JPWO2020196555A1 - - Google Patents

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7574766B2 (ja) * 2020-10-30 2024-10-29 Agc株式会社 Euvl用ガラス基板、及びeuvl用マスクブランク
JP7574767B2 (ja) * 2020-10-30 2024-10-29 Agc株式会社 Euvl用ガラス基板、及びeuvl用マスクブランク
KR20220058424A (ko) * 2020-10-30 2022-05-09 에이지씨 가부시키가이샤 Euvl용 유리 기판, 및 euvl용 마스크 블랭크
KR102292282B1 (ko) * 2021-01-13 2021-08-20 성균관대학교산학협력단 비등방성 기계적 팽창 기판 및 이를 이용한 크랙 기반 압력 센서
JP7694469B2 (ja) * 2021-07-21 2025-06-18 信越化学工業株式会社 マスクブランクス用基板及びその製造方法

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004029735A (ja) * 2002-03-29 2004-01-29 Hoya Corp 電子デバイス用基板、該基板を用いたマスクブランクおよび転写用マスク、並びにこれらの製造方法、研磨装置および研磨方法
JP2004302280A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Hoya Corp マスクブランクス用基板の製造方法、及びマスクブランクスの製造方法、並びに転写マスクの製造方法
JP2005301304A (ja) * 2002-03-29 2005-10-27 Hoya Corp マスクブランク用基板、マスクブランク、および転写用マスク
KR20110056209A (ko) * 2009-11-20 2011-05-26 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크용 기판, 이를 사용하여 제조된 블랭크 마스크 및 그 제조방법
KR20110057064A (ko) * 2009-11-23 2011-05-31 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크용 기판, 이를 사용하여 제조된 블랭크 마스크 및 그 제조방법
JP2011141536A (ja) * 2009-12-11 2011-07-21 Shin-Etsu Chemical Co Ltd フォトマスク用ガラス基板及びその製造方法
JP2012009833A (ja) * 2010-05-24 2012-01-12 Shin Etsu Chem Co Ltd 合成石英ガラス基板及びその製造方法
JP2013219339A (ja) * 2012-03-12 2013-10-24 Hoya Corp 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法、並びにマスクブランク及びマスクの製造方法
JP2016038573A (ja) * 2014-08-07 2016-03-22 旭硝子株式会社 マスクブランク用ガラス基板、および、その製造方法
WO2016204051A1 (ja) * 2015-06-17 2016-12-22 Hoya株式会社 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
JP2017107007A (ja) * 2015-12-08 2017-06-15 旭硝子株式会社 マスクブランク用のガラス基板、マスクブランク、およびフォトマスク
JP2017181731A (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 Hoya株式会社 マスクブランク用基板の製造方法、多層膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
WO2017169973A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 Hoya株式会社 反射型マスクブランクの製造方法、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法
JP2017227936A (ja) * 2012-02-10 2017-12-28 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、マスクブランク及びマスク、多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、並びにマスクブランクの製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3975321B2 (ja) * 2001-04-20 2007-09-12 信越化学工業株式会社 フォトマスク用シリカガラス系基板及びフォトマスク用シリカガラス系基板の平坦化方法
JP3895651B2 (ja) * 2002-08-12 2007-03-22 Hoya株式会社 不要膜除去装置および不要膜除去方法、並びにフォトマスクブランク製造方法
JP4958147B2 (ja) 2006-10-18 2012-06-20 Hoya株式会社 露光用反射型マスクブランク及び露光用反射型マスク、多層反射膜付き基板、並びに半導体装置の製造方法
JP5231918B2 (ja) * 2008-09-26 2013-07-10 Hoya株式会社 マスクブランク用基板の製造方法、及び両面研磨装置
JP4728414B2 (ja) * 2009-03-25 2011-07-20 Hoya株式会社 マスクブランク用基板、マスクブランク、フォトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
KR102180712B1 (ko) * 2012-09-28 2020-11-19 호야 가부시키가이샤 다층 반사막 부착 기판의 제조방법
JP6161913B2 (ja) * 2013-01-31 2017-07-12 Hoya株式会社 マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、および転写用マスクの製造方法
TWI616718B (zh) * 2013-08-30 2018-03-01 Hoya Corp 反射型光罩基底、反射型光罩基底之製造方法、反射型光罩及半導體裝置之製造方法
JP5780350B2 (ja) * 2013-11-14 2015-09-16 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法
US20170363952A1 (en) * 2014-12-19 2017-12-21 Hoya Corporation Mask blank substrate, mask blank, and methods for manufacturing them, method for manufacturing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device
US10948814B2 (en) * 2016-03-23 2021-03-16 AGC Inc. Substrate for use as mask blank, and mask blank
JP6873758B2 (ja) * 2016-03-28 2021-05-19 Hoya株式会社 基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び転写用マスクの製造方法
JP6803186B2 (ja) * 2016-09-30 2020-12-23 Hoya株式会社 マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004029735A (ja) * 2002-03-29 2004-01-29 Hoya Corp 電子デバイス用基板、該基板を用いたマスクブランクおよび転写用マスク、並びにこれらの製造方法、研磨装置および研磨方法
JP2005301304A (ja) * 2002-03-29 2005-10-27 Hoya Corp マスクブランク用基板、マスクブランク、および転写用マスク
JP2004302280A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Hoya Corp マスクブランクス用基板の製造方法、及びマスクブランクスの製造方法、並びに転写マスクの製造方法
KR20110056209A (ko) * 2009-11-20 2011-05-26 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크용 기판, 이를 사용하여 제조된 블랭크 마스크 및 그 제조방법
KR20110057064A (ko) * 2009-11-23 2011-05-31 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크용 기판, 이를 사용하여 제조된 블랭크 마스크 및 그 제조방법
JP2011141536A (ja) * 2009-12-11 2011-07-21 Shin-Etsu Chemical Co Ltd フォトマスク用ガラス基板及びその製造方法
JP2012009833A (ja) * 2010-05-24 2012-01-12 Shin Etsu Chem Co Ltd 合成石英ガラス基板及びその製造方法
JP2017227936A (ja) * 2012-02-10 2017-12-28 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、マスクブランク及びマスク、多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、並びにマスクブランクの製造方法
JP2013219339A (ja) * 2012-03-12 2013-10-24 Hoya Corp 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法、並びにマスクブランク及びマスクの製造方法
JP2016038573A (ja) * 2014-08-07 2016-03-22 旭硝子株式会社 マスクブランク用ガラス基板、および、その製造方法
WO2016204051A1 (ja) * 2015-06-17 2016-12-22 Hoya株式会社 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
JP2017107007A (ja) * 2015-12-08 2017-06-15 旭硝子株式会社 マスクブランク用のガラス基板、マスクブランク、およびフォトマスク
JP2017181731A (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 Hoya株式会社 マスクブランク用基板の製造方法、多層膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
WO2017169973A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 Hoya株式会社 反射型マスクブランクの製造方法、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法

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