JPWO2020189699A1 - 伝送路基板、および伝送路基板の実装構造 - Google Patents

Abstract

伝送路基板（１０１）は、線路部ＳＬおよび接続部（ＣＮ１，ＣＮ２）を有する。伝送路基板（１０１）は、基材（１０）と、第１グランド導体（４１）、第２グランド導体（４２）および信号線（３０Ａ）と、外部電極（Ｐ１１，Ｐ１２）と、第２層間接続導体（ＶＧ２１〜ＶＧ２３）等を備える。線路部（ＳＬ）では、信号線（３０Ａ）、第１グランド導体（４１）および第２グランド導体（４２）を含むストリップライン構造の伝送線路が構成される。接続部（ＣＮ１，ＣＮ２）では、信号線（３０Ａ）および外部電極（Ｐ１１，Ｐ１２）が、層間接続導体を介さずに、積層方向（Ｚ軸方向）に対向配置される。第２層間接続導体（ＶＧ２１〜ＶＧ２３）は、信号線（３０Ａ）と外部電極（Ｐ１１，Ｐ１２）とがＺ軸方向に対向配置された対向部分を囲むように配置されている。

Description

本発明は、複数の基材層を積層して形成される基材体にストリップライン構造の伝送線路が設けられた伝送路基板、およびこの伝送路基板の実装構造に関する。

従来、複数の基材層を積層して形成される基材にストリップライン構造の伝送線路が設けられた伝送路基板が知られている。

例えば、特許文献１には、複数の基材層を積層して形成される基材と、基材層に形成された複数の導体パターン（信号線、第１グランド導体、第２グランド導体および外部電極）と、を備えた伝送路基板が示されている。この伝送路基板には、信号線と、この信号線を複数の基材層の積層方向に挟む第１グランド導体および第２グランド導体と、を含んだ高周波伝送線路が構成されている。

なお、上記伝送路基板はストリップライン構造のため、上記伝送路基板を他の基板等に接続する場合、伝送路基板の内部に形成された信号線を、伝送路基板の表面に引き出す必要がある。具体的には、上記信号線は、層間接続導体を介して、伝送路基板の表面に形成された外部電極に接続され、この外部電極ははんだ等の導電性接合材を介して他の回路基板に接続される。

国際公開第２０１６／０８８６９３号

上記伝送路基板は、複数の導体パターンや層間接続導体を形成した複数の基材層を、積層して加熱圧着することによって製造される。

しかし、複数の基材層を積層する際に位置ずれが生じることがある。この位置ずれに伴って、信号線、層間接続導体および外部電極の位置関係にばらつきが生じ、信号線と外部電極との間（信号線を伝送路基板の表面に引き出す部分）で反射損失が生じる虞がある。特に、信号線と外部電極との間の基材層の積層数が多く、信号線と外部電極との間を接続する層間接続導体の数が多い場合（層間接続導体同士の接続箇所が多い場合）には、インピーダンスマッチングが難しく、反射損失が生じやすくなる。このことは、伝送信号の周波数が高いほど顕著となる。

本発明の目的は、複数の基材層を積層して形成される基材に、ストリップライン構造の伝送線路が設けられた構成において、伝送経路の途中での反射損失を抑制できる伝送路基板、およびその実装構造を提供することにある。

本発明の伝送路基板は、
線路部および接続部を有する伝送路基板であって、
主面を有し、複数の基材層を積層して形成される基材と、
前記基材にそれぞれ形成される、第１グランド導体、第２グランド導体および信号線と、
前記接続部の前記主面に形成される外部電極と、
前記基材に形成される複数の層間接続導体と、
を備え、
前記線路部では、前記信号線、前記第１グランド導体および前記第２グランド導体を含むストリップライン構造の伝送線路が構成され、
前記接続部では、前記信号線および前記外部電極が、層間接続導体を介さずに、前記複数の基材層の積層方向に対向配置され、
前記複数の層間接続導体は、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを電気的に接続する、複数の第１層間接続導体および複数の第２層間接続導体を有し、
前記複数の第１層間接続導体は、前記線路部に配置され、前記積層方向から視て、前記信号線に沿って配置され、
前記複数の第２層間接続導体は、前記接続部に配置され、前記信号線と前記外部電極とが前記積層方向に対向配置された対向部分を囲むように配置され、
前記複数の第２層間接続導体の間隔は、前記複数の第１層間接続導体の間隔よりも狭いことを特徴とする。

基材の内部に形成される信号線と、基材の表面に形成される外部電極とを、層間接続導体を介して互いに接続する場合には、基材を形成する際（複数の基材層を積層する際）の位置ずれによって、信号線と層間接続導体と外部電極との位置関係にばらつきが生じることがある。そのため、信号線と外部電極との間（伝送経路のうち、伝送路基板の表面に引き出す部分）で反射損失が生じる虞がある。特に、信号線と外部電極との間を接続する層間接続導体の数が多い場合には、反射損失は生じやすくなる。一方、上記構成では、接続部において、信号線と外部電極との対向部分が、積層方向に延伸する導波路として機能する。この構成によれば、信号線と外部電極とを直接接続することなく（層間接続導体を介することなく）、信号線および外部電極間に信号を伝送できるため、基材を形成する際の位置ずれに伴って生じる反射損失を抑制することができる。

本発明の伝送路基板の実装構造は、
線路部および接続部を有する伝送路基板を、導電性接合材を介して他の基板に実装する、伝送路基板の実装構造であって、
前記伝送路基板は、
主面を有し、複数の基材層を積層して形成される基材と、
前記基材にそれぞれ形成される、第１グランド導体、第２グランド導体および信号線と、
前記接続部の前記主面に形成される第１外部電極と、
前記基材に形成される複数の層間接続導体と、
を有し、
前記線路部では、前記信号線、前記第１グランド導体および前記第２グランド導体を含むストリップライン構造の伝送線路が構成され、
前記接続部では、前記信号線および前記第１外部電極が、層間接続導体を介さずに、前記複数の基材層の積層方向に対向配置され、
前記複数の層間接続導体は、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを電気的に接続する、複数の第１層間接続導体および複数の第２層間接続導体を有し、
前記複数の第１層間接続導体は、前記線路部に配置され、前記積層方向から視て、前記信号線に沿って配置され、
前記複数の第２層間接続導体は、前記接続部に配置され、前記信号線と前記第１外部電極とが前記積層方向に対向配置された対向部分を囲むように配置され、
前記複数の第２層間接続導体の間隔は、前記複数の第１層間接続導体の間隔よりも狭く、
前記他の基板は、主面に基板側電極を有し、
前記第１外部電極は、前記導電性接合材を介して、前記基板側電極に接合されることを特徴とする。

本発明の伝送路基板の実装構造は、
線路部および接続部を有する伝送路基板を、導電性接合材を介して他の基板に実装する、伝送路基板の実装構造であって、
前記伝送路基板は、
主面を有し、複数の基材層を積層して形成される基材と、
前記基材にそれぞれ形成される、第１グランド導体、第２グランド導体および信号線と、
前記接続部の前記主面に形成され、前記第１グランド導体および前記第２グランド導体に導通する第１グランド電極と、
前記基材に形成される複数の層間接続導体と、
を有し、
前記線路部では、前記信号線、前記第１グランド導体および前記第２グランド導体を含むストリップライン構造の伝送線路が構成され、
前記他の基板は、基板側信号線、および表面に形成された基板側グランド電極を有し、
前記第１グランド電極は、前記導電性接合材を介して、前記基板側グランド電極に接合され、
前記伝送路基板が前記他の基板に実装された状態で、前記接続部の前記信号線および前記基板側信号線は、層間接続導体および導電性接合材を介さずに、前記複数の基材層の積層方向に対向配置され、
前記複数の層間接続導体は、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを電気的に接続する、複数の第１層間接続導体および複数の第２層間接続導体を有し、
前記複数の第１層間接続導体は、前記線路部に配置され、前記積層方向から視て、前記信号線に沿って配置され、
前記伝送路基板が前記他の基板に実装された状態で、前記複数の第２層間接続導体は、前記接続部に配置され、前記積層方向から視て、前記信号線と前記基板側信号線とが対向配置された対向部分を囲むように配置され、
前記複数の第２層間接続導体の間隔は、前記複数の第１層間接続導体の間隔よりも狭いことを特徴とする。

この構成によれば、製造時の位置ずれに伴って生じる反射損失を抑制した伝送路基板の実装構造が得られる。

本発明によれば、複数の基材層を積層して形成される基材に、ストリップライン構造の伝送線路が設けられた構成において、伝送経路の途中での反射損失を抑制できる伝送路基板、およびその実装構造を実現できる。

図１（Ａ）は第１の実施形態に係る伝送路基板１０１の外観斜視図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。 図２は、伝送路基板１０１の分解平面図である。 図３（Ａ）は伝送路基板１０１の接続部ＣＮ２付近における基材層１２の拡大平面図であり、図３（Ｂ）はその断面図である。 図４は、図１（Ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。 図５は、比較例である伝送路基板１００の接続部ＣＮ２付近における断面図である。 図６は、第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部を示す斜視図である。 図７は、図６におけるＣ−Ｃ断面図である。 図８は、第１の実施形態に係る別の電子機器３０２の主要部を示す斜視図である。 図９は、第２の実施形態に係る伝送路基板１０２の外観斜視図である。 図１０は、伝送路基板１０２の分解平面図である。 図１１は、伝送路基板１０２の接続部ＣＮ２付近における基材層１２の拡大平面図である。 図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）は、層間接続導体とその間隔との関係を示す図である。 図１３は、第２の実施形態の変形例である伝送路基板１０２Ａの接続部ＣＮ２付近における、基材層１２の拡大平面図である。 図１４（Ａ）、図１４（Ｂ）、図１４（Ｃ）は、千鳥状の配置の定義を説明するための図である。 図１５は、第３の実施形態に係る電子機器３０３の主要部を示す斜視図である。 図１６は、図１５におけるＤ−Ｄ断面図である。 図１７（Ａ）は第３の実施形態に係る伝送路基板１０１Ａの外観斜視図であり、図１７（Ｂ）は伝送路基板１０１Ａを別の視点から視た外観斜視図である。 １８（Ａ）は第３の実施形態に係る伝送路基板１０３Ａの外観斜視図であり、１８（Ｂ）は伝送路基板１０３Ａを別の視点から視た外観斜視図である。 図１９は、伝送路基板１０３Ａの分解平面図である。 図２０は、図１８（Ａ）におけるＥ−Ｅ断面図である。 図２１（Ａ）は図１８（Ａ）におけるＦ−Ｆ断面図であり、図２１（Ｂ）は図１６（Ａ）におけるＧ−Ｇ断面図である。 図２２（Ａ）は第３の実施形態に係る伝送路基板１０３Ｂの外観斜視図であり、図２２（Ｂ）は伝送路基板１０３Ｂを別の視点から視た外観斜視図である。 図２３は、第４の実施形態に係る電子機器３０４の主要部を示す斜視図である。 図２４は、図２３におけるＨ−Ｈ断面図である。 図２５は、第４の実施形態に係る伝送路基板１０１Ｂの外観斜視図である。 図２６（Ａ）は第４の実施形態に係る伝送路基板１０４Ａの外観斜視図であり、図２６（Ｂ）は第４の実施形態に係る伝送路基板１０４Ｂの外観斜視図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用・効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１（Ａ）は第１の実施形態に係る伝送路基板１０１の外観斜視図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。図２は、伝送路基板１０１の分解平面図である。図３（Ａ）は伝送路基板１０１の接続部ＣＮ２付近における基材層１２の拡大平面図であり、図３（Ｂ）はその断面図である。図４は、図１（Ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。図２および図３（Ａ）では、構造を分かりやすくするため、信号線３０Ａをドットパターンで示している。

本実施形態に係る伝送路基板１０１は、例えば、単一の回路基板上に実装される電子部品、または複数の回路基板同士を接続するケーブルである。

伝送路基板１０１は、接続部ＣＮ１，ＣＮ２および線路部ＳＬを有する。接続部ＣＮ１，ＣＮ２は、他の基板に接続される部分である。後に詳述するように、線路部ＳＬには、接続部ＣＮ１，ＣＮ２間を繋ぐストリップライン構造の伝送線路が構成されている。伝送路基板１０１では、接続部ＣＮ１、線路部ＳＬおよび接続部ＣＮ２が、＋Ｘ方向にこの順に配置されている。

伝送路基板１０１は、基材１０Ａ、信号線３０Ａ、第１グランド導体４１、第２グランド導体４２、中間グランド導体５１，５２、外部電極Ｐ１１，Ｐ１２、グランド電極ＰＧ１１，ＰＧ１２、複数の第１層間接続導体ＶＧ１１，ＶＧ１２，ＶＧ１３、および複数の第２層間接続導体ＶＧ２１，ＶＧ２２，ＶＧ２３等を備える。

基材１０Ａは、長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の平板であり、互いに対向する第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を有する。外部電極Ｐ１１は、接続部ＣＮ１の第１主面ＶＳ１に形成されており、外部電極Ｐ１２は、接続部ＣＮ２の第１主面ＶＳ１に形成されている。信号線３０Ａ、第１グランド導体４１、第２グランド導体４２、中間グランド導体５１，５２、複数の第１層間接続導体ＶＧ１１〜ＶＧ１３および複数の第２層間接続導体ＶＧ２１〜ＶＧ２３は、基材１０Ａの内部に形成されている。なお、複数の第１層間接続導体ＶＧ１１〜ＶＧ１３は線路部ＳＬのみに配置され、複数の第２層間接続導体ＶＧ２１〜ＶＧ２３は接続部ＣＮ１，ＣＮ２のみに配置されている。

本実施形態では、外部電極Ｐ１１，Ｐ１２が本発明の「第１外部電極」に相当し、グランド電極ＰＧ１１，ＰＧ１２が「第１グランド電極」に相当する。本発明の「第１外部電極」および「第１グランド電極」とは、他の基板の基板側電極に接合される電極を言う。

基材１０Ａは、複数の基材層１１，１２，１３，１４および保護層１をこの順に積層して形成されている。複数の基材層１１〜１４は、それぞれ可撓性を有し、長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の樹脂（熱可塑性樹脂）平板である。複数の基材層１１〜１４は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主材料とするシートである。保護層１は、例えばカバーレイフィルムやソルダーレジスト膜、またはエポキシ樹脂膜等である。

基材層１１の表面には、第１グランド導体４１が形成されている。第１グランド導体４１は、基材層１１の表面の略全面に形成される導体パターンである。第１グランド導体４１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

基材層１２の表面には、信号線３０Ａ、および複数の中間グランド導体５１が形成されている。信号線３０Ａは、伝送方向（Ｘ軸方向）に延伸する線状の導体パターンである。複数の中間グランド導体５１は、基材層１２の外周に沿って配置される矩形の導体パターンである。信号線３０Ａおよび中間グランド導体５１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

また、基材層１２には、複数の第１層間接続導体ＶＧ１１および複数の第２層間接続導体ＶＧ２１が形成されている。第１層間接続導体ＶＧ１１および第２層間接続導体ＶＧ２１は、例えば、基材層１２に形成した貫通孔に樹脂材料を含む導電性接合材（導電性ペースト）を充填し、加熱プレス処理によって導電性接合材を固化させることにより設けられるビア導体である。

基材層１３の表面には、複数の中間グランド導体５２が形成されている。複数の中間グランド導体５２は、基材層１３の外周に沿って配置される矩形の導体パターンである。中間グランド導体５２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

また、基材層１３には、複数の第１層間接続導体ＶＧ１２および複数の第２層間接続導体ＶＧ２２が形成されている。第１層間接続導体ＶＧ１２および第２層間接続導体ＶＧ２２は、例えば、樹脂材料を含む導電性接合材を加熱プレス処理によって固化させることにより設けられるビア導体である。

基材層１４の表面には、外部電極Ｐ１１，Ｐ１２および第２グランド導体４２が形成されている。外部電極Ｐ１１は、基材層１４の第１端（図２における基材層１４の左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。外部電極Ｐ１２は、基材層１４の第２端（図２における基材層１４の右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。第２グランド導体４２は、基材層１４の表面の略全面に形成される矩形の導体パターンである。外部電極Ｐ１１，Ｐ１２および第２グランド導体４２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

また、基材層１４には、複数の第１層間接続導体ＶＧ１３および複数の第２層間接続導体ＶＧ２３が形成されている。第１層間接続導体ＶＧ１３および第２層間接続導体ＶＧ２３は、例えば、樹脂材料を含む導電性接合材を加熱プレス処理によって固化させることにより設けられるビア導体である。

保護層１は、基材層１４の表面に形成される保護膜であり、平面形状が基材層１４と略同じである。保護層１は、矩形の開口ＡＰ１１，ＡＰ１２，ＡＧ１１，ＡＧ１２を有する。開口ＡＰ１１，ＡＧ１１は、保護層１の第１端（図２における保護層１の左端）付近に配置されており、開口ＡＰ１２，ＡＧ１２は、保護層１の第２端（図２における保護層１の右端）付近に配置されている。具体的には、開口ＡＰ１１は外部電極Ｐ１１の位置に応じた位置に形成され、開口ＡＰ１２は外部電極Ｐ１２の位置に応じた位置に形成されている。そのため、基材層１４の表面に保護層１が形成された場合でも、上記開口ＡＰ１１から外部電極Ｐ１１が外部に露出し、上記開口ＡＰ１２から外部電極Ｐ１２が外部に露出する。また、基材層１４の表面に保護層１が形成された場合に、上記開口ＡＧ１１，ＡＧ１２から第２グランド導体４２の一部が外部に露出する。本実施形態では、開口ＡＧ１１，ＡＧ１２からそれぞれ露出する第２グランド導体４２の一部が、グランド電極（ＰＧ１１，ＰＧ１２）に相当する。

図１（Ｂ）、図２および図４等に示すように、第１グランド導体４１および第２グランド導体４２は、中間グランド導体５１，５２と層間接続導体（第１層間接続導体ＶＧ１１〜ＶＧ１３または第２層間接続導体ＶＧ２１〜ＶＧ２３）とを介して、電気的に接続されている。

また、伝送路基板１０１の線路部ＳＬでは、信号線３０Ａ、第１グランド導体４１、第２グランド導体４２、信号線３０Ａと第１グランド導体４１とで挟まれる基材層１２、および信号線３０Ａと第２グランド導体４２とで挟まれる基材層１３，１４、を含んだストリップライン構造の伝送線路が構成されている。

図４等に示すように、伝送路基板１０１の接続部ＣＮ２では、信号線３０Ａおよび外部電極Ｐ１２が、層間接続導体を介さずに積層方向（Ｚ軸方向）に対向配置されている。図示省略するが、接続部ＣＮ１では、信号線３０Ａおよび外部電極Ｐ１１が、層間接続導体を介さずにＺ軸方向に対向配置されている。また、本実施形態に係る信号線３０Ａは、図１（Ｂ）、図３（Ｂ）および図４等に示すように、層間接続導体に接続されていない（導通していない）。

図２および図３（Ａ）等に示すように、線路部ＳＬに配置された複数の第１層間接続導体ＶＧ１１〜ＶＧ１３は、Ｚ軸方向から視て、信号線３０Ａに沿って信号線３０Ａを囲むように配置されている。なお、「複数の第１層間接続導体が信号線を囲むように配置される」とは、Ｚ軸方向から視たときに、少なくとも３つの第１層間接続導体をそれぞれ結ぶ線分でできた三角形内に、信号線の一部が重なっている状態を言う。

また、図２および図３（Ａ）等に示すように、接続部ＣＮ１，ＣＮ２に配置された複数の第２層間接続導体ＶＧ２１〜ＶＧ２３は、次のように配置されている。Ｚ軸方向から視て、信号線３０Ａと外部電極Ｐ１１とが対向する部分、および、信号線３０Ａと外部電極Ｐ１２とが対向する部分を、それぞれ対向部分とする。第２層間接続導体ＶＧ２１〜ＶＧ２３は、これらの対向部分を、それぞれに囲む。

なお、本発明において「複数の第２層間接続導体が対向部分を囲むように配置される」とは、次の（イ）〜（ハ）のいずれかの場合を言う。
（イ）第２層間接続導体が、Ｚ軸方向から視たときに、対向部分を基準として任意の直交３方向側にそれぞれ配置されている状態。例えば、図３（Ａ）に示すように、対向部分（信号線３０Ａの右端）よりも＋Ｘ方向側に少なくとも一つの第２層間接続導体（図３（Ａ）において、対向部分よりも右側に配置された３つの第２層間接続導体ＶＧ２１を参照）が配置され、対向部分よりも＋Ｙ方向側に少なくとも一つの第２層間接続導体（図３（Ａ）において、対向部分よりも上側に配置された３つの第２層間接続導体ＶＧ２１を参照）が配置され、対向部分よりも−Ｙ方向に少なくとも一つの第２層間接続導体（図３（Ａ）において、対向部分よりも下側に配置された３つの第２層間接続導体ＶＧ２１を参照）が配置されている状態。
（ロ）第２層間接続導体が、Ｚ軸方向から視たときに、対向部分上で交わる直交二線（任意の方向に延びる２つの直線）によって区切られた４つの象限のうち、少なくとも３つの象限にそれぞれ配置されている状態。
（ハ）対向部分の少なくとも一部が、Ｚ軸方向から視たときに、少なくとも３つの第２層間接続導体をそれぞれ結ぶ線分でできた三角形内に重なっている状態。
なお、上記（イ）の場合には、Ｚ軸方向から視たときに、対向部分を基準として任意の直交４方向側にそれぞれ第２層間接続導体が配置されていることが好ましい。また、上記（ロ）の場合には、Ｚ軸方向から視たときに、対向部分上で交わる直交二線（任意の方向に延びる２つの直線）によって区切られた４つの象限のうち、４つの象限全てに第２層間接続導体がそれぞれ配置されていることが好ましい。さらに、上記（ハ）の場合には、対向部分全体が、Ｚ軸方向から視たときに、少なくとも３つの第２層間接続導体をそれぞれ結ぶ線分でできた三角形内に重なっていることが好ましい。

また、接続部ＣＮ１，ＣＮ２に配置された複数の第２層間接続導体ＶＧ２１〜ＶＧ２３は、線路部ＳＬに配置された複数の第１層間接続導体ＶＧ１１〜ＶＧ１３よりも高密度に配置されている。より具体的には、図２および図３（Ａ）等に示すように、複数の第２層間接続導体（ＶＧ２１〜ＶＧ２３）の間隔Ｇ２は、複数の第１層間接続導体（ＶＧ１１〜ＶＧ１３）の間隔Ｇ１よりも狭い（Ｇ２＜Ｇ１）。なお、本実施形態では、複数の第１層間接続導体ＶＧ１１〜ＶＧ１３の間隔Ｇ１は、例えばλ／４（λ：伝送信号の波長）以下である（Ｇ１≦λ／４）。また、複数の第２層間接続導体ＶＧ２１〜ＶＧ２３の間隔Ｇ２は、例えばλ／１６以下である（Ｇ２≦λ／１６）。ここで、層間接続導体の間隔とは、間隔を示す対象とする２個の層間接続導体を最短経路で結んだ距離である。

このような構成により、接続部ＣＮ１，ＣＮ２のうち、複数の第２層間接続導体ＶＧ２１〜ＶＧ２３で囲まれた対向部分（信号線３０Ａと外部電極Ｐ１１，Ｐ１２とがＺ軸方向に対向する部分）は、Ｚ軸方向に延伸する導波路ＷＧとして機能する。すなわち、伝送路基板１０１では、接続部ＣＮ１，ＣＮ２において、ストリップライン構造の伝送線路から導波路ＷＧのモードに変換される。そのため、信号線３０Ａと外部電極Ｐ１１，Ｐ１２とが直接接続していなくても、ＴＥ波（Ｈ波）によって高周波信号が伝送される。

本実施形態に係る伝送路基板１０１は、例えば次の工程で製造される。

（１）まず、複数の基材層１１，１２，１３，１４を準備する。基材層１１〜１４は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等の熱可塑性樹脂を主材料とするシートである。

（２）その後、複数の基材層１１〜１４に、信号線３０Ａ、第１グランド導体４１、第２グランド導体４２、複数の中間グランド導体５１，５２および外部電極Ｐ１１，Ｐ１２を形成する。具体的には、基材層１１〜１４の表面に金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターニングする。これにより、基材層１１の表面に第１グランド導体４１を形成し、基材層１２の表面に信号線３０Ａおよび複数の中間グランド導体５１を形成し、基材層１３の表面に複数の中間グランド導体５２を形成し、基材層１４の表面に外部電極Ｐ１１，Ｐ１２および第２グランド導体４２を形成する。

（３）また、基材層１２〜１４には、複数の第１層間接続導体および複数の第２層間接続導体がそれぞれ形成される。これら層間接続導体は、複数の基材層１２〜１４にそれぞれ孔（貫通孔）を設けた後、その孔にＣｕ，Ｓｎもしくはそれらの合金等の金属粉と樹脂材料とを含む導電性接合材を配設（充填）し、後の加熱プレス処理によって導電性接合材を固化させることにより設けられる。

（４）次に、複数の基材層１１，１２，１３，１４の順に積層し、積層した複数の基材層１１〜１４を加熱プレス（一括プレス）することにより、積層体を形成する。

（５）その後、積層体の表面（基材層１４側の面）に保護層１を形成して伝送路基板１０１（基材１０Ａ）を得る。保護層１は、例えばカバーレイフィルムやソルダーレジスト膜、またはエポキシ樹脂膜等である。

上記製造方法によれば、熱可塑性樹脂を主材料とする複数の基材層１１〜１４を積層して加熱プレス（一括プレス）することによって、基材１０Ａを容易に形成できるため、製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。

また、上記製造方法によれば、基材層に設けた孔に導電性接合材（導電性ペースト）を配設し、加熱プレス（一括プレス）によって導電性接合材を固化させることができるため、層間接続導体を形成する工程が削減できる。

次に、複数の第２層間接続導体ＶＧ２１〜ＶＧ２３で囲まれた対向部分（信号線３０Ａと外部電極Ｐ１１，Ｐ１２とがＺ軸方向に対向する部分）が導波路ＷＧとして機能することによる利点について、比較例を挙げて説明する。図５は、比較例である伝送路基板１００の接続部ＣＮ２付近における断面図である。

比較例である伝送路基板１００は、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２および信号導体３１をさらに備える点で、伝送路基板１０１と異なる。伝送路基板１００の他の構成については、伝送路基板１０１と同じである。

伝送路基板１００の接続部ＣＮ２では、基材１０Ａの内部に形成された信号線３０Ａと、基材１０Ａの第１主面ＶＳ１に形成された外部電極Ｐ１２とが、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２および信号導体３１を介して、互いに接続されている。なお、図示省略するが、伝送路基板１００の接続部ＣＮ１も同様の構成である。

図５に示すように、信号線３０Ａと外部電極Ｐ１２とを、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２を介して互いに接続する場合には、基材１０Ａを形成する際（複数の基材層１１〜１４を積層する際）の位置ずれによって、信号線３０Ａおよび複数と層間接続導体Ｖ１，Ｖ２と外部電極Ｐ１２との位置関係にばらつきが生じることがある。そのため、信号線３０Ａと外部電極Ｐ１２との間（伝送経路のうち、伝送路基板の表面に引き出す部分）で反射損失が生じる虞がある。特に、本実施形態では、信号線３０Ａと外部電極Ｐ１２との間を接続する層間接続導体が２つ以上あるため、上記層間接続導体が１つの場合に比べて、反射損失が生じやすくなる。

一方、本実施形態では、接続部ＣＮ１，ＣＮ２において、信号線３０Ａと外部電極Ｐ１１，Ｐ１２との対向部分が、Ｚ軸方向に延伸する導波路ＷＧとして機能する。この構成により、信号線３０Ａと外部電極Ｐ１１，Ｐ１２とを直接接続することなく（層間接続導体を介することなく）、信号線３０Ａおよび外部電極Ｐ１１，Ｐ１２間に信号を伝送できる。そのため、基材１０Ａを形成する際の位置ずれに伴って生じる反射損失を低減することができる。

伝送路基板１０１は例えば次のように用いられる。図６は、第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部を示す斜視図である。図７は、図６におけるＣ−Ｃ断面図である。

電子機器３０１は、伝送路基板１０１、回路基板２０１および部品８１，８２，８３等を備える。なお、電子機器３０１は上記以外の構成も備えるが、図６では図示省略している。回路基板２０１は、例えばガラス／エポキシ基板である。部品８１〜８３は、例えばチップ型インダクタやチップ型キャパシタ等のチップ部品、ＲＦＩＣ素子またはインピーダンス整合回路等である。

回路基板２０１は、本発明における「他の基板」の一例である。

回路基板２０１は主面ＰＳ１を有する。図７に示すように、回路基板２０１の主面ＰＳ１には、基板側電極ＥＰ１１，ＥＰ１２および基板側グランド電極ＥＧ１１，ＥＧ１２等が形成されている。

伝送路基板１０１は、導電性接合材を介して回路基板２０１に実装される。具体的には、伝送路基板１０１の外部電極Ｐ１１，Ｐ１２が、はんだ等の導電性接合材５を介して、回路基板２０１の基板側電極ＥＰ１１，ＥＰ１２にそれぞれ接合される。また、伝送路基板１０１のグランド電極（ＰＧ１１，ＰＧ１２）は、導電性接合材５を介して、回路基板２０１の基板側グランド電極ＥＧ１１，ＥＧ１２にそれぞれ接合される。なお、部品８１〜８３も導電性接合材を介して回路基板２０１に接合されるが、図示省略している。

このように、伝送路基板１０１は、第１主面ＶＳ１が回路基板２０１の主面ＰＳ１に対向した状態で、回路基板２０１に実装される。

また、伝送路基板１０１は次のように用いられてもよい。図８は、第１の実施形態に係る別の電子機器３０２の主要部を示す断面図である。

電子機器３０２は、伝送路基板１０１、回路基板２０１，２０２等を備える。回路基板２０２は主面ＰＳ２を有する。図８に示すように、回路基板２０１の主面ＰＳ１と回路基板２０２の主面ＰＳ２とは、Ｚ軸方向における高さが互いに異なる。回路基板２０１，２０２は、本発明における「他の基板」の一例である。

回路基板２０１の主面ＰＳ１には、基板側電極ＥＰ１１および基板側グランド電極ＥＧ１１が形成されている。回路基板２０２は主面ＰＳ２を有する。回路基板２０２の主面ＰＳ２には、基板側電極ＥＰ１２，ＥＧ１２が形成されている。

図８に示すように、伝送路基板１０１は、線路部ＳＬが曲げられた状態で、回路基板２０１，２０２にそれぞれ実装される。具体的には、伝送路基板１０１の外部電極Ｐ１１およびグランド電極（ＰＧ１１）は、導電性接合材５を介して、回路基板２０１の基板側電極ＥＰ１１および基板側グランド電極ＥＧ１１にそれぞれ接合される。また、伝送路基板１０１の外部電極Ｐ１２およびグランド電極（ＰＧ１２）は、導電性接合材５を介して、回路基板２０２の基板側電極ＥＰ１２および基板側グランド電極ＥＧ１２にそれぞれ接合される。

このように、電子機器３０２の伝送路基板１０１は線路部ＳＬが曲げられているため、Ｚ軸方向における高さ互いに異なる主面ＰＳ１，ＰＳ２を有した回路基板２０１，２０２への実装が容易となる。

本実施形態に係る伝送路基板１０１および電子機器３０１によれば、上述した効果以外に、次のような効果を奏する。

（ａ）本実施形態では、信号線３０Ａに層間接続導体が接続されていない（導通していない）。この構成によれば、基材１０Ａを形成する際（複数の基材層１１〜１４を積層する際）における、複数の基材層１１〜１４の位置ずれに起因した反射損失を効果的に抑制できる。また、この構成により、上記層間接続導体を介して信号線３０Ａと外部電極Ｐ１１，Ｐ１２と接続する場合に比べて、外部電極Ｐ１１，Ｐ１２（伝送経路）間の導体損失を抑えることができる。

なお、本実施形態に係る伝送路基板１０１では、信号線３０Ａが層間接続導体に接続されていない例を示したが、この構成に限定されるものではない。接続部ＣＮ１，ＣＮ２において、信号線３０Ａと外部電極Ｐ１１，Ｐ１２との間の少なくとも一部に、Ｚ軸方向に延伸する導波路ＷＧが形成されていれば、信号線３０Ａが層間接続導体に接続（導通）されていてもよい。但し、複数の基材層の位置ずれに伴って生じる反射損失を抑制するという点において、信号線３０Ａは層間接続導体に接続（導通）していないことが好ましい。

（ｂ）本実施形態では、線路部ＳＬに配置された複数の第１層間接続導体ＶＧ１１〜ＶＧ１３が、Ｚ軸方向から視て、信号線３０Ａに沿って信号線３０Ａを囲むように配置されている。この構成により、線路部ＳＬの側面からのＹ軸方向への不要輻射を抑制できる。

（ｃ）また、本実施形態では、接続部ＣＮ１，ＣＮ２に配置された複数の第２層間接続導体ＶＧ２１〜ＶＧ２３が、線路部ＳＬに配置された複数の第１層間接続導体ＶＧ１１〜ＶＧ１３よりも高密度に配置されている。この構成により、接続部ＣＮ１，ＣＮ２における信号線３０Ａと外部電極Ｐ１１，Ｐ１２との対向部分に対する外部からのノイズの影響を抑制できる。また、この構成により、接続部ＣＮ１，ＣＮ２の機械的強度および外力に対する耐久性を相対的に高めることができる。そのため、伝送路基板１０１を回路基板２０１に実装する際の接続部ＣＮ１，ＣＮ２の変形等が抑制され、回路基板２０１に対する伝送路基板１０１の実装不良や、伝送路基板１０１に対する他の部材の実装不良が抑制される。さらに、この構成によれば、線路部ＳＬに配置される第１層間接続導体ＶＧ１１〜ＶＧ１３の密度が低いため、基材１０Ａが可撓性を有する材料からなる場合に、線路部ＳＬの可撓性を高めることができ、線路部ＳＬを曲げやすくできる（図８における伝送路基板１０１を参照）。また、この構成によれば、線路部ＳＬに配置される第１層間接続導体ＶＧ１１〜ＶＧ１３を高密度にした場合と比べて、伝送路基板１０１全体の層間接続導体の数を減らせるため、基材層に形成する孔の点数、およびその孔に導電性接合材を充填する点数が削減できる。そのため、層間接続導体を形成する工程に要する時間を短縮できる。

なお、本実施形態に係る伝送路基板１０１のように、複数の第２層間接続導体ＶＧ２１〜ＶＧ２３の間隔は、接続部ＣＮ１，ＣＮ２に対する外部からのノイズの影響を抑制する点、または接続部ＣＮ１，ＣＮ２からの不要輻射を抑制する点から、λ／１６以下であることが好ましい。

また、グランドである複数の第２層間接続導体ＶＧ２１〜ＶＧ２３を狭い間隔で接続部ＣＮ１，ＣＮ２に配置した場合でも、複数の第２層間接続導体ＶＧ２１〜ＶＧ２３の間隔から外部ノイズは伝搬（入り込む）ことがある。一方、伝送路基板１０１の接続部ＣＮ１，ＣＮ２の対向部分では、導波路ＷＧのモードに変換され、この導波路ＷＧ部分がハイパスフィルタとして機能する。そのため、低周波ノイズ（カットオフ周波数以下のノイズ）の影響は受け難い。

（ｄ）また、本実施形態では、接続部ＣＮ１に配置された複数のグランド電極ＰＧ１１（第１グランド電極）が、Ｚ軸方向から視て、外部電極Ｐ１１（第１外部電極）を囲む位置に配置されている。また、接続部ＣＮ２に配置された複数のグランド電極ＰＧ１２（第１グランド電極）は、Ｚ軸方向から視て、外部電極Ｐ１２（第１外部電極）を囲む位置に配置されている。この構成によれば、伝送路基板１０１の接続部ＣＮ１，ＣＮ２を回路基板２０１等に高い位置精度で実装できる。具体的には、リフロープロセス時に生じる複数のグランド電極と他の基板等の基板側電極とのセルフアライメント作用によって、接続部ＣＮ１，ＣＮ２の実装位置が補正される。これにより、位置ずれに伴う外部電極Ｐ１１，Ｐ１２と基板側電極ＥＰ１１，ＥＰ１２との間の接合不良が抑制される。

また、この構成によれば、複数のグランド電極ＰＧ１１が外部電極Ｐ１１を囲むように配置されているため、導電性接合材５を介した外部電極Ｐ１１と基板側電極ＥＰ１１との接合箇所からの不要輻射が抑制される。また、この構成によれば、基材１０Ａが曲がった場合等に生じる曲げ応力による外部電極Ｐ１１と基板側電極ＥＰ１１との接合箇所の破損が抑制される。このことは、外部電極Ｐ１２と基板側電極ＥＰ１２との接合箇所も同様である。

なお、本発明における「接続部」とは、伝送路基板の外部電極などを、別基板（回路基板や他の伝送路基板等）に接合する部分であって、別基板へ信号を伝送する部分を言う。本発明の「線路部」とは、多数の第２層間接続導体を配置する必要があるため、例えば、幅が他の部分よりも太い部分（第３の実施形態を参照）を言う。また、Ｚ軸方向から視たときに、導波路ＷＧとして機能する部分、および複数の層間接続導体が他の部分よりも狭い間隔で配置された部分を含んだ領域全体を、本発明の「線路部」と定義してもよい。

なお、本発明の伝送路基板において、複数の層間接続導体（第１層間接続導体）は線路部ＳＬに配置されていなくてもよい。複数の第１層間接続導体が線路部ＳＬに配置されていない場合には、線路部ＳＬを曲げやすくできる。一方、伝送路基板１０１のように、複数の第１層間接続導体を線路部ＳＬに配置することにより、線路部ＳＬに近接配置される部品等との結合を抑制できる。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、第１の実施形態とは、信号線の形状および中間グランドの形状が異なる伝送路基板の例を示す。

図９は、第２の実施形態に係る伝送路基板１０２の外観斜視図である。図１０は、伝送路基板１０２の分解平面図である。図１１は、伝送路基板１０２の接続部ＣＮ２付近における基材層１２の拡大平面図である。図１０および図１１では、構造を分かりやすくするため、信号線３０Ｂをドットパターンで示している。

伝送路基板１０２は、基材１０Ｂを備える点で、第１の実施形態に係る伝送路基板１０１と異なる。また、伝送路基板１０２は、Ｚ軸方向から視て、接続部ＣＮ１，ＣＮ２の略全面に亘って形成された中間グランド導体５１Ａ，５１Ｂを備える点で、伝送路基板１０１と異なる。伝送路基板１０２の他の構成については、伝送路基板１０１と実質的に同じである。

以下、第１の実施形態に係る伝送路基板１０１と異なる部分について説明する。

基材１０Ｂは、複数の基材層１１，１２，１３および保護層１をこの順に積層して形成されている。基材層１１〜１３および保護層１は、第１の実施形態で説明したものと同じである。

基材層１１の表面には、第１グランド導体４１が形成されている。第１グランド導体４１は、第１の実施形態で説明したものと同じである。

基材層１２の表面には、信号線３０Ｂ、中間グランド導体５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃが形成されている。信号線３０Ｂは、伝送方向（Ｘ軸方向）に延伸する線状の導体パターンである。信号線３０Ｂは、第１端（図１０における信号線３０Ｂの左端）付近に、他の部分よりも線幅（Ｙ軸方向の幅）が広い幅広部を有する。また、信号線３０Ｂは、第２端（図１０および図１１における信号線３０Ｂの右端）付近に、幅広部を有する。後に詳述するように、これらの幅広部は、外部電極（Ｐ１１，Ｐ１２）とＺ軸方向に対向する対向部分である。

中間グランド導体５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃは、Ｚ軸方向から視て、それぞれ信号線３０Ｂを囲むように配置された矩形の導体パターンである。中間グランド導体５１Ａは、基材層１２の第１端の略全面に亘って形成されており、中間グランド導体５１Ｂは、基材層１２の第２端の略全面に亘って形成されている。中間グランド導体５１Ｃは、基材層１２の長手方向の中央付近に配置され、信号線３０Ｂに沿って配置されている。

また、基材層１２には、複数の第１層間接続導体ＶＧ１１および複数の第２層間接続導体ＶＧ２１が形成されている。

基材層１３の表面には、外部電極Ｐ１１，Ｐ１２および第２グランド導体４２が形成されている。外部電極Ｐ１１，Ｐ１２および第２グランド導体４２は、第１の実施形態で説明したものと同じである。また、基材層１３には、複数の第１層間接続導体ＶＧ１２および複数の第２層間接続導体ＶＧ２２が形成されている。

複数の第２層間接続導体ＶＧ２１，ＶＧ２２は、対向部分（信号線３０Ｂの幅広部と外部電極Ｐ１１，Ｐ１２とが対向する部分）を囲むように配置された一連の層間接続導体である。ここにいう「一連」とは、Ｚ軸方向から視て、対向部分の外形に沿って対向部分を囲むように一列に配列された状態を言う。

本実施形態では、これら一連の第２層間接続導体ＶＧ２１，ＶＧ２２の直径Ｄ２の合計値（ＴＤ２）は、一連の第２層間接続導体ＶＧ２１，ＶＧ２２の間隔Ｇ２の合計値（ＴＧ２）よりも大きい（ＴＤ２＞ＴＧ２）。この直径Ｄ２が、本発明の「一連の第２層間接続導体を結ぶ線分が第２層間接続導体を横断する長さ」に対応し、間隔Ｇ２が、「一連の第２層間接続導体を結ぶ線分上の第２層間接続導体の間隔」に対応する。

なお、この概念は、次に示すような構成でも適用できる。図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）は、層間接続導体とその間隔との関係を示す図である。

図１２（Ａ）では、第２層間接続導体ＶＧ２１の平面視形状が、円形であり、第２層間接続導体ＶＧ２１の配列が、屈曲する直線の場合である。この場合、対向部分を囲む一連の第２層間接続導体ＶＧ２１のそれぞれの中心を最短で結ぶ線分ＬＹが、第２層間接続導体ＶＧ２１を横切る長さが、直径Ｄ２になる。また、この線分ＬＹ上の隣り合う第２層間接続導体ＶＧ２１間の距離が、間隔Ｇ２になる。

図１２（Ｂ）では、第２層間接続導体ＶＧ２１の平面視形状が、矩形であり、第２層間接続導体ＶＧ２１の配列が、円形の場合である。この場合、対向部分を囲む一連の第２層間接続導体ＶＧ２１のそれぞれの中心を通る円形（円弧）の線分ＬＹｒが、第２層間接続導体ＶＧ２１を横切る長さが、横断距離Ｄ２ｒになる。この横断距離Ｄ２ｒが、本発明の「一連の第２層間接続導体を結ぶ線分が第２層間接続導体を横断する長さ」に対応する。また、この線分ＬＹｒ上の隣り合う第２層間接続導体ＶＧ２１間の距離が、間隔Ｇ２ｒになる。この間隔Ｇ２ｒが、「一連の第２層間接続導体を結ぶ線分上の第２層間接続導体の間隔」に対応する。この場合は、横断距離Ｄ２ｒの合計値が間隔Ｇ２ｒの合計値よりも大きくなればよい。

また、上述の概念は、第２層間接続導体ＶＧ２１の形状が均一でなくても、間隔が均一でなくても適用できる。また、上述のそれぞれの場合において、層間接続導体の形状は、円形に限らず、楕円形、矩形等であってもよい。それぞれ個別に定義を行う場合、楕円形であれば、円形における直径に対応するのは、長径であり、矩形であれば、円形における直径の対応するのは、対角線の長さである。一方、上述の一連の第２層間接続導体に対する定義の場合は、層間接続導体の形状によることなく、この一連の線分が第２層間接続導体を横断する長さによって上述の関係は規定される。

また、本実施形態では、信号線３０Ｂの幅広部（幅広部の中心ＴＣ）が、信号線３０Ｂの第２端（図１１における信号線３０Ｂの右端）から離れた位置（例えば、信号線３０Ｂの伝送方向における端部からλ／４離れた位置）に形成されている。

本実施形態によれば、第１の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

（ａ）本実施形態では、一連の第２層間接続導体ＶＧ２１，ＶＧ２２の直径Ｄ２の合計値（ＴＤ２）が、一連の第２層間接続導体ＶＧ２１，ＶＧ２２の間隔Ｇ２の合計値（ＴＧ２）よりも大きい（ＴＤ２＞ＴＧ２）。この構成によれば、接続部ＣＮ１，ＣＮ２における信号線３０Ｂと外部電極との対向部分が、高密度に配置された複数の第２層間接続導体ＶＧ２１，ＶＧ２２（グランド）によって囲まれるため、上記対向部分に対する外部からのノイズの影響をさらに抑制できる。また、この構成により、接続部ＣＮ１，ＣＮ２からの不要輻射をさらに抑制できる。

（ｂ）さらに、本実施形態では、幅広部が、信号線３０Ｂの伝送方向における端部（図１１における信号線３０Ｂの左端および右端）から離れた位置に形成されている。このような構成にすることで、伝送線路から導波路ＷＧにモード変換しやすい。

次に、第２の実施形態に係る伝送路基板１０２の変形例について説明する。図１３は、第２の実施形態の変形例である伝送路基板１０２Ａの接続部ＣＮ２付近における、基材層１２の拡大平面図である。

図１３に示すように、伝送路基板１０２Ａでは、複数の第２層間接続導体ＶＧ２１，ＶＧ２２が、Ｚ軸方向から視て、隙間を埋めるように千鳥状に配置されている。図示省略するが、伝送路基板１０２Ａの接続部ＣＮ１に配置される複数の第２層間接続導体ＶＧ２１，ＶＧ２２も同様の構成である。この構成により、接続部ＣＮ１，ＣＮ２に配置された複数の第２層間接続導体ＶＧ２１，ＶＧ２２が千鳥状に配置されていない場合（伝送路基板１０２を参照）に比べて、複数の第２層間接続導体ＶＧ２１，ＶＧ２２による接続部ＣＮ１，ＣＮ２のシールド性がさらに高まり、結果的に伝送損失がさらに抑制される。

なお、千鳥状の配置とは、例えば、図１４（Ａ）、図１４（Ｂ）、図１４（Ｃ）のような第２層間接続導体の配置によって定義される。図１４（Ａ）、図１４（Ｂ）、図１４（Ｃ）は、千鳥状の配置の定義を説明するための図である。図１４（Ａ）、図１４（Ｂ）、図１４（Ｃ）に示すように、隣り合う第２層間接続導体ＶＧ２１の配列方向に沿った最短距離となる間隔Ｇ２の線分に対して、それぞれの第２層間接続導体ＶＧ２１の接線ＴＬを定義する。間隔Ｇ２を表す方向に沿って、これら接線ＴＬに挟まれる領域ＺＮｃを定義する。この領域ＺＮｃを定義する２個の第２層間接続導体ＶＧ２１と異なる別の第２層間接続導体ＶＧ２１が、領域ＺＮｃに少なくとも係るように配置される状態を、千鳥状の配置とする。

例えば、図１４（Ａ）では、対象の第２層間接続導体ＶＧ２１は、領域ＺＮｃを跨いで配置される。図１４（Ｂ）では、対象の第２層間接続導体ＶＧ２１は、領域ＺＮｃに部分的に係るように配置される。図１４（Ｃ）では、対象の第２層間接続導体ＶＧ２１は、全体が領域ＺＮｃ内に含まれる。

図１４（Ａ）の構成とすることで、側面視して、隣り合う２つの第２層間接続導体の間隔を塞ぐことができる。また、図１４（Ｃ）の構成とすることで、第２層間接続導体が形成される全体の面積を小さくしながら、側面視して、隣り合う２つの第２層間接続導体の間隔の少なくとも一部を塞ぐことができる。また、図１４（Ｂ）の構成では、側面視して、隣り合う２つの第２層間接続導体の間隔の少なくとも一部を塞ぐことができる。

さらに、複数の第２層間接続導体ＶＧ２１，ＶＧ２２を千鳥状に配置した伝送路基板１０２Ａの接続部ＣＮ１，ＣＮ２では、伝送路基板１０２の接続部ＣＮ１，ＣＮ２よりも、複数の第２層間接続導体ＶＧ２１，ＶＧ２２をさらに高密度に配置できる。これにより、接続部ＣＮ１，ＣＮ２の機械的強度がさらに高まって、接続部ＣＮ１，ＣＮ２の変形がさらに抑制される。また、これにより、接続部ＣＮ１，ＣＮ２のシールド性がさらに高まる。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、複数の伝送路基板を互いに接合して一つの伝送路基板を形成する例を示す。

図１５は、第３の実施形態に係る電子機器３０３の主要部を示す斜視図である。図１６は、図１５におけるＤ−Ｄ断面図である。

電子機器３０３は、複数の伝送路基板１０１Ａ，１０３Ａ，１０３Ｂを備える点で、第１の実施形態で説明した電子機器３０１と異なる。電子機器３０３の他の構成については、電子機器３０１と実質的に同じである。

図１５に示すように、伝送路基板１０１Ａ，１０３Ａ，１０３Ｂおよび部品８１〜８３は、導電性接合材を介して回路基板２０１に実装される。伝送路基板１０１Ａ，１０３Ａ，１０３Ｂは、導電性接合材を介して接合され、一つの伝送路基板を形成している。

本実施形態では、伝送路基板１０１Ａが本発明の「第１伝送路基板」の一例であり、伝送路基板１０３Ａ，１０３Ｂが本発明の「第２伝送路基板」の一例である。

次に、各伝送路基板の具体的な構成について説明する。図１７（Ａ）は第３の実施形態に係る伝送路基板１０１Ａの外観斜視図であり、図１７（Ｂ）は伝送路基板１０１Ａを別の視点から視た外観斜視図である。伝送路基板１０１Ａは、線路部ＳＬおよび接続部ＣＮ１，ＣＮ２を有する。伝送路基板１０１Ａの接続部ＣＮ１、線路部ＳＬおよび接続部ＣＮ２は＋Ｙ方向にこの順に配置されている。伝送路基板１０１Ａは、長手方向がＹ軸方向に一致する基材１０Ｃを備える点で、第１の実施形態に係る伝送路基板１０１と異なる。伝送路基板１０１Ａの他の構成については、伝送路基板１０１と同じである。

本実施形態では、伝送路基板１０１Ａの外部電極Ｐ１１，Ｐ１２が本発明の「第２外部電極」に相当し、伝送路基板１０１Ａのグランド電極ＰＧ１１，ＰＧ１２が「第２グランド電極」に相当する。なお、「第２外部電極」とは、他の伝送路基板の外部電極に接合される電極を言い、「第２グランド電極」とは、他の伝送路基板のグランド電極に接合される電極を言う。

次に、各伝送路基板１０３Ａの具体的な構成について説明する。図１８（Ａ）は第３の実施形態に係る伝送路基板１０３Ａの外観斜視図であり、図１８（Ｂ）は伝送路基板１０３Ａを別の視点から視た外観斜視図である。図１９は、伝送路基板１０３Ａの分解平面図である。図２０は、図１８（Ａ）におけるＥ−Ｅ断面図である。図２１（Ａ）は図１８（Ａ）におけるＦ−Ｆ断面図であり、図２１（Ｂ）は図１８（Ａ）におけるＧ−Ｇ断面図である。

伝送路基板１０３Ａは、線路部ＳＬ１および接続部ＣＮ１１，ＣＮ２１を有する。伝送路基板１０３Ａの接続部ＣＮ１１、線路部ＳＬ１および接続部ＣＮ１２は＋Ｘ方向にこの順に配置されている。伝送路基板１０３Ａは、基材１０Ｄ、外部電極Ｐ１１Ａ、外部電極Ｐ２２Ａ、複数のグランド電極ＰＧ１０Ａ，ＰＧ１１Ａ，ＰＧ１２Ａ，ＰＧ２２Ａ等を備える点で、第１の実施形態に係る伝送路基板１０１と異なる。

本実施形態では、伝送路基板１０３Ａの外部電極Ｐ１１Ａが本発明の「第１外部電極」に相当し、グランド電極ＰＧ１０Ａ，ＰＧ１１Ａ，ＰＧ１２Ａが「第１グランド電極」に相当する。また、伝送路基板１０３Ａの外部電極Ｐ２２Ａが本発明の「第２外部電極」に相当し、グランド電極ＰＧ２２Ａが「第２グランド電極」に相当する。

基材１０Ｄは、長手方向がＸ軸方向に一致する略矩形の平板であり、互いに対向する第１主面ＶＳ１１および第２主面ＶＳ２１を有する。外部電極Ｐ１１Ａおよび複数のグランド電極ＰＧ１２Ａは、接続部ＣＮ２１の第１主面ＶＳ１１に形成されており、複数のグランド電極ＰＧ１２Ａは、接続部ＣＮ２１の第１主面ＶＳ１１に形成されている。複数のグランド電極ＰＧ１０Ａは、線路部ＳＬの第１主面ＶＳ１１に形成されている。また、外部電極Ｐ２２Ａおよび複数のグランド電極ＰＧ２２Ａは、接続部ＣＮ２１の第２主面ＶＳ２１に形成されている。

基材１０Ｄは、保護層２ｄ、複数の基材層１１ｄ，１２ｄ，１３ｄおよび保護層１ｄをこの順に積層して形成されている。複数の基材層１１ｄ〜１３ｄは、長手方向がＸ軸方向に一致する略矩形の樹脂平板である。具体的には、複数の基材層１１ｄ〜１３ｄは、長手方向の両端（図１９における基材層１１ｄ〜１３ｄの左端および右端）の幅（Ｙ軸方向の幅）が他の部分よりも広い。複数の基材層１１ｄ〜１３ｄの主材料は、第１の実施形態で説明した基材層１１〜１４と同じである。

基材層１１ｄの裏面には、外部電極Ｐ２２Ａおよび第１グランド導体４１が形成されている。外部電極Ｐ２２Ａは、基材層１１ｄの第２端（図１９における基材層１１ｄの右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。第１グランド導体４１は、基材層１１ｄの裏面の略全面に形成される導体パターンである。また、基材層１１ｄには、複数の第１層間接続導体ＶＧ１１および複数の第２層間接続導体ＶＧ２１が形成されている。第１層間接続導体ＶＧ１１および第２層間接続導体ＶＧ２１の構成については、第１の実施形態で説明したものと同じである。

基材層１２ｄの表面には、信号線３０Ａ、および複数の中間グランド導体５１が形成されている。信号線３０Ａおよび中間グランド導体５１の構成については、第１の実施形態で説明したものと同じである。また、基材層１２ｄには、複数の第１層間接続導体ＶＧ１２および複数の第２層間接続導体ＶＧ２１が形成されている。第１層間接続導体ＶＧ１２および第２層間接続導体ＶＧ２２の構成については、第１の実施形態で説明したものと同じである。

基材層１３ｄの表面には、外部電極Ｐ１１Ａおよび第２グランド導体４２が形成されている。外部電極Ｐ１１Ａは、基材層１３ｄの第１端（図１９における基材層１３ｄの左端）付近に配置された矩形の導体パターンである。第２グランド導体４２は、基材層１３ｄの表面の略全面に形成された導体パターンである。また、基材層１３ｄには、複数の第１層間接続導体ＶＧ１３および複数の第２層間接続導体ＶＧ２３が形成されている。第１層間接続導体ＶＧ１３および第２層間接続導体ＶＧ２３の構成については、第１の実施形態で説明したものと同じである。

保護層１ｄは、基材層１３ｄの表面に形成される保護膜であり、平面形状が基材層１３ｄと略同じである。保護層１ｄは、矩形の開口ＡＰ１１Ａ，ＡＧ１０Ａ，ＡＧ１１Ａ，ＡＧ１２Ａを有する。開口ＡＰ１１Ａ，ＡＧ１１Ａは、保護層１ｄの第１端（図１９における保護層１ｄの左端）付近に配置されており、開口ＡＧ１２Ａは、保護層１ｄの第２端（図１９における保護層１ｄの右端）付近に配置されており、開口ＡＧ１０Ａは、保護層１ｄの長手方向の中央付近に配置されている。具体的には、開口ＡＰ１１Ａは外部電極Ｐ１１Ａの位置に応じた位置に形成されている。そのため、基材層１３ｄの表面に保護層１ｄが形成された場合でも、上記開口ＡＰ１１Ａから外部電極Ｐ１１Ａが外部に露出する。また、基材層１３ｄの表面に保護層１ｄが形成された場合に、上記開口ＡＧ１０Ａ，ＡＧ１１Ａ，ＡＧ１２Ａから第２グランド導体４２の一部が外部に露出する。本実施形態では、開口ＡＧ１１Ａ，ＡＧ１２Ａからそれぞれ露出するグランド導体の一部が、グランド電極（ＰＧ１０Ａ，ＰＧ１１Ａ，ＰＧ１２Ａ）に相当する。

保護層２ｄは、基材層１１ｄの裏面に形成される保護膜であり、平面形状が基材層１１ｄと略同じである。保護層２ｄは、矩形の開口ＡＰ２２Ａ，ＡＧ２２Ａを有する。開口ＡＰ２２Ａ，ＡＧ２２Ａは、保護層２ｄの第２端（図１９における保護層２ｄの右端）付近に配置されている。具体的には、開口ＡＰ２２Ａは外部電極Ｐ２２Ａの位置に応じた位置に形成されている。そのため、基材層１１ｄの裏面に保護層２ｄが形成された場合でも、上記開口ＡＰ２２Ａから外部電極Ｐ２２Ａが外部に露出する。また、基材層１１ｄの裏面に保護層２ｄが形成された場合に、上記開口ＡＧ２２Ａから第１グランド導体４１の一部が外部に露出する。本実施形態では、開口ＡＧ２２Ａから露出する第２グランド導体４２の一部が、グランド電極（ＰＧ２２Ａ）に相当する。

図１９、図２０、図２１（Ａ）および図２１（Ｂ）等に示すように、第１グランド導体４１および第２グランド導体４２は、中間グランド導体５１，５２と層間接続導体（第１層間接続導体ＶＧ１１〜ＶＧ１３または第２層間接続導体ＶＧ２１〜ＶＧ２３）とを介して、電気的に接続されている。

また、伝送路基板１０３Ａの線路部ＳＬ１では、信号線３０Ａ、第１グランド導体４１、第２グランド導体４２、信号線３０Ａと第１グランド導体４１とで挟まれる基材層１１ｄ，１２ｄ、および信号線３０Ａと第２グランド導体４２とで挟まれる基材層１３ｄ、を含んだストリップライン構造の伝送線路が構成されている。

図２１（Ａ）等に示すように、伝送路基板１０３Ａの接続部ＣＮ１１では、信号線３０Ａおよび外部電極Ｐ１１Ａが、層間接続導体を介さずに、積層方向（Ｚ軸方向）に対向配置されている。また、図２１（Ｂ）等に示すように、接続部ＣＮ２１では、信号線３０Ａおよび外部電極Ｐ２２Ａが、層間接続導体を介さずに、Ｚ軸方向に対向配置されている。

次に、各伝送路基板１０３Ｂの具体的な構成について説明する。図２２（Ａ）は第３の実施形態に係る伝送路基板１０３Ｂの外観斜視図であり、図２２（Ｂ）は伝送路基板１０３Ｂを別の視点から視た外観斜視図である。図２２（Ａ）および図２２（Ｂ）に示すように、伝送路基板１０３Ｂは、線路部ＳＬ２および接続部ＣＮ１２，ＣＮ２２を有する。伝送路基板１０３Ａの接続部ＣＮ１２、線路部ＳＬ２および接続部ＣＮ１２は＋Ｘ方向にこの順に配置されている。伝送路基板１０３Ｂは、平面方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）に延伸するＬ字形の基材１０Ｅを備える点で、伝送路基板１０３Ａと異なっている。その他の伝送路基板１０３Ｂの基本的な構造は、伝送路基板１０３Ａと同じであるため、説明を省略する。

本実施形態では、伝送路基板１０３Ｂの外部電極Ｐ１１Ｂが本発明の「第１外部電極」に相当し、グランド電極ＰＧ１０Ｂ，ＰＧ１１Ｂ，ＰＧ１２Ｂが本発明の「第１グランド電極」に相当する。また、伝送路基板１０３Ｂの外部電極Ｐ２２Ｂが本発明の「第２外部電極」に相当し、グランド電極ＰＧ２２Ｂが「第２グランド電極」に相当する。

図１５および図１６に示すように、伝送路基板１０３Ａ，１０３Ｂは、それぞれ第１主面ＶＳ１１，ＶＳ１２が回路基板２０１の主面ＰＳ１に対向した状態で、回路基板２０１に実装されている。また、伝送路基板１０１Ａの接続部ＣＮ１の第１主面ＶＳ１は、伝送路基板１０３Ａの接続部ＣＮ２１の第２主面ＶＳ２１に接合されており、伝送路基板１０１Ａの接続部ＣＮ２の第１主面ＶＳ１は、伝送路基板１０３Ｂの接続部ＣＮ２２の第２主面ＶＳ２２に接合されている。

回路基板２０１の主面ＰＳ１には、基板側電極ＥＰ３１および基板側グランド電極ＥＧ１２Ａ，ＥＧ１２Ｂ等が形成されている。伝送路基板１０３Ａの第１グランド電極（図１８（Ａ）におけるグランド電極ＰＧ１２Ａ）は、導電性接合材を介して、回路基板２０１の基板側グランド電極ＥＧ１２Ａに接合されている。伝送路基板１０３Ｂの第１グランド電極（図２２（Ａ）におけるグランド電極ＰＧ１２Ｂ）は、導電性接合材を介して、回路基板２０１の基板側グランド電極ＥＧ１２Ｂに接合されている。図示省略するが、伝送路基板１０３Ａ，１０３Ｂの外部電極（Ｐ１１Ａ，Ｐ１１Ｂ）も、導電性接合材を介して、回路基板２０１の基板側電極に接合されている。さらに、部品８３は、導電性接合材を介して、回路基板２０１の基板側電極ＥＰ３１に接合されている。図示省略するが、部品８１，８２も導電性接合材を介して回路基板２０１に接合されている。

さらに、伝送路基板１０１Ａ，１０３Ａの第２外部電極（外部電極Ｐ１１，Ｐ２２Ａ）同士は、導電性接合材を介して接合されており、伝送路基板１０１Ａ，１０３Ｂの第２外部電極（外部電極Ｐ１２，Ｐ２２Ｂ）同士は、導電性接合材を介して接合されている。

このように、複数の伝送路基板１０１Ａ，１０３Ａ，１０３Ｂは、第２外部電極同士が導電性接合材を介して接合されて、平面方向に曲げ部を有する一つの伝送路基板を形成している。図１６等に示すように、伝送路基板１０１Ａの信号線３０Ａおよび第２外部電極（外部電極Ｐ１１，Ｐ１２）は、層間接続導体を介さずに、Ｚ軸方向に対向配置されている。また、伝送路基板１０３Ａの信号線３０Ａおよび第２外部電極（外部電極Ｐ２２Ａ）は、層間接続導体を介さずに、Ｚ軸方向に対向配置されている。さらに、伝送路基板１０３Ｂの信号線３０Ａおよび第２外部電極（外部電極Ｐ２２Ｂ）は、層間接続導体を介さずに、Ｚ軸方向に対向配置されている。

本実施形態によれば、第１の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

（ａ）ケーブルや表面実装部品である伝送路基板は、マザー基板状態で製造した後に複数の個片に分離する工法が一般的である。しかし、平面方向に曲げ部を有するような形状の部材をマザー基板から分離する場合には、マザー基板から得られる部材の個数が少なくなるなど、取り個数への影響が大きい。一方、本実施形態では、複数の伝送路基板１０１Ａ，１０３Ａ，１０３Ｂを接合して一つの伝送路基板を形成している。この構成によれば、マザー基板から分離した小さな個片（複数の伝送路基板）を接合することにより一つの伝送路基板を形成できるため、一つのマザー基板から得られる伝送路基板の個数（取り個数）を多くできる。

（ｂ）本実施形態では、図１６に示すように、回路基板２０１に実装された伝送路基板１０３Ａ，１０３Ｂ上に伝送路基板１０１Ａを実装（載置）して、回路基板２０１に実装された部品８３上を跨いでいる（避けている）。このような構成により、回路基板２０１の主面ＰＳ１に垂直な高さ方向（Ｚ軸方向）のスペースを有効利用できる。

（ｃ）また、本実施形態では、伝送路基板１０１Ａの長手方向（Ｙ軸方向）の長さが、回路基板２０１に実装された伝送路基板１０３Ａ，１０３Ｂの長手方向（Ｘ軸方向）の長さよりも短い。回路基板２０１上に実装される伝送路基板１０１Ａの長手方向の長さを短くすることにより、伝送路基板１０１Ａを変形（撓み等）し難くできる。すなわち、この構成により、複数の伝送路基板を接合してなる伝送路基板の構造的な安定性を高めることができる。

（ｄ）さらに、本実施形態では、回路基板２０１に実装される伝送路基板１０３Ａ，１０３Ｂの接続部の幅が、線路部の幅よりも太い。この構成によれば、回路基板２０１の主面ＰＳ１に伝送路基板１０３Ａ，１０３Ｂを載置したときに、伝送路基板１０３Ａ，１０３Ｂが転倒し難くなり、回路基板２０１の主面ＰＳ１に伝送路基板１０３Ａ，１０３Ｂを載置しやすくできる。すなわち、この構成により、回路基板２０１に載置される伝送路基板１０３Ａ，１０３Ｂの安定性が高まり、伝送路基板１０３Ａ，１０３Ｂの実装性が高まる。また、この構成によれば、接続部に配置される外部電極やグランド電極を大きくできるため、回路基板２０１への実装性（または、他の伝送路基板への接合性）が高まる。

（ｅ）また、本実施形態では、回路基板２０１に実装される伝送路基板１０３Ａ，１０３Ｂの線路部の幅が、接続部の幅よりも狭い。この構成によれば、伝送路基板１０３Ａ，１０３Ｂを実装するための専有面積が小さくなるため、回路基板２０１の主面ＰＳ１に実装された部品８１〜８３や他の構造物等を回避しやすくでき、伝送路基板１０３Ａ，１０３Ｂを回路基板２０１の主面ＰＳ１上の限られたスペースに実装しやすくできる。

（ｆ）本実施形態では、伝送路基板１０３Ａ，１０３Ｂの線路部に、伝送方向に沿って配置された複数のグランド電極ＰＧ１０Ａ，ＰＧ１０Ｂを備える。この構成により、伝送路基板が一定の長さを有していても、伝送路基板を高い位置精度で回路基板に実装できる。具体的には、伝送路基板を回路基板上に載置する際に多少の位置ずれが生じた場合でも、リフロープロセス時に発生するグランド電極および基板側グランド電極でのセルフアライメント作用によって、伝送路基板の実装位置が補正される。

なお、本実施形態では、３つの伝送路基板１０１Ａ，１０３Ａ，１０３Ｂを接合して一つの伝送路基板を形成した例を示したが、この構成に限定されるものではない。互いに接合される伝送路基板の数は、例えば２または４以上であってもよい。

また、本実施形態では、１つの信号線３０Ａを備える伝送路基板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。本発明の伝送路基板は、複数の信号線を備える構成でもよい。複数の信号線を備える伝送路基板を互いに接合する場合には、例えば一方の信号線を他の伝送路基板の信号線に接続し、他方の信号線を回路基板の信号線に接続してもよい。

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、外部電極を備えていない伝送路基板の例を示す。

図２３は、第４の実施形態に係る電子機器３０４の主要部を示す斜視図である。図２４は、図２３におけるＨ−Ｈ断面図である。

電子機器３０４は、複数の伝送路基板１０１Ｂ，１０４Ａ，１０４Ｂを備える点で、第３の実施形態で説明した電子機器３０３と異なる。電子機器３０４の他の構成については、電子機器３０３と同じである。

図２３に示すように、伝送路基板１０１Ｂ，１０４Ａ，１０４Ｂおよび部品８１〜８３は、導電性接合材を介して回路基板２０１に実装される。伝送路基板１０１Ｂ，１０４Ａ，１０４Ｂは、接続部同士が互いに導電性接合材を介して接合され、一つの伝送路基板を形成している。

本実施形態では、伝送路基板１０１Ｂが本発明の「第１伝送路基板」の一例であり、伝送路基板１０４Ａ，１０４Ｂが本発明の「第２伝送路基板」の一例である。

次に、各伝送路基板の具体的な構成について説明する。図２５は、第４の実施形態に係る伝送路基板１０１Ｂの外観斜視図である。伝送路基板１０１Ｂは、外部電極（Ｐ１１，Ｐ１２）を備えていない点で、第３の実施形態に係る伝送路基板１０１Ｂと異なる。伝送路基板１０１Ｂの他の構成については、伝送路基板１０１Ａと実質的に同じである。

次に、各伝送路基板１０４Ａ，１０４Ｂの具体的な構成について説明する。図２６（Ａ）は第４の実施形態に係る伝送路基板１０４Ａの外観斜視図であり、図２６（Ｂ）は第４の実施形態に係る伝送路基板１０４Ｂの外観斜視図である。

伝送路基板１０４Ａは、外部電極（Ｐ２２Ａ）を備えていない点で、第３の実施形態に係る伝送路基板１０３Ａと異なる。また、伝送路基板１０４Ｂは、外部電極（Ｐ２２Ｂ）を備えていない点で、第３の実施形態に係る伝送路基板１０３Ｂと異なる。伝送路基板１０４Ａ，１０４Ｂの他の構成については、伝送路基板１０３Ａ，１０３Ｂと実質的に同じである。

図２２に示すように、伝送路基板１０４Ａ，１０４Ｂは、それぞれ第１主面ＶＳ１１，ＶＳ１２が回路基板２０１の主面ＰＳ１に対向した状態で、回路基板２０１に実装されている。また、伝送路基板１０１Ｂの接続部ＣＮ１の第１主面ＶＳ１は、伝送路基板１０４Ａの接続部ＣＮ２１の第２主面ＶＳ２１に接合されており、伝送路基板１０１Ｂの接続部ＣＮ２の第１主面ＶＳ１は、伝送路基板１０４Ｂの接続部ＣＮ２２の第２主面ＶＳ２２に接合されている。

伝送路基板１０４Ａの第１グランド電極（図１６（Ａ）におけるグランド電極ＰＧ１２Ａ）は、導電性接合材を介して、回路基板２０１の基板側グランド電極ＥＧ１２Ａに接合されている。伝送路基板１０４Ｂの第１グランド電極（図２２（Ａ）におけるグランド電極ＰＧ１２Ｂ）は、導電性接合材を介して、回路基板２０１の基板側グランド電極ＥＧ１２Ｂに接合されている。図示省略するが、伝送路基板１０４Ａ，１０４Ｂの第１外部電極（図１８（Ａ）および図２２（Ａ）における外部電極Ｐ１１Ａ，Ｐ１１Ｂ）は、導電性接合材を介して、回路基板２０１の基板側電極に接合されている。

さらに、伝送路基板１０１Ｂの第２グランド電極（図２４におけるグランド電極ＰＧ１１）と、伝送路基板１０４Ａの第２グランド電極（図２６（Ａ）におけるグランド電極ＰＧ２２Ａ）とは、導電性接合材を介して接合されている。また、伝送路基板１０１Ｂの第２グランド電極（図２５におけるグランド電極ＰＧ１２）と、伝送路基板１０４Ｂの第２グランド電極（図２６（Ｂ）におけるグランド電極ＰＧ２２Ｂ）とは、導電性接合材を介して接合されている。

このように、複数の伝送路基板１０１Ｂ，１０４Ａ，１０４Ｂは、複数の第２グランド電極同士が導電性接合材を介して接合されて、一つの伝送路基板を形成している。

本実施形態では、図２４に示すように、互いに接合された接続部ＣＮ１，ＣＮ２１では、伝送路基板１０１Ｂ，１０４Ａの信号線３０Ａ同士が、層間接続導体および導電性接合材を介さずに、Ｚ軸方向に対向配置され接続されている。具体的には、接続部ＣＮ１，ＣＮ２１において、伝送路基板１０１Ｂの信号線３０Ａと伝送路基板１０４Ａの信号線３０Ａとの対向部分（信号線３０Ａ同士がＺ軸方向に対向配置された部分）が、Ｚ軸方向に延伸する導波路ＷＧとして機能する。

また、互いに接合された接続部ＣＮ２，ＣＮ２２では、伝送路基板１０１Ｂの信号線３０Ａと伝送路基板１０４Ｂの信号線３０Ａとが、層間接続導体および導電性接合材を介さずに、Ｚ軸方向に対向配置されている。具体的には、接続部ＣＮ２，ＣＮ２２において、伝送路基板１０１Ｂの信号線３０Ａと伝送路基板１０４Ｂの信号線３０Ａとの対向部分が、Ｚ軸方向に延伸する導波路ＷＧとして機能する。

本実施形態では、互いに接合される伝送路基板１０１Ｂ，１０４Ａ，１０４Ｂの信号線３０Ａ同士が、導電性接合材を介さずに接続されているため、導電性接合材を介して伝送路基板の信号線同士を接続する場合（第３の実施形態に係る電子機器３０３を参照）に比べて、インピーダンスマッチングしやすい。

なお、本実施形態では、複数の伝送路基板１０１Ｂ，１０４Ａ，１０４Ｂが、導電性接合材を介して互いに接合され、一つの伝送路基板を形成した例を示したが、この構成に限定されるものではない。本実施形態で示したように、互いに接合された２つの伝送路基板に跨った導波路ＷＧを形成する場合には、絶縁性接着材等を介して、複数の伝送路基板を互いに接合して一つの伝送路基板を形成してもよい。但し、複数の伝送路基板を高い位置精度で互いに接合するという点では、複数の伝送路基板が、導電性接合材を介して互いに接合されることが好ましい。例えば、互いに接合される接続部ＣＮ１，ＣＮ２１において、リフロープロセス時に生じる第２グランド電極（伝送路基板１０１Ｂのグランド電極ＰＧ１１、および伝送路基板１０４Ａのグランド電極ＰＧ２２Ａ）間のセルフアライメント作用によって、接続部ＣＮ１，ＣＮ２の実装位置が補正される。

また、本実施形態では、互いに接合された２つの伝送路基板１０１Ｂ，１０４Ａ（または、互いに接合された伝送路基板１０１Ｂ，１０４Ｂ）に跨った導波路ＷＧを形成した例を示したが、この構成に限定されるものではない。例えば、伝送路基板および回路基板２０１（他の基板）に跨った導波路が形成されていてもよい。すなわち、第１外部電極を備えていない伝送路基板を、基板側電極を備えていない回路基板に実装することで、上記伝送路基板の信号線と回路基板が備える信号線（基板側信号線）とを、層間接続導体等を介さずに、Ｚ軸方向に対向配置させて接続してもよい。また、この場合には、基板側信号線が層間接続導体に接続されていないことが好ましい。

《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、２つの接続部および１つの線路部を有する伝送路基板の例を示したが、伝送路基板が有する接続部の数および線路部の数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。

以上に示した各実施形態では、伝送路基板の基材が矩形または略矩形の平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。基材の形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。基材の平面形状は、例えば多角形、円形、楕円形、Ｌ字形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形、Ｕ字形等でもよい。

また、以上に示した各実施形態では、１つの保護層および４つの基材層を積層して形成される基材、または２つの保護層および３つの基材層を積層して形成される基材を備えた伝送路基板の例を示したが、これに限定されるものではない。基材に含まれる基材層の積層数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。また、基材において保護層は必須ではない。

以上に示した各実施形態では、基材に含まれる複数の基材層が熱可塑性樹脂からなる例を示したが、この構成に限定されるものではない。複数の基材層は、熱硬化性樹脂からなるシートでもよい。また、複数の基材層は、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）の誘電体セラミックシートでもよい。また、基材は、複数の樹脂の複合積層体であってもよく、例えばガラス／エポキシ基板等の熱硬化性樹脂シートと、熱可塑性樹脂シートとが積層されて形成される構成でもよい。また、基材は、複数の基材層を加熱プレス（一括プレス）してその表面同士を融着するものに限らず、各基材層間に接着材層を有していてもよい。

また、伝送路基板に形成される回路構成は、以上に示した各実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。伝送路基板に形成される回路は、例えば導体パターンで構成されるコイルや、導体パターンで形成されるキャパシタ、各種フィルタ（ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ）等の周波数フィルタが形成されていてもよい。また、伝送路基板には、ストリップライン構造の伝送線路以外に、例えば他の各種伝送線路（ミアンダ、コプレーナ等）が形成されていてもよい。さらに、伝送路基板には、チップ部品等の各種電子部品が実装または埋設されていてもよい。

以上に示した各実施形態では、線路部に１つの伝送線路が構成された伝送路基板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。伝送線路の数は、伝送路基板に形成される回路構成によって適宜変更可能であり、２つ以上でもよい。２つ以上の伝送線路を備える場合、これら２つ以上の伝送線路はそれぞれ同一のシステム（同一の周波数帯）で利用されていてもよく、それぞれ異なるシステム（異なる周波数帯）で利用されていてもよい。

また、以上に示した各実施形態では、各導体パターン（外部電極、グランド電極、グランド導体、中間グランド導体等）の平面形状が、矩形である例を示したが、これに限定されるものではない。各導体パターンの平面形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、例えば多角形、円形、楕円形、円弧状、リング状、Ｌ字形、Ｕ字形、Ｔ字形、Ｙ字形、クランク形であってもよい。また、各電極（外部電極およびグランド電極）の個数・位置は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。なお、伝送路基板には、これら各電極以外に、信号線やグランドに接続されないダミー電極が形成されていてもよい。

さらに、以上に示した各実施形態では、複数の層間接続導体（第１層間接続導体ＶＧ１１〜ＶＧ１３および第２層間接続導体ＶＧ２１〜ＶＧ２３）が、基材層に形成した貫通孔に充填した導電性接合材を、加熱プレス処理によって固化してなるビア導体である例を示したが、これに限定されるものではない。伝送路基板に形成される層間接続導体は、例えば、基材層に形成した貫通孔内にめっき処理によって設けられためっきビア（スルーホールめっき、またはフィルドビアめっき）と、上記めっきビアに接合される導電性接合材とを有する導体でもよい。

樹脂多層基板が高周波伝送線路の用途に用いられる場合、配線用導体には導体損失の小さなＣｕ等を用いることが好ましいが、Ｃｕは融点が高い。そこでＣｕよりも融点の低い導電性接合材が層間接続導体に用いられるが、導電性接合材のみで形成された層間接続導体は導電率が比較的に低い。一方、めっきビアおよび導電性接合材を併用して層間接続導体を形成した場合には、導電性接合材のみで形成された層間接続導体に比べて、導体損失を低減できる。なお、層間接続導体がめっきビアを有する場合、めっきビアに接続される導体パターンとめっきビアとが同材料（例えば、Ｃｕ）であることが好ましい。この構成により、めっきビアと導体パターンとが一体化されるため、合金層（金属間化合物）がめっきビアと導体パターンとの接続箇所に形成されることが少なく、めっきビアと導体パターンとの接続箇所の機械的強度が高まる。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ＡＰ１１，ＡＰ１１Ａ，ＡＰ１２，ＡＰ２２Ａ，ＡＧ１０Ａ，ＡＧ１１，ＡＧ１１Ａ，ＡＧ１２，ＡＧ１２Ａ，ＡＧ２２Ａ…開口
ＣＮ１，ＣＮ２，ＣＮ１１，ＣＮ１２，ＣＮ２１，ＣＮ２２…接続部
ＥＰ１１，ＥＰ１２，ＥＰ３１…基板側電極
ＥＧ１１，ＥＧ１２，ＥＧ１２Ａ，ＥＧ１２Ｂ…基板側グランド電極
Ｐ１１，Ｐ１１Ａ，Ｐ１２，Ｐ１１Ｂ，Ｐ２２Ａ，Ｐ２２Ｂ…外部電極
ＰＧ１０Ａ，ＰＧ１０Ｂ，ＰＧ１１，ＰＧ１１Ａ，ＰＧ１１Ｂ，ＰＧ１２，ＰＧ１２Ａ，ＰＧ１２Ｂ，ＰＧ２２Ａ，ＰＧ２２Ｂ…グランド電極
ＰＳ１，ＰＳ２…回路基板の主面
ＳＬ，ＳＬ１，ＳＬ２…線路部
ＴＣ…幅広部の中心
ＶＧ１１，ＶＧ１２，ＶＧ１３…第１層間接続導体
ＶＧ２１，ＶＧ２２，ＶＧ２３…第２層間接続導体
ＶＳ１，ＶＳ１１，ＶＳ１２…基材の第１主面
ＶＳ２，ＶＳ２１，ＶＳ２２…基材の第２主面
ＷＧ…導波路
１，１ｄ，２ｄ…保護層
１ｄ，２ｄ…保護層
５…導電性接合材
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ…基材
１１，１１ｄ，１２，１２ｄ，１３ｄ，１４…基材層
３０Ａ，３０Ｂ…信号線
４１…第１グランド導体
４２…第２グランド導体
５１，５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，５２…中間グランド導体
８１，８２，８３…部品
１０１，１０１Ａ，１０２，１０２Ａ，１０３Ａ，１０３Ｂ，１０４Ａ，１０４Ｂ…伝送路基板
２０１，２０２…回路基板（他の基板）
３０１，３０２，３０３，３０４…電子機器

Claims (14)

1. 線路部および接続部を有する伝送路基板であって、
   主面を有し、複数の基材層を積層して形成される基材と、
   前記基材にそれぞれ形成される、第１グランド導体、第２グランド導体および信号線と、
   前記接続部の前記主面に形成される外部電極と、
   前記基材に形成される複数の層間接続導体と、
   を備え、
   前記線路部では、前記信号線、前記第１グランド導体および前記第２グランド導体を含むストリップライン構造の伝送線路が構成され、
   前記接続部では、前記信号線および前記外部電極が、層間接続導体を介さずに、前記複数の基材層の積層方向に対向配置され、
   前記複数の層間接続導体は、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを電気的に接続する、複数の第１層間接続導体および複数の第２層間接続導体を有し、
   前記複数の第１層間接続導体は、前記線路部に配置され、前記積層方向から視て、前記信号線に沿って配置され、
   前記複数の第２層間接続導体は、前記接続部に配置され、前記信号線と前記外部電極とが前記積層方向に対向配置された対向部分を囲むように配置され、
   前記複数の第２層間接続導体の間隔は、前記複数の第１層間接続導体の間隔よりも狭い、伝送路基板。
2. 前記信号線は、前記複数の層間接続導体には接続されていない、請求項１に記載の伝送路基板。
3. 前記主面は、互いに対向する第１主面および第２主面を有し、
   前記外部電極の数は複数であり、
   複数の前記外部電極は、前記第１主面および前記第２主面にそれぞれ形成される、請求項１または２に記載の伝送路基板。
4. 前記複数の第２層間接続導体のうち、前記対向部分を囲むように配置された一連の第２層間接続導体を結ぶ線分が前記第２層間接続導体を横断する長さの合計値は、前記一連の第２層間接続導体を結ぶ線分上の前記第２層間接続導体の間隔の合計値よりも大きい、請求項１から３のいずれかに記載の伝送路基板。
5. 前記複数の第２層間接続導体は、前記積層方向から視て、千鳥状に配置されている、請求項１から４のいずれかに記載の伝送路基板。
6. 前記千鳥状の配置は、
   前記複数の第２層間接続導体おける前記対向部分に沿って隣り合う２個の第２層間接続導体と、別の第２層間接続導体とにおいて、
   前記２個の第２層間接続導体を前記対向部分に沿う方向に結ぶ線分と前記２個の第２層間接続導体とが交わる点を通り、前記線分に直交する方向に延びる２個の直線に挟まれる領域に、前記別の第２層間接続導体の少なくとも一部が重なる配置である、
   請求項５に記載の伝送路基板。
7. 前記別の第２層間接続導体は、前記２個の直線に跨がる位置に配置される、
   請求項６に記載の伝送路基板。
8. 前記別の第２層間接続導体の全体は、前記２個の直線に挟まれる領域内に配置される、
   請求項６に記載の伝送路基板。
9. 線路部および接続部を有する伝送路基板を、導電性接合材を介して他の基板に実装する、伝送路基板の実装構造であって、
   前記伝送路基板は、
   主面を有し、複数の基材層を積層して形成される基材と、
   前記基材にそれぞれ形成される、第１グランド導体、第２グランド導体および信号線と、
   前記接続部の前記主面に形成される第１外部電極と、
   前記基材に形成される複数の層間接続導体と、
   を有し、
   前記線路部では、前記信号線、前記第１グランド導体および前記第２グランド導体を含むストリップライン構造の伝送線路が構成され、
   前記接続部では、前記信号線および前記第１外部電極が、層間接続導体を介さずに、前記複数の基材層の積層方向に対向配置され、
   前記複数の層間接続導体は、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを電気的に接続する、複数の第１層間接続導体および複数の第２層間接続導体を有し、
   前記複数の第１層間接続導体は、前記線路部に配置され、前記積層方向から視て、前記信号線に沿って配置され、
   前記複数の第２層間接続導体は、前記接続部に配置され、前記信号線と前記第１外部電極とが前記積層方向に対向配置された対向部分を囲むように配置され、
   前記複数の第２層間接続導体の間隔は、前記複数の第１層間接続導体の間隔よりも狭く、
   前記他の基板は、主面に基板側電極を有し、
   前記第１外部電極は、前記導電性接合材を介して、前記基板側電極に接合される、伝送路基板の実装構造。
10. 線路部および接続部を有する伝送路基板を、導電性接合材を介して他の基板に実装する、伝送路基板の実装構造であって、
    前記伝送路基板は、
    主面を有し、複数の基材層を積層して形成される基材と、
    前記基材にそれぞれ形成される、第１グランド導体、第２グランド導体および信号線と、
    前記接続部の前記主面に形成され、前記第１グランド導体および前記第２グランド導体に導通する第１グランド電極と、
    前記基材に形成される複数の層間接続導体と、
    を有し、
    前記線路部では、前記信号線、前記第１グランド導体および前記第２グランド導体を含むストリップライン構造の伝送線路が構成され、
    前記他の基板は、基板側信号線、および表面に形成された基板側グランド電極を有し、
    前記第１グランド電極は、前記導電性接合材を介して、前記基板側グランド電極に接合され、
    前記伝送路基板が前記他の基板に実装された状態で、前記接続部の前記信号線および前記基板側信号線は、層間接続導体および導電性接合材を介さずに、前記複数の基材層の積層方向に対向配置され、
    前記複数の層間接続導体は、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを電気的に接続する、複数の第１層間接続導体および複数の第２層間接続導体を有し、
    前記複数の第１層間接続導体は、前記線路部に配置され、前記積層方向から視て、前記信号線に沿って配置され、
    前記伝送路基板が前記他の基板に実装された状態で、前記複数の第２層間接続導体は、前記接続部に配置され、前記積層方向から視て、前記信号線と前記基板側信号線とが対向配置された対向部分を囲むように配置され、
    前記複数の第２層間接続導体の間隔は、前記複数の第１層間接続導体の間隔よりも狭い、伝送路基板の実装構造。
11. 前記伝送路基板は、第１伝送路基板と第２伝送路基板とを有し、
    前記第１伝送路基板および前記第２伝送路基板は、前記接続部の前記主面に形成される第２外部電極をそれぞれ有し、前記第１伝送路基板の前記第２外部電極と、前記第２伝送路基板の前記第２外部電極とが導電性接合材を介して接合されて、一つの伝送路基板を形成し、
    前記第１伝送路基板または前記第２伝送路基板の少なくとも一方は、前記接続部の前記信号線および前記第２外部電極が、層間接続導体を介さずに、前記複数の基材層の積層方向に対向配置される、請求項９または１０に記載の伝送路基板の実装構造。
12. 前記伝送路基板は、第１伝送路基板と第２伝送路基板とを有し、
    前記第１伝送路基板および前記第２伝送路基板は、前記第１伝送路基板の前記接続部と前記第２伝送路基板の前記接続部とが互いに接合されて、一つの伝送路基板を形成し、
    互いに接合された前記第１伝送路基板の前記接続部と前記第２伝送路基板の前記接続部では、前記第１伝送路基板の前記信号線と、前記第２伝送路基板の前記信号線とが、層間接続導体および導電性接合材を介さずに、前記複数の基材層の積層方向に対向配置される、請求項９または１０に記載の伝送路基板の実装構造。
13. 前記他の基板は、基板側信号線を有し、
    前記基板側信号線は、層間接続導体には接続されていない、請求項１１に記載の伝送路基板の実装構造。
14. 前記信号線は、層間接続導体には接続されていない、請求項９から１３のいずれかに記載の伝送路基板の実装構造。

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