JPWO2020196776A1 - 半導体用保護部材、インクジェット塗布型半導体用保護組成物、およびこれを用いた半導体装置の製造方法、ならびに半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 239
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims abstract description 143
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 237
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 185
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims abstract description 71
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims abstract description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 116
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 115
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 114
- -1 urethane compound Chemical class 0.000 claims description 109
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 claims description 69
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 claims description 69
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 54
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 39
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 claims description 36
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 claims description 24
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 19
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 15
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 claims description 15
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 13
- 125000003566 oxetanyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 claims description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 claims 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 56
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 20
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 20
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 19
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 16
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 16
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 16
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 15
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 13
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 12
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 11
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 10
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 10
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 10
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 10
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 9
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 9
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 9
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 6
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002921 oxetanes Chemical class 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 0 O=C(C1CC2OC2CC1)OCC1C*C2OC2CC1 Chemical compound O=C(C1CC2OC2CC1)OCC1C*C2OC2CC1 0.000 description 5
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 5
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 5
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 5
- LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5,6-pentafluorophenoxy)boronic acid Chemical compound OB(O)OC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BIDWUUDRRVHZLQ-UHFFFAOYSA-N 3-ethyl-3-(2-ethylhexoxymethyl)oxetane Chemical compound CCCCC(CC)COCC1(CC)COC1 BIDWUUDRRVHZLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Bis(dimethylamino)benzophenone Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PFHLXMMCWCWAMA-UHFFFAOYSA-N [4-(4-diphenylsulfoniophenyl)sulfanylphenyl]-diphenylsulfanium Chemical compound C=1C=C([S+](C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1SC(C=C1)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 PFHLXMMCWCWAMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000005587 carbonate group Chemical group 0.000 description 4
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 4
- ZWAJLVLEBYIOTI-UHFFFAOYSA-N cyclohexene oxide Chemical compound C1CCCC2OC21 ZWAJLVLEBYIOTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FWFSEYBSWVRWGL-UHFFFAOYSA-N cyclohexene oxide Natural products O=C1CCCC=C1 FWFSEYBSWVRWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 4
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 4
- HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N ethene;prop-1-ene Chemical group C=C.CC=C HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 4
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 4
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 4
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 4
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 4
- QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N methyl benzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1 QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 4
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018286 SbF 6 Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 3
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 3
- QPCMKVGYDGXROK-UHFFFAOYSA-N (10-octanoyloxyanthracen-9-yl) octanoate Chemical class C(CCCCCCC)(=O)OC=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)OC(CCCCCCC)=O QPCMKVGYDGXROK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLTYTTRXESKBKI-UHFFFAOYSA-N (2,4-dichlorophenyl)-phenylmethanone Chemical compound ClC1=CC(Cl)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 VLTYTTRXESKBKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005654 1,2-cyclohexylene group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([*:2])C([H])([*:1])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000005837 1,2-cyclopentylene group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([*:2])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000005838 1,3-cyclopentylene group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([*:2])C([H])([H])C1([H])[*:1] 0.000 description 2
- 125000004955 1,4-cyclohexylene group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[*:2] 0.000 description 2
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC(CC)=C3SC2=C1 BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KUAUJXBLDYVELT-UHFFFAOYSA-N 2-[[2,2-dimethyl-3-(oxiran-2-ylmethoxy)propoxy]methyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCC(C)(C)COCC1CO1 KUAUJXBLDYVELT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- FNYWFRSQRHGKJT-UHFFFAOYSA-N 3-ethyl-3-[(3-ethyloxetan-3-yl)methoxymethyl]oxetane Chemical compound C1OCC1(CC)COCC1(CC)COC1 FNYWFRSQRHGKJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LMIOYAVXLAOXJI-UHFFFAOYSA-N 3-ethyl-3-[[4-[(3-ethyloxetan-3-yl)methoxymethyl]phenyl]methoxymethyl]oxetane Chemical compound C=1C=C(COCC2(CC)COC2)C=CC=1COCC1(CC)COC1 LMIOYAVXLAOXJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004217 4-methoxybenzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1OC([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- RBHIUNHSNSQJNG-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-3-(2-methyloxiran-2-yl)-7-oxabicyclo[4.1.0]heptane Chemical compound C1CC2(C)OC2CC1C1(C)CO1 RBHIUNHSNSQJNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJEZBVHHZQAEDB-UHFFFAOYSA-N 6-oxabicyclo[3.1.0]hexane Chemical compound C1CCC2OC21 GJEZBVHHZQAEDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KSMGAOMUPSQGTB-UHFFFAOYSA-N 9,10-dibutoxyanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(OCCCC)=C(C=CC=C3)C3=C(OCCCC)C2=C1 KSMGAOMUPSQGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJNKQJAJXSUJBO-UHFFFAOYSA-N 9,10-diethoxyanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(OCC)=C(C=CC=C3)C3=C(OCC)C2=C1 GJNKQJAJXSUJBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005118 N-alkylcarbamoyl group Chemical group 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000219289 Silene Species 0.000 description 2
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DBHQYYNDKZDVTN-UHFFFAOYSA-N [4-(4-methylphenyl)sulfanylphenyl]-phenylmethanone Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1SC1=CC=C(C(=O)C=2C=CC=CC=2)C=C1 DBHQYYNDKZDVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004448 alkyl carbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 2
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 2
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 229940095102 methyl benzoate Drugs 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 238000001139 pH measurement Methods 0.000 description 2
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 125000000101 thioether group Chemical group 0.000 description 2
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 2
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003258 trimethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 2
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012953 triphenylsulfonium Substances 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UNMJLQGKEDTEKJ-UHFFFAOYSA-N (3-ethyloxetan-3-yl)methanol Chemical compound CCC1(CO)COC1 UNMJLQGKEDTEKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSHKWPIEJYAPCL-UHFFFAOYSA-N (3-ethyloxetan-3-yl)methyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1(CC)COC1 RSHKWPIEJYAPCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 1
- HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 1,1-Bis(4-hydroxyphenyl)ethane Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)C1=CC=C(O)C=C1 HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDZFNTHGIIQMQI-UHFFFAOYSA-N 1-benzylpyridin-1-ium Chemical compound C=1C=CC=C[N+]=1CC1=CC=CC=C1 NDZFNTHGIIQMQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- UXMYUFHUUYBDLL-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethyl-3-(oxiran-2-ylmethoxy)propan-1-ol Chemical compound OCC(C)(C)COCC1CO1 UXMYUFHUUYBDLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVSDTPMZVLDKRT-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[(3-ethyloxetan-3-yl)methoxy]butoxy]ethanol Chemical compound OCCOCC(CC)OCC1(CC)COC1 DVSDTPMZVLDKRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHKUUQIDMUMQQK-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(oxiran-2-ylmethoxy)butoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCCCOCC1CO1 SHKUUQIDMUMQQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTYYGFLRBWMFRY-UHFFFAOYSA-N 2-[6-(oxiran-2-ylmethoxy)hexoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCCCCCOCC1CO1 WTYYGFLRBWMFRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- WYYQKWASBLTRIW-UHFFFAOYSA-N 2-trimethoxysilylbenzoic acid Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1C(O)=O WYYQKWASBLTRIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVGDNYRHKDREFL-UHFFFAOYSA-N 3-ethyl-3-(1-phenoxyethoxymethyl)oxetane Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC(C)OCC1(CC)COC1 FVGDNYRHKDREFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWGAXPBJOGFFMY-UHFFFAOYSA-N 3-ethyl-3-(2-methylpropoxymethoxymethyl)oxetane Chemical compound CC(C)COCOCC1(CC)COC1 PWGAXPBJOGFFMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTUYBVFWQTUFER-UHFFFAOYSA-N 3-ethyl-3-(oxetan-2-ylmethoxymethyl)oxetane Chemical compound C1COC1COCC1(CC)COC1 OTUYBVFWQTUFER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCBNYALMACLNBI-UHFFFAOYSA-N 3-ethyl-3-[(3-fluorophenyl)methoxymethyl]oxetane Chemical compound FC1=CC(=CC=C1)COCC1(COC1)CC JCBNYALMACLNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PENKVNGNXDMJKV-UHFFFAOYSA-N 3-ethyl-3-[(4-methoxyphenyl)methoxymethyl]oxetane Chemical compound C=1C=C(OC)C=CC=1COCC1(CC)COC1 PENKVNGNXDMJKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOCGGVRGNIEDSZ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-hydroxy-3-prop-2-enylphenyl)propan-2-yl]-2-prop-2-enylphenol Chemical compound C=1C=C(O)C(CC=C)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C(CC=C)=C1 WOCGGVRGNIEDSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017008 AsF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- HITYNAMRGRNFQS-UHFFFAOYSA-N COC(OCC1CC2[O]=C2CC1)=O Chemical compound COC(OCC1CC2[O]=C2CC1)=O HITYNAMRGRNFQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- SXXQJTFDIHLDDD-UHFFFAOYSA-N S.[AsH3] Chemical compound S.[AsH3] SXXQJTFDIHLDDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GROOQLAYIIFIBG-UHFFFAOYSA-N [B+3].C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound [B+3].C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 GROOQLAYIIFIBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJKXRMUXGQAQU-UHFFFAOYSA-J [F-].[F-].[F-].[F-].C(C)[N+](C1=CC=CC=C1)(CC1=CC=CC=C1)CC.[B+3] Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].C(C)[N+](C1=CC=CC=C1)(CC1=CC=CC=C1)CC.[B+3] LQJKXRMUXGQAQU-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C=C NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000005529 alkyleneoxy group Chemical group 0.000 description 1
- KFIRCHXSRZARIY-UHFFFAOYSA-H antimony(3+) hexafluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[Sb+3].[Sb+3] KFIRCHXSRZARIY-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- CIZVQWNPBGYCGK-UHFFFAOYSA-N benzenediazonium Chemical compound N#[N+]C1=CC=CC=C1 CIZVQWNPBGYCGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- AENNXXRRACDJAY-UHFFFAOYSA-N bis(2-dodecylphenyl)iodanium Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1[I+]C1=CC=CC=C1CCCCCCCCCCCC AENNXXRRACDJAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004956 cyclohexylene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001989 diazonium salts Chemical class 0.000 description 1
- OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N diphenyliodanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009791 electrochemical migration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- ZCIJAGHWGVCOHJ-UHFFFAOYSA-N naphthalene phenol Chemical compound C1(=CC=CC=C1)O.C1(=CC=CC=C1)O.C1=CC=CC2=CC=CC=C12.C1(=CC=CC=C1)O ZCIJAGHWGVCOHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- FRGPKMWIYVTFIQ-UHFFFAOYSA-N triethoxy(3-isocyanatopropyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN=C=O FRGPKMWIYVTFIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKMCKCDYKBLBG-UHFFFAOYSA-N tris(4-methoxyphenyl)sulfanium Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1[S+](C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 WUKMCKCDYKBLBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006839 xylylene group Chemical group 0.000 description 1
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
高温でのパターン保持性や耐湿性に優れ、長期間に亘って半導体回路等との密着性が良好な半導体用保護部材の提供を課題とする。上記課題を解決する半導体用保護部材は、酸素原子および/または窒素原子を含有する官能基を有する有機重合性化合物の硬化物を含む。前記硬化物の、150℃における線膨張係数と25℃における線膨張係数の差の絶対値は55以下である。
Description
本発明は、半導体用保護部材、インクジェット塗布型半導体用保護組成物、およびこれを用いた半導体装置の製造方法、ならびに半導体装置に関する。
従来、半導体等を保護するための保護層には、ポリイミド層が広く用いられてきた。近年、半導体装置の構成が複雑化しており、例えば半導体の保護層や絶縁層等をパターン状に形成することが求められている。従来のポリイミド層をパターン状に形成する場合、ポリイミドもしくはその前駆体をスピンコート法により全面に塗布し、硬化させる。その後、フォトリソグラフィや、エッチング等によって、所望のパターンに加工することが、一般的であった。しかしながら、このような方法では作業が煩雑であり、さらに時間がかかる。さらに樹脂の一部がエッチング等によって除去されるため、材料の利用効率も低い。そこで、より簡便な方法で半導体装置の保護層や絶縁層等をパターン状に形成することが求められている。
一方で近年、各種接着剤や、封止剤、ポッティング剤、コーティング剤等として、エポキシ樹脂を含むカチオン重合性樹脂組成物が提案されている(特許文献1)。また、ナノインプリント用のレジストとして、ケイ素化合物を含む樹脂組成物も提案されている(特許文献2)。
上記半導体装置等の保護層や絶縁層を、フォトリソグラフィ等を行うことなく、容易に所望のパターン状に形成する方法として、例えば特許文献1に記載のカチオン重合性樹脂組成物等をインクジェット法で塗布することが考えられる。しかしながら、特許文献1のカチオン重合性樹脂組成物は、粘度が高く、インクジェット法での印刷には適さない。また、特許文献1のカチオン重合性樹脂組成物の硬化物は、高湿度下で使用すると経時で剥離しやすい、との課題があった。また本発明者は、特許文献1に記載されているような、一般的なエポキシ樹脂を含むカチオン重合性樹脂組成物には、原料(特にエポキシ樹脂)由来の塩素が含まれやすいこと、さらには、当該カチオン重合性樹脂組成物を半導体装置等の保護層や絶縁層等に用いた際、塩素イオンがマイグレーションして、金属配線等の腐食を引き起こしやすいという課題があること、を見出した。
一方、特許文献2に記載の樹脂組成物をインクジェット法で塗布することも考えられるが、当該樹脂組成物も粘度が高く、インクジェット法での印刷には適さない。また、特許文献2の樹脂組成物では、硬化が不十分になりやすく、例えば高温下で変形しやすい等の課題があった。
本発明は、高温でのパターン保持性や耐湿性に優れ、長期間に亘って半導体回路等との密着性が良好な半導体用保護部材の提供を目的とする。
本発明は、以下の半導体用保護部材を提供する。
[1]酸素原子および/または窒素原子を含有する官能基を有する有機重合性化合物の硬化物を含む半導体用保護部材であり、前記硬化物の、150℃における線膨張係数と25℃における線膨張係数との差の絶対値が55以下である、半導体用保護部材。
[2]Si−O結合を少なくとも一部に含む、[1]に記載の半導体用保護部材。
[3]前記硬化物0.25gを、100℃、10mLの水に浸漬し、20時間抽出したときに検出される陰イオンの総量が50ppm以下である、[1]または[2]に記載の半導体用保護部材。
[4]前記硬化物0.25gを、100℃、10mLの水に浸漬し、20時間放置した後の水のpHが4.4〜8.7である、[1]〜[3]のいずれかに記載の半導体用保護部材。
[1]酸素原子および/または窒素原子を含有する官能基を有する有機重合性化合物の硬化物を含む半導体用保護部材であり、前記硬化物の、150℃における線膨張係数と25℃における線膨張係数との差の絶対値が55以下である、半導体用保護部材。
[2]Si−O結合を少なくとも一部に含む、[1]に記載の半導体用保護部材。
[3]前記硬化物0.25gを、100℃、10mLの水に浸漬し、20時間抽出したときに検出される陰イオンの総量が50ppm以下である、[1]または[2]に記載の半導体用保護部材。
[4]前記硬化物0.25gを、100℃、10mLの水に浸漬し、20時間放置した後の水のpHが4.4〜8.7である、[1]〜[3]のいずれかに記載の半導体用保護部材。
[5]前記硬化物の吸水率が2%以下である、[1]〜[4]のいずれかに記載の半導体用保護部材。
[6]前記有機重合性化合物が、エポキシ化合物、ウレタン化合物、(メタ)アクリル化合物、イミド化合物、ベンゾオキサゾールからなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物である、[1]〜[5]のいずれかに記載の半導体用保護部材。
[6]前記有機重合性化合物が、エポキシ化合物、ウレタン化合物、(メタ)アクリル化合物、イミド化合物、ベンゾオキサゾールからなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物である、[1]〜[5]のいずれかに記載の半導体用保護部材。
本発明は、以下のインクジェット塗布型半導体用保護組成物を提供する。
[7](A)1分子中に2つ以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、および1分子に2つ以上のオキセタン基を有するオキセタン化合物を含む、カチオン重合性化合物と、(B)1分子中にSi−O−Si骨格、エポキシ基、およびアルコキシ基を有し、重量平均分子量が1000以上であるシランカップリング剤と、(C)光カチオン重合開始剤と、(D)熱カチオン重合開始剤と、を含み、E型粘度計を用いて25℃、20rpmで測定される粘度が5〜50mPa・sである、インクジェット塗布型半導体用保護組成物。
[7](A)1分子中に2つ以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、および1分子に2つ以上のオキセタン基を有するオキセタン化合物を含む、カチオン重合性化合物と、(B)1分子中にSi−O−Si骨格、エポキシ基、およびアルコキシ基を有し、重量平均分子量が1000以上であるシランカップリング剤と、(C)光カチオン重合開始剤と、(D)熱カチオン重合開始剤と、を含み、E型粘度計を用いて25℃、20rpmで測定される粘度が5〜50mPa・sである、インクジェット塗布型半導体用保護組成物。
[8]表面張力が20〜40mN/mである、[7]に記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物。
[9]前記(B)シランカップリング剤が、1分子中にエポキシ基を2つ以上含み、かつ1分子中にアルコキシ基を2つ以上含む、[7]または[8]に記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物。
[10]前記(A)カチオン重合性化合物100質量部に対し、前記(B)シランカップリング剤を1〜20質量部、前記(C)光カチオン重合開始剤を0.1〜10質量部、前記(D)熱カチオン重合開始剤を0.1〜10質量部含み、前記(D)熱カチオン重合開始剤の量が、前記(C)光カチオン重合開始剤100質量部に対し、10〜50質量部である、[7]〜[9]のいずれかに記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物。
[9]前記(B)シランカップリング剤が、1分子中にエポキシ基を2つ以上含み、かつ1分子中にアルコキシ基を2つ以上含む、[7]または[8]に記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物。
[10]前記(A)カチオン重合性化合物100質量部に対し、前記(B)シランカップリング剤を1〜20質量部、前記(C)光カチオン重合開始剤を0.1〜10質量部、前記(D)熱カチオン重合開始剤を0.1〜10質量部含み、前記(D)熱カチオン重合開始剤の量が、前記(C)光カチオン重合開始剤100質量部に対し、10〜50質量部である、[7]〜[9]のいずれかに記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物。
本発明は、以下のインクジェット塗布型半導体用保護組成物およびその硬化物も提供する。
[11](K)1分子中に2つ以上のエポキシ基を有する脂環式エポキシ化合物と、(L)光カチオン重合開始剤と、(M)シランカップリング剤と、を含み、塩素イオン含有量が50ppm以下であり、かつE型粘度計を用いて25℃、20rpmで測定される粘度が5〜50mPa・sである、インクジェット塗布型半導体用保護組成物。
[12]表面張力が20〜40mN/mである、[11]に記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物。
[11](K)1分子中に2つ以上のエポキシ基を有する脂環式エポキシ化合物と、(L)光カチオン重合開始剤と、(M)シランカップリング剤と、を含み、塩素イオン含有量が50ppm以下であり、かつE型粘度計を用いて25℃、20rpmで測定される粘度が5〜50mPa・sである、インクジェット塗布型半導体用保護組成物。
[12]表面張力が20〜40mN/mである、[11]に記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物。
[13]前記(K)脂環式エポキシ化合物が、下記一般式で表されるシクロアルケンオキサイド構造を有する、[11]または[12]に記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物。
(一般式中、Mは炭素数4〜8の脂環式構造を表す)
[14]前記(K)脂環式エポキシ化合物100質量部に対し、前記(L)光カチオン重合開始剤を0.1〜10質量部含み、前記(M)シランカップリング剤を1〜20質量部含む、[11]〜[13]のいずれかに記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物。
[15]上記[11]〜[14]のいずれかに記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物であり、周波数1.6Hzで動的粘弾性測定を行ったときの損失正接(tanδ)が25〜150℃の温度範囲で0.01以上である、硬化物。
[14]前記(K)脂環式エポキシ化合物100質量部に対し、前記(L)光カチオン重合開始剤を0.1〜10質量部含み、前記(M)シランカップリング剤を1〜20質量部含む、[11]〜[13]のいずれかに記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物。
[15]上記[11]〜[14]のいずれかに記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物であり、周波数1.6Hzで動的粘弾性測定を行ったときの損失正接(tanδ)が25〜150℃の温度範囲で0.01以上である、硬化物。
本発明は、以下の半導体装置も提供する。
[16]少なくとも一方の面に回路を備える半導体回路基板と、前記半導体回路基板の少なくとも一部を覆う、[7]〜[14]のいずれかに記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物層と、前記硬化物層上に配置された、半導体モールドレジン層と、を有する、半導体装置。
[17]金属配線が配置された基板と、前記基板の前記金属配線の少なくとも一部を覆う[7]〜[14]のいずれかに記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物層と、前記金属配線と電気的に接続するように前記硬化物層上に配置された回路部と、を有する、半導体装置。
[16]少なくとも一方の面に回路を備える半導体回路基板と、前記半導体回路基板の少なくとも一部を覆う、[7]〜[14]のいずれかに記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物層と、前記硬化物層上に配置された、半導体モールドレジン層と、を有する、半導体装置。
[17]金属配線が配置された基板と、前記基板の前記金属配線の少なくとも一部を覆う[7]〜[14]のいずれかに記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物層と、前記金属配線と電気的に接続するように前記硬化物層上に配置された回路部と、を有する、半導体装置。
本発明は、以下の半導体装置の製造方法も提供する。
[18]少なくとも一方の面に回路を備える半導体回路基板または金属配線を有する基板を準備する準備工程と、前記半導体回路基板上、または前記基板の前記金属配線上に、インクジェット法により、[7]〜[14]のいずれかに記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物を塗布する塗布工程と、前記塗布工程後、60秒以内に前記インクジェット塗布型半導体用保護組成物の塗膜に活性光線を照射し、前記塗膜を硬化させる光硬化工程と、前記光硬化工程後の前記塗膜を熱で硬化させる熱硬化工程と、を含む、半導体装置の製造方法。
[18]少なくとも一方の面に回路を備える半導体回路基板または金属配線を有する基板を準備する準備工程と、前記半導体回路基板上、または前記基板の前記金属配線上に、インクジェット法により、[7]〜[14]のいずれかに記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物を塗布する塗布工程と、前記塗布工程後、60秒以内に前記インクジェット塗布型半導体用保護組成物の塗膜に活性光線を照射し、前記塗膜を硬化させる光硬化工程と、前記光硬化工程後の前記塗膜を熱で硬化させる熱硬化工程と、を含む、半導体装置の製造方法。
本発明の半導体用保護部材は、高温でのパターン保持性に優れ、長期間に亘って半導体回路等との密着性が良好である。
1.インクジェット塗布型半導体用保護組成物
本発明のインクジェット塗布型半導体用保護組成物(以下、単に「組成物」とも称する)は、インクジェット法により塗布される組成物であり、半導体装置等の保護や絶縁のための層等を形成するための組成物である。本発明の組成物には、以下の2つの組成物が含まれる。それぞれについて説明する。
本発明のインクジェット塗布型半導体用保護組成物(以下、単に「組成物」とも称する)は、インクジェット法により塗布される組成物であり、半導体装置等の保護や絶縁のための層等を形成するための組成物である。本発明の組成物には、以下の2つの組成物が含まれる。それぞれについて説明する。
1−1.第1の組成物
従来、半導体装置等の保護層や絶縁層には、ポリイミド樹脂が主に用いられていた。しかしながら、ポリイミド樹脂は、直接パターン状に形成することが難しく、フォトリソグラフィやエッチング等によってパターニングすることが一般的であった。
従来、半導体装置等の保護層や絶縁層には、ポリイミド樹脂が主に用いられていた。しかしながら、ポリイミド樹脂は、直接パターン状に形成することが難しく、フォトリソグラフィやエッチング等によってパターニングすることが一般的であった。
これに対し、第1の組成物は、(A)エポキシ化合物およびオキセタン化合物を含むカチオン重合性化合物と、(B)1分子中にSi−O−Si骨格、エポキシ基、およびアルコキシ基を有し、かつ重量平均分子量が1000以上であるシランカップリング剤と、(C)光カチオン重合開始剤と、(D)熱カチオン重合開始剤と、を含み、E型粘度計を用いて25℃、20rpmで測定される粘度は5〜50mPa・sである。第1の組成物は粘度が十分に低いことから、インクジェット法で塗布可能であり、所望のパターン状に膜を形成できる。
また、第1の組成物は、特定の構造の(B)シランカップリング剤を含む。そのため、当該組成部物の硬化物と半導体装置との密着性が良好となり、例えば高温環境下等でも、半導体回路基板等から硬化物が剥離し難い。また、第1の組成物は、上記(C)光カチオン重合開始剤および(D)熱カチオン重合開始剤を含む。そのため、光および熱による硬化性が非常に良好であり、例えば光照射によって仮硬化できる。したがって、所望のパターンに硬化物を形成できる。またさらに当該硬化物は高温環境下においても変形し難い。したがって、長期間に亘って半導体等を十分に保護可能である。以下、第1の組成物について詳しく説明する。
(A)カチオン重合性化合物
(A)カチオン重合性化合物は、1分子に2つ以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、および1分子に2つ以上のオキセタン基を有するオキセタン化合物を含む。組成物の総量100質量部に対する、(A)カチオン重合性化合物の総量は、70〜99質量部が好ましく、80〜99質量部がより好ましく、90〜99質量部がさらに好ましい。
(A)カチオン重合性化合物は、1分子に2つ以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、および1分子に2つ以上のオキセタン基を有するオキセタン化合物を含む。組成物の総量100質量部に対する、(A)カチオン重合性化合物の総量は、70〜99質量部が好ましく、80〜99質量部がより好ましく、90〜99質量部がさらに好ましい。
(A)カチオン重合性化合物が含むエポキシ化合物は、1分子にエポキシ基を2つ以上含む化合物であればよいが、室温で液状の化合物が好ましい。当該エポキシ化合物は、脂環式エポキシ化合物であってもよく、脂肪族エポキシ化合物であってもよく、芳香族化合物であってもよい。(A)カチオン重合性化合物は、エポキシ化合物を一種のみ含んでいてもよく、二種以上含んでいてもよい。また、各エポキシ化合物が含むエポキシ基の数は、2〜4が好ましく、2〜3がより好ましい。
上記脂環式エポキシ化合物の例には、例えばシクロアルケンオキサイド構造を有する化合物が含まれる。シクロアルケンオキサイド構造とは、シクロアルケンを過酸化物などの酸化剤でエポキシ化して得られる構造であり、脂肪族環と、脂肪族環を構成する2つの炭素原子および酸素原子で構成されるエポキシ基と、を有する構造である。シクロアルケンオキサイドの例には、シクロヘキセンオキサイドや、シクロペンテンオキサイドが含まれ、好ましくはシクロヘキセンオキサイドである。
脂環式エポキシ化合物の1分子中のシクロアルケンオキサイド構造の数は、1つ(単官能)であってもよく、2つ以上(多官能)であってもよい。なかでも、後述の酸素原子含有率を高めやすく、耐熱性等にも優れる点から、脂環式エポキシ化合物の1分子中のシクロアルケンオキサイド構造の数は、2つ以上(多官能)が好ましい。
シクロアルケンオキサイド構造を有する脂環式エポキシ化合物の例には、下記一般式(A−1)で表される化合物が含まれる。
一般式(A−1)のXは、単結合または連結基である。なお、連結基は、式(A−1)で表される化合物の重量平均分子量および酸素原子含有率が後述の範囲に収まるように選択されることが好ましい。連結基の例には、2価の炭化水素基、カルボニル基、エーテル基(エーテル結合)、チオエーテル基(チオエーテル結合)、エステル基(エステル結合)、カーボネート基(カーボネート結合)、アミド基(アミド結合)、またはこれらが複数連結した基が含まれる。
2価の炭化水素基の例には、炭素原子数が1〜18のアルキレン基、または2価の脂環式炭化水素基が含まれる。炭素原子数が1〜18のアルキレン基の例には、メチレン基、メチルメチレン基、ジメチルメチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基が含まれる。2価の脂環式炭化水素基の例には、1,2−シクロペンチレン基、1,3−シクロペンチレン基、シクロペンチリデン基、1,2−シクロヘキシレン基、1,3−シクロヘキシレン基、1,4−シクロヘキシレン基、シクロヘキシリデン基等の2価のシクロアルキレン基(シクロアルキリデン基を含む)が含まれる。
なかでも、Xは、単結合、または酸素原子を有する連結基が好ましい。酸素原子を有する連結基は、−CO−(カルボニル基)、−O−CO−O−(カーボネート基)、−COO−(エステル基)、−O−(エーテル基)、−CONH−(アミド基)、これらの基が複数連結した基、またはこれらの基の1以上と2価の炭化水素基の1以上とが連結した基がより好ましい。
一般式(A−1)で表される脂環式エポキシ化合物の例には、以下の化合物が含まれる。なお、下記式において、lは、1〜10の整数であり、mは、1〜30の整数である。また、Rは、炭素原子数1〜8のアルキレン基(好ましくはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基などの炭素原子数1〜3のアルキレン基)である。n1およびn2は、それぞれ1〜30の整数である。
シクロアルケンオキサイド構造を有する脂環式エポキシ化合物の市販品の例には、セロキサイド2021P、セロキサイド2081、セロキサイド8000、セロキサイド8010(いずれもダイセル社製)等が含まれる。
一方、脂肪族エポキシ化合物の例には、脂肪族多価アルコールまたはそのアルキレンオキサイド付加物のポリグリシジルエーテルが含まれる。脂肪族多価アルコールは、鎖状であってもよく、一部環状構造を有してもよい(上述のシクロアルケンオキサイド構造を有する脂環式エポキシ化合物を除く)。組成物をより低粘度にしやすいという観点で、脂肪族アルコール(脂肪族多価アルコールを含む)は鎖状が好ましく、アルカンジオールまたはそのアルキレンオキサイド付加物のジグリシジルエーテルがより好ましい。
脂肪族エポキシ化合物の例には、1,4−ブタンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル等の炭素原子数4〜6のアルカンジオールのジグリシジルエーテル;グリセリン、トリメチロールプロパン等のトリグリシジルエーテル;ソルビトールのテトラグリシジルエーテル;ジペンタエリスリトールのヘキサグリシジルエーテル;ポリエチレングリコールやポリプロピレングリコール等のジグリシジルエーテル;プロピレングリコールやトリメチロールプロパン等のアルキレンオキサイド付加物(ポリエーテルポリオール)のポリグリシジルエーテルが含まれる。
脂肪族エポキシ化合物の市販品の例には、SR−PG、SR−2EGS、SR−8EGS、SR−14BJ、SY−25L(阪本薬品工業社製)、エポゴーセー2EH、エポゴーセーHD(D)、エポゴーセーNPG(D)、エポゴーセーBD(D)(四日市合成社製)、デナコールEX−121、デナコールEX−212L、デナコールEX−214L(ナガセケムテックス社製)等が含まれる。
芳香族エポキシ化合物の例には、芳香環を含むアルコール(多価アルコールを含む)のグリシジルエーテルが含まれる。芳香族エポキシ化合物の例には、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールO型エポキシ樹脂、2,2’−ジアリルビスフェノールA型エポキシ樹脂、プロピレンオキシド付加ビスフェノールA型エポキシ樹脂、レゾルシノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スルフィド型エポキシ樹脂、ジフェニルエーテル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレンフェノールノボラック型エポキシ樹脂等が含まれる。
上述のいずれのエポキシ化合物においても、重量平均分子量は、180以上が好ましく、190以上がより好ましく、200以上がさらに好ましい。重量平均分子量の上限は、組成物の粘度に応じて適宜選択されるが、400以下が好ましい。エポキシ化合物の重量平均分子量が180以上であると、組成物からのエポキシ化合物の揮発を抑制できる。その結果、組成物をインクジェット法で塗布する際、組成が変化し難く、さらには作業環境が悪化し難い。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)によりポリスチレン換算にて測定できる。
また、エポキシ化合物の下記式(1)で表される酸素原子含有率は15%以上が好ましく、20%以上がより好ましい。一方で酸素原子含有率は、30%以下が好ましい。
酸素原子含有率(%)=1分子中の酸素原子の合計質量/重量平均分子量×100・・・(1)
酸素原子含有率(%)=1分子中の酸素原子の合計質量/重量平均分子量×100・・・(1)
エポキシ化合物の酸素原子含有率が15%以上であると、エポキシ化合物の極性が高くなり、インクジェット装置のヘッド部分に用いられる極性の低い接着剤やゴム材料(例えばエチレンプロピレンジタジエンゴムなど)と親和し難くなる。その結果、接着剤やゴム材料が膨潤し難くなり、これらの劣化(装置へのダメージ)が生じ難い。
エポキシ化合物の1分子中の酸素原子の合計質量は、GC−MS法、NMR法などによりエポキシ化合物の構造を特定し、当該化合物の1分子中の酸素原子の個数を特定する。そして、当該個数に酸素原子の原子量を乗じることで算出できる。一方、エポキシ化合物の酸素原子含有率は、得られた酸素原子の合計質量と、GPC法により測定された重量平均分子量とを、前述の式(1)に当てはめることで、算出できる。エポキシ化合物の酸素原子含有率は、1分子中のエポキシ基の個数や、酸素原子を含有する基の個数によって調整できる。
ここで、(A)カチオン重合性化合物が含むエポキシ化合物の量は、(A)カチオン重合性化合物の総量に対して20〜80質量部が好ましく、30〜70質量部がより好ましく、40〜60質量部がさらに好ましい。エポキシ化合物の量が40質量部以上であると、組成物の硬化物の強度が高まりやすい。また、エポキシ化合物の量が60質量部以下であると、組成物の粘度が所望の範囲に収まりやすくなる。
一方、(A)カチオン重合性化合物が含むオキセタン化合物は、1分子に2つ以上のオキセタン基を有する化合物であればよく、その構造は特に制限されない。オキセタン化合物は、室温で液状である化合物が好ましい。(A)カチオン重合性化合物は、オキセタン化合物を一種のみ含んでいてもよく、二種以上含んでいてもよい。また、オキセタン化合物が含むオキセタン基の数は2〜4が好ましく、2〜3がより好ましい。
オキセタン化合物の例には、下記一般式(A−2)および(A−3)で表される化合物が含まれる。
一般式(A−2)および(A−3)におけるR1は、それぞれ水素原子、炭素原子数1〜6のアルキル基、アリル基、アリール基、アラルキル基、フリル基またはチエニル基である。R2は、それぞれ2価の有機残基である。ただし、R1およびR2は、後述の重量平均分子量および酸素原子含有率を満たすように選択されることが好ましい。
炭素原子数1〜6のアルキル基の例には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基が含まれる。アリール基の例には、フェニル、ナフチル、トリル、キシリル基が含まれる。アラルキル基の例には、ベンジル、フェネチル基が含まれる。
上記一般式中のR3は、酸素原子、硫黄原子、−CH2−、−NH−、−SO−、−SO2−、−C(CF3)2−または−C(CH3)2−である。
上記一般式中のR4は、炭素原子数1〜6のアルキレン基またはアリーレン基である。アルキレン基の例には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、シクロヘキシレン基等の炭素原子数1〜15のアルキレン基が含まれる。ポリオキシアルキレン基は、炭素原子数が4〜30、好ましくは4〜8のポリオキシアルキレン基であることが好ましく、その例には、ポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基が含まれる。
オキセタン化合物の市販品の例には、OXT−121、OXT−221(いずれも東亜合成株式会社)、OXBP(宇部興産社製)が含まれる。
ここで、オキセタン化合物の重量平均分子量は180以上が好ましく、190以上がより好ましく、200以上がさらに好ましい。重量平均分子量の上限は、組成物の粘度に応じて適宜選択されるが、400以下が好ましい。オキセタン化合物の重量平均分子量が180以上であると、組成物からオキセタン化合物が揮発し難くなる。その結果、組成物をインクジェット法で塗布する際、組成物の組成が変化し難く、さらには作業環境が悪化し難い。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)によりポリスチレン換算にて測定できる。
また、オキセタン化合物の酸素原子含有率は15%以上が好ましく、20%以上がより好ましい。一方で酸素原子含有率は、30%以下が好ましい。酸素原子含有率は、上述の式(1)で求められる値である。オキセタン化合物の酸素原子含有率が15%以上であると、オキセタン化合物の極性が高くなる。その結果、インクジェット装置のヘッド部分に用いられる極性の低い接着剤等の劣化(装置へのダメージ)が低減される。オキセタン化合物の酸素原子含有率を高めるためには、オキセタン化合物の1分子中のオキセタニル基の数や、酸素原子を含有する基、例えば上述の一般式(A−2)のR2に含まれる酸素原子の数を多くすればよい。
ここで、オキセタン化合物の量は、(A)カチオン重合性化合物の総量に対して30〜80質量部が好ましく、40〜70質量部がより好ましく、50〜60質量部がさらに好ましい。オキセタン化合物の量が50質量部以上であると、粘度が所望の範囲に治まりやすい。また、オキセタン化合物の量が60質量部以下であると、相対的に上述のエポキシ化合物の量が多くなり、組成物の硬化物の強度が高まりやすい。
(B)シランカップリング剤
(B)シランカップリング剤は、1分子中にSi−O−Si骨格、エポキシ基、およびアルコキシ基を有し、重量平均分子量が1000以上である化合物である。シランカップリング剤の重量平均分子量は、1000〜5000がより好ましく、1500〜2500がさらに好ましい。シランカップリング剤がシロキサン骨格(Si−O−Si骨格)を含み、かつ重量平均分子量が1000以上であると、(B)シランカップリング剤が半導体装置の金属配線等の表面に偏在しやすく、高温高湿環境下でも組成物の硬化物と半導体装置の金属配線等との密着性が良好になりやすい。また、(B)シランカップリング剤がエポキシ基を有すると、上述の(A)カチオン重合性化合物とネットワークを形成しやすく、硬化物から浮き出たりし難くなる。一方で、シランカップリング剤の重量平均分子量が5000以下であると、組成物の粘度が所望の範囲に収まりやすくなる。シランカップリング剤の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)によりポリスチレン換算にて測定できる。
(B)シランカップリング剤は、1分子中にSi−O−Si骨格、エポキシ基、およびアルコキシ基を有し、重量平均分子量が1000以上である化合物である。シランカップリング剤の重量平均分子量は、1000〜5000がより好ましく、1500〜2500がさらに好ましい。シランカップリング剤がシロキサン骨格(Si−O−Si骨格)を含み、かつ重量平均分子量が1000以上であると、(B)シランカップリング剤が半導体装置の金属配線等の表面に偏在しやすく、高温高湿環境下でも組成物の硬化物と半導体装置の金属配線等との密着性が良好になりやすい。また、(B)シランカップリング剤がエポキシ基を有すると、上述の(A)カチオン重合性化合物とネットワークを形成しやすく、硬化物から浮き出たりし難くなる。一方で、シランカップリング剤の重量平均分子量が5000以下であると、組成物の粘度が所望の範囲に収まりやすくなる。シランカップリング剤の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)によりポリスチレン換算にて測定できる。
ここで、組成物が含む(B)シランカップリング剤の量は、上述の(A)カチオン重合性化合物100質量部に対し、1〜20質量部が好ましく、10〜20質量部がより好ましい。シランカップリング剤の量が当該範囲であると、組成物から得られる膜と半導体回路等との密着性が良好になりやすい。
(B)シランカップリング剤は、シロキサン骨格(Si−O−Si骨格)と、当該シロキサン骨格のSiに結合するアルコキシ基と、エポキシ基と、を有し、かつ分子量が上述の範囲である化合物であればよく、例えば、ジアルコキシシランやトリアルコキシシラン、テトラアルコキシシランを重合して得られる。またこのとき、一部にエポキシ基を有するモノマーを用いることで、分子内にエポキシ基を導入できる。シロキサン骨格(Si−O−Si骨格)は、SiおよびOが直線状に連なった骨格であってもよく、SiおよびOが3次元の網目状に連なった骨格であってもよい。
また、(B)シランカップリング剤は、1分子中に少なくとも1つのアルコキシ基を有していればよいが、組成物から得られる硬化物と半導体回路等との密着性を高めるとの観点で、2つ以上のアルコキシ基を有することが好ましい。また、(B)シランカップリング剤は、1分子中に少なくとも1つのエポキシ基を有していればよいが、(A)カチオン重合性化合物とネットワークを形成するとの観点で、2つ以上のエポキシ基を有することがより好ましい。なお、シロキサン骨格には、アルコキシ基以外の基がさらに結合していてもよく、例えば(メタ)アクリロイル基や、フェニル基、メルカプト基、オキセタニル基等がさらに結合していてもよい。組成物は、(B)シランカップリング剤を一種のみ含んでいてもよく、二種以上含んでいてもよい。
(B)シランカップリング剤は、各種アルコキシシランを重合して調製したものであってもよく、市販品であってもよい。市販品の例には、KR−500、KR−510、KR−516、KR−517、X−40−2670、X−12−981S、X−12−984S(いずれも信越化学工業社製)等が含まれる。
(C)光カチオン重合開始剤
(C)光カチオン重合開始剤は、紫外線等の活性光線の照射によりカチオン重合を開始可能な活性種を発生する化合物であればよい。組成物が含む(C)光カチオン重合開始剤の量は、(A)カチオン重合性化合物100質量部に対し、0.1〜10質量部が好ましく、0.1〜5質量部がより好ましい。
(C)光カチオン重合開始剤は、紫外線等の活性光線の照射によりカチオン重合を開始可能な活性種を発生する化合物であればよい。組成物が含む(C)光カチオン重合開始剤の量は、(A)カチオン重合性化合物100質量部に対し、0.1〜10質量部が好ましく、0.1〜5質量部がより好ましい。
光カチオン重合開始剤の例には、芳香族スルホニウム塩、芳香族ヨードニウム塩、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族アンモニウム塩等が含まれる。これらのアニオン部分は、BF4 −、PX6 −(Xは、フッ素またはフルオロアルキル基)、SbF6 −、またはBX4 −(Xは、少なくとも2つ以上のフッ素またはトリフルオロメチル基で置換されたフェニル基)であることが好ましい。組成物は、(C)光カチオン重合開始剤を一種のみ含んでいてもよく、二種以上含んでいてもよい。
上記芳香族スルホニウム塩の例には、ビス[4−(ジフェニルスルホニオ)フェニル]スルフィドビスヘキサフルオロホスフェート、ビス[4−(ジフェニルスルホニオ)フェニル]スルフィドビスヘキサフルオロアンチモネート、ビス[4−(ジフェニルスルホニオ)フェニル]スルフィドビステトラフルオロボレート、ビス[4−(ジフェニルスルホニオ)フェニル]スルフィドテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、ジフェニル−4−(フェニルチオ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニル−4−(フェニルチオ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニル−4−(フェニルチオ)フェニルスルホニウムテトラフルオロボレート等が含まれる。
上記芳香族ヨードニウム塩の例には、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、ビス(ドデシルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ビス(ドデシルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビス(ドデシルフェニル)ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(ドデシルフェニル)ヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート等が含まれる。
上記芳香族ジアゾニウム塩の例には、フェニルジアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、フェニルジアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、フェニルジアゾニウムテトラフルオロボレート、フェニルジアゾニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート等が含まれる。
上記芳香族アンモニウム塩の例には、1−ベンジル−2−シアノピリジニウムヘキサフルオロホスフェート、1−ベンジル−2−シアノピリジニウムヘキサフルオロアンチモネート等が含まれる。
光カチオン重合開始剤の市販品の例には、Irgacure250、Irgacure270、Irgacure290(BASF社製)、CPI−100P、CPI−101A、CPI−200K、CPI−210S、CPI−310B、CPI−310FG、CPI−400PG(サンアプロ社製)、SP−150、SP−170、SP−171、SP−056、SP−066、SP−130、SP−140、SP−601、SP−606、SP−701(ADEKA社製)が含まれる。中でも、Irgacure270、Irgacure290、CPI−100P、CPI−101A、CPI−200K、CPI−210S、CPI−310B、CPI−310FG、CPI−400PG、SP−150、SP−170、SP−171、SP−056、SP−066、SP−601、SP−606、SP−701等のスルホニウム塩が好ましい。
(D)熱カチオン重合開始剤
(D)熱カチオン重合開始剤は、加熱によりカチオン重合を開始可能な活性種を発生する化合物であればよい。(D)熱カチオン重合開始剤の量は、(A)カチオン重合性化合物100質量部に対し、0.1〜10質量部が好ましく、0.1〜5質量部がより好ましい。また特に、(D)熱カチオン重合開始剤の量は、(C)光カチオン重合開始剤100質量部に対して、10〜50質量部が好ましく、10〜20質量部がより好ましい。(C)光カチオン重合開始剤と(D)熱カチオン重合開始剤の量との比が、当該範囲であると、組成物の光および熱による硬化性が良好になりやすい。
(D)熱カチオン重合開始剤は、加熱によりカチオン重合を開始可能な活性種を発生する化合物であればよい。(D)熱カチオン重合開始剤の量は、(A)カチオン重合性化合物100質量部に対し、0.1〜10質量部が好ましく、0.1〜5質量部がより好ましい。また特に、(D)熱カチオン重合開始剤の量は、(C)光カチオン重合開始剤100質量部に対して、10〜50質量部が好ましく、10〜20質量部がより好ましい。(C)光カチオン重合開始剤と(D)熱カチオン重合開始剤の量との比が、当該範囲であると、組成物の光および熱による硬化性が良好になりやすい。
(D)熱カチオン重合開始剤は、公知のカチオン重合開始剤を用いることができる。(D)熱カチオン重合開始剤の例には、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、4級アンモニウム塩、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩等が含まれ、これらの中でも4級アンモニウム塩またはスルホニウム塩が好ましい。これらのアニオン部分は、AsF6 −、SbF6 −、PF6 −、B(C6F5)4−等が好ましい。組成物は、(D)熱カチオン重合開始剤を一種のみ含んでいてもよく、二種以上含んでいてもよい。
スルホニウム塩の具体例には、トリフェニルスルホニウム四フッ化ホウ素、トリフェニルスルホニウム六フッ化アンチモン、トリフェニルスルホニウム六フッ化ヒ素、トリ(4−メトキシフェニル)スルホニウム六フッ化ヒ素、ジフェニル(4−フェニルチオフェニル)スルホニウム六フッ化ヒ素等が含まれる。
ホスホニウム塩の具体例には、エチルトリフェニルホスホニウム六フッ化アンチモン、テトラブチルホスホニウム六フッ化アンチモン等が含まれる。
4級アンモニウム塩の具体例には、N,N−ジメチル−N−ベンジルアニリニウム六フッ化アンチモン、N,N−ジエチル−N−ベンジルアニリニウム四フッ化ホウ素、N,N−ジメチル−N−ベンジルピリジニウム六フッ化アンチモン、N,N−ジエチル−N−ベンジルピリジニウムトリフルオロメタンスルホン酸、N,N−ジメチル−N−(4−メトキシベンジル)ピリジニウム六フッ化アンチモン、N,N−ジエチル−N−(4−メトキシベンジル)ピリジニウム六フッ化アンチモン、N,N−ジエチル−N−(4−メトキシベンジル)トルイジニウム六フッ化アンチモン、N,N−ジメチル−N−(4−メトキシベンジル)トルイジニウム六フッ化アンチモン等が含まれる。
(D)熱カチオン重合開始剤の市販品の例には、K−PURE CXC−1612(KING INDUSTRIES社製)や、CXC−1613、CXC−1614、CXC−1615、CXC−1756、CXC−1765、CXC−1820、CXC−1821、TAG−2172、TAG−2179、TAG−2507、TAG−2678、TAG−2689、TAG−2690、TAG−2713(いずれもKING INDUSTRIES社製)、サンエイドSI−B2A、SI−B3、SI−B3A、SI−B4、SI−B5、SI−B7、SI−45、SI−60、SI−80、SI−100、SI−110、SI−110L、SI−145、SI−150、SI−160、SI−180L、SI−300、SI−360(三新化学工業社製)等が含まれる。
(E)その他の成分
本発明の組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、(A)〜(D)以外の他の成分をさらに含んでいてもよい。他の成分の例には、増感剤、レベリング剤等が含まれる。
本発明の組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、(A)〜(D)以外の他の成分をさらに含んでいてもよい。他の成分の例には、増感剤、レベリング剤等が含まれる。
増感剤は、(C)光カチオン重合開始剤や(D)熱カチオン重合開始剤の活性種発生効率をより向上させて、組成物の硬化反応をより促進させる機能を有する化合物である。増感剤の例には、2,4−ジエチルチオキサントン等のチオキサントン系化合物や、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、ベンゾフェノン、2,4−ジクロロベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、4,4’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4’−メチルジフェニルサルファイド等のベンゾフェノン系化合物や、9,10−ジエトキシアントラセン、9,10−ジブトキシアントラセン、9,10−ビス(オクタノイルオキシ)アントラセン等のアントラセン系化合物が含まれる。
レベリング剤は、組成物の塗膜の平坦性を高めるための化合物である。レベリング剤の例には、シリコーン系、アクリル系、フッ素系の化合物が含まれる。レベリング剤の市販品の例には、BYK−340、BYK−345(いずれもビックケミー・ジャパン社製)、サーフロンS−611(AGCセイミケミカル社製)が含まれる。
(E)他の成分の合計含有量は、低分子量成分を少なくし、かつ装置へのダメージを低減するという観点で、組成物の総量に対して20質量%以下が好ましく、10質量%以下がより好ましい。
<組成物の物性>
(粘度)
上述のように、本発明の組成物のE型粘度計により25℃、20rpmで測定される粘度は、5〜50mPa・sであり、5〜30mPa・sが好ましく、10〜20mPa・sがより好ましい。粘度が当該範囲であると、組成物をインクジェット法で塗布する際の、吐出性が良好となりやすい。
(粘度)
上述のように、本発明の組成物のE型粘度計により25℃、20rpmで測定される粘度は、5〜50mPa・sであり、5〜30mPa・sが好ましく、10〜20mPa・sがより好ましい。粘度が当該範囲であると、組成物をインクジェット法で塗布する際の、吐出性が良好となりやすい。
(塩素イオン濃度)
本発明の組成物の塩素イオン含有量は、1000ppm以下が好ましく、より好ましくは500ppm以下であり、さらに好ましくは300ppm以下である。組成物中の塩素イオン濃度が高いと、組成物の硬化物から塩素イオンがマイグレーションすることがあり、金属配線等の腐食の原因となることがある。これに対し、塩素イオン濃度が1000ppm以下であると、組成物の硬化物を含む半導体装置において、長期間に亘ってイオンマイグレーションが生じ難く、金属配線等の腐食等を抑制できる。
本発明の組成物の塩素イオン含有量は、1000ppm以下が好ましく、より好ましくは500ppm以下であり、さらに好ましくは300ppm以下である。組成物中の塩素イオン濃度が高いと、組成物の硬化物から塩素イオンがマイグレーションすることがあり、金属配線等の腐食の原因となることがある。これに対し、塩素イオン濃度が1000ppm以下であると、組成物の硬化物を含む半導体装置において、長期間に亘ってイオンマイグレーションが生じ難く、金属配線等の腐食等を抑制できる。
組成物中の塩素イオン濃度は、組成物をポリテトラフルオロエチレン(PTFE)製の耐圧容器に採取し、秤量した後、純水10mLを加えて密栓する。その後、100℃(設定温度)のオーブン中で20時間、塩素を加熱抽出する。そして、室温まで放冷した後、抽出液を回収し、イオンクロマトグラフ法(1C法)により塩素イオンの定量分析を実施する。
なお、塩素イオン濃度は、例えば上述の(A)カチオン重合性組成物中のシクロアルケンオキサイド構造を有するエポキシ化合物の割合を多くすること等により低減できる。一般的なエポキシ化合物は、その重合時に塩素を含む原料が用いられる。これに対し、シクロアルケンオキサイド構造を有するエポキシ化合物は、重合時に塩素を含む原料を用いる必要がない。そこで、当該エポキシ化合物を多く使用することで、塩素イオン濃度を低減できる。
(表面張力)
本発明の組成物の表面張力は20〜40mN/mが好ましく、25〜40mN/mがより好ましく、25〜35mN/mがさらに好ましい。表面張力は、25℃、Wilhelmy法により測定される値である。組成物の表面張力が40mN/m以下であると、組成物をインクジェット法で塗布した際にレベリングしやすく、半導体回路基板の回路等をムラ無く被覆可能となる。一方で、組成物の表面張力が20mN/m以上であると、インクジェット法で塗布した際に過度に濡れ広がり難く、所望の厚みやパターンを保持できる。
本発明の組成物の表面張力は20〜40mN/mが好ましく、25〜40mN/mがより好ましく、25〜35mN/mがさらに好ましい。表面張力は、25℃、Wilhelmy法により測定される値である。組成物の表面張力が40mN/m以下であると、組成物をインクジェット法で塗布した際にレベリングしやすく、半導体回路基板の回路等をムラ無く被覆可能となる。一方で、組成物の表面張力が20mN/m以上であると、インクジェット法で塗布した際に過度に濡れ広がり難く、所望の厚みやパターンを保持できる。
(酸素含有率)
組成物の酸素含有率は、インクジェット装置へのダメージを低減する観点から、15%以上が好ましく、20%以上がより好ましい。一方で、組成物の酸素原子含有率は、30%以下が好ましい。組成物の酸素原子含有率は、組成物に含まれる酸素原子の合計質量/組成物の全質量)×100(%)として算出できる。組成物に含まれる酸素原子の合計質量は、元素分析により組成物が含む酸素原子の割合を算出し、それに酸素原子の原子量を乗ずることで算出できる。
組成物の酸素含有率は、インクジェット装置へのダメージを低減する観点から、15%以上が好ましく、20%以上がより好ましい。一方で、組成物の酸素原子含有率は、30%以下が好ましい。組成物の酸素原子含有率は、組成物に含まれる酸素原子の合計質量/組成物の全質量)×100(%)として算出できる。組成物に含まれる酸素原子の合計質量は、元素分析により組成物が含む酸素原子の割合を算出し、それに酸素原子の原子量を乗ずることで算出できる。
<組成物の調製方法>
組成物は、少なくとも(A)〜(D)成分を、例えばホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリーミキサー、ニーダー、3本ロールなどの混合機を用いて混合して得ることができる。
組成物は、少なくとも(A)〜(D)成分を、例えばホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリーミキサー、ニーダー、3本ロールなどの混合機を用いて混合して得ることができる。
1−2.第2の組成物
第2の組成物は、(K)脂環式エポキシ化合物と、(L)光カチオン重合開始剤と、(M)シランカップリング剤と、を含む。また、その塩素イオン含有量が50ppm以下であり、かつE型粘度計を用いて25℃、20rpmで測定される粘度は5〜50mPa・sである。本発明の組成物は塩素イオン濃度が非常に低いことから、半導体装置等の保護層や絶縁層等に使用しても、イオンマイグレーション等を生じさせ難い。さらに、粘度が十分に低いことから、インクジェット法で塗布可能であり、所望のパターン状に膜を形成できる。
第2の組成物は、(K)脂環式エポキシ化合物と、(L)光カチオン重合開始剤と、(M)シランカップリング剤と、を含む。また、その塩素イオン含有量が50ppm以下であり、かつE型粘度計を用いて25℃、20rpmで測定される粘度は5〜50mPa・sである。本発明の組成物は塩素イオン濃度が非常に低いことから、半導体装置等の保護層や絶縁層等に使用しても、イオンマイグレーション等を生じさせ難い。さらに、粘度が十分に低いことから、インクジェット法で塗布可能であり、所望のパターン状に膜を形成できる。
また、第2の組成物は、(M)シランカップリング剤を含むため、高温でも硬化物が、各種金属配線や基板等と密着しやすい。さらに、(L)光カチオン重合開始剤を含むことから、光によってすばやく硬化させることが可能であり、所望の形状を維持することが可能である。したがって、長期間に亘って半導体回路等の配線を十分に保護可能な保護層や絶縁層の形成に非常に有用である。以下、本発明の組成物について詳しく説明する。
(K)脂環式エポキシ化合物
(K)脂環式エポキシ化合物は、1分子中に2つ以上のエポキシ基と、脂環式構造とを有する化合物であり、室温で液状の化合物が好ましい。(K)脂環式エポキシ化合物の量は、組成物の総量100質量部に対して、30〜99質量部が好ましく、50〜99質量部がより好ましく、80〜99質量部がさらに好ましい。
(K)脂環式エポキシ化合物は、1分子中に2つ以上のエポキシ基と、脂環式構造とを有する化合物であり、室温で液状の化合物が好ましい。(K)脂環式エポキシ化合物の量は、組成物の総量100質量部に対して、30〜99質量部が好ましく、50〜99質量部がより好ましく、80〜99質量部がさらに好ましい。
組成物は、(K)脂環式エポキシ化合物を一種のみ含んでいてもよく、二種以上含んでいてもよい。また、(K)脂環式エポキシ化合物が含むエポキシ基の数は、2以上が好ましく、2〜4がより好ましい。
(K)脂環式エポキシ化合物の例には、下記一般式で表されるシクロアルケンオキサイド構造を有する化合物が含まれる。シクロアルケンオキサイド構造とは、シクロアルケンを過酸化物などの酸化剤でエポキシ化して得られる構造であり、脂肪族環と、脂肪族環を構成する2つの炭素原子および酸素原子で構成されるエポキシ基と、を有する構造である。
上記一般式において、Mは脂環式構造を表し、その炭素数は好ましくは4〜8であり、さらに好ましくは5〜6である。シクロアルケンオキサイド構造の脂環式構造の炭素原子数が当該範囲であると、組成物の粘度が低くなりやすい。
シクロアルケンオキサイド構造を有する(K)脂環式エポキシ化合物を合成する際には、通常、塩素を含む化合物を使用する必要がない。そのため、(K)脂環式エポキシ化合物が塩素イオンを含み難く、組成物中の塩素イオン濃度が上述の範囲になりやすい。
シクロアルケンオキサイド構造の具体例には、シクロヘキセンオキサイドや、シクロペンテンオキサイドが含まれ、好ましくはシクロヘキセンオキサイドである。
脂環式エポキシ化合物の1分子中のシクロアルケンオキサイド構造の数は、1つ(単官能)であってもよく、2つ以上(多官能)であってもよい。なかでも、後述の酸素原子含有率を高めやすく、耐熱性等にも優れる点から、脂環式エポキシ化合物の1分子中のシクロアルケンオキサイド構造の数は、2つ以上(多官能)が好ましい。
シクロアルケンオキサイド構造を有する脂環式エポキシ化合物の例には、下記一般式(K−1)〜(K−3)で表される化合物が含まれる。
上記一般式(K−1)におけるM1およびM2は、脂環式構造を表し、上述のように、その炭素数は好ましくは4〜8であり、より好ましくは5〜6である。上記一般式(K−1)におけるX1は、単結合または連結基である。なお、連結基は、式(K−1)で表される化合物の重量平均分子量および酸素原子含有率が後述の範囲に収まるように選択されることが好ましい。連結基の例には、2価の炭化水素基、カルボニル基、エーテル基(エーテル結合)、チオエーテル基(チオエーテル結合)、エステル基(エステル結合)、カーボネート基(カーボネート結合)、アミド基(アミド結合)、またはこれらが複数連結した基が含まれる。
2価の炭化水素基の例には、炭素原子数が1〜18のアルキレン基、または2価の脂環式炭化水素基が含まれる。炭素原子数が1〜18のアルキレン基の例には、メチレン基、メチルメチレン基、ジメチルメチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基が含まれる。2価の脂環式炭化水素基の例には、1,2−シクロペンチレン基、1,3−シクロペンチレン基、シクロペンチリデン基、1,2−シクロヘキシレン基、1,3−シクロヘキシレン基、1,4−シクロヘキシレン基、シクロヘキシリデン基等の2価のシクロアルキレン基(シクロアルキリデン基を含む)が含まれる。
なかでも、X1は、単結合、または酸素原子を有する連結基が好ましい。酸素原子を有する連結基は、−CO−(カルボニル基)、−O−CO−O−(カーボネート基)、−COO−(エステル基)、−O−(エーテル基)、−CONH−(アミド基)、これらの基が複数連結した基、またはこれらの基の1以上と2価の炭化水素基の1以上とが連結した基がより好ましい。
一般式(K−1)で表される脂環式エポキシ化合物の例には、上述の第1の組成物のカチオン重合性化合物で例示した脂環式エポキシ化合物が含まれる。
一方、シクロアルケンオキサイド構造を有する(K)脂環式エポキシ化合物は、例えば下記の一般式(K−2)または(K−3)で表される構造を有する化合物であってもよい。
上記一般式(K−2)および(K−3)におけるM3、M3、およびM5は、脂環式構造を表し、その炭素数は好ましくは4〜8であり、より好ましくは5〜6である。上記一般式(K−3)におけるX2は、単結合または連結基である。なお、連結基は、式(K−3)で表される化合物の重量平均分子量および酸素原子含有率が後述の範囲に収まるように選択されることが好ましい。連結基は、上述の一般式(K−1)における連結基と同様である。また、一般式(K−2)および(K−3)で表される化合物は、脂環式構造、もしくはエポキシ基を構成する炭素にアルキル基等が結合していてもよい。
上記一般式(K−2)または(K−3)で表される(K)脂環式エポキシ化合物の例には、3,4:7,8−ジエポキシビシクロ[4.3.0]ノナンやリモネンジオキシド等が含まれる。これらの市販品の例には、THI−DE(JX−TG社製)や、LDO(ナガセケムテック社製)等が含まれる。
上述のいずれの(K)脂環式エポキシ化合物においても、重量平均分子量は、180以上が好ましく、190以上がより好ましく、200以上がさらに好ましい。重量平均分子量の上限は、組成物の粘度に応じて適宜選択されるが、400以下が好ましい。(K)脂環式エポキシ化合物の重量平均分子量が180以上であると、組成物からの(K)脂環式エポキシ化合物の揮発を抑制できる。その結果、組成物をインクジェット法で塗布する際、組成が変化し難く、さらには作業環境が悪化し難い。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)によりポリスチレン換算にて測定できる。
また、(K)脂環式エポキシ化合物の下記式(2)で表される酸素原子含有率は15%以上が好ましく、20%以上がより好ましい。一方で酸素原子含有率は、30%以下が好ましい。
酸素原子含有率(%)=1分子中の酸素原子の合計質量/重量平均分子量×100・・・(2)
酸素原子含有率(%)=1分子中の酸素原子の合計質量/重量平均分子量×100・・・(2)
(K)脂環式エポキシ化合物の酸素原子含有率が15%以上であると、(K)脂環式エポキシ化合物の極性が高くなり、インクジェット装置のヘッド部分に用いられる極性の低い接着剤やゴム材料(例えばエチレンプロピレンジタジエンゴム等)と親和し難くなる。その結果、接着剤やゴム材料が膨潤し難くなり、これらの劣化(装置へのダメージ)が生じ難い。
(K)脂環式エポキシ化合物の1分子中の酸素原子の合計質量は、GC−MS法、NMR法などにより(K)脂環式エポキシ化合物の構造を特定し、当該化合物の1分子中の酸素原子の個数を特定する。そして、当該個数に酸素原子の原子量を乗じることで算出できる。一方、(K)脂環式エポキシ化合物の酸素原子含有率は、得られた酸素原子の合計質量と、GPC法により測定された重量平均分子量とを、前述の式(2)に当てはめることで、算出できる。(K)脂環式エポキシ化合物の酸素原子含有率は、1分子中のエポキシ基の個数や、酸素原子を含有する基の個数によって調整できる。
(L)光カチオン重合開始剤
(L)光カチオン重合開始剤は、紫外線等の活性光線の照射によりカチオン重合を開始可能な活性種を発生する化合物であればよい。組成物が含む(L)光カチオン重合開始剤の量は、(K)脂環式エポキシ化合物100質量部に対し、0.1〜10質量部が好ましく、0.1〜5質量部がより好ましい。
(L)光カチオン重合開始剤は、紫外線等の活性光線の照射によりカチオン重合を開始可能な活性種を発生する化合物であればよい。組成物が含む(L)光カチオン重合開始剤の量は、(K)脂環式エポキシ化合物100質量部に対し、0.1〜10質量部が好ましく、0.1〜5質量部がより好ましい。
光カチオン重合開始剤の例には、芳香族スルホニウム塩、芳香族ヨードニウム塩、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族アンモニウム塩等が含まれる。これらのアニオン部分は、BF4 −、PX6 −(Xは、フッ素またはフルオロアルキル基)、SbF6 −、またはBX4 −(Xは、少なくとも2つ以上のフッ素またはトリフルオロメチル基で置換されたフェニル基)であることが好ましい。組成物は、(L)光カチオン重合開始剤を一種のみ含んでいてもよく、二種以上含んでいてもよい。
(L)光カチオン重合開始剤の具体例は、上述の第1の組成物が含む(C)光カチオン重合開始剤と同様とすることができる。
(M)シランカップリング剤
(M)シランカップリング剤は、組成物の硬化物と半導体装置の金属配線や基板と接着性を高める機能を有する、シランを有する化合物である。組成物が含む(M)シランカップリング剤の量は、(K)脂環式エポキシ化合物100質量部に対し、1〜50質量部が好ましく、1〜25質量部がより好ましい。
(M)シランカップリング剤は、組成物の硬化物と半導体装置の金属配線や基板と接着性を高める機能を有する、シランを有する化合物である。組成物が含む(M)シランカップリング剤の量は、(K)脂環式エポキシ化合物100質量部に対し、1〜50質量部が好ましく、1〜25質量部がより好ましい。
(M)シランカップリング剤の例には、エポキシ基、カルボキシル基、メタクリロイル基、イソシアネート基などの反応性基を有するシラン化合物が含まれる。より具体的な例には、トリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアナトプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等が含まれる。組成物は、(M)シラン化合物を一種のみ含んでいてもよく、二種以上含んでいてもよい。
また、(M)シランカップリング剤は、1分子中にSi−O−Si骨格、アルコキシ基、およびエポキシ基を有し、重量平均分子量が1000以上である比較的高分子量の化合物(以下、「高分子量シランカップリング剤」、とも称する)を含んでいてもよい。当該高分子量シランカップリング剤の重量平均分子量は、1000〜5000がより好ましく、1500〜2500がさらに好ましい。シランカップリング剤がシロキサン骨格(Si−O−Si骨格)を含み、かつ重量平均分子量が1000以上であると、(M)シランカップリング剤が半導体装置の配線等の表面に偏在しやすく、高温高湿環境下でも組成物の硬化物と半導体装置の金属配線等との密着性が良好になりやすい。また、(M)シランカップリング剤がエポキシ基を有すると、上述の(K)脂環式エポキシ化合物とネットワークを形成しやすく、硬化物から浮き出たりし難くなる。一方で、シランカップリング剤の重量平均分子量が5000以下であると、組成物の粘度が所望の範囲に収まりやすくなる。シランカップリング剤の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)によりポリスチレン換算にて測定できる。
高分子量シランカップリング剤は、上述の第1の組成物の(B)シランカップリング剤と同様とすることができる。
(N)その他の成分
本発明の組成物は、その効果および目的を損なわない範囲で、(K)脂環式エポキシ化合物、(L)光カチオン重合開始剤、および(M)シランカップリング剤以外の成分を含んでいてもよい。他の成分の例には、オキセタン化合物や、(K)脂環式エポキシ化合物以外のエポキシ化合物、熱カチオン重合開始剤、増感剤、レベリング剤等が含まれる。
本発明の組成物は、その効果および目的を損なわない範囲で、(K)脂環式エポキシ化合物、(L)光カチオン重合開始剤、および(M)シランカップリング剤以外の成分を含んでいてもよい。他の成分の例には、オキセタン化合物や、(K)脂環式エポキシ化合物以外のエポキシ化合物、熱カチオン重合開始剤、増感剤、レベリング剤等が含まれる。
オキセタン化合物は、1分子に1つ以上のオキセタン基を有する化合物が好ましく、室温において液状の化合物であることが好ましい。また、E型粘度計で25℃、20rpmの条件で測定される粘度が1〜500mPa・sであることが好ましく、1〜300mPa・sであることがより好ましい。オキセタン化合物の粘度が当該範囲であると、組成物の粘度が上述の範囲に収まりやすく、インクジェット法により安定して塗布しやすくなる。
オキセタン化合物の重量平均分子量が180以上であると、オキセタン化合物がインクジェット装置内で揮発し難くなり、安定して塗布することが可能となる。オキセタン化合物の重量平均分子量は、オキセタン化合物の揮発を抑制する観点から、190以上であることが好ましく、200以上であることがより好ましい。重量平均分子量の上限は、組成物のインクジェット法により塗布する際の吐出性を損なわない程度であればよく、例えば400以下が好ましい。重量平均分子量は、(K)脂環式エポキシ化合物と同様の方法で測定することができる。
また、オキセタン化合物の酸素原子含有率は15%以上が好ましく、20%以上が好ましい。一方で30%以下が好ましい。酸素原子含有率が高いと、オキセタン化合物の極性が高くなり、インクジェット装置のヘッド部分に用いられる極性の低い接着剤やゴム材料(例えばエチレンプロピレンジタジエンゴム等)と親和し難くなる。その結果、接着剤やゴム材料が膨潤し難くなり、これらの劣化(装置へのダメージ)が生じ難い。オキセタン化合物の酸素原子含有率は、(K)脂環式エポキシ化合物と同様に定義され、測定方法も同様とすることができる。
オキセタン化合物の酸素原子含有率は、例えばオキセタン化合物の1分子中のオキセタニル基の数や、オキセタニル基に結合する基が有する酸素原子の数等によって調整することができる。
オキセタン化合物は、下記一般式(N−1)または一般式(N−2)で表される化合物であることが好ましい。組成物は、オキセタン化合物を一種のみ含んでいてもよく、二種以上含んでいてもよい
上記一般式(N−1)および一般式(N−2)において、Yは、酸素原子、硫黄原子、または単結合を表す。これらの中でも、酸素原子が好ましい。
また、R1aおよびR1bはそれぞれ、フッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のフルオロアルキル基、アリル基、炭素数6〜18のアリール基、フリル基、またはエチニル基を表す。mおよびnは、それぞれ1以上5以下の整数を表す。R1aもしくはR1bが一分子中に複数含まれる場合、これらは同一であってもよく、異なっていてもよい。また、隣り合うR1aどうし、もしくは隣り合うR1bどうしが環構造を形成していてもよい。
また、一般式(N−1)におけるR2aは、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数7〜18のアラルキル基、炭素数2〜6のアルキルカルボニル基、炭素数2〜6のアルコキシカルボニル基、炭素数2〜6のN−アルキルカルバモイル基または(メタ)アクリロイル基を表す。
一方、一般式(N−2)におけるR2bは、p価の連結基を表し、pは2、3または4を表す。R2bは、例えば炭素数1〜12の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、直鎖状もしくは分岐鎖状のポリ(アルキレンオキシ)基、アリーレン基、シロキサン結合、またはこれらの組み合わせを表す。
ただし、一般式(N−1)および(N−2)において、R1a、R1b、R2a、およびR2bは、重量平均分子量および酸素原子含有率が上述の範囲を満たすように選択されることが好ましい。
組成物の粘度を適度にするとの観点では、以下の一般式(N−3)で表されるオキセタン化合物が好ましい。
上記一般式(N−3)におけるYは、酸素原子または硫黄原子である。R1cは、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のフルオロアルキル基、炭素数6〜18のアリール基、フリル基またはチエニル基を表す。これらの中でも、組成物の粘度を低減するとの観点から、炭素数1〜6のアルキル基であることが好ましい。
R2cは、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数7〜18のアラルキル基、炭素数2〜6のアルキルカルボニル基、炭素数2〜6のアルコキシカルボニル基、炭素数2〜6のN−アルキルカルバモイル基または(メタ)アクリロイル基である。これらの中でも、組成物の粘度を低減したりするとの観点から、炭素数1〜10のアルキル基であることがより好ましい。
一般式(N−3)で表される化合物の例には、3−エチル−3−ヒドロキシメチルオキセタン、3−(メタ)アリルオキシメチル−3−エチルオキセタン、(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチルベンゼン、4−フルオロ−〔1−(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル〕ベンゼン、4−メトキシ−〔1−(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル〕ベンゼン、〔1−(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)エチル〕フェニルエーテル、イソブトキシメチル(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、イソボルニルオキシエチル(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、イソボルニル(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、2−エチルヘキシル(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、エチルジエチレングリコール(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、ジシクロペンタジエン(3−エチル−3−オキセタニルメチル)エーテル、3−メタクリロキシメチル−3−エチロキセタン、3−エチル−3−〔(2−エチルヘキシルオキシ)メチル〕オキセタン等が含まれ、特に3−エチル−3−〔(2−エチルヘキシルオキシ)メチル〕オキセタンが好ましい。
オキセタン化合物の市販品の例には、OXT−221、OXT−121、OXT−212(いずれも東亜合成社製)、OXBP、HBOX(いずれも宇部興産社製)が含まれる。
ここで、オキセタン化合物の量は、組成物の総量100質量部に対して40質量部以下が好ましく、25質量部以下がより好ましい。オキセタン化合物を含むと、組成物の粘度が所望の範囲に収まりやすい。また、オキセタン化合物の量が40質量部以下であると、相対的に(K)脂環式エポキシ化合物の量等が多くなり、組成物の硬化物の強度が高まりやすい。
一方、(K)脂環式エポキシ化合物以外のエポキシ化合物の例には、脂肪族エポキシ化合物や芳香族エポキシ化合物等が含まれる。脂肪族エポキシ化合物や芳香族エポキシ化合物は、1分子中に2つ以上のエポキシ基を有することが好ましく、室温において液状の化合物であることが好ましい。また、脂肪族エポキシ化合物や芳香族エポキシ化合物の重量平均分子量は180以上が好ましく、190以上がより好ましく、200以上がさらに好ましい。脂肪族エポキシ化合物や芳香族エポキシ化合物の分子量が当該範囲であると、インクジェット装置内で揮発し難くなり、安定して塗布することが可能となる。重量平均分子量の上限は、組成物のインクジェット法により塗布する際の吐出性を損なわない程度であればよく、例えば400以下であることが好ましい。重量平均分子量は、前述の(K)脂環式エポキシ化合物と同様の方法で測定することができる。
また、脂肪族エポキシ化合物や芳香族エポキシ化合物の酸素原子含有率は15%以上が好ましく、20%以上がさらに好ましい。一方で30%以下が好ましい。脂肪族エポキシ化合物や芳香族エポキシ化合物の酸素原子含有率が当該範囲であると、インクジェット装置のヘッド部分に用いられる極性の低い接着剤やゴム材料(例えばエチレンプロピレンジタジエンゴム等)と親和し難くなる。脂肪族エポキシ化合物や芳香族エポキシ化合物の酸素原子含有率は、(K)脂環式エポキシ化合物と同様に定義され、測定方法も同様とすることができる。
脂肪族エポキシ化合物や芳香族エポキシ化合物は公知の化合物とすることができ、その構造は特に制限されない。ただし、なお、脂肪族エポキシ化合物および芳香族エポキシ化合物の量は、組成物中の塩素イオン含有量を低減するとの観点で少ないことが好ましく、組成物の総量100質量部に対して20質量部以下が好ましく、10質量部以下がより好ましい。
熱カチオン重合開始剤は、加熱によりカチオン重合を開始可能な活性種を発生する化合物であればよく、熱カチオン重合開始剤の例には、公知のカチオン重合開始剤が含まれる。熱カチオン重合開始剤の例には、上述の第1の組成物が含む(D)熱カチオン重合開始剤と同様の化合物が含まれる。組成物は、熱カチオン重合開始剤を一種のみ含んでいてもよく、二種以上含んでいてもよい。熱カチオン重合開始剤の量は、組成物の総量100質量部に対して10質量部以下が好ましく、5質量部以下がより好ましい。
増感剤は、(L)光カチオン重合開始剤や熱カチオン重合開始剤の活性種発生効率をより向上させて、組成物の硬化反応をより促進させる機能を有する化合物である。増感剤の例には、2,4−ジエチルチオキサントン等のチオキサントン系化合物や、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、ベンゾフェノン、2,4−ジクロロベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、4,4’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4’−メチルジフェニルサルファイド等のベンゾフェノン系化合物や、9,10−ジエトキシアントラセン、9,10−ジブトキシアントラセン、9,10−ビス(オクタノイルオキシ)アントラセン等のアントラセン系化合物が含まれる。
レベリング剤は、組成物の塗膜の平坦性を高めるための化合物である。レベリング剤の例には、シリコーン系、アクリル系、フッ素系の化合物が含まれる。レベリング剤の市販品の例には、BYK−340、BYK−345(いずれもビックケミー・ジャパン社製)、サーフロンS−611(AGCセイミケミカル社製)が含まれる。
増感剤やレベリング剤の合計含有量は、低分子量成分を少なくし、かつ装置へのダメージを低減するという観点で、組成物の総量に対して20質量%以下が好ましく、10質量%以下がより好ましい。
<組成物の物性>
(粘度)
上述のように、第2の組成物のE型粘度計により25℃、20rpmで測定される粘度は、5〜50mPa・sであり、5〜30mPa・sが好ましく、10〜20mPa・sがより好ましい。粘度が当該範囲であると、組成物をインクジェット法で塗布する際の、吐出性が良好となりやすい。
(粘度)
上述のように、第2の組成物のE型粘度計により25℃、20rpmで測定される粘度は、5〜50mPa・sであり、5〜30mPa・sが好ましく、10〜20mPa・sがより好ましい。粘度が当該範囲であると、組成物をインクジェット法で塗布する際の、吐出性が良好となりやすい。
(塩素イオン濃度)
第2の組成物の塩素イオン含有量は、50ppm以下であり、好ましくは30ppm以下であり、さらに好ましくは10ppm以下である。組成物の塩素イオン濃度が50ppm以下であると、組成物の硬化物を含む半導体装置において、長期間に亘ってイオンマイグレーションが生じ難く、半導体装置の腐食等を抑制できる。組成物中の塩素イオン濃度は、組成物をポリテトラフルオロエチレン(PTFE)製の耐圧容器に採取し、秤量した後、純水10mLを加えて密栓する。その後、100℃(設定温度)のオーブン中で20時間、塩素を加熱抽出する。そして、室温まで放冷した後、抽出液を回収し、イオンクロマトグラフ法(1C法)により塩素イオンの定量分析を実施する。
第2の組成物の塩素イオン含有量は、50ppm以下であり、好ましくは30ppm以下であり、さらに好ましくは10ppm以下である。組成物の塩素イオン濃度が50ppm以下であると、組成物の硬化物を含む半導体装置において、長期間に亘ってイオンマイグレーションが生じ難く、半導体装置の腐食等を抑制できる。組成物中の塩素イオン濃度は、組成物をポリテトラフルオロエチレン(PTFE)製の耐圧容器に採取し、秤量した後、純水10mLを加えて密栓する。その後、100℃(設定温度)のオーブン中で20時間、塩素を加熱抽出する。そして、室温まで放冷した後、抽出液を回収し、イオンクロマトグラフ法(1C法)により塩素イオンの定量分析を実施する。
(表面張力)
第2の組成物の表面張力は20〜40mN/mが好ましく、25〜40mN/mがより好ましく、25〜35mN/mがさらに好ましい。表面張力は、25℃、Wilhelmy法により測定される値である。組成物の表面張力が40mN/m以下であると、組成物をインクジェット法で塗布した際にレベリングしやすく、半導体回路基板の回路等をムラ無く被覆可能となる。一方で、組成物の表面張力が20mN/m以上であると、インクジェット法で塗布した際に過度に濡れ広がり難く、所望の厚みやパターンを保持できる。
第2の組成物の表面張力は20〜40mN/mが好ましく、25〜40mN/mがより好ましく、25〜35mN/mがさらに好ましい。表面張力は、25℃、Wilhelmy法により測定される値である。組成物の表面張力が40mN/m以下であると、組成物をインクジェット法で塗布した際にレベリングしやすく、半導体回路基板の回路等をムラ無く被覆可能となる。一方で、組成物の表面張力が20mN/m以上であると、インクジェット法で塗布した際に過度に濡れ広がり難く、所望の厚みやパターンを保持できる。
(酸素含有率)
第2の組成物の酸素含有率は、インクジェット装置へのダメージを低減する観点から、15%以上が好ましく、20%以上がより好ましい。一方で、組成物の酸素原子含有率は、30%以下が好ましい。組成物の酸素原子含有率は、組成物に含まれる酸素原子の合計質量/組成物の全質量)×100(%)として算出できる。組成物に含まれる酸素原子の合計質量は、元素分析により組成物が含む酸素原子の割合を算出し、それに酸素原子の原子量を乗じることで算出できる。
第2の組成物の酸素含有率は、インクジェット装置へのダメージを低減する観点から、15%以上が好ましく、20%以上がより好ましい。一方で、組成物の酸素原子含有率は、30%以下が好ましい。組成物の酸素原子含有率は、組成物に含まれる酸素原子の合計質量/組成物の全質量)×100(%)として算出できる。組成物に含まれる酸素原子の合計質量は、元素分析により組成物が含む酸素原子の割合を算出し、それに酸素原子の原子量を乗じることで算出できる。
(硬化物の物性)
第2の組成物の硬化物の1.6Hz(10rad/s)の周波数で動的粘弾性測定を行って得られる、25〜150℃における損失正接(tanδ)は0.01以上が好ましく、0.03以上がより好ましく、0.05以上がさらに好ましい。なお、上記値は、組成物に対し、波長395nmの光を450mJ/cm2照射し、さらに23℃で30分間硬化を行った後に測定される値である。硬化物の損失正接(tanδ)が当該範囲であると、イオンマイグレーションが生じ難くなる。
第2の組成物の硬化物の1.6Hz(10rad/s)の周波数で動的粘弾性測定を行って得られる、25〜150℃における損失正接(tanδ)は0.01以上が好ましく、0.03以上がより好ましく、0.05以上がさらに好ましい。なお、上記値は、組成物に対し、波長395nmの光を450mJ/cm2照射し、さらに23℃で30分間硬化を行った後に測定される値である。硬化物の損失正接(tanδ)が当該範囲であると、イオンマイグレーションが生じ難くなる。
さらに、上記硬化物の1.6Hz(10rad/s)の周波数で動的粘弾性測定を行って得られる、85℃における貯蔵弾性率E’は1×106Pa〜1×1010Paが好ましく、1×107Pa〜1×1010Paがより好ましい。またこのときの損失正接(tanδ)は0.03以上が好ましく、0.05以上がより好ましい。
85℃における貯蔵弾性率や損失正接が上記範囲であると、硬化物を半導体装置のリパッシベーション層等に使用したときに、高温環境下でもリパッシベーション層等が十分に衝撃を吸収しやすくなる。
さらに、上記硬化物の1.6Hz(10rad/s)の周波数で動的粘弾性測定を行って得られる、損失正接(tanδ)のピークが50〜200℃の範囲にあることが好ましく、100〜200℃がより好ましく、120〜200℃がさらに好ましい。損失正接のピークが上記範囲にあるとイオンマイグレーションが生じ難くなる。
また、上記組成物に、波長395nmの光を23℃で450mW/cm2照射した後のE型粘度計により25℃、20rpmで測定される粘度は、50mPa・s以上が好ましく、70mPa・s以上がより好ましい。上記光を照射後の粘度が当該範囲であると、光照射後に形状が変化し難く、所望の形状を維持しやすくなる。
<組成物の調製方法>
組成物は、少なくとも(K)〜(M)成分を、例えばホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリーミキサー、ニーダー、3本ロールなどの混合機を用いて混合して得ることができる。
組成物は、少なくとも(K)〜(M)成分を、例えばホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリーミキサー、ニーダー、3本ロールなどの混合機を用いて混合して得ることができる。
2.半導体装置
本発明の半導体装置は、上述のインクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物(硬化物層)によって、半導体装置の一部(例えば半導体回路や銅配線等)が被覆されていればよく、その構成は特に制限されない。
本発明の半導体装置は、上述のインクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物(硬化物層)によって、半導体装置の一部(例えば半導体回路や銅配線等)が被覆されていればよく、その構成は特に制限されない。
半導体装置は、例えば、少なくとも一方の面に回路を備える半導体回路基板と、当該半導体回路基板の回路の少なくとも一部を覆う、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物層と、当該硬化物層上に配置された、半導体モールドレジン層と、を有する装置(第1の実施形態)であってもよい。また、金属配線が配置された基板と、当該基板の少なくとも一部を覆う、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物層と、金属配線と電気的に接続するように前記硬化物層上に配置された回路部と、を有する、装置(第2の実施形態)であってもよい。以下、各実施形態について説明する。
<第1の実施形態>
第1の実施形態の半導体装置は、半導体回路基板と、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物層と、半導体モールドレジン層と、を有していればよく、必要に応じて適宜他の構成を含んでいてもよい。
第1の実施形態の半導体装置は、半導体回路基板と、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物層と、半導体モールドレジン層と、を有していればよく、必要に応じて適宜他の構成を含んでいてもよい。
半導体回路基板は、基板の一方の面、または両方の面に所望の回路が形成された基板とすることができる。例えば、各種基板上に、各種回路(金属配線)を形成した構造とすることができる。基板の種類は特に制限されず、例えばSiONやSiN、SiO2等からなる公知の基板を使用できる。また、回路(金属配線)の材料やパターンも特に制限されず、例えば銅等、一般的な半導体装置に使用される金属からなる回路を使用できる。
また、上記半導体回路基板上に配置される、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物層は、上述のインクジェット塗布型半導体用保護組成物を塗布・硬化して得られる層である。上述の半導体回路基板の両面に回路が形成されている場合、当該硬化物層は、両面に形成されていてもよい。当該硬化物層は、例えば回路と他の部材との電気的な導通を抑制するための絶縁層として機能するものであってもよく、回路の腐食や破損等を抑制するための保護層として機能するものであってもよい。また特に、半導体回路基板とモールドレジンとの間に硬化物層を形成することで、硬化物層がクッションとなり衝撃に対して回路を保護できる。
硬化物層の形状は、半導体装置の種類や用途に応じて適宜選択される。例えば、硬化物層が半導体回路基板に形成された回路全てを覆っていてもよく、回路の一部領域のみを覆っていてもよい。
硬化物層の厚みは、半導体回路基板上の回路を十分に保護したり絶縁したりすることが可能であれば特に制限されない。例えば5〜20μmが好ましく、5〜10μmがより好ましい。
一方、半導体モールドレジン層は、硬化物層上に配置される層であり、その形状は半導体装置の種類や用途等に応じて適宜選択される。半導体モールドレジン層は、硬化物層上にパターン状に配置されてもよく、硬化物層の全面を覆うように配置されてもよい。公知の半導体装置のモールドレジン層と同様とすることができる。
本実施形態の半導体装置は、各種方法で製造できるが、例えば、1)少なくとも一方の面に回路が形成された半導体回路基板を準備する準備工程と、2)半導体回路基板上に、上述のインクジェット塗布型半導体用保護組成物をインクジェット法で塗布する塗布工程と、3)塗布工程後から60秒以内に、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の塗膜に活性光線を照射し、塗膜を硬化させる光硬化工程と、4)光硬化工程後の塗膜を熱で硬化させる熱硬化工程とを含む方法等によって、製造できる。なお、必要に応じて半導体モールドレジン層を形成する工程をさらに有していてもよい。
1)準備工程は、上述の半導体回路基板を準備する工程であり、例えば各種基板上に公知の方法(例えばスパッタ法)等により回路を形成する工程等であってもよい。
2)塗布工程は、半導体回路基板上に、インクジェット法により、インクジェット塗布型半導体用保護組成物を塗布する工程である。当該インクジェット塗布型半導体用保護組成物の塗布に使用可能なインクジェット装置は、インクタンクや、インクジェット式記録ヘッド、インクジェット式記録ヘッドの駆動機構等を有する公知の装置とすることができる。インクジェット式記録ヘッドの方式は特に制限されず、例えばピエゾ方式、バルブ方式のいずれの方式であってもよい。また、塗布時の条件は特に制限されず、硬化物層の厚みやパターン等に合わせて適宜選択される。
3)光硬化工程は、上記塗布工程終了から60秒以内に、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の塗膜に活性光線を照射し、塗膜を硬化させる工程である。光硬化工程は、塗布工程終了から10秒以内に行うことがより好ましい。光硬化工程で照射する活性光線の種類は特に制限されず、上述の組成物が含む光カチオン重合開始剤の種類に応じて適宜選択されるが、通常、紫外光が用いられる。また、照射に用いる光源も特に制限されず、その例には、キセノンランプ、カーボンアークランプ、UV−LED光源等の公知の光源が含まれる。
活性光線の照射量は、活性光線照射によってインクジェット塗布型半導体用保護組成物の形状が変化しない程度に行えばよく、例えば300〜400nmの波長の光を用いる場合、積算光量を300〜3000mJ/m2とすることで、上述インクジェット塗布型半導体用保護組成物の塗膜を硬化させることができる。
4)熱硬化工程は、光硬化工程後、さらに塗膜を熱で硬化させる工程である。熱硬化工程を行うことにより、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の塗膜を十分に硬化させることができる。加熱温度は80〜180℃が好ましく、100〜150℃がより好ましい。また、加熱時間は10〜60分が好ましく、10〜30分がさらに好ましい。
<第2の実施形態>
第2の実施形態の半導体装置は、金属配線が配置された基板と、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物と、回路部と、を有していればよく、必要に応じて他の構成を含んでいてもよい。なお、金属配線が配置された基板には、通常各種回路が配置されている。本実施形態では、このような基板の一方の面のみに金属配線が配置されていてもよく、両方の面に金属配線が配置されていてもよい。また、金属配線のパターンは半導体装置の種類や用途に応じて適宜選択される。
第2の実施形態の半導体装置は、金属配線が配置された基板と、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物と、回路部と、を有していればよく、必要に応じて他の構成を含んでいてもよい。なお、金属配線が配置された基板には、通常各種回路が配置されている。本実施形態では、このような基板の一方の面のみに金属配線が配置されていてもよく、両方の面に金属配線が配置されていてもよい。また、金属配線のパターンは半導体装置の種類や用途に応じて適宜選択される。
また、上記金属配線上に配置される、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物層は、上述のインクジェット塗布型半導体用保護組成物を塗布・硬化して得られる層である。当該硬化物層は、上述の金属配線等を衝撃等から保護するための層であり、いわゆるリパッシベーション層等として機能する層である。当該硬化物層の形状は、半導体装置の種類や用途に応じて適宜選択され、金属配線と電極とを電気的に接続するためのスルーホール等を有していてもよい。
硬化物層の厚みは、金属配線を保護したり、絶縁したり可能な厚さであればよく、例えば5〜20μmが好ましく、5〜10μmがより好ましい。
また、硬化物層上に配置される回路部の構造や種類は、半導体装置の種類や用途に応じて適宜選択される。例えば、回路部は、硬化物層が形成されていない領域に露出した金属配線上に配置された各種回路等とすることができる。
本実施形態の半導体装置は各種方法で製造できるが、例えば、1)少なくとも一方の面に金属配線が配置された基板を準備する準備工程と、2)基板の金属配線上に、上述のインクジェット塗布型半導体用保護組成物をインクジェット法で塗布する塗布工程と、3)塗布工程後から60秒以内に、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の塗膜に活性光線を照射し、塗膜を硬化させる光硬化工程と、4)光硬化工程後の塗膜を熱で硬化させる熱硬化工程と、を含む方法等によって製造できる。なお、必要に応じて回路部を形成する工程をさらに有していてもよい。
1)準備工程は、金属配線を有する基板を準備する工程であり、例えば半導体回路基板上に公知の方法により金属配線を形成する工程等であってもよい。
2)塗布工程は、基板の金属配線上に、インクジェット法により、インクジェット塗布型半導体用保護組成物を塗布する工程である。当該インクジェット塗布型半導体用保護組成物の塗布に使用するインクジェット装置は、第1の実施形態で使用するインクジェット装置と同様である。また、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の塗布条件は特に制限されず、硬化物層の厚みやパターン等に合わせて適宜選択される。
3)光硬化工程は、上記塗布工程終了から60秒以内、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の塗膜に活性光線を照射し、塗膜を硬化させる工程である。光硬化工程は、塗布工程終了から10秒以内に行うことがより好ましい。活性光線の種類は特に制限されず、上述の組成物が含む光カチオン重合開始剤の種類に応じて適宜選択されるが、通常、紫外光である。また、照射に用いる光源の例には、キセノンランプ、カーボンアークランプ、UV−LED光源などの公知の光源が含まれる。活性光線の照射は、活性光線照射によってインクジェット塗布型半導体用保護組成物の形状が変化しない程度に行えばよく、特に制限されないが、例えば300〜400nmの波長の光を、300〜3000mJ/m2の積算光量の光を照射することによって好適に硬化させることができる。
4)熱硬化工程は、光硬化工程後、さらに塗膜を熱で硬化させる工程である。熱硬化工程を行うことにより、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の塗膜を十分に硬化させることができる。加熱温度は80〜180℃が好ましく、100〜150℃がより好ましい。また、加熱時間は10〜60分が好ましく、10〜30分がさらに好ましい。
3.半導体用保護部材
本発明は、以下の硬化物を含む半導体用保護部材も提供する。具体的には、酸素原子および/または窒素原子を含有する官能基を有する有機重合性化合物の硬化物を含む半導体用保護部材を提供する。上記硬化物の150℃における線膨張係数と25℃における線膨張係数との差の絶対値は、55以下である。線膨張係数の差の絶対値が小さいと、半導体用保護部材が温度の影響を受け難く、当該半導体用保護部材によって長期間に亘って安定して半導体を保護できる。また、当該硬化物0.25gを、100℃、10mLの水に浸漬し、20時間抽出したときに検出される陰イオンの総量は50ppm以下が好ましい。
本発明は、以下の硬化物を含む半導体用保護部材も提供する。具体的には、酸素原子および/または窒素原子を含有する官能基を有する有機重合性化合物の硬化物を含む半導体用保護部材を提供する。上記硬化物の150℃における線膨張係数と25℃における線膨張係数との差の絶対値は、55以下である。線膨張係数の差の絶対値が小さいと、半導体用保護部材が温度の影響を受け難く、当該半導体用保護部材によって長期間に亘って安定して半導体を保護できる。また、当該硬化物0.25gを、100℃、10mLの水に浸漬し、20時間抽出したときに検出される陰イオンの総量は50ppm以下が好ましい。
さらに、当該硬化物0.25gを、100℃、10mLの水に浸漬し、20時間放置した後の水のpHは、4.4〜8.7が好ましい。硬化物を水に浸漬したときに検出される陰イオンの量が上記値以下であったり、pHが上記範囲であったりすると、半導体用保護部材にイオンマイグレーションが生じ難く、長期間に亘って安定して半導体を保護できる。
また、上記硬化物の吸水率は2%以下が好ましい。上記硬化物の吸水率が当該範囲であると、半導体用保護部材が大気中の水分を吸湿したりし難く、半導体を十分に保護できる。
さらに、上記半導体用保護部材は、その一部にSi−O結合を含むことが好ましく、Si−O−Si骨格を含むことがより好ましい。半導体用保護部材がSi−O−Si骨格を含むと、高温高湿環境下でも、当該半導体用保護部材と、半導体装置の金属配線等との密着性が良好になりやすい。当該Si−O−Si骨格は、シランカップリング剤由来の構造であることが好ましく、平均分子量が1000以上であるシランカップリング剤由来の構造であることがより好ましい。すなわち、半導体用保護部材が、平均分子量が1000以上であるシランカップリングの硬化物を含むことが特に好ましい。
また、上記半導体用保護部材は、エポキシ化合物、ウレタン化合物、(メタ)アクリル化合物、イミド化合物、ベンゾオキサゾールからなる群から選ばれる少なくとも1種の有機重合性化合物の硬化物を含むことが好ましく、特に、上述の組成物が含むカチオン重合性化合物や脂環式エポキシ化合物の硬化物であることが好ましい。すなわち、本発明の半導体用保護部材は、上述のインクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物であることが好ましい。
本発明を実施例に基づき詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。
1.第1の組成物
1−1.材料
(A)カチオン重合性化合物
・CEL8010(ダイセル社製、脂環族系、エポキシ基の数:2)
・エポゴーセーNPG(D)(四日市合成社製、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、エポキシ基の個数:2)
・OXT−221(東亜合成社製、3−エチル−3{[(3−エチルオキセタン−3−イル)メトキシ]メチル}オキセタン、オキセタン基の個数:2)
・THI−DE(JX−TG社製、下記構造式で表される3,4:7,8−ジエポキシビシクロ[4.3.0]ノナン)
1−1.材料
(A)カチオン重合性化合物
・CEL8010(ダイセル社製、脂環族系、エポキシ基の数:2)
・エポゴーセーNPG(D)(四日市合成社製、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、エポキシ基の個数:2)
・OXT−221(東亜合成社製、3−エチル−3{[(3−エチルオキセタン−3−イル)メトキシ]メチル}オキセタン、オキセタン基の個数:2)
・THI−DE(JX−TG社製、下記構造式で表される3,4:7,8−ジエポキシビシクロ[4.3.0]ノナン)
(B)シランカップリング剤
・KR−516(信越化学工業社製、エポキシ基含有アルコキシオリゴマー、重量平均分子量>1000)
・KR−517(信越化学工業社製、エポキシ基含有アルコキシオリゴマー、重量平均分子量>1000)
・KBM−303(信越化学工業社製、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、重量平均分子量<500)
・KBM−403(信越化学工業社製、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、重量平均分子量<500)
・KR−516(信越化学工業社製、エポキシ基含有アルコキシオリゴマー、重量平均分子量>1000)
・KR−517(信越化学工業社製、エポキシ基含有アルコキシオリゴマー、重量平均分子量>1000)
・KBM−303(信越化学工業社製、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、重量平均分子量<500)
・KBM−403(信越化学工業社製、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、重量平均分子量<500)
(C)光カチオン重合開始剤
・CPI−210S(サンアプロ社製)
・CPI−210S(サンアプロ社製)
(D)熱カチオン重合開始剤
・K−PURE CXC−1612(KING INDUSTRIES社製)
・K−PURE CXC−1612(KING INDUSTRIES社製)
1−2.インクジェット塗布型半導体用保護組成物の調製
[実施例1]
表1に示す組成となるように、(A)カチオン重合性化合物、(B)シランカップリング剤、(C)光カチオン重合開始剤、および(D)熱カチオン重合開始剤を、フラスコに入れ、混合した。得られた混合物に、粉状物が見えなくなるまで攪拌し、インクジェット塗布型半導体用保護組成物を得た。
[実施例1]
表1に示す組成となるように、(A)カチオン重合性化合物、(B)シランカップリング剤、(C)光カチオン重合開始剤、および(D)熱カチオン重合開始剤を、フラスコに入れ、混合した。得られた混合物に、粉状物が見えなくなるまで攪拌し、インクジェット塗布型半導体用保護組成物を得た。
[実施例2〜8、および参考例1〜13]
表1または表2に示す組成となるように、各成分の量を変更した以外は、実施例1と同様にインクジェット塗布型半導体用保護組成物を得た。
表1または表2に示す組成となるように、各成分の量を変更した以外は、実施例1と同様にインクジェット塗布型半導体用保護組成物を得た。
[評価]
得られたインクジェット塗布型半導体用保護組成物の粘度、パターニング保持性、当該インクジェット塗布型半導体用保護組成物から得られる半導体用保護部材のプレッシャークッカー試験(PCT)後の密着性、当該半導体用保護部材の150℃における線膨張係数と25度における線膨張係数との差、当該半導体用保護部材を一定時間水に浸漬した後の水のpH、および吸水率を以下の方法で評価した。結果を表1および表2に示す。
得られたインクジェット塗布型半導体用保護組成物の粘度、パターニング保持性、当該インクジェット塗布型半導体用保護組成物から得られる半導体用保護部材のプレッシャークッカー試験(PCT)後の密着性、当該半導体用保護部材の150℃における線膨張係数と25度における線膨張係数との差、当該半導体用保護部材を一定時間水に浸漬した後の水のpH、および吸水率を以下の方法で評価した。結果を表1および表2に示す。
・粘度
E型粘度計により25℃、20rpmで測定した。
E型粘度計により25℃、20rpmで測定した。
・パターニング保持性
インクジェット塗布型半導体用保護組成物をインクジェット装置のインクタンクに充填した。当該インクジェット装置にて、銅板および10cm角のSiONスパッタ済みガラスに、それぞれインクジェット塗布型半導体用保護組成物を塗布した。塗布パターンは、5cm角の正方形とした。また、塗布量は、7pL/滴で狙い、膜厚10μmとなるよう、1滴ごとの塗布間隔を30μmとして塗布を行った。
インクジェット塗布型半導体用保護組成物をインクジェット装置のインクタンクに充填した。当該インクジェット装置にて、銅板および10cm角のSiONスパッタ済みガラスに、それぞれインクジェット塗布型半導体用保護組成物を塗布した。塗布パターンは、5cm角の正方形とした。また、塗布量は、7pL/滴で狙い、膜厚10μmとなるよう、1滴ごとの塗布間隔を30μmとして塗布を行った。
インクジェット塗布型半導体用保護組成物を塗布してから60秒以内に、塗膜に紫外光(波長:365nm、照射光量:1000mJ/cm2)を照射した。そして、150℃で30分間加熱し、熱硬化させて、10μmの厚みの膜を形成した。熱硬化後の硬化膜の形状を目視で確認し、以下のように評価した。
○:熱硬化後の各辺の塗布パターンが±5%以内に収まっている
△:熱硬化後の各辺の塗布パターンが±5%超±10%以内に収まっている
×:熱硬化後の各辺の塗布パターンが±10%超変化している
○:熱硬化後の各辺の塗布パターンが±5%以内に収まっている
△:熱硬化後の各辺の塗布パターンが±5%超±10%以内に収まっている
×:熱硬化後の各辺の塗布パターンが±10%超変化している
・プレッシャークッカー試験(PCT)後の密着性
インクジェット塗布型半導体用保護組成物をインクジェット装置のインクタンクに充填した。当該インクジェット装置にて、銅板およびSiONスパッタ済みガラスに、それぞれインクジェット塗布型半導体用保護組成物を塗布した。塗布パターンは、5cm角の正方形とした。また、塗布量は、7pL/滴で狙い、膜厚10μmとなるよう、1滴ごとの塗布間隔を30μmとして塗布を行った。
インクジェット塗布型半導体用保護組成物をインクジェット装置のインクタンクに充填した。当該インクジェット装置にて、銅板およびSiONスパッタ済みガラスに、それぞれインクジェット塗布型半導体用保護組成物を塗布した。塗布パターンは、5cm角の正方形とした。また、塗布量は、7pL/滴で狙い、膜厚10μmとなるよう、1滴ごとの塗布間隔を30μmとして塗布を行った。
インクジェット塗布型半導体用保護組成物を塗布してから60秒以内に、塗膜に紫外光(波長:365nm、照射光量:1000mJ/cm2)を照射した。そして、150℃で30分間加熱し、熱硬化させて、10μmの厚みの膜を形成した。
得られた試験片を、高度加速寿命試験装置(EHS−222、アルバック社製)内に、121℃、100%Rhの条件で96時間保存し、プレッシャークッカー試験(PCT)を行った。その後、ISO 2409に準拠して碁盤目剥離試験(クロスカット試験)を行い、硬化膜の密着性を以下の基準で評価した。
○:残マス数が95〜100/100
△:残マス数が50〜94/100
×:残マス数が0〜49/100
○:残マス数が95〜100/100
△:残マス数が50〜94/100
×:残マス数が0〜49/100
・半導体用保護部材の150℃における線膨張係数と25度における線膨張係数との差の絶対値
アプリケータを用い、離型紙上に、インクジェット塗布型半導体用保護組成物を成膜した。塗膜の厚みは100μmとした。当該塗膜に、波長395nmの光を450mW/cm2照射し、150℃で30分硬化させた。そして、硬化物を離型紙から剥離し、セイコーインスツルメンツ社製TMAにて温度−線膨張係数を測定した。当該測定値から、150℃における線膨張係数と25度における線膨張係数との差の絶対値を算出した。
アプリケータを用い、離型紙上に、インクジェット塗布型半導体用保護組成物を成膜した。塗膜の厚みは100μmとした。当該塗膜に、波長395nmの光を450mW/cm2照射し、150℃で30分硬化させた。そして、硬化物を離型紙から剥離し、セイコーインスツルメンツ社製TMAにて温度−線膨張係数を測定した。当該測定値から、150℃における線膨張係数と25度における線膨張係数との差の絶対値を算出した。
・半導体用保護部材(硬化物)を一定時間水に浸漬した後の水のpH
上記線膨張係数の測定と同様に、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物(半導体用保護部材)を作製した。当該硬化物0.25gを秤量し、PTFE製耐圧容器に入れ、純水10mLを加えて密栓した。当該耐圧容器を100℃(設定温度)のオーブン中で20時間保持した。室温まで放冷した後、液体を回収し、東亜ディーケーケー社製pH測定器HM−30GにてpH測定を実施した。
上記線膨張係数の測定と同様に、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物(半導体用保護部材)を作製した。当該硬化物0.25gを秤量し、PTFE製耐圧容器に入れ、純水10mLを加えて密栓した。当該耐圧容器を100℃(設定温度)のオーブン中で20時間保持した。室温まで放冷した後、液体を回収し、東亜ディーケーケー社製pH測定器HM−30GにてpH測定を実施した。
・半導体用保護部材(硬化物)の吸水率
上記線膨張係数の測定と同様に、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物(半導体用保護部材)を作製した。そして、当該硬化物を150℃で12時間予備乾燥させて、その質量を特定した。その後、当該硬化物を23℃、70%RHの環境下に24時間載置し、吸湿後の質量を特定した。そして、吸湿前後の質量変化から吸水率を求めた。
上記線膨張係数の測定と同様に、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物(半導体用保護部材)を作製した。そして、当該硬化物を150℃で12時間予備乾燥させて、その質量を特定した。その後、当該硬化物を23℃、70%RHの環境下に24時間載置し、吸湿後の質量を特定した。そして、吸湿前後の質量変化から吸水率を求めた。
表1および表2に示すように、(A)特定のカチオン重合性化合物、(B)特定のシランカップリング剤、(C)光カチオン重合開始剤、および(D)熱カチオン重合開始剤を含む実施例1〜4では、加熱硬化後のパターニング保持性、およびPCT後の密着性のいずれもが優れていた(実施例1〜8)。(B)特定のシランカップリング剤のSi−O−Si結合が、基板と硬化物との界面に配向することで、これらの密着性が高まったと推察される。
これに対し、シランカップリング剤の分子量が低く、Si−O−Si結合を含まない場合、もしくはシランカップリング剤自体を含まない場合には、PCT後の密着性が低かった(参考例1〜13)。
一方、(C)光カチオン重合開始剤のみ含む場合には、PCT後の密着性が十分でなかった(参考例2および9)。また、(D)熱カチオン重合開始剤しか含まない場合には、仮硬化ができず、パターニング保持性が低かった(参考例3および10)。
2.第2の組成物
2−1.材料
(K)脂環式エポキシ化合物
・セロキサイド8010(ダイセル社製、下記構造式で表されるシクロアルケンオキサイド構造を2つ有する化合物)
・THI−DE(JX−TG社製、下記構造式で表される3,4:7,8−ジエポキシビシクロ[4.3.0]ノナン)
・LDO(ナガセケムテック社製、下記構造式で表されるリモネンジオキシド)
2−1.材料
(K)脂環式エポキシ化合物
・セロキサイド8010(ダイセル社製、下記構造式で表されるシクロアルケンオキサイド構造を2つ有する化合物)
(L)光カチオン重合開始剤
・CPI−210S(サンアプロ社製)
・CPI−310FG(サンアプロ社製)
・CPI−210S(サンアプロ社製)
・CPI−310FG(サンアプロ社製)
(M)シランカップリング剤
・KBM−303(信越化学工業社製、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン)
・KBM−403(信越化学工業社製、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン)
・KR−516(信越化学工業社製、エポキシ基含有アルコキシオリゴマー)
・KR−517(信越化学工業社製、エポキシ基含有アルコキシオリゴマー)
・KBM−303(信越化学工業社製、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン)
・KBM−403(信越化学工業社製、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン)
・KR−516(信越化学工業社製、エポキシ基含有アルコキシオリゴマー)
・KR−517(信越化学工業社製、エポキシ基含有アルコキシオリゴマー)
(N)その他
・OXT−221(東亜合成社製、下記式で表される3−エチル−3{[(3−エチルオキセタン−3−イル)メトキシ]メチル}オキセタン)
・エポゴーセーNPG(D)(四日市合成社製、下記構造式で表されるネオペンチルグリコールグリシジルエーテル)
・OXT−221(東亜合成社製、下記式で表される3−エチル−3{[(3−エチルオキセタン−3−イル)メトキシ]メチル}オキセタン)
2−2.インクジェット塗布型半導体用保護組成物の調製
[実施例9]
表3に示す組成となるように、(K)脂環式エポキシ化合物、(L)光カチオン重合開始剤、(M)シランカップリング剤、およびオキセタン化合物(OXT−221)をフラスコに入れ、混合した。得られた混合物に、粉状物が見えなくなるまで攪拌し、インクジェット塗布型半導体用保護組成物を得た。
[実施例9]
表3に示す組成となるように、(K)脂環式エポキシ化合物、(L)光カチオン重合開始剤、(M)シランカップリング剤、およびオキセタン化合物(OXT−221)をフラスコに入れ、混合した。得られた混合物に、粉状物が見えなくなるまで攪拌し、インクジェット塗布型半導体用保護組成物を得た。
[実施例10〜16、および参考例14、15]
表3に示す組成となるように、各成分の量を変更した以外は、実施例9と同様にインクジェット塗布型半導体用保護組成物を得た。
表3に示す組成となるように、各成分の量を変更した以外は、実施例9と同様にインクジェット塗布型半導体用保護組成物を得た。
[評価]
得られたインクジェット塗布型半導体用保護組成物の塩素含有量、粘度、表面張力、パターニング保持性、プレッシャークッカー試験(PCT)後の密着性、イオンマイグレーション耐性、損失正接(tanδ)、当該半導体用保護部材の150℃における線膨張係数と25度における線膨張係数との差、当該半導体用保護部材を一定時間水に浸漬したときに検出される陰イオンの総量、当該半導体用保護部材を一定時間水に浸漬した後の水のpH、および吸水率を以下の方法で評価した。結果を表3に示す。
得られたインクジェット塗布型半導体用保護組成物の塩素含有量、粘度、表面張力、パターニング保持性、プレッシャークッカー試験(PCT)後の密着性、イオンマイグレーション耐性、損失正接(tanδ)、当該半導体用保護部材の150℃における線膨張係数と25度における線膨張係数との差、当該半導体用保護部材を一定時間水に浸漬したときに検出される陰イオンの総量、当該半導体用保護部材を一定時間水に浸漬した後の水のpH、および吸水率を以下の方法で評価した。結果を表3に示す。
・塩素イオン含有量
インクジェット塗布型半導体用保護組成物をポリテトラフルオロエチレン(PTFE)製の耐圧容器に採取し、秤量した後、純水10mLを加えて密栓した。その後、100℃(設定温度)のオーブン中で20時間、塩素を加熱抽出した。室温まで放冷した後、抽出液を回収し、分析装置(1C.1CS−3000、サーモフィッシャーサイエンティフィック社製)にて、イオンクロマトグラフ法(1C法)により塩素イオンの定量分析を実施した。また、表3には示さないが、フッ素イオン、臭素イオンの含有量の定量分析も同様に行ったところ、いずれも50ppm以下であった。
インクジェット塗布型半導体用保護組成物をポリテトラフルオロエチレン(PTFE)製の耐圧容器に採取し、秤量した後、純水10mLを加えて密栓した。その後、100℃(設定温度)のオーブン中で20時間、塩素を加熱抽出した。室温まで放冷した後、抽出液を回収し、分析装置(1C.1CS−3000、サーモフィッシャーサイエンティフィック社製)にて、イオンクロマトグラフ法(1C法)により塩素イオンの定量分析を実施した。また、表3には示さないが、フッ素イオン、臭素イオンの含有量の定量分析も同様に行ったところ、いずれも50ppm以下であった。
・粘度
E型粘度計により25℃、20rpmで測定した。
E型粘度計により25℃、20rpmで測定した。
・表面張力
25℃、Wilhelmy法により測定した。
25℃、Wilhelmy法により測定した。
・パターニング保持性
インクジェット塗布型半導体用保護組成物をインクジェット装置のインクタンクに充填した。当該インクジェット装置にて、銅板、および10cm角のSiONスパッタ済みガラスに、それぞれインクジェット塗布型半導体用保護組成物を塗布した。塗布パターンは、5cm角の正方形とした。また、塗布量は、7pL/滴で狙い、膜厚10μmとなるよう、1滴ごとの塗布間隔を30μmとして塗布を行った。
インクジェット塗布型半導体用保護組成物を塗布してから60秒以内に、塗膜に紫外光(波長:365nm、照射光量:1000mJ/cm2)を照射した。そして、150℃で30分間加熱し、熱硬化させて、10μmの厚みの膜を形成した。熱硬化後の硬化膜の形状を目視で確認し、以下のように評価した。
○:熱硬化後の各辺の塗布パターンが±5%以内に収まっている
△:熱硬化後の各辺の塗布パターンが±5%超±10%以内に収まっている
×:熱硬化後の各辺の塗布パターンが±10%超変化している
インクジェット塗布型半導体用保護組成物をインクジェット装置のインクタンクに充填した。当該インクジェット装置にて、銅板、および10cm角のSiONスパッタ済みガラスに、それぞれインクジェット塗布型半導体用保護組成物を塗布した。塗布パターンは、5cm角の正方形とした。また、塗布量は、7pL/滴で狙い、膜厚10μmとなるよう、1滴ごとの塗布間隔を30μmとして塗布を行った。
インクジェット塗布型半導体用保護組成物を塗布してから60秒以内に、塗膜に紫外光(波長:365nm、照射光量:1000mJ/cm2)を照射した。そして、150℃で30分間加熱し、熱硬化させて、10μmの厚みの膜を形成した。熱硬化後の硬化膜の形状を目視で確認し、以下のように評価した。
○:熱硬化後の各辺の塗布パターンが±5%以内に収まっている
△:熱硬化後の各辺の塗布パターンが±5%超±10%以内に収まっている
×:熱硬化後の各辺の塗布パターンが±10%超変化している
・プレッシャークッカー試験(PCT)後の密着性
インクジェット塗布型半導体用保護組成物をインクジェット装置のインクタンクに充填した。当該インクジェット装置にて、銅板、およびSiONスパッタ済みガラスに、それぞれインクジェット塗布型半導体用保護組成物を塗布した。塗布パターンは、5cm角の正方形とした。また、塗布量は、7pL/滴で狙い膜厚10μmとなるよう、1滴ごとの塗布間隔を30μmとして塗布を行った。
インクジェット塗布型半導体用保護組成物を塗布してから60秒以内に、塗膜に紫外光(波長:365nm、照射光量:1000mJ/cm2)を照射した。そして、150℃で30分間加熱し、熱硬化させて、10μmの厚みの膜を形成した。
得られた試験片を、高度加速寿命試験装置(EHS−222、アルバック社製)内に、121℃、100%Rhの条件で96時間保存し、プレッシャークッカー試験(PCT)を行った。その後、ISO 2409に準拠して碁盤目剥離試験(クロスカット試験)を行い、硬化膜の密着性を以下の基準で評価した。
○:残マス数が95〜100/100
△:残マス数が50〜94/100
×:残マス数が0〜49/100
インクジェット塗布型半導体用保護組成物をインクジェット装置のインクタンクに充填した。当該インクジェット装置にて、銅板、およびSiONスパッタ済みガラスに、それぞれインクジェット塗布型半導体用保護組成物を塗布した。塗布パターンは、5cm角の正方形とした。また、塗布量は、7pL/滴で狙い膜厚10μmとなるよう、1滴ごとの塗布間隔を30μmとして塗布を行った。
インクジェット塗布型半導体用保護組成物を塗布してから60秒以内に、塗膜に紫外光(波長:365nm、照射光量:1000mJ/cm2)を照射した。そして、150℃で30分間加熱し、熱硬化させて、10μmの厚みの膜を形成した。
得られた試験片を、高度加速寿命試験装置(EHS−222、アルバック社製)内に、121℃、100%Rhの条件で96時間保存し、プレッシャークッカー試験(PCT)を行った。その後、ISO 2409に準拠して碁盤目剥離試験(クロスカット試験)を行い、硬化膜の密着性を以下の基準で評価した。
○:残マス数が95〜100/100
△:残マス数が50〜94/100
×:残マス数が0〜49/100
・イオンマイグレーション耐性
くし形の電極を有する基板に、パターニング保持性の評価と同様に、インクジェット塗布型半導体用保護組成物を塗布し、硬化させた。当該基板に対し、エレクトロケミカルマイグレーション評価システム(AMI、エスペック社製)にて以下の条件で試験を行った。電極間の抵抗値を測定し、以下のように評価した。
(試験条件)
・温度:130℃
・湿度:85%RH
・電極間電圧:10V
・試験時間:96hr
(評価基準)
○:電極間の抵抗値が1×105Ωより大きかった
×:電極間の抵抗値が1×105Ω以下であった
くし形の電極を有する基板に、パターニング保持性の評価と同様に、インクジェット塗布型半導体用保護組成物を塗布し、硬化させた。当該基板に対し、エレクトロケミカルマイグレーション評価システム(AMI、エスペック社製)にて以下の条件で試験を行った。電極間の抵抗値を測定し、以下のように評価した。
(試験条件)
・温度:130℃
・湿度:85%RH
・電極間電圧:10V
・試験時間:96hr
(評価基準)
○:電極間の抵抗値が1×105Ωより大きかった
×:電極間の抵抗値が1×105Ω以下であった
・損失正接(tanδ)測定
アプリケータを用い、離型紙上に、インクジェット塗布型半導体用保護組成物を成膜した。塗膜の厚みは100μmとした。当該塗膜に波長395nmの光を450mW/cm2照射し、150℃で30分硬化させた。その後、150℃で30分硬化を行った後の周波数1.6Hzで動的粘弾性測定(測定装置:セイコーインスツルメンツ社製DM6100)を行ったときの25〜150℃における損失正接(tanδ)を確認した。
アプリケータを用い、離型紙上に、インクジェット塗布型半導体用保護組成物を成膜した。塗膜の厚みは100μmとした。当該塗膜に波長395nmの光を450mW/cm2照射し、150℃で30分硬化させた。その後、150℃で30分硬化を行った後の周波数1.6Hzで動的粘弾性測定(測定装置:セイコーインスツルメンツ社製DM6100)を行ったときの25〜150℃における損失正接(tanδ)を確認した。
・半導体用保護部材の150℃における線膨張係数と25度における線膨張係数との差の絶対値
アプリケータを用い、離型紙上に、インクジェット塗布型半導体用保護組成物を成膜した。塗膜の厚みは100μmとした。当該塗膜に、波長395nmの光を450mW/cm2照射し、150℃で30分硬化させた。そして、硬化物を離型紙から剥離し、セイコーインスツルメンツ社製TMAにて温度−線膨張係数を測定した。当該測定値から、150℃における線膨張係数と25度における線膨張係数との差の絶対値を算出した。
アプリケータを用い、離型紙上に、インクジェット塗布型半導体用保護組成物を成膜した。塗膜の厚みは100μmとした。当該塗膜に、波長395nmの光を450mW/cm2照射し、150℃で30分硬化させた。そして、硬化物を離型紙から剥離し、セイコーインスツルメンツ社製TMAにて温度−線膨張係数を測定した。当該測定値から、150℃における線膨張係数と25度における線膨張係数との差の絶対値を算出した。
・半導体用保護部材(硬化物)を一定時間水に浸漬したときに検出される陰イオンの総量(ppm)
上記線膨張係数の測定と同様に、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物(半導体用保護部材)を作製した。当該硬化物0.25gを秤量し、PTFE製耐圧容器に入れ、純水10mLを加えて密栓した。そして、当該耐圧容器を100℃(設定温度)のオーブン中で20時間保持した。室温まで放冷した後、液体を回収し、イオンクロマトグラフ法(1C法)にてF−、CI−、Br−、およびSO4 2−の定量分析を実施し、これらの総量を特定した。イオンクロマトグラフ法には、1C.1CS・3000(サーモフィッシャーサイエンティフィック社製)を用いた。
上記線膨張係数の測定と同様に、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物(半導体用保護部材)を作製した。当該硬化物0.25gを秤量し、PTFE製耐圧容器に入れ、純水10mLを加えて密栓した。そして、当該耐圧容器を100℃(設定温度)のオーブン中で20時間保持した。室温まで放冷した後、液体を回収し、イオンクロマトグラフ法(1C法)にてF−、CI−、Br−、およびSO4 2−の定量分析を実施し、これらの総量を特定した。イオンクロマトグラフ法には、1C.1CS・3000(サーモフィッシャーサイエンティフィック社製)を用いた。
・半導体用保護部材(硬化物)を一定時間水に浸漬した後の水のpH
上記線膨張係数の測定と同様に、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物(半導体用保護部材)を作製した。当該硬化物0.25gを秤量し、PTFE製耐圧容器に入れ、純水10mLを加えて密栓した。当該耐圧容器を100℃(設定温度)のオーブン中で20時間保持した。室温まで放冷した後、液体を回収し、東亜ディーケーケー社製pH測定器HM−30GにてpH測定を実施した。
上記線膨張係数の測定と同様に、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物(半導体用保護部材)を作製した。当該硬化物0.25gを秤量し、PTFE製耐圧容器に入れ、純水10mLを加えて密栓した。当該耐圧容器を100℃(設定温度)のオーブン中で20時間保持した。室温まで放冷した後、液体を回収し、東亜ディーケーケー社製pH測定器HM−30GにてpH測定を実施した。
・半導体用保護部材(硬化物)の吸水率
上記線膨張係数の測定と同様に、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物(半導体用保護部材)を作製した。そして、当該硬化物を150℃で12時間予備乾燥させて、その質量を特定した。その後、当該硬化物を23℃、70%RHの環境下に24時間載置し、吸湿後の質量を特定した。そして、吸湿前後の質量変化から吸水率を求めた。
上記線膨張係数の測定と同様に、インクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物(半導体用保護部材)を作製した。そして、当該硬化物を150℃で12時間予備乾燥させて、その質量を特定した。その後、当該硬化物を23℃、70%RHの環境下に24時間載置し、吸湿後の質量を特定した。そして、吸湿前後の質量変化から吸水率を求めた。
表3に示すように、塩素イオン含有量が50ppm以下であるインクジェット塗布型半導体用保護組成物では、イオンマイグレーションが生じ難かった(実施例9〜16)。なお、これらの実施例では、エポキシ化合物を(K)脂環式エポキシ化合物としているため、原料由来の塩素が混入し難く、塩素イオン量が低かったと推察される。またこれらのインクジェット塗布型半導体用保護組成物では、パターニング保持性が良好であり、PCT後の密着性も良好であった。
これに対し、塩素イオン含有量が50ppmを超えるインクジェット塗布型半導体用保護組成物では、イオンマイグレーションが生じやすかった(参考例14および15)。
本出願は、2019年3月26日出願の特願2019−059223号、および2019年3月28日出願の特願2019−064888号に基づく優先権を主張する。これらの出願明細書に記載された内容は、すべて本願明細書に援用される。
本発明のインクジェット塗布型半導体用保護組成物によれば、高温でのパターン保持性や耐湿性に優れ、長期間に亘って半導体回路等との密着性が良好な硬化物を形成可能である。また、インクジェット法で塗布可能であるため、効率よく簡便な方法で塗布できる。したがって、各種半導体装置の製造に非常に有用である。
Claims (18)
- 酸素原子および/または窒素原子を含有する官能基を有する有機重合性化合物の硬化物を含む半導体用保護部材であり、
前記硬化物の、150℃における線膨張係数と25℃における線膨張係数との差の絶対値が55以下である、半導体用保護部材。 - Si−O結合を少なくとも一部に含む、
請求項1に記載の半導体用保護部材。 - 前記硬化物0.25gを、100℃、10mLの水に浸漬し、20時間抽出したときに検出される陰イオンの総量が50ppm以下である、
請求項1または2に記載の半導体用保護部材。 - 前記硬化物0.25gを、100℃、10mLの水に浸漬し、20時間放置した後の水のpHが4.4〜8.7である、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体用保護部材。 - 前記硬化物の吸水率が2%以下である、
請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体用保護部材。 - 前記有機重合性化合物が、エポキシ化合物、ウレタン化合物、(メタ)アクリル化合物、イミド化合物、ベンゾオキサゾールからなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物である、
請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体用保護部材。 - (A)1分子中に2つ以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、および1分子に2つ以上のオキセタン基を有するオキセタン化合物を含む、カチオン重合性化合物と、
(B)1分子中にSi−O−Si骨格、エポキシ基、およびアルコキシ基を有し、重量平均分子量が1000以上であるシランカップリング剤と、
(C)光カチオン重合開始剤と、
(D)熱カチオン重合開始剤と、
を含み、
E型粘度計を用いて25℃、20rpmで測定される粘度が5〜50mPa・sである、
インクジェット塗布型半導体用保護組成物。 - 表面張力が20〜40mN/mである、
請求項7に記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物。 - 前記(B)シランカップリング剤が、1分子中にエポキシ基を2つ以上含み、かつ1分子中にアルコキシ基を2つ以上含む、
請求項7または8に記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物。 - 前記(A)カチオン重合性化合物100質量部に対し、
前記(B)シランカップリング剤を1〜20質量部、前記(C)光カチオン重合開始剤を0.1〜10質量部、前記(D)熱カチオン重合開始剤を0.1〜10質量部含み、
前記(D)熱カチオン重合開始剤の量が、前記(C)光カチオン重合開始剤100質量部に対し、10〜50質量部である、
請求項7〜9のいずれか一項に記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物。 - (K)1分子中に2つ以上のエポキシ基を有する脂環式エポキシ化合物と、
(L)光カチオン重合開始剤と、
(M)シランカップリング剤と、
を含み、
塩素イオン含有量が50ppm以下であり、かつ
E型粘度計を用いて25℃、20rpmで測定される粘度が5〜50mPa・sである、
インクジェット塗布型半導体用保護組成物。 - 表面張力が20〜40mN/mである、
請求項11に記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物。 - 前記(K)脂環式エポキシ化合物100質量部に対し、
前記(L)光カチオン重合開始剤を0.1〜10質量部含み、
前記(M)シランカップリング剤を1〜20質量部含む、
請求項11〜13のいずれか一項に記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物。 - 請求項11〜14のいずれか一項に記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物であり、
周波数1.6Hzで動的粘弾性測定を行ったときの損失正接(tanδ)が25〜150℃の温度範囲で0.01以上である、
硬化物。 - 半導体回路基板と、
前記半導体回路基板の少なくとも一部を覆う、請求項7〜14のいずれか一項に記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物層と、
前記硬化物層上に配置された、半導体モールドレジン層と、
を有する、半導体装置。 - 金属配線が配置された基板と、
前記基板の前記金属配線の少なくとも一部を覆う請求項7〜14のいずれか一項に記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物の硬化物層と、
前記金属配線と電気的に接続するように前記硬化物層上に配置された回路部と、
を有する、半導体装置。 - 半導体回路基板または金属配線を有する基板を準備する準備工程と、
前記半導体回路基板上、または前記基板の前記金属配線上に、インクジェット法により、請求項7〜14のいずれか一項に記載のインクジェット塗布型半導体用保護組成物を塗布する塗布工程と、
前記塗布工程後、60秒以内に前記インクジェット塗布型半導体用保護組成物の塗膜に活性光線を照射し、前記塗膜を硬化させる光硬化工程と、
前記光硬化工程後の前記塗膜を熱で硬化させる熱硬化工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019059223 | 2019-03-26 | ||
JP2019059223 | 2019-03-26 | ||
JP2019064888 | 2019-03-28 | ||
JP2019064888 | 2019-03-28 | ||
PCT/JP2020/013766 WO2020196776A1 (ja) | 2019-03-26 | 2020-03-26 | 半導体用保護部材、インクジェット塗布型半導体用保護組成物、およびこれを用いた半導体装置の製造方法、ならびに半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020196776A1 true JPWO2020196776A1 (ja) | 2021-12-02 |
Family
ID=72611076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021509604A Pending JPWO2020196776A1 (ja) | 2019-03-26 | 2020-03-26 | 半導体用保護部材、インクジェット塗布型半導体用保護組成物、およびこれを用いた半導体装置の製造方法、ならびに半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220186066A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2020196776A1 (ja) |
TW (1) | TW202041563A (ja) |
WO (1) | WO2020196776A1 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2020
- 2020-03-26 US US17/442,611 patent/US20220186066A1/en active Pending
- 2020-03-26 JP JP2021509604A patent/JPWO2020196776A1/ja active Pending
- 2020-03-26 TW TW109110337A patent/TW202041563A/zh unknown
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020196776A1 (ja) | 2020-10-01 |
US20220186066A1 (en) | 2022-06-16 |
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