そして、本発明のキャリア付金属箔10は、図2及び3に示されるように、配線用領域Wと、少なくとも2つの位置決め用領域Pとを有する。配線用領域Wは、その全域にわたってキャリア12、剥離層16及び金属層18が存在する配線用の領域である。一方、位置決め用領域Pは、露光及び現像を伴う配線形成時の位置合わせに用いられるアライメントマークを成す領域である。位置決め用領域Pは、キャリア12の上述した少なくとも一方の面(すなわち剥離層16及び金属層18が設けられる側の面)に設けられた加工部によって画定される。すなわち、配線用領域Wは配線の形成に用いられる領域である一方、位置決め用領域Pは露光に先立ち位置合わせを行う際の基準となる領域である。なお、位置決め用領域Pには、上述の各種層がその全域ないし一部に存在していてもよいし、一切存在していなくてもよい。また、キャリア付金属箔10には、配線用領域W及び位置決め用領域P以外の領域(すなわち配線の形成及び位置合わせの基準に用いられない領域)が存在していてもよく、例えば後述するキャリア−金属層間の剥離強度が高い領域、又はキャリア−金属層間が剥離しない領域が存在していてもよい。このように、キャリア付金属箔10において、キャリア12自体にアライメントマークを構成する加工部を設けることにより、配線形成時のラフ回路用の露光及び微細回路用の露光の両方を同じアライメントマークを基準として行うことができ、その結果、ラフ回路及び微細回路の両方を1段階の回路形成プロセスで同時に形成することが可能(すなわちラフ回路及び微細回路を同時に現像することが可能)となる。
本発明のキャリア付金属箔10は、(1)キャリアを用意し、(2)キャリアの所定領域を加工して、アライメントマークを形成し、(3)キャリア上に剥離層、金属層等の各種層を成膜することにより製造することができる。
まず、キャリア12を用意する。キャリア12はガラス又はセラミックスで構成されるのが好ましい。一般的にガラス製品及びセラミックス製品は平坦性に優れるため、キャリア12上に剥離層16を介して積層された金属層18の配線用領域W上の表面も平坦な形状となり、配線用領域W上の金属層18の平坦面が微細回路の形成を可能とする。キャリア12の好ましい材質や特性については前述したとおりである。なお、以下の説明においては、キャリア12の一方の表面にのみアライメントマークを構成する加工部の形成、及び各種層の成膜を行っているが、両面キャリア付金属箔を製造する場合には、キャリア12の他方の表面にも同様の操作を行って、アライメントマークを構成する加工部の形成、及び各種層の成膜を行ってよいことはいうまでもない。
次に、キャリア12の表面の所定領域を加工して、少なくとも2つのアライメントマークを構成する加工部を形成し、それにより少なくとも2つの位置決め用領域Pを画定する。好ましい加工手法の例としては、エッチング法、ブラスト法、レーザーアブレーション法、及びそれらの組合せが挙げられ、スループットを向上させる観点から、より好ましくはブラスト法、レーザーアブレーション法、及びそれらの組合せである。特に、ブラスト法を用いてアライメントマークを構成する加工部を形成するのが好ましく、こうすることで加工汚れ(例えば加工に起因するキャリアの変質や異物の飛散等)をより一層低減することができる。ブラスト処理による加工は、キャリア12表面の所定領域(すなわちアライメントマークを構成する加工部が形成されるべき領域)に対して粒子状のメディア(投射材)をノズルから投射することにより行うことができる。好ましいノズルの吐出径は0.1mm以上10.0mm以下であり、より好ましくは0.2mm以上8.5mm以下である。メディアの粒径は1.0μm以上1000μm以下であるのが好ましく、より好ましくは10.0μm以上800μm以下であり、投射量は10g/分以上3000g/分以下であるのが好ましく、より好ましくは20g/分以上2000g/分以下である。また、好ましいメディアの吐出圧力は0.01MPa以上1.0MPa以下であり、より好ましくは0.05MPa以上0.8MPa以下である。メディアの材質の好ましい例としては、アルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素、鉄、アルミニウム、亜鉛、ガラス、スチール、グリーンカーボナイト及びボロンカーバイトが挙げられる。メディアのモース硬度は4以上が好ましく、より好ましくは5.5以上、さらに好ましくは6.0以上である。また、エッチング処理による加工の好ましい例としては、フッ酸(フッ化水素酸)を含む溶液を用いたウエットプロセス、及びフッ素を含むプロセスガス(例えばCF4やSF6等)を用いた反応性イオンエッチング(RIE:Reactive ion etching)によるドライプロセスが挙げられる。一方、レーザーアブレーション処理による加工は、例えばYAGレーザー、YLFレーザー、YVO4レーザー、炭酸ガスレーザー、CW(連続発振)レーザー、及び固体UVレーザー等を用いて行うことができる。加工条件は特に限定されず、公知の条件をそのまま採用してもよいし、キャリア12の材質に合わせて公知の条件を適宜変更してもよい。
アライメントマークを構成する加工部が形成された側のキャリア12の表面に、所望により中間層14(例えば第1中間層14a及び第2中間層14b)、剥離層16、及び金属層18(例えば第1金属層18a及び第2金属層18b)を成膜し、これにより配線用領域Wを形成する。中間層14(存在する場合)、剥離層16、及び金属層18の各層の成膜は、極薄化によるファインピッチ化に対応しやすい観点から、物理気相堆積(PVD)法により行われるのが好ましい。物理気相堆積(PVD)法の例としては、スパッタリング法、真空蒸着法、及びイオンプレーティング法が挙げられるが、0.05nmから5000nmまでといった幅広い範囲で膜厚制御できる点、広い幅ないし面積にわたって膜厚均一性を確保できる点等から、最も好ましくはスパッタリング法である。特に、中間層14(存在する場合)、剥離層16、及び金属層18の全ての層をスパッタリング法により形成することで、製造効率が格段に高くなる。物理気相堆積(PVD)法による成膜は公知の気相成膜装置を用いて公知の条件に従って行えばよく特に限定されない。例えば、スパッタリング法を採用する場合、スパッタリング方式は、マグネトロンスパッタリング、2極スパッタリング法、対向ターゲットスパッタリング法等、公知の種々の方法であってよいが、マグネトロンスパッタリングが、成膜速度が速く生産性が高い点で好ましい。スパッタリングはDC(直流)及びRF(高周波)のいずれの電源で行ってもよい。また、ターゲット形状も広く知られているプレート型ターゲットを使用することができるが、ターゲット使用効率の観点から円筒形ターゲットを用いることが望ましい。以下、中間層14(存在する場合)、剥離層16、及び金属層18の各層の物理気相堆積(PVD)法(好ましくはスパッタリング法)による成膜について説明する。なお、以下の説明において、キャリア付金属箔10は、中間層14が第1中間層14a及び第2中間層14bから構成され、剥離層16が炭素層であり、金属層18が第1金属層18a及び第2金属層18bから構成されるものとする。
本発明のキャリア付金属箔10を使用して配線(例えば再配線層)を形成することができる。すなわち、本発明の好ましい態様によれば、キャリア付金属箔10を使用して露光及び現像を経て配線を形成する方法が提供される。この方法は露光に先立ちキャリア付金属箔10の位置決め用領域Pを基準として位置合わせを行う工程を含む。また、この方法は回路幅の異なる複数の回路(好ましくは微細回路とラフ回路とを有する)の露光が別々に行われ、かつ、当該複数の回路の現像が同時に行われる。以下、本発明のキャリア付金属箔10を使用した再配線層の好ましい形成方法の一例について説明する。この方法は、(1)キャリア付金属箔にフォトレジストを積層し、(2)第一の位置合わせ後にラフ回路用の露光を行い、(3)第二の位置合わせ後に微細回路用の露光を行い、(4)現像を行ってレジストパターンを形成した後、(5)回路形成を行うことを含む。
図8(i)に示されるように、キャリア付金属箔10の金属層18の表面にフォトレジスト20を積層する。フォトレジスト20は再配線層の製造に一般的に用いられる公知の材料が使用可能である。フォトレジスト20はネガ型及びポジ型のいずれであってもよく、フィルムタイプ及び液状タイプのいずれであってもよい。フォトレジスト20は感光性フィルムであるのが好ましく、例えば感光性ドライフィルムである。
チップ実装に必要な粗いデザインを形成すべく、フォトレジスト20の配線用領域W上の表面にラフ回路用の露光を行う。また、ラフ回路用の露光に先立ち、キャリア付金属箔10の位置決め用領域Pを基準として第一の位置合わせを行う。これにより、図8(ii)に示されるように、ラフ回路用露光部20aを形成する。ラフ回路用の露光は、露光エリアの広い(例えば250mm角)露光装置を用いて行うのが好ましい。露光装置の露光方式の例としてはステッパー方式及びLaser Direct Imaging(LDI)方式が挙げられるが、露光解像度の観点から好ましくはステッパー方式である。また、ステッパー方式の露光装置に用いるフォトマスクの例としてはガラスマスクやCrマスク等が挙げられるが、高精度に露光を行う観点からCrマスクを用いるのが好ましい。
次いで、フォトレジスト20の配線用領域W上の表面に微細回路用の露光を行う。また、微細回路用の露光に先立ち、キャリア付金属箔10の位置決め用領域Pを基準として第二の位置合わせを行う。これにより、図8(iii)に示されるように、微細回路用露光部20bを形成する。微細回路用の露光装置の露光方式はステッパー方式が好ましく、ステッパー方式の露光装置に用いるフォトマスクはCrマスクが好ましい。ここで、ラフ回路用の露光に用いられる露光エリアの広い露光装置は概して露光解像度に劣るため、ラフ回路用の露光と微細回路用の露光とを同一の露光装置を用いて行うことは一般的に困難である。この点、キャリア付金属箔10自体に位置決め用領域Pが存在することで、別々の露光装置を用いた場合でも、同一のアライメントマークを基準として高精度に位置合わせを行うことができる。その結果、従来のように2段階の露光現像を経ることなく、1回の現像でラフ回路用及び微細回路用のレジストパターンを同時に形成することが可能となる。上記観点から、本発明の方法により形成される再配線層は、微細回路の最小回路幅Fに対するラフ回路の最大回路幅Rの比R/Fが2.0以上500以下であるのが好ましく、より好ましくは5.0以上300以下、さらに好ましくは10以上100以下である。なお、ラフ回路用の露光と微細回路用の露光とを同一の露光装置を用いて行うことが可能な場合(例えば上記比R/Fが小さい場合)には、同一の露光装置を用いてラフ回路用及び微細回路用の露光を行ってよいことはいうまでもない。
図8(iv)に示されるように、フォトレジスト20の現像を行うことにより、ラフ回路用パターン22a及び微細回路用パターン22bで構成されるレジストパターン22を形成する。現像は、市販の現像液等を用いて再配線層の製造に一般的に用いられる公知の手法及び条件に従い行えばよく特に限定されない。このように、本発明のキャリア付金属箔を用いた再配線層の好ましい形成方法は、微細回路用の露光とラフ回路用の露光とが別々に行われ、かつ、微細回路及びラフ回路の現像が同時に行われるものであり、これにより、ラフ回路及び微細回路を1段階の回路形成プロセスで同時に形成することができる。
レジストパターン22間に電気めっき(例えば電気銅めっき)を施した後、レジストパターン22を剥離し、レジストパターン22の剥離により露出した金属層18の不要部分(すなわち配線パターンを形成しない部分)をエッチングにより除去して、ラフ回路及び微細回路を有する第1配線層を形成する。その後、キャリア付金属箔10の第1配線層が形成された面に絶縁層及び第n配線層(nは2以上の整数)を交互に形成する。こうして、絶縁層と当該絶縁層の内部及び/又は表面に形成された配線層とを含む層である再配線層が形成されたコアレス支持体を得ることができる。本工程における各種操作は、再配線層の製造に一般的に用いられる公知の手法及び条件に従い行えばよく特に限定されない。
図1に示されるように、キャリア12上にアライメントマークを構成する加工部を形成した後、中間層14(第1中間層14a及び第2中間層14b)、剥離層16としての炭素層、及び金属層18(第1金属層18a及び第2金属層18b)をこの順に成膜してキャリア付金属箔10を作製した。具体的な手順は以下のとおりである。
200mm×250mmで厚さ1.1mmのガラスシート(材質:ソーダライムガラス)をキャリア12として用意した。
キャリア12の表面にマスキング層を、直径400μmの6つの円形状加工領域(露出部分)が互いに離間して配置されるパターンに形成した。このマスキング層の形成は、感光性フィルムを用いてロールラミネーションにより行った。次に、ブロワブラスト装置(株式会社アルプスエンジニアリング製、BSP―50D)を用いて、マスキング層で上記円形状加工領域以外の部分が被覆されたキャリア12の表面に対して、狙い深さ200μmの穴が形成されるように、吐出径0.4mmのノズルから、粒径0.05mmのメディア(材質:グリーンカーボナイト)を0.5MPa以上の吐出圧力で2〜5秒間投射することで、キャリア12の露出部分に対してブラスト処理を行った。こうして、キャリア12の表面にアライメントマークを構成する加工部として凹部12aを6個形成し、位置決め用領域Pを画定した。その後、マスキング層を除去した。
キャリア12の上記表面(凹部が形成された側の面)に第1中間層14aとして厚さ100nmのチタン層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐ 装置:枚葉式マグネトロンスパッタリング装置(キヤノントッキ株式会社製、MLS464)
‐ ターゲット:直径8インチ(203.2mm)のチタンターゲット(純度99.999%)
‐ 到達真空度:1×10−4Pa未満
‐ キャリアガス:Ar(流量:100sccm)
‐ スパッタリング圧:0.35Pa
‐ スパッタリング電力:1000W(3.1W/cm2)
‐ 成膜時温度:40℃
第1中間層14aの上に、第2中間層14bとして厚さ100nmのCu層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐ 装置:枚葉式DCスパッタリング装置(キヤノントッキ株式会社製、MLS464)
‐ ターゲット:直径8インチ(203.2mm)のCuターゲット(純度99.98%)
‐ 到達真空度:1×10−4Pa未満
‐ ガス:アルゴンガス(流量:100sccm)
‐ スパッタリング圧:0.35Pa
‐ スパッタリング電力:1000W(6.2W/cm2)
‐ 成膜時温度:40℃
Cu層の上に、剥離層16として厚さ6nmのアモルファスカーボン層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐ 装置:枚葉式DCスパッタリング装置(キヤノントッキ株式会社製、MLS464)
‐ ターゲット:直径8インチ(203.2mm)の炭素ターゲット(純度99.999%)
‐ 到達真空度:1×10−4Pa未満
‐ キャリアガス:Ar(流量:100sccm)
‐ スパッタリング圧:0.35Pa
‐ スパッタリング電力:250W(0.7W/cm2)
‐ 成膜時温度:40℃
剥離層16の表面に、第1金属層18aとして厚さ100nmのチタン層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐ 装置:枚葉式DCスパッタリング装置(キヤノントッキ株式会社製、MLS464)
‐ ターゲット:直径8インチ(203.2mm)のチタンターゲット(純度99.999%)
‐ キャリアガス:Ar(流量:100sccm)
‐ 到達真空度:1×10−4Pa未満
‐ スパッタリング圧:0.35Pa
‐ スパッタリング電力:1000W(3.1W/cm2)
第1金属層18aの上に、第2金属層18bとして膜厚300nmのCu層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成して、キャリア付金属箔10を得た。
‐ 装置:枚葉式DCスパッタリング装置(キヤノントッキ株式会社製、MLS464)
‐ ターゲット:直径8インチ(203.2mm)のCuターゲット(純度99.98%)
‐ 到達真空度:1×10−4Pa未満
‐ キャリアガス:Ar(流量:100sccm)
‐ スパッタリング圧:0.35Pa
‐ スパッタリング電力:1000W(3.1W/cm2)
‐ 成膜時温度:40℃
レーザー顕微鏡(オリンパス株式会社製 LEXT OLS3000)を用いて、アライメントマークを構成する凹部12aについて観察を行った。観察像の画像解析を行うことにより、凹部12aの最大深さd、凹部12aを平面視したときの外径φ、キャリア12の主面sと凹部12aの内壁面の接線tとがなす角度θ、並びに凹部12aの開放端の曲率半径rを測定した。解析には上記顕微鏡に搭載されているツール、及び、画像解析ソフトImageJを併用した。各パラメータについて、3つの円形状加工領域で測定した値の平均値を算出した。結果は表1に示されるとおりであった。なお、凹部12aの形状はキャリア上に各種層を積層した後(すなわちアライメントマークを成す凹部)においても実質同一であると考えられる。
アライメントマークの形成工程において、ブラスト処理の条件を適宜変更することにより、キャリア12の主面sと凹部12aの内壁面の接線tとがなす角度θ、及び凹部12aの開放端の曲率半径rを変化させたこと以外は、例1と同様にしてキャリア付金属箔10の作製を行った。また、アライメントマークを構成する凹部の測定も例1と同様にして行った。
アライメントマークの形成工程において、ブラスト処理に代えて、レーザーアブレーション処理により6つのアライメントマークを構成する凹部を形成したこと以外は、例1と同様にしてキャリア付金属箔10の作製を行った。また、アライメントマークを構成する凹部の測定も例1と同様にして行った。レーザーアブレーション処理は、キャリア12の表面における互いに離間した6地点に対して固体UVレーザーを以下の条件で照射することにより行った。
[レーザー加工条件]
‐ 装置:東レエンジニアリング株式会社製レーザーパターニング装置
‐ 出力:35mW
‐ 波長:355nm
‐ 狙い径:400μm(例3及び4)又は2000μm(例5)
‐ 狙い深さ:200μm(例3及び5)又は100μm(例4)
例1〜5のキャリア付金属箔10について、以下に示されるとおり、各種評価を行った。評価結果は表1に示されるとおりであった。
キャリア付金属箔10の露光現像性能を以下の手順により評価した。図8に示されるように、キャリア付金属箔10の第2金属層18b上にフォトレジスト20を積層した。このキャリア付金属箔10をラフ回路用露光装置(ウシオ電機株式会社製、UX-5シリーズ)に搬入した。ラフ回路用露光装置にてキャリア付金属箔10における位置決め用領域Pのパターン情報の検出及び位置合わせを行い、配線用領域W上の表面に対して回路幅が100μmとなるパターンで露光を行った。その後、直ちにキャリア付金属箔10をラフ回路用露光装置から微細回路用露光装置(ウシオ電機株式会社製、UX-7シリーズ)に移した。微細回路用露光装置にてキャリア付金属箔10における位置決め用領域Pのパターン情報の検出及び位置合わせを行い、配線用領域W上の表面に対して回路幅が2μmとなるパターンで露光を行った。キャリア付金属箔10に対して公知の条件で現像を行い、ラフ回路用パターン22a及び微細回路用パターン22bで構成されるレジストパターン22を形成した。レジストパターン22形成後のキャリア付金属箔10に公知の条件で電気銅めっきを行い、その後レジストパターン22を剥離した。レジストパターン22の剥離によって露出した金属層18の不要部分を公知の条件でエッチング除去した。こうして、キャリア付金属箔10上に回路幅100μmのラフ回路及び回路幅2μmの微細回路を形成した。回路形成後のキャリア付金属箔10をSEMにて観察した。その結果、例1〜5のいずれのキャリア付金属箔10においても、ラフ回路及び微細回路が狙いのデザインどおりに形成されていることを確認できた。
キャリア12の割れ頻度を以下の手順により評価した。まず、100mm×100mmで厚さ1.1mmのガラスシート(材質:ソーダライムガラス)を5枚用意し、それぞれに例1〜5と同様の条件で9つのアライメントマークを構成する凹部を形成した。各アライメントマークを構成する凹部の狙い位置(中心点)は、ガラスシートの1つの角(端部)の座標を基準点(0,0)と定め、その対角に位置する角の座標を(100,100)としたときに、(25,25)、(50,25)、(75,25)、(25,50)、(50,50)、(75,50)、(25,75)、(50,75)、及び(75,75)の座標でそれぞれ示される地点とした。次いで、アライメントマークを構成する凹部を形成したガラスシート、及び比較対象としてアライメントマークを構成する凹部を形成していないガラスシート(100mm×100mm、厚さ1.1mm、材質:ソーダライムガラス)に、規格番号:ASTM C1499−01に準拠したガラスのリング曲げ試験を実施した。アライメントマークを構成する凹部を形成していないガラスシートの面強度に対する、アライメントマークを構成する凹部を形成したガラスシートの面強度の比を算出し、以下の基準で格付けした。
‐評価A:面強度の比が0.9以上
‐評価B:面強度の比が0.7以上0.9未満
‐評価C:面強度の比が0.7未満
アライメントマークの視認性を以下の手順により評価した。評価2と同様、5枚のガラスシートに例1〜5と同様の条件で9つのアライメントマークを構成する凹部を形成した後、例1の条件で、中間層14(第1中間層14a及び第2中間層14b)、剥離層16としての炭素層、及び金属層18(第1金属層18a及び第2金属層18b)をこの順に成膜してキャリア付金属箔10を作製した。その後、上記露光装置を用いて、形成したアライメントマークを10回繰り返し認識させて、アライメントマークの中心点の寸法誤差を測定した。次いで寸法誤差の平均値を算出し、以下の基準で格付けした。
‐評価A:寸法誤差の平均値が±50μm未満
‐評価B:寸法誤差の平均値が±50μm以上±150μm未満
‐評価C:寸法誤差の平均値が±150μm以上
加工汚れの評価を以下の手順により評価した。評価2と同様、5枚のガラスシートに例1〜5と同様の条件で9つのアライメントマークを構成する凹部を形成した後、レーザー顕微鏡でアライメントマークを構成する凹部周囲の観察を行った(最大5mm×5mm視野)。凹部周囲に観察された変色の広がりの程度を以下の基準で格付けした。
‐評価A:凹部の周辺に変色が無いか、又は凹部の周辺に変色があるもののその変色が凹部の外縁から5μm未満の範囲内に収まっている。
‐評価B:凹部の周辺に変色が有るものの、その変色が凹部の外縁から100μm以下の範囲内に収まっている。
‐評価C:凹部の周辺に変色が有り、その変色が凹部の外縁から100μmを超える範囲に及んでいる。
Claims (14)
- キャリアと、前記キャリアの少なくとも一方の面上に設けられる剥離層と、前記剥離層上に設けられる金属層とを備えたキャリア付金属箔であって、
前記キャリア付金属箔が、
その全域にわたって前記キャリア、前記剥離層及び前記金属層が存在する配線用領域と、
前記キャリア付金属箔の前記少なくとも一方の面に設けられ、露光及び現像を伴う配線形成時の位置合わせに用いられるアライメントマークを成す、少なくとも2つの位置決め用領域と、
を有する、キャリア付金属箔。 - 前記アライメントマークの形状が、円形、十字形及び多角形からなる群から選択される少なくとも一種である、請求項1に記載のキャリア付金属箔。
- 前記アライメントマークが前記キャリアに設けられた凹部を有する、請求項1又は2に記載のキャリア付金属箔。
- 前記凹部の最大深さが0.1μm以上1000μm以下である、請求項3に記載のキャリア付金属箔。
- 前記凹部の平面視形状が、外径50μm以上5000μm以下の円形である、請求項3又は4に記載のキャリア付金属箔。
- 前記キャリアの主面と、前記凹部の内壁面の接線とがなす角度が40°以上である、請求項3〜5のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 前記凹部の開放端が丸みを帯びており、該丸みを帯びた開放端の曲率半径が100μm以下である、請求項3〜6のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 前記アライメントマークを2個以上200個以下有する、請求項1〜7のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 前記キャリアがガラス又はセラミックスで構成される、請求項1〜8のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔を使用して露光及び現像を経て配線を形成する方法であって、露光に先立ち前記キャリア付金属箔の前記位置決め用領域を基準として位置合わせを行う工程を含み、
回路幅の異なる複数の回路の露光が別々に行われ、かつ、前記複数の回路の現像が同時に行われる、方法。 - 前記配線を形成する方法が再配線層を形成する方法であり、前記複数の回路は、回路幅が0.1μm以上5μm以下である微細回路と、回路幅が5μmより大きく500μm以下であるラフ回路とを有するものである、請求項10に記載の方法。
- 前記微細回路の最小回路幅Fに対する前記ラフ回路の最大回路幅Rの比R/Fが2.0以上500以下である、請求項11に記載の方法。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔の製造方法であって、
キャリアを用意する工程と、
前記キャリアの少なくとも一方の面の所定領域を加工して、少なくとも2つの前記アライメントマークを構成する加工部を形成し、それにより少なくとも2つの位置決め用領域を画定する工程と、
前記キャリアの前記少なくとも一方の面に、前記剥離層及び前記金属層を順に形成する工程と、
を含む、方法。 - 前記アライメントマークの形成が、エッチング法、ブラスト法、及びレーザーアブレーション法から選択される少なくとも一種の方法を用いて行われる、請求項13に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019094333 | 2019-05-20 | ||
JP2019094333 | 2019-05-20 | ||
PCT/JP2020/019685 WO2020235537A1 (ja) | 2019-05-20 | 2020-05-18 | キャリア付金属箔並びにその使用方法及び製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020235537A1 true JPWO2020235537A1 (ja) | 2021-12-02 |
JP7142774B2 JP7142774B2 (ja) | 2022-09-27 |
Family
ID=73458280
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021520786A Active JP7142774B2 (ja) | 2019-05-20 | 2020-05-18 | キャリア付金属箔並びにその使用方法及び製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220223456A1 (ja) |
EP (1) | EP3975240A4 (ja) |
JP (1) | JP7142774B2 (ja) |
KR (1) | KR20210137176A (ja) |
CN (1) | CN113826194A (ja) |
TW (3) | TWI804203B (ja) |
WO (1) | WO2020235537A1 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997050121A1 (fr) * | 1996-06-25 | 1997-12-31 | Seiko Epson Corporation | Procede servant a transferer une configuration de conducteurs sur un substrat, masque utilise dans ce procede et substrat |
JP2011119501A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-16 | Toppan Printing Co Ltd | 多層基板の製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4273895B2 (ja) | 2003-09-24 | 2009-06-03 | 日立化成工業株式会社 | 半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法 |
JP2007310334A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Mikuni Denshi Kk | ハーフトーン露光法を用いた液晶表示装置の製造法 |
US7880274B2 (en) * | 2007-06-25 | 2011-02-01 | Macronix International Co., Ltd. | Method of enabling alignment of wafer in exposure step of IC process after UV-blocking metal layer is formed over the whole wafer |
US8365402B2 (en) * | 2008-09-30 | 2013-02-05 | Ibiden Co., Ltd. | Method for manufacturing printed wiring board |
WO2010073226A2 (de) * | 2008-12-24 | 2010-07-01 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Herstellung von hohen justiermarken und solche justiermarken auf einem halbleiterwafer |
JP5998644B2 (ja) * | 2012-05-30 | 2016-09-28 | 凸版印刷株式会社 | 積層基板および多層配線板の製造方法 |
JP2015035551A (ja) | 2013-08-09 | 2015-02-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6332680B2 (ja) * | 2014-06-13 | 2018-05-30 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
CN111128707B (zh) * | 2014-08-26 | 2023-06-16 | 株式会社尼康 | 元件制造方法及转印基板 |
CN106550554B (zh) * | 2015-09-17 | 2020-08-25 | 奥特斯(中国)有限公司 | 用于制造部件载体的上面具有伪芯和不同材料的两个片的保护结构 |
WO2017149810A1 (ja) | 2016-02-29 | 2017-09-08 | 三井金属鉱業株式会社 | キャリア付銅箔及びその製造方法、並びに配線層付コアレス支持体及びプリント配線板の製造方法 |
WO2017149811A1 (ja) | 2016-02-29 | 2017-09-08 | 三井金属鉱業株式会社 | キャリア付銅箔、並びに配線層付コアレス支持体及びプリント配線板の製造方法 |
CN106298626B (zh) * | 2016-08-11 | 2019-04-09 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种用于微带电路的图形电镀方法 |
TWI655739B (zh) * | 2018-04-19 | 2019-04-01 | 南亞電路板股份有限公司 | 封裝結構及其形成方法 |
-
2020
- 2020-05-18 WO PCT/JP2020/019685 patent/WO2020235537A1/ja unknown
- 2020-05-18 KR KR1020217032921A patent/KR20210137176A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-05-18 US US17/612,041 patent/US20220223456A1/en active Pending
- 2020-05-18 EP EP20809289.0A patent/EP3975240A4/en active Pending
- 2020-05-18 JP JP2021520786A patent/JP7142774B2/ja active Active
- 2020-05-18 CN CN202080035517.8A patent/CN113826194A/zh active Pending
- 2020-05-20 TW TW111106139A patent/TWI804203B/zh active
- 2020-05-20 TW TW112115943A patent/TW202333310A/zh unknown
- 2020-05-20 TW TW109116675A patent/TWI759745B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997050121A1 (fr) * | 1996-06-25 | 1997-12-31 | Seiko Epson Corporation | Procede servant a transferer une configuration de conducteurs sur un substrat, masque utilise dans ce procede et substrat |
JP2011119501A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-16 | Toppan Printing Co Ltd | 多層基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202111883A (zh) | 2021-03-16 |
JP7142774B2 (ja) | 2022-09-27 |
WO2020235537A1 (ja) | 2020-11-26 |
TWI804203B (zh) | 2023-06-01 |
TW202333310A (zh) | 2023-08-16 |
TWI759745B (zh) | 2022-04-01 |
TW202224112A (zh) | 2022-06-16 |
KR20210137176A (ko) | 2021-11-17 |
US20220223456A1 (en) | 2022-07-14 |
CN113826194A (zh) | 2021-12-21 |
EP3975240A1 (en) | 2022-03-30 |
EP3975240A4 (en) | 2022-09-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6883010B2 (ja) | キャリア付銅箔、並びに配線層付コアレス支持体及びプリント配線板の製造方法 | |
JP6203988B1 (ja) | キャリア付銅箔及びその製造方法、並びに配線層付コアレス支持体及びプリント配線板の製造方法 | |
JP6824436B2 (ja) | 極薄銅箔及びキャリア付極薄銅箔、並びにプリント配線板の製造方法 | |
JP6806951B2 (ja) | ガラスキャリア付銅箔及びその製造方法 | |
WO2022102182A1 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
WO2020235537A1 (ja) | キャリア付金属箔並びにその使用方法及び製造方法 | |
TWI817577B (zh) | 配線基板之製造方法 | |
JP7427846B1 (ja) | キャリア付金属箔 | |
KR20230164023A (ko) | 다층 기판의 제조 방법 및 배선 기판 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210706 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220530 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220726 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220905 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220913 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7142774 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |