WO2023204099A1 - 多層基板 - Google Patents

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WO2023204099A1
WO2023204099A1 PCT/JP2023/014706 JP2023014706W WO2023204099A1 WO 2023204099 A1 WO2023204099 A1 WO 2023204099A1 JP 2023014706 W JP2023014706 W JP 2023014706W WO 2023204099 A1 WO2023204099 A1 WO 2023204099A1
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WO
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interlayer connection
conductor
axis
connection conductor
conductor layer
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Application number
PCT/JP2023/014706
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English (en)
French (fr)
Inventor
恒亮 西尾
隆達 水上
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details

Definitions

  • the present invention relates to a multilayer substrate including a signal conductor layer.
  • a transmission line described in Patent Document 1 As an invention related to a conventional multilayer board, for example, a transmission line described in Patent Document 1 is known.
  • This transmission line includes a signal line, two ground conductors, and a plurality of GND vias.
  • the signal line is located between two ground conductors in the vertical direction.
  • the signal line extends in the front-rear direction.
  • a plurality of GND vias electrically connects two ground conductors.
  • Multiple GND vias are located on both the left and right sides of the signal line.
  • the plurality of GND vias are lined up along the signal line.
  • the intervals between the plurality of GND vias are uneven. Therefore, the characteristic impedance generated in the signal line is also non-uniform.
  • a propagation mode (hereinafter referred to as an unnecessary propagation mode) other than the desired propagation mode (for example, TEM mode) occurs.
  • unnecessary propagation modes flow through the two ground conductors.
  • Such unnecessary propagation modes are radiated as noise to the outside of the transmission line between two GND vias that are widely spaced among the plurality of GND vias. As a result, noise is generated in the transmission line.
  • an object of the present invention is to provide a multilayer substrate that can suppress the generation of noise.
  • a multilayer substrate includes: A laminate having a structure in which a plurality of insulator layers are stacked in the Z-axis direction; a signal conductor layer provided in the laminate and having a linear shape extending in an X-axis direction perpendicular to the Z-axis direction; a first reference conductor layer provided in the laminate, located in the positive direction of the Z-axis from the signal conductor layer, and overlapping with the signal conductor layer when viewed in the Z-axis direction; a second reference conductor layer provided in the laminate, located in the negative direction of the Z-axis from the signal conductor layer, and overlapping with the signal conductor layer when viewed in the Z-axis direction; electrically connecting the first reference conductor layer and the second reference conductor layer, and located in the positive direction of the Y-axis perpendicular to the X-axis direction and the Z-axis direction from the signal conductor layer, and , a first interlayer connection conductor, a second interlayer connection conductor
  • a fourth interlayer connecting conductor, a fifth interlayer connecting conductor, and a sixth interlayer connecting conductor arranged in this order toward the positive direction of an eleventh interlayer that is connected to the signal conductor layer, is located in the positive direction of the Z-axis from the signal conductor layer, and penetrates one or more of the plurality of insulator layers along the Z-axis; a connecting conductor; It is equipped with The distance in the X-axis direction between the second interlayer connection conductor and the third interlayer connection conductor is longer than the distance in the X-axis direction between the first interlayer connection conductor and the second interlayer connection conductor, The distance in the X-axis direction between the fifth interlayer connection conductor and the sixth interlayer connection conductor is longer than the distance in the X-axis direction between the fourth interlayer connection conductor and the fifth interlayer connection conductor, A reference conductor layer of the first reference conductor layer and the second reference conductor layer that overlaps with the eleventh interlayer connection conductor is provided with a first opening that overlap
  • the first opening When viewed in the Z-axis direction, the first opening is located in the negative direction of the X-axis from the vicinity of the first reference straight line connecting the second interlayer connection conductor and the fifth interlayer connection conductor, When viewed in the Z-axis direction, the first opening is located in the positive direction of the X-axis from the eleventh interlayer connection conductor.
  • the generation of noise can be suppressed.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view of the multilayer substrate 10.
  • FIG. 2 is a top view of the insulator layer 16c.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 10.
  • FIG. 4 is a front view of the multilayer substrate 10 in use.
  • FIG. 5 is a top view of the insulator layer 16c.
  • FIG. 6 is an exploded perspective view of the multilayer substrate 10b.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 10b.
  • FIG. 8 is a top view of the insulator layer 16c.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 10d.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 10e.
  • FIG. 11 is a top view of the insulator layer 16c.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 10g.
  • FIG. 13 is a top view of the insulator layer 16c.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view of the multilayer substrate 10.
  • FIG. 2 is a top view of the insulator layer 16c. In FIG. 2, the signal conductor layers 20 are shown overlapped.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 10.
  • FIG. 4 is a front view of the multilayer substrate 10 in use.
  • direction is defined as follows.
  • the stacking direction of the stacked body 12 of the multilayer substrate 10 is defined as the vertical direction.
  • the up-down direction coincides with the Z-axis direction.
  • the upward direction is the positive direction of the Z axis.
  • the downward direction is the negative direction of the Z axis.
  • the direction in which the signal conductor layer 20 of the multilayer substrate 10 extends is defined as the left-right direction.
  • the left-right direction coincides with the X-axis direction.
  • the right direction is the positive direction of the X axis.
  • the left direction is the negative direction of the X axis.
  • the line width direction of the signal conductor layer 20 is defined as the front-back direction.
  • the front-back direction coincides with the Y-axis direction.
  • the forward direction is the positive direction of the Y axis.
  • the rear direction is the negative direction of the Y axis.
  • the up-down direction, the front-back direction, and the left-right direction are orthogonal to each other. Note that the upper and lower directions in the vertical direction may be interchanged, the left and right directions in the horizontal direction may be interchanged, and the front and rear directions in the longitudinal direction may be interchanged.
  • X is a component or member of the multilayer substrate 10.
  • each part of X is defined as follows.
  • the front part of the X means the front half of the X.
  • the rear part of the X means the rear half of the X.
  • the left part of X means the left half of X.
  • the right side of X means the right half of X.
  • the upper part of X means the upper half of X.
  • the lower part of X means the lower half of X.
  • the front end of X means the front end of X.
  • the rear end of X means the end of X in the rear direction.
  • the left end of X means the left end of X.
  • the right end of X means the right end of X.
  • the upper end of X means the upper end of X.
  • the lower end of X means the lower end of X.
  • the front end of X means the front end of X and its vicinity.
  • the rear end of X means the rear end of X and its vicinity.
  • the left end of X means the left end of X and its vicinity.
  • the right end of X means the right end of X and its vicinity.
  • the upper end of X means the upper end of X and its vicinity.
  • the lower end of X means the lower end of X and its vicinity.
  • Multilayer substrate 10 transmits high frequency signals.
  • the multilayer substrate 10 is used to electrically connect two circuits in electronic devices such as smartphones.
  • the multilayer board 10 includes a laminate 12, a signal conductor layer 20, a first reference conductor layer 22, a second reference conductor layer 24, signal terminals 26a, 26b, interlayer connection conductors v1 to v8, v11, v12, a plurality of interlayer connection conductors v9, and a plurality of interlayer connection conductors v10.
  • the laminate 12 has a plate shape. Therefore, the laminate 12 has an upper main surface and a lower main surface.
  • the upper main surface and the lower main surface of the laminate 12 have a rectangular shape with long sides extending in the left-right direction. Therefore, the length of the laminate 12 in the left-right direction is longer than the length of the laminate 12 in the front-rear direction.
  • the laminate 12 has flexibility.
  • the laminate 12 has a structure in which insulator layers 16a to 16c and protective layers 18a and 18b are stacked in the Z-axis direction.
  • the protective layer 18a, the insulator layers 16a to 16c, and the protective layer 18b are arranged in this order from top to bottom.
  • the insulator layers 16a to 16c have an upper main surface and a lower main surface that are arranged in the vertical direction.
  • the material of the insulating layers 16a to 16c is thermoplastic resin.
  • the thermoplastic resin is, for example, a liquid crystal polymer.
  • the insulator layers 16a to 16c are vertically adjacent to each other and fused together.
  • the protective layers 18a and 18b will be described later.
  • a high frequency signal is transmitted to the signal conductor layer 20.
  • the signal conductor layer 20 is provided on the laminate 12 .
  • the signal conductor layer 20 is located on the upper main surface of the insulator layer 16b.
  • the signal conductor layer 20 has a linear shape extending in the left-right direction (X-axis direction).
  • the first reference conductor layer 22 is provided on the laminate 12, as shown in FIG.
  • the first reference conductor layer 22 is located above the signal conductor layer 20 (in the positive direction of the Z-axis) and overlaps with the signal conductor layer 20 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction).
  • the first reference conductor layer 22 is located on the upper main surface of the insulator layer 16a.
  • the first reference conductor layer 22 covers substantially the entire upper main surface of the insulator layer 16a.
  • a reference potential is connected to the first reference conductor layer 22 .
  • the reference potential is, for example, a ground potential.
  • the second reference conductor layer 24 is provided on the laminate 12, as shown in FIG.
  • the second reference conductor layer 24 is located below the signal conductor layer 20 (in the negative direction of the Z-axis) and overlaps with the signal conductor layer 20 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction).
  • the second reference conductor layer 24 is located on the lower main surface of the insulator layer 16c.
  • the second reference conductor layer 24 covers substantially the entire lower main surface of the insulator layer 16c.
  • a reference potential is connected to the second reference conductor layer 24 .
  • the reference potential is, for example, a ground potential.
  • the signal conductor layer 20, first reference conductor layer 22, and second reference conductor layer 24 as described above have a stripline structure.
  • the reference conductor layer that overlaps with the interlayer connection conductor v11 (eleventh interlayer connection conductor) of the first reference conductor layer 22 and the second reference conductor layer 24 includes a signal conductor layer 20 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction).
  • a first opening Op1 is provided which overlaps with the first opening Op1.
  • the interlayer connection conductor v11 overlaps with the second reference conductor layer 24 and does not overlap with the first reference conductor layer 22. Therefore, the second reference conductor layer 24 is provided with a first opening Op1 that overlaps the signal conductor layer 20 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). The structure of the first opening Op1 will be described later.
  • the signal terminal 26a is provided at the left end of the laminate 12. More specifically, the signal terminal 26a is located on the upper main surface (the main surface located in the positive direction of the Z-axis) of the laminate 12. The signal terminal 26a overlaps the left end portion of the signal conductor layer 20 when viewed in the vertical direction. The signal terminal 26a has a circular shape when viewed in the vertical direction. The signal terminal 26a is an external terminal to which a high frequency signal is input/output. The signal terminal 26a is not in contact with the first reference conductor layer 22.
  • the interlayer connection conductor v11 (eleventh interlayer connection conductor) electrically connects the signal terminal 26a and the left end portion of the signal conductor layer 20.
  • the interlayer connection conductor v11 vertically penetrates the insulator layer 16a.
  • the structure of the signal terminal 26b and the interlayer connection conductor v12 is bilaterally symmetrical to the structure of the signal terminal 26a and the interlayer connection conductor v11, so a description thereof will be omitted.
  • interlayer connection conductor v1 first interlayer connection conductor
  • interlayer connection conductor v2 second interlayer connection conductor
  • interlayer connection conductor v3 third interlayer connection conductor
  • interlayer connection conductor v7 seventh interlayer connection conductor
  • the interlayer connection conductor) and the plurality of interlayer connection conductors v9 electrically connect the first reference conductor layer 22 and the second reference conductor layer 24.
  • FIG. 1 first interlayer connection conductor
  • interlayer connection conductor v2 second interlayer connection conductor
  • interlayer connection conductor v3 third interlayer connection conductor
  • interlayer connection conductor v7 seventh interlayer connection conductor
  • interlayer connection conductor v1 first interlayer connection conductor
  • interlayer connection conductor v2 second interlayer connection conductor
  • interlayer connection conductor v3 third interlayer connection conductor
  • interlayer connection conductor v7 seventh interlayer connection conductor
  • the interlayer connection conductor) and the plurality of interlayer connection conductors v9 are located before the signal conductor layer 20 (in the positive direction of the Y axis).
  • the interlayer connection conductor v7, the interlayer connection conductor v1 (first interlayer connection conductor), the interlayer connection conductor v2 (second interlayer connection conductor), the interlayer connection conductor v3 (third interlayer connection conductor), and the plurality of interlayer connection conductors v9 are used for signal They are arranged in this order along the conductor layer 20 toward the right (positive direction of the X-axis).
  • the distance D2 in the left-right direction (X-axis direction) between the interlayer connection conductor v2 (second interlayer connection conductor) and the interlayer connection conductor v3 (third interlayer connection conductor) is the distance D2 between the interlayer connection conductor v1 (first interlayer connection conductor) and the interlayer connection conductor v3 (third interlayer connection conductor). It is longer than the distance D1 in the left-right direction (X-axis direction) from the connection conductor v2 (second interlayer connection conductor).
  • the distance D4 in the left-right direction between the interlayer connection conductor v7 and the interlayer connection conductor v1 is shorter than the distance D2 in the left-right direction between the interlayer connection conductor v2 and the interlayer connection conductor v3.
  • the distance D5 in the left-right direction between the leftmost interlayer connection conductor v9 of the plurality of interlayer connection conductors v9 and the interlayer connection conductor v3 is shorter than the distance D2 in the left-right direction between the interlayer connection conductor v2 and the interlayer connection conductor v3. .
  • the distance D6 in the left-right direction between the plurality of interlayer connection conductors v9 is shorter than the distance D2 in the left-right direction between the interlayer connection conductors v2 and v3.
  • the distance D1, the distance D4, the distance D5, and the distance D6 are equal to each other.
  • interlayer connection conductor v4 (fourth interlayer connection conductor), interlayer connection conductor v5 (fifth interlayer connection conductor), interlayer connection conductor v6 (sixth interlayer connection conductor), interlayer connection conductor v8 (eighth interlayer connection conductor),
  • the interlayer connection conductor) and the plurality of interlayer connection conductors v10 electrically connect the first reference conductor layer 22 and the second reference conductor layer 24.
  • interlayer connection conductor v4 (fourth interlayer connection conductor), interlayer connection conductor v5 (fifth interlayer connection conductor), interlayer connection conductor v6 (sixth interlayer connection conductor), interlayer connection conductor v8 (eighth interlayer connection conductor),
  • the interlayer connection conductor) and the plurality of interlayer connection conductors v10 are located after the signal conductor layer 20 (in the negative direction of the Y axis).
  • the interlayer connection conductor v8 the interlayer connection conductor v4 (fourth interlayer connection conductor), the interlayer connection conductor v5 (fifth interlayer connection conductor), the interlayer connection conductor v6 (sixth interlayer connection conductor), and the plurality of interlayer connection conductors v10 are used for signal They are arranged in this order along the conductor layer 20 toward the right (positive direction of the X-axis).
  • the distance D12 in the left-right direction (X-axis direction) between the interlayer connection conductor v5 (fifth interlayer connection conductor) and the interlayer connection conductor v6 (sixth interlayer connection conductor) is the distance D12 between the interlayer connection conductor v4 (fourth interlayer connection conductor) and the interlayer connection conductor v6 (sixth interlayer connection conductor). It is longer than the distance D11 in the left-right direction (X-axis direction) from the connection conductor v5 (fifth interlayer connection conductor).
  • the distance D14 in the left-right direction between the interlayer connection conductor v8 and the interlayer connection conductor v4 is shorter than the distance D12 in the left-right direction between the interlayer connection conductor v5 and the interlayer connection conductor v6.
  • the distance D15 in the left-right direction between the leftmost interlayer connection conductor v10 of the plurality of interlayer connection conductors v10 and the interlayer connection conductor v6 is shorter than the distance D12 in the left-right direction between the interlayer connection conductor v5 and the interlayer connection conductor v6.
  • the distance D16 in the left-right direction between the plurality of interlayer connection conductors v10 is shorter than the distance D12 in the left-right direction between the interlayer connection conductors v5 and v6.
  • the distance D11, the distance D14, the distance D15, and the distance D16 are equal to each other.
  • the interlayer connection conductor v1 overlaps the interlayer connection conductor v4 when viewed in the front-rear direction.
  • the interlayer connection conductor v2 overlaps the interlayer connection conductor v5 when viewed in the front-rear direction.
  • the interlayer connection conductor v3 overlaps the interlayer connection conductor v6 when viewed in the front-rear direction.
  • the interlayer connection conductor v7 overlaps the interlayer connection conductor v8 when viewed in the front-rear direction.
  • Each of the plurality of interlayer connection conductors v9 overlaps with the plurality of interlayer connection conductors v10.
  • the interlayer connection conductor v1 does not need to overlap the interlayer connection conductor v4 when viewed in the front-rear direction.
  • the interlayer connection conductor v2 does not need to overlap the interlayer connection conductor v5 when viewed in the front-rear direction.
  • the interlayer connection conductor v3 does not need to overlap the interlayer connection conductor v6 when viewed in the front-rear direction.
  • the interlayer connection conductor v7 does not need to overlap the interlayer connection conductor v8 when viewed in the front-rear direction.
  • Each of the plurality of interlayer connection conductors v9 does not need to overlap with the plurality of interlayer connection conductors v10.
  • the interlayer connection conductor v11 (eleventh interlayer connection conductor) includes interlayer connection conductor v1 (first interlayer connection conductor), interlayer connection conductor v2 (second interlayer connection conductor), and interlayer connection conductor v4. (4th interlayer connection conductor), interlayer connection conductor v5 (5th interlayer connection conductor), interlayer connection conductor v7 (7th interlayer connection conductor), and interlayer connection conductor v8 (8th interlayer connection conductor) positioned.
  • the distance D50 in the left-right direction between the interlayer connection conductor v11 and the first reference straight line X1 (described later) is shorter than a half wavelength of the high-frequency signal transmitted through the signal conductor layer 20.
  • the interlayer connection conductor v11 does not overlap with the first opening Op1, which will be described later, when viewed in the vertical direction.
  • the first reference conductor layer 22, second reference conductor layer 24, and signal terminals 26a, 26b as described above are formed by etching metal foil provided on the upper or lower main surface of the insulating layers 16a to 16c, for example. It is formed by applying The metal foil is, for example, copper foil.
  • the interlayer connection conductors v1 to v8, v11, v12 and the plurality of interlayer connection conductors v9, v10 are, for example, via hole conductors.
  • the via hole conductor is produced by forming through holes in the insulator layers 16a to 16c, filling the through holes with conductive paste, and sintering the conductive paste.
  • the material of the interlayer connection conductors v1 to v8, v11, v12 and the plurality of interlayer connection conductors v9, v10 is a mixture of resin and metal.
  • the first reference straight line X1 is a line that connects the interlayer connection conductor v2 (second interlayer connection conductor) and the interlayer connection conductor v5 (fifth interlayer connection conductor). Then, when viewed in the vertical direction (Z-axis direction), the intersection between the first reference straight line X1 and the center line CL of the signal conductor layer 20 is defined as a first intersection P1.
  • the second reference straight line X2 is a line that passes through the interlayer connection conductor v3 (third interlayer connection conductor) and the interlayer connection conductor v6 (sixth interlayer connection conductor). Then, when viewed in the vertical direction (Z-axis direction), the intersection between the second reference straight line X2 and the center line CL of the signal conductor layer 20 is defined as a second intersection P2.
  • first intersection point P1 and the second intersection point P2 is divided into four equal parts by the first point p1, the second point p2, and the third point p3, which are arranged toward the right (positive direction of the X axis). ing. Further, a point separated from the first intersection point P1 in the left direction (in the negative direction of the X axis) by the distance between the first point p1 and the second point p2 is defined as a fourth point p4.
  • the structure of the first opening Op1 will be described below.
  • the first opening Op1 has a slit shape extending in the front-rear direction. Therefore, the width of the first opening Op1 in the front-rear direction (Y-axis direction) is larger than the width of the first opening Op1 in the left-right direction (X-axis direction).
  • the width of the first opening Op1 in the front-rear direction (Y-axis direction) is the same as that of the lower end (the negative end of the Y-axis) of the interlayer connection conductor v2 (the second interlayer connection conductor) and the width of the interlayer connection conductor v5 (the fifth interlayer connection conductor). conductor) to the upper end (end in the positive direction of the Y-axis) in the front-rear direction (Y-axis direction).
  • the first opening Op1 is located near the interlayer connection conductors v2 and v5. More specifically, when viewed in the vertical direction (Z-axis direction), the first opening Op1 is located to the left (on the X-axis) of the vicinity of the first reference straight line negative direction). Note that being located near the first reference straight line X1 means being located to the left of the first straight line L1 and to the right of the second straight line L2.
  • the first straight line L1 is a line that passes through the first point p1 and is orthogonal to the signal conductor layer 20.
  • the second straight line L2 is a line that passes through the fourth point p4 and is orthogonal to the signal conductor layer 20.
  • the center C1 of the first opening Op1 in the front-back direction and the left-right direction (X-axis direction) is located between the first straight line L1 and the second straight line L2.
  • the first opening Op1 is located between the first straight line L1 and the second straight line L2 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction).
  • the first opening Op1 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction), the first opening Op1 is located to the right (in the positive direction of the X-axis) of the interlayer connection conductor v11 (the eleventh interlayer connection conductor). Furthermore, when viewed in the vertical direction (Z-axis direction), the left end (end in the negative direction of the X-axis) of the first opening Op1 is connected to the interlayer connection conductor v1 (first interlayer connection conductor) and the interlayer connection conductor v4 (fourth It is located to the right (in the positive direction of the X-axis) of the straight line X3 connecting the connecting conductor).
  • the left end (end in the negative direction of the X-axis) of the first opening Op1 is the right end (end in the X-axis negative direction) of the interlayer connection conductor v1 (first interlayer connection conductor) (the end in the positive direction of the X-axis) and the right end (the end in the positive direction of the X-axis) of the interlayer connection conductor v4 (the fourth interlayer connection conductor).
  • the right end (end in the positive direction of the X-axis) of the first opening Op1 is located from the third straight line L3 that passes through the second point p2 and is perpendicular to the signal conductor layer 20. It is located on the left (negative direction of the X axis).
  • the entire first opening Op1 is located between the first straight line L1 and the second straight line L2 when viewed in the vertical direction (Z-axis direction). More precisely, the first opening Op1 is located between the first reference straight line X1 and the first straight line L1.
  • the front end (the end in the positive direction of the Y-axis) of the first opening Op1 is located behind the front end (the end in the positive direction of the Y-axis) of the interlayer connection conductor v2 (the second interlayer connection conductor) (in the negative direction of the Y-axis). It is located in The rear end (end in the negative direction of the Y-axis) of the first opening Op1 is in front of the rear end (end in the negative direction of the Y-axis) of the interlayer connection conductor v5 (fifth interlayer connection conductor) (positive direction of the Y-axis) It is located in
  • a first opening Op1 is provided in the second reference conductor layer 24, which is provided at a vertically different position from the signal terminal 26a.
  • the fourth straight line L4 is a line that passes through the third point p3 and is orthogonal to the signal conductor layer 20.
  • the protective layer 18a is an insulator layer that covers the upper main surface of the insulator layer 16a. Thereby, the protective layer 18a protects the first reference conductor layer 22.
  • the protective layer 18a is provided with openings h1 to h6.
  • the opening h1 overlaps the signal terminal 26a when viewed in the vertical direction. Thereby, the signal terminal 26a is exposed to the outside from the multilayer substrate 10.
  • the opening h2 is located after the opening h1.
  • a portion of the first reference conductor layer 22 is exposed to the outside from the multilayer substrate 10 via the opening h2.
  • the opening h3 is located in front of the opening h1.
  • a portion of the first reference conductor layer 22 is exposed to the outside from the multilayer substrate 10 via the opening h3.
  • the structure of the openings h4 to h6 is symmetrical to the structure of the openings h1 to h3, so a description thereof will be omitted.
  • the protective layer 18b is a protective layer that covers the lower main surface of the insulator layer 16c. Thereby, the protective layer 18b protects the second reference conductor layer 24.
  • the multilayer substrate 10 as described above has flexibility. Therefore, as shown in FIG. 4, the multilayer substrate 10 can be bent. Specifically, the multilayer substrate 10 has a first section A1, a second section A2, and a third section A3. The first section A1, the second section A2, and the third section A3 are arranged in this order from left to right when the multilayer substrate 10 is not bent. As shown in FIG. 2, the first section A1 is a section to the left of the first reference straight line X1 that connects the interlayer connection conductor v2 and the interlayer connection conductor v5.
  • the second section A2 is a section between the first reference straight line X1 that connects the interlayer connection conductor v2 and the interlayer connection conductor v5 and the second reference straight line X2 that connects the interlayer connection conductor v3 and the interlayer connection conductor v6.
  • the third section A3 is a section to the right of the second reference straight line X2 that connects the interlayer connection conductor v3 and the interlayer connection conductor v6.
  • a portion a2 of the second section A2 is bent downward with respect to the first section A1. That is, the multilayer board 10 has a first reference straight line X1 connecting interlayer connection conductor v2 (second interlayer connection conductor) and interlayer connection conductor v5 (fifth interlayer connection conductor) and interlayer connection conductor v3 (third interlayer connection conductor). and the second reference straight line X2 connecting the interlayer connection conductor v6 (sixth interlayer connection conductor).
  • the end of the portion a2 in the negative direction of the X-axis is located in the positive direction of the X-axis from the end of the second section A2 in the negative direction of the X-axis.
  • the end of the portion a2 in the positive direction of the X-axis is located in the negative direction of the X-axis from the end of the second section A2 in the positive direction of the X-axis.
  • the first section A1 and the third section A3 are not bent.
  • the first section A1 and the third section A3 may be slightly bent. In this case, the radius of curvature of the first section A1 and the radius of curvature of the third section A3 are larger than the radius of curvature of the portion a2 of the second section A2.
  • the generation of noise can be suppressed. More specifically, in the multilayer board 10, the distance D2 in the left-right direction between the interlayer connection conductor v2 and the interlayer connection conductor v3 is longer than the distance D1 in the left-right direction between the interlayer connection conductor v1 and the interlayer connection conductor v2. The distance D12 in the left-right direction between the interlayer connection conductor v5 and the interlayer connection conductor v6 is longer than the distance D11 in the left-right direction between the interlayer connection conductor v4 and the interlayer connection conductor v5. Therefore, the characteristic impedance generated in the signal conductor layer 20 tends to be non-uniform.
  • a propagation mode (hereinafter referred to as an unnecessary propagation mode) other than the desired propagation mode (TEM mode) occurs.
  • the unnecessary propagation mode may be radiated as noise from the region between the first reference straight line X1 and the second reference straight line X2.
  • the first opening Op1 when viewed in the vertical direction, is located to the left of the vicinity of the first reference straight line X1 connecting the second interlayer connection conductor v2 and the fifth interlayer connection conductor v5. Furthermore, when viewed in the vertical direction, the first opening Op1 is located to the right of the eleventh interlayer connection conductor v11. Thereby, the first opening Op1 is located near the interlayer connection conductors v2 and v5. The center C1 of the first opening Op1 is located near the first reference straight line X1 in the left-right direction, and is not located near the interlayer connection conductors v2, v5.
  • the width of the first opening Op1 in the front-rear direction is more than half of the distance D60 in the front-rear direction between the rear end of the interlayer connection conductor v2 and the front end of the interlayer connection conductor v5.
  • the multilayer board 10 is a part of the second section A2 between the first reference straight line X1 that connects the interlayer connection conductor v2 and the interlayer connection conductor v5 and the straight line X2 that connects the interlayer connection conductor v3 and the interlayer connection conductor v6. It is bent at a2. There is no interlayer connection conductor in part a2 of the second section A2. Therefore, even if the portion a2 of the second section A2 is bent, the distance between the signal conductor layer 20 and the interlayer connection conductor is unlikely to change in the portion a2 of the second section A2. As a result, the characteristic impedance generated in the signal conductor layer 20 is less likely to fluctuate in the portion a2 of the second section A2. Therefore, according to the multilayer substrate 10, the characteristic impedance generated in the signal conductor layer 20 is suppressed from varying from the desired characteristic impedance (for example, 50 ⁇ ).
  • the desired characteristic impedance for example, 50 ⁇
  • the width of the first opening Op1 in the front-rear direction is larger than the width of the first opening Op1 in the left-right direction. That is, the first opening Op1 has a longitudinal direction in the front-rear direction. Therefore, the first opening Op1 prevents the unnecessary propagation mode from flowing to the right. Furthermore, since the width of the first opening Op1 in the left-right direction is small, the area of the first opening Op1 does not become too large. As a result, noise is suppressed from being radiated from the first opening Op1. Further, the strength of the multilayer substrate 10 can be maintained.
  • the front end of the first opening Op1 is located behind the front end of the interlayer connection conductor v2.
  • the rear end of the first opening Op1 is located in front of the rear end of the interlayer connection conductor v5.
  • the generation of noise can be suppressed. More specifically, the characteristic impedance generated in the interlayer connection conductor v11 and the sections before and after it tends to vary from a desired characteristic impedance. Therefore, unnecessary propagation modes are likely to occur in the interlayer connection conductor v11. Thereby, the unnecessary propagation mode flows to the right in the second reference conductor layer 24 near the first reference straight line X1.
  • the interlayer connection conductor v11 is located in the section where the interlayer connection conductor v1, the interlayer connection conductor v2, the interlayer connection conductor v4, the interlayer connection conductor v5, the interlayer connection conductor v7, and the interlayer connection conductor v8 are provided.
  • This suppresses unnecessary propagation modes from being radiated as noise to the outside of the multilayer board 10 by the interlayer connection conductors v1, interlayer connection conductors v2, interlayer connection conductors v4, interlayer connection conductors v5, interlayer connection conductors v7, and interlayer connection conductors v8. be done.
  • FIG. 5 is a top view of the insulator layer 16c.
  • the multilayer substrate 10a differs from the multilayer substrate 10 in that the second openings Op2 to Op5, the third opening Op6, and the fourth openings Op7 to Op10 are provided in the second reference conductor layer 24.
  • the second opening Op2 is located to the front left of the first opening Op1.
  • the second opening Op3 is located at the rear left of the first opening Op1.
  • the second opening Op4 is located on the right front of the first opening Op1.
  • the second opening Op5 is located on the right rear of the first opening Op1. Furthermore, when viewed in the left-right direction, the front end of the first opening Op1 overlaps with the rear end of the second opening Op2 and the rear end of the second opening Op4.
  • the rear end of the first opening Op1 overlaps the front end of the second opening Op3 and the front end of the second opening Op5.
  • Each of the widths of the second openings Op2 to Op5 in the front-rear direction is larger than the width of the second openings Op2 to Op5 in the left-right direction.
  • the second openings Op2 to Op5 are located between the first straight line L1 and the second straight line L2.
  • the centers C2 to C5 of the second openings Op2 to Op5 in the left-right direction (X-axis direction) are located between the first straight line L1 and the second straight line L2.
  • the width W1 in the front-back direction (Y-axis direction) of the region where the first opening Op1 and the second openings Op2 to Op5 are present is equal to the width W1 of the interlayer connection conductor v2 (the fourth Distance in the front-back direction (Y-axis direction) between the rear end (end in the negative direction of the Y-axis) of the interlayer connection conductor) and the front end (end in the positive direction of the Y-axis) of the interlayer connection conductor v5 (fifth interlayer connection conductor) It is more than half of D60.
  • the third opening Op6 and the fourth openings Op7 to Op10 are located near the interlayer connection conductor v12.
  • the third opening Op6 has a laterally symmetrical structure with the first opening Op1.
  • the fourth openings Op7 to Op10 have a structure on the left and right sides of the second openings Op2 to Op5. Therefore, description of the structures of the third opening Op6 and the fourth openings Op7 to Op10 will be omitted.
  • This suppresses noise generated by the interlayer connection conductor v12 from being radiated.
  • the other structure of the multilayer substrate 10a is the same as that of the multilayer substrate 10, so the description thereof will be omitted.
  • the multilayer substrate 10a can achieve the effects (a), (c), (d), (e), and (f).
  • the width W1 in the front-rear direction of the region where the first opening Op1 and the second openings Op2 to Op5 are present is the same as the rear end of the interlayer connection conductor v4 and the interlayer This is more than half of the distance D60 in the front-rear direction from the front end of the connecting conductor v5.
  • the flow of unnecessary propagation modes propagating through the second reference conductor layer 24 is efficiently blocked by the first opening Op1 and the second openings Op2 to Op5. Therefore, unnecessary propagation modes are suppressed from being radiated as noise between the interlayer connection conductor v2 and the interlayer connection conductor v3 and between the interlayer connection conductor v5 and the interlayer connection conductor v6.
  • the third opening Op6 has a line-symmetric structure with respect to the first opening Op1 and the third straight line L3.
  • the fourth openings Op7 to Op10 have a line-symmetric structure with respect to the second openings Op2 to Op5 and the third straight line L3.
  • FIG. 6 is an exploded perspective view of the multilayer substrate 10b.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 10b.
  • the multilayer substrate 10b differs from the multilayer substrate 10 in that the first reference conductor layer 22 is provided with an opening Op30.
  • the opening Op30 does not overlap the first opening Op1 when viewed in the vertical direction. This makes it difficult for the characteristic impedance generated in the signal conductor layer 20 to fluctuate. Furthermore, the influence of noise is suppressed by locating the opening Op1 closer to the interlayer connection conductor v11 than the opening Op30.
  • the other structure of the multilayer substrate 10b is the same as that of the multilayer substrate 10, so a description thereof will be omitted.
  • the multilayer substrate 10b can exhibit the effects (a) to (f). Moreover, according to the multilayer substrate 10b, the characteristic impedance generated in the signal conductor layer 20 is suppressed from varying from a desired characteristic impedance.
  • FIG. 8 is a top view of the insulator layer 16c.
  • the line width w1 of the portion where the signal conductor layer 20 overlaps with the first opening Op1 when viewed in the vertical direction is such that the line width w1 of the portion where the signal conductor layer 20 overlaps with the first opening Op1 of the signal conductor layer 20 when viewed in the vertical direction is It differs from the multilayer substrate 10 in that the line width w2 is thicker than that of the multilayer substrate 10.
  • the other structure of the multilayer substrate 10c is the same as that of the multilayer substrate 10, so a description thereof will be omitted.
  • the multilayer substrate 10b can exhibit the effects (a) to (f).
  • the characteristic impedance generated in the signal conductor layer 20 is suppressed from varying from the desired characteristic impedance. More specifically, capacitance is unlikely to be formed between the signal conductor layer 20 and the second reference conductor layer 24 in the portion where the signal conductor layer 20 overlaps with the first opening Op1 when viewed in the vertical direction. Therefore, the characteristic impedance generated in the portion where the signal conductor layer 20 overlaps with the first opening Op1 when viewed in the vertical direction tends to be higher than the desired characteristic impedance.
  • the line width w1 of the portion of the signal conductor layer 20 that overlaps with the first opening Op1 when viewed in the vertical direction is the line width w1 of the portion of the signal conductor layer 20 that does not overlap with the first opening Op1 when viewed in the vertical direction. Thicker than w2.
  • the characteristic impedance generated in the portion where the signal conductor layer 20 overlaps with the first opening Op1 when viewed in the vertical direction approaches the desired characteristic impedance.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 10d.
  • the multilayer substrate 10d differs from the multilayer substrate 10 in that it further includes a conductor 50.
  • the conductor 50 is filled in the first opening Op1.
  • the conductivity of the conductor 50 is lower than the conductivity of the second reference conductor layer 24 .
  • the other structure of the multilayer substrate 10d is the same as that of the multilayer substrate 10, so the description thereof will be omitted.
  • the multilayer substrate 10d can achieve the effects (a) to (f).
  • the conductor 50 is filled in the first opening Op1.
  • the conductivity of the conductor 50 is lower than that of the second reference conductor layer 24. Therefore, even if the unnecessary propagation mode flows in the right direction through the second reference conductor layer 24, it is attenuated by the conductor 50. Therefore, unnecessary propagation modes are suppressed from being radiated as noise between the interlayer connection conductor v2 and the interlayer connection conductor v3 and between the interlayer connection conductor v5 and the interlayer connection conductor v6.
  • the conductor 50 is filled in the first opening Op1. This suppresses noise from entering the multilayer substrate 10 through the first opening Op1. Further, noise is suppressed from being radiated to the outside of the multilayer substrate 10 from the first opening Op1.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 10e.
  • the multilayer substrate 10e differs from the multilayer substrate 10 in that it further includes an insulator 60 and a conductor 62.
  • the insulator 60 is filled in the first opening Op1.
  • the material of the insulator 60 may be the same as or different from the material of the insulator layers 16a to 16c. Furthermore, the material of the insulator 60 may be the same as or different from the material of the protective layers 18a and 18b.
  • a conductor 62 covers the insulator 60.
  • the conductivity of the conductor 62 is lower than the conductivity of the second reference conductor layer 24 .
  • the other structure of the multilayer substrate 10e is the same as that of the multilayer substrate 10, so the description thereof will be omitted.
  • the multilayer substrate 10d can achieve the effects (a) to (f), (i), and (j).
  • FIG. 11 is a top view of the insulator layer 16c.
  • the multilayer board 10f is different from the multilayer board 10 in that it includes a plurality of interlayer connection conductors v7 and a plurality of interlayer connection conductors v8.
  • the plurality of interlayer connection conductors v7 are lined up along the signal conductor layer 20 on the left (in the negative direction of the X axis) from the interlayer connection conductor v1 (first interlayer connection conductor).
  • the distance D7 in the left-right direction (X-axis direction) between the plurality of interlayer connection conductors v7 (seventh interlayer connection conductor) is the distance between interlayer connection conductor v2 (second interlayer connection conductor) and interlayer connection conductor v3 (third interlayer connection conductor). is shorter than the distance D2 in the left-right direction (X-axis direction).
  • interlayer connection conductor v7 (seventh interlayer connection conductor) located on the rightmost side (in the positive direction of the X axis) and interlayer connection conductor v1 (first interlayer connection conductor)
  • the distance D8 in the left-right direction (X-axis direction) with the connecting conductor) is the distance D8 in the left-right direction (X-axis direction) between the interlayer connecting conductor v2 (second interlayer connecting conductor) and the interlayer connecting conductor v3 (third interlayer connecting conductor). shorter than distance D2. Spacing D7 and distance D8 are equal to distance D1.
  • the plurality of interlayer connection conductors v8 are lined up along the signal conductor layer 20 on the left side (in the negative direction of the X axis) of the interlayer connection conductor v4 (fourth interlayer connection conductor).
  • the distance D17 in the left-right direction (X-axis direction) between the plurality of interlayer connection conductors v8 (eighth interlayer connection conductor) is the distance between interlayer connection conductor v5 (fifth interlayer connection conductor) and interlayer connection conductor v6 (sixth interlayer connection conductor). is shorter than the distance D12 in the left-right direction (X-axis direction).
  • the interlayer connecting conductor v8 (eighth interlayer connecting conductor) located on the rightmost side (in the positive direction of the X axis) among the plurality of interlayer connecting conductors v8 (eighth interlayer connecting conductor) and the interlayer connecting conductor v4 (fourth interlayer connecting conductor)
  • the distance D18 in the left-right direction (X-axis direction) with the connecting conductor) is the distance D18 in the left-right direction (X-axis direction) between the interlayer connecting conductor v5 (fifth interlayer connecting conductor) and the interlayer connecting conductor v6 (sixth interlayer connecting conductor). It is shorter than distance D12.
  • the interval D17 and the distance D18 are equal to the distance D11.
  • Interlayer connection conductor v11 (11th interlayer connection conductor) includes interlayer connection conductor v1 (first interlayer connection conductor), interlayer connection conductor v2 (second interlayer connection conductor), interlayer connection conductor v4 (fourth interlayer connection conductor), and interlayer connection conductor v4 (fourth interlayer connection conductor). It is located in a section surrounded by a connection conductor v5 (fifth interlayer connection conductor), a plurality of interlayer connection conductors v7 (seventh interlayer connection conductor), and a plurality of interlayer connection conductors v8 (eighth interlayer connection conductor).
  • the other structure of the multilayer substrate 10f is the same as that of the multilayer substrate 10, so a description thereof will be omitted.
  • the multilayer substrate 10f can achieve the effects (a) to (f).
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the multilayer substrate 10g.
  • the multilayer board 10g differs from the multilayer board 10 in that it further includes a signal conductor layer 21, a first reference conductor layer 22a, an insulator layer 16d, and interlayer connection conductors v15 and v16.
  • the insulator layer 16d is laminated on the insulator layer 16a. However, the insulator layer 16d is provided only on the left end portion of the multilayer substrate 10g.
  • the signal conductor layer 21 is located on the upper main surface of the insulator layer 16a.
  • the interlayer connection conductor v15 vertically penetrates the insulator layer 16a.
  • the interlayer connection conductor v15 electrically connects the left end of the signal conductor layer 20 and the right end of the signal conductor layer 21.
  • the interlayer connection conductor v11 electrically connects the left end portion of the signal conductor layer 21 and the signal terminal 26a.
  • the interlayer connection conductors v11 and v15 do not overlap with the first opening Op1 when viewed in the vertical direction.
  • the first reference conductor layer 22a is located on the upper main surface of the insulator layer 16a.
  • the interlayer connection conductor v16 electrically connects the first reference conductor layer 22a and the first reference conductor layer 22.
  • the other structure of the multilayer substrate 10g is the same as that of the multilayer substrate 10, so a description thereof will be omitted.
  • the multilayer substrate 10g can exhibit the effects (a) to (f).
  • FIG. 13 is a top view of the insulator layer 16c.
  • the multilayer substrate 10h differs from the multilayer substrate 10 in that the first opening Op1 is located between the first reference straight line X1 and the straight line X3 when viewed in the vertical direction. More precisely, the first opening Op1 is located to the left of the first reference straight line X1 and to the right of the straight line X3.
  • the other structure of the multilayer substrate 10h is the same as that of the multilayer substrate 10, so the description thereof will be omitted.
  • the multilayer substrate 10h can exhibit the effects (a) to (f).
  • the multilayer substrate according to the present invention is not limited to the multilayer substrates 10, 10a to 10h, and can be modified within the scope of the gist thereof. Furthermore, the structures of the multilayer substrates 10, 10a to 10h may be combined arbitrarily.
  • the number of second openings is not limited to four.
  • the number of second openings may be 1 or more and 3 or less, or 5 or more.
  • the signal conductor layer 20 may be curved when viewed in the vertical direction.
  • the multilayer substrates 10, 10a to 10g include sections where the X-axis direction coincides with the left-right direction and sections where the X-axis direction does not match the left-right direction.
  • the first opening Op1 may be provided not in the second reference conductor layer 24 but in the first reference conductor layer 22. In this case, there is no conductor layer within the first opening Op1. Therefore, the first opening Op1 is different from, for example, an opening provided in the first reference conductor layer 22 for the signal terminal 26a.
  • the signal conductor layer 20 may be bent in the front direction or the rear direction when viewed in the vertical direction.
  • the opening Op1 may be provided in the first reference conductor layer 22.
  • the purpose of the multilayer substrates 10, 10a to 10h is to remove noise caused by the capacitance formed between the reference conductor overlapping the interlayer connection conductor v11 and the interlayer connection conductor v11. Therefore, in the multilayer substrate 10g, the first opening Op1 may be provided in the first reference conductor layer 22, since it is only necessary to provide a reference conductor that overlaps the interlayer connection conductor v11, or it may be provided in the second reference conductor layer 24. may be provided.
  • Multilayer substrate 12 Laminated bodies 16a to 16d: Insulator layers 18a, 18b: Protective layers 20, 21: Signal conductor layer 22: First reference conductor layer 24: Second reference conductor layer 26a, 26b: Signal terminals 50, 62: Conductor 60: Insulator A1: First section A2: Second section A3: Third section C1 to C5: Center CL: Center line L1: First straight line L2: Second straight line L3: Third straight line Op1: First opening Op2 to Op5: Second opening Op30: Opening Op6: Third opening Op7 to Op10: Fourth opening P1: First intersection P2: Second intersection p1: First point p2: Second point p3: th 3 points p4: 4th points v1 to v12, v15: interlayer connection conductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

第１リファレンス導体層及び第２リファレンス導体層の内の第１１層間接続導体と重なるリファレンス導体層には、Ｚ軸方向に見て、信号導体層と重なる第１開口が設けられている。Ｚ軸方向に見て、第１開口は、第２層間接続導体と第５層間接続導体とを結ぶ第１基準直線近傍よりＸ軸の負方向に位置している。Ｚ軸方向に見て、第１開口は、第１１層間接続導体よりＸ軸の正方向に位置している。

Description

多層基板
　本発明は、信号導体層を備える多層基板に関する。
　従来の多層基板に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の伝送線路が知られている。この伝送線路は、信号線、２つの接地導体、複数のＧＮＤビアを備えている。信号線は、上下方向において、２つの接地導体の間に位置している。信号線は、前後方向に延びている。複数のＧＮＤビアは、２つの接地導体を電気的に接続している。複数のＧＮＤビアは、信号線の左及び右の両方に位置している。複数のＧＮＤビアは、信号線に沿って並んでいる。
特開２０１０－２８３０６号公報
　ところで、特許文献１に記載の伝送線路では、複数のＧＮＤビアの間隔が不均一である。そのため、信号線に発生する特性インピーダンスも不均一である。この場合、所望の伝搬モード（例えば、ＴＥＭモード）以外の伝搬モード（以下、不要伝搬モード）が発生する。その結果、２つの接地導体に不要伝搬モードが流れる。このような不要伝搬モードは、複数のＧＮＤビアの内の大きく間隔が空いている２つのＧＮＤビアの間から伝送線路外にノイズとして放射される。その結果、伝送線路においてノイズが発生する。
　そこで、本発明の目的は、ノイズの発生を抑制できる多層基板を提供することである。
　本発明の一形態に係る多層基板は、
　複数の絶縁体層がＺ軸方向に積層された構造を有する積層体と、
　前記積層体に設けられ、かつ、前記Ｚ軸方向に直交するＸ軸方向に延びる線形状を有している信号導体層と、
　前記積層体に設けられ、かつ、前記信号導体層よりＺ軸の正方向に位置し、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記信号導体層と重なっている第１リファレンス導体層と、
　前記積層体に設けられ、かつ、前記信号導体層より前記Ｚ軸の負方向に位置し、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記信号導体層と重なっている第２リファレンス導体層と、
　前記第１リファレンス導体層と前記第２リファレンス導体層とを電気的に接続し、かつ、前記信号導体層より前記Ｘ軸方向及び前記Ｚ軸方向に直交するＹ軸の正方向に位置し、かつ、前記信号導体層に沿ってＸ軸の正方向に向かってこの順に並ぶ第１層間接続導体、第２層間接続導体及び第３層間接続導体と、
　前記第１リファレンス導体層と前記第２リファレンス導体層とを電気的に接続し、かつ、前記信号導体層より前記Ｙ軸の負方向に位置し、かつ、前記信号導体層に沿って前記Ｘ軸の正方向に向かってこの順に並ぶ第４層間接続導体、第５層間接続導体及び第６層間接続導体と、
　前記信号導体層に接続され、かつ、前記信号導体層より前記Ｚ軸の正方向に位置し、かつ、前記複数の絶縁体層の内の１以上を前記Ｚ軸に沿って貫通する第１１層間接続導体と、
　を備えており、
　前記第２層間接続導体と前記第３層間接続導体との前記Ｘ軸方向の距離は、前記第１層間接続導体と前記第２層間接続導体との前記Ｘ軸方向の距離より長く、
　前記第５層間接続導体と前記第６層間接続導体との前記Ｘ軸方向の距離は、前記第４層間接続導体と前記第５層間接続導体との前記Ｘ軸方向の距離より長く、
　前記第１リファレンス導体層及び前記第２リファレンス導体層の内の前記第１１層間接続導体と重なるリファレンス導体層には、前記Ｚ軸方向に見て、前記信号導体層と重なる第１開口が設けられており、
　前記Ｚ軸方向に見て、前記第１開口は、前記第２層間接続導体と前記第５層間接続導体とを結ぶ前記第１基準直線近傍より前記Ｘ軸の負方向に位置しており、
　前記Ｚ軸方向に見て、前記第１開口は、前記第１１層間接続導体より前記Ｘ軸の正方向に位置している。
　本発明に係る多層基板によれば、ノイズの発生を抑制できる。
図１は、多層基板１０の分解斜視図である。 図２は、絶縁体層１６ｃの上面図である。 図３は、多層基板１０の断面図である。 図４は、使用時の多層基板１０の正面図である。 図５は、絶縁体層１６ｃの上面図である。 図６は、多層基板１０ｂの分解斜視図である。 図７は、多層基板１０ｂの断面図である。 図８は、絶縁体層１６ｃの上面図である。 図９は、多層基板１０ｄの断面図である。 図１０は、多層基板１０ｅの断面図である。 図１１は、絶縁体層１６ｃの上面図である。 図１２は、多層基板１０ｇの断面図である。 図１３は、絶縁体層１６ｃの上面図である。
（実施形態）
［多層基板の構造］
　以下に、本発明の実施形態に係る多層基板１０の構造について図面を参照しながら説明する。図１は、多層基板１０の分解斜視図である。図２は、絶縁体層１６ｃの上面図である。図２では、信号導体層２０を重ねて表示した。図３は、多層基板１０の断面図である。図４は、使用時の多層基板１０の正面図である。
　本明細書において、方向を以下のように定義する。多層基板１０の積層体１２の積層方向を上下方向と定義する。また、上下方向は、Ｚ軸方向と一致する。上方向は、Ｚ軸の正方向である。下方向は、Ｚ軸の負方向である。また、多層基板１０の信号導体層２０が延びる方向を左右方向と定義する。左右方向は、Ｘ軸方向と一致する。右方向は、Ｘ軸の正方向である。左方向は、Ｘ軸の負方向である。また、上下方向に見て、信号導体層２０の線幅方向を前後方向と定義する。前後方向は、Ｙ軸方向と一致する。前方向は、Ｙ軸の正方向である。後方向は、Ｙ軸の負方向である。上下方向、前後方向及び左右方向は、互いに直交している。なお、上下方向の上方向と下方向とが入れ替わってもよいし、左右方向の左方向と右方向とが入れ替わってもよいし、前後方向の前方向と後方向とが入れ替わってもよい。
　以下では、Ｘは、多層基板１０の部品又は部材である。本明細書において、特に断りのない場合には、Ｘの各部について以下のように定義する。Ｘの前部とは、Ｘの前半分を意味する。Ｘの後部とは、Ｘの後半分を意味する。Ｘの左部とは、Ｘの左半分を意味する。Ｘの右部とは、Ｘの右半分を意味する。Ｘの上部とは、Ｘの上半分を意味する。Ｘの下部とは、Ｘの下半分を意味する。Ｘの前端とは、Ｘの前方向の端を意味する。Ｘの後端とは、Ｘの後方向の端を意味する。Ｘの左端とは、Ｘの左方向の端を意味する。Ｘの右端とは、Ｘの右方向の端を意味する。Ｘの上端とは、Ｘの上方向の端を意味する。Ｘの下端とは、Ｘの下方向の端を意味する。Ｘの前端部とは、Ｘの前端及びその近傍を意味する。Ｘの後端部とは、Ｘの後端及びその近傍を意味する。Ｘの左端部とは、Ｘの左端及びその近傍を意味する。Ｘの右端部とは、Ｘの右端及びその近傍を意味する。Ｘの上端部とは、Ｘの上端及びその近傍を意味する。Ｘの下端部とは、Ｘの下端及びその近傍を意味する。
　まず、図１を参照しながら、多層基板１０の構造について説明する。多層基板１０は、高周波信号を伝送する。多層基板１０は、スマートフォン等の電子機器において、２つの回路を電気的に接続するために用いられる。多層基板１０は、図１に示すように、積層体１２、信号導体層２０、第１リファレンス導体層２２、第２リファレンス導体層２４、信号端子２６ａ，２６ｂ、層間接続導体ｖ１～ｖ８，ｖ１１，ｖ１２、複数の層間接続導体ｖ９及び複数の層間接続導体ｖ１０を備えている。
　積層体１２は、板形状を有している。従って、積層体１２は、上主面及び下主面を有している。積層体１２の上主面及び下主面は、左右方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。従って、積層体１２の左右方向の長さは、積層体１２の前後方向の長さより長い。積層体１２は、可撓性を有している。
　積層体１２は、図１に示すように、絶縁体層１６ａ～１６ｃ及び保護層１８ａ，１８ｂがＺ軸方向に積層された構造を有している。保護層１８ａ、絶縁体層１６ａ～１６ｃ及び保護層１８ｂは、上から下へとこの順に並んでいる。絶縁体層１６ａ～１６ｃは、上下方向に並ぶ上主面及び下主面を有している。絶縁体層１６ａ～１６ｃの材料は、熱可塑性樹脂である。熱可塑性樹脂は、例えば、液晶ポリマである。絶縁体層１６ａ～１６ｃは、上下方向に隣接するもの同士で融着している。保護層１８ａ，１８ｂについては後述する。
　信号導体層２０には、高周波信号が伝送される。信号導体層２０は、積層体１２に設けられている。本実施形態では、信号導体層２０は、絶縁体層１６ｂの上主面に位置している。信号導体層２０は、左右方向（Ｘ軸方向）に延びる線形状を有している。
　第１リファレンス導体層２２は、図１に示すように、積層体１２に設けられている。第１リファレンス導体層２２は、信号導体層２０より上（Ｚ軸の正方向）に位置し、かつ、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、信号導体層２０と重なっている。本実施形態では、第１リファレンス導体層２２は、絶縁体層１６ａの上主面に位置している。第１リファレンス導体層２２は、絶縁体層１６ａの上主面の略全面を覆っている。第１リファレンス導体層２２には、リファレンス電位が接続される。リファレンス電位は、例えば、グランド電位である。
　第２リファレンス導体層２４は、図１に示すように、積層体１２に設けられている。第２リファレンス導体層２４は、信号導体層２０より下（Ｚ軸の負方向）に位置し、かつ、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、信号導体層２０と重なっている。本実施形態では、第２リファレンス導体層２４は、絶縁体層１６ｃの下主面に位置している。第２リファレンス導体層２４は、絶縁体層１６ｃの下主面の略全面を覆っている。第２リファレンス導体層２４には、リファレンス電位が接続される。リファレンス電位は、例えば、グランド電位である。以上のような信号導体層２０、第１リファレンス導体層２２及び第２リファレンス導体層２４は、ストリップライン構造を有している。
　第１リファレンス導体層２２及び第２リファレンス導体層２４の内の層間接続導体ｖ１１（第１１層間接続導体）と重なるリファレンス導体層には、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、信号導体層２０と重なる第１開口Ｏｐ１が設けられている。本実施形態では、層間接続導体ｖ１１は、第２リファレンス導体層２４と重なっており、かつ、第１リファレンス導体層２２と重なっていない。そこで、第２リファレンス導体層２４には、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、信号導体層２０と重なる第１開口Ｏｐ１が設けられている。第１開口Ｏｐ１の構造については後述する。
　信号端子２６ａは、積層体１２の左端部に設けられている。より詳細には、信号端子２６ａは、積層体１２の上主面（Ｚ軸の正方向に位置する主面）に位置している。信号端子２６ａは、上下方向に見て、信号導体層２０の左端部と重なっている。信号端子２６ａは、上下方向に見て、円形状を有している。信号端子２６ａは、高周波信号が入出力する外部端子である。信号端子２６ａは、第１リファレンス導体層２２に接触していない。
　層間接続導体ｖ１１（第１１層間接続導体）は、信号端子２６ａと信号導体層２０の左端部とを電気的に接続している。層間接続導体ｖ１１は、絶縁体層１６ａを上下方向に貫通している。信号端子２６ｂ及び層間接続導体ｖ１２の構造は、信号端子２６ａ及び層間接続導体ｖ１１の構造と左右対称であるので、説明を省略する。
　図１に示すように、層間接続導体ｖ１（第１層間接続導体）、層間接続導体ｖ２（第２層間接続導体）、層間接続導体ｖ３（第３層間接続導体）、層間接続導体ｖ７（第７層間接続導体）及び複数の層間接続導体ｖ９は、第１リファレンス導体層２２と前記第２リファレンス導体層２４とを電気的に接続している。図２に示すように、層間接続導体ｖ１（第１層間接続導体）、層間接続導体ｖ２（第２層間接続導体）、層間接続導体ｖ３（第３層間接続導体）、層間接続導体ｖ７（第７層間接続導体）及び複数の層間接続導体ｖ９は、信号導体層２０より前（Ｙ軸の正方向）に位置している。層間接続導体ｖ７、層間接続導体ｖ１（第１層間接続導体）、層間接続導体ｖ２（第２層間接続導体）、層間接続導体ｖ３（第３層間接続導体）及び複数の層間接続導体ｖ９は、信号導体層２０に沿って右方向（Ｘ軸の正方向）に向かってこの順に並んでいる。
　層間接続導体ｖ２（第２層間接続導体）と層間接続導体ｖ３（第３層間接続導体）との左右方向（Ｘ軸方向）の距離Ｄ２は、層間接続導体ｖ１（第１層間接続導体）と層間接続導体ｖ２（第２層間接続導体）との左右方向（Ｘ軸方向）の距離Ｄ１より長い。層間接続導体ｖ７と層間接続導体ｖ１との左右方向の距離Ｄ４は、層間接続導体ｖ２と層間接続導体ｖ３との左右方向の距離Ｄ２より短い。複数の層間接続導体ｖ９の内の最も左に位置する層間接続導体ｖ９と層間接続導体ｖ３との左右方向の距離Ｄ５は、層間接続導体ｖ２と層間接続導体ｖ３との左右方向の距離Ｄ２より短い。また、複数の層間接続導体ｖ９の左右方向の間隔Ｄ６は、層間接続導体ｖ２と層間接続導体ｖ３との左右方向の距離Ｄ２より短い。本実施形態では、距離Ｄ１と距離Ｄ４と距離Ｄ５と距離Ｄ６とは、互いに等しい。
　図１に示すように、層間接続導体ｖ４（第４層間接続導体）、層間接続導体ｖ５（第５層間接続導体）、層間接続導体ｖ６（第６層間接続導体）、層間接続導体ｖ８（第８層間接続導体）及び複数の層間接続導体ｖ１０は、第１リファレンス導体層２２と前記第２リファレンス導体層２４とを電気的に接続している。図２に示すように、層間接続導体ｖ４（第４層間接続導体）、層間接続導体ｖ５（第５層間接続導体）、層間接続導体ｖ６（第６層間接続導体）、層間接続導体ｖ８（第８層間接続導体）及び複数の層間接続導体ｖ１０は、信号導体層２０より後（Ｙ軸の負方向）に位置している。層間接続導体ｖ８、層間接続導体ｖ４（第４層間接続導体）、層間接続導体ｖ５（第５層間接続導体）、層間接続導体ｖ６（第６層間接続導体）及び複数の層間接続導体ｖ１０は、信号導体層２０に沿って右方向（Ｘ軸の正方向）に向かってこの順に並んでいる。
　層間接続導体ｖ５（第５層間接続導体）と層間接続導体ｖ６（第６層間接続導体）との左右方向（Ｘ軸方向）の距離Ｄ１２は、層間接続導体ｖ４（第４層間接続導体）と層間接続導体ｖ５（第５層間接続導体）との左右方向（Ｘ軸方向）の距離Ｄ１１より長い。層間接続導体ｖ８と層間接続導体ｖ４との左右方向の距離Ｄ１４は、層間接続導体ｖ５と層間接続導体ｖ６との左右方向の距離Ｄ１２より短い。複数の層間接続導体ｖ１０の内の最も左に位置する層間接続導体ｖ１０と層間接続導体ｖ６との左右方向の距離Ｄ１５は、層間接続導体ｖ５と層間接続導体ｖ６との左右方向の距離Ｄ１２より短い。また、複数の層間接続導体ｖ１０の左右方向の間隔Ｄ１６は、層間接続導体ｖ５と層間接続導体ｖ６との左右方向の距離Ｄ１２より短い。本実施形態では、距離Ｄ１１と距離Ｄ１４と距離Ｄ１５と距離Ｄ１６とは、互いに等しい。
　本実施形態では、層間接続導体ｖ１は、前後方向に見て、層間接続導体ｖ４と重なっている。層間接続導体ｖ２は、前後方向に見て、層間接続導体ｖ５と重なっている。層間接続導体ｖ３は、前後方向に見て、層間接続導体ｖ６と重なっている。層間接続導体ｖ７は、前後方向に見て、層間接続導体ｖ８と重なっている。複数の層間接続導体ｖ９のそれぞれは、複数の層間接続導体ｖ１０と重なっている。
　ただし、層間接続導体ｖ１は、前後方向に見て、層間接続導体ｖ４と重なっていなくてもよい。層間接続導体ｖ２は、前後方向に見て、層間接続導体ｖ５と重なっていなくてもよい。層間接続導体ｖ３は、前後方向に見て、層間接続導体ｖ６と重なっていなくてもよい。層間接続導体ｖ７は、前後方向に見て、層間接続導体ｖ８と重なっていなくてもよい。複数の層間接続導体ｖ９のそれぞれは、複数の層間接続導体ｖ１０と重なっていなくてもよい。
　また、図２に示すように、層間接続導体ｖ１１（第１１層間接続導体）は、層間接続導体ｖ１（第１層間接続導体）、層間接続導体ｖ２（第２層間接続導体）、層間接続導体ｖ４（第４層間接続導体）、層間接続導体ｖ５（第５層間接続導体）、層間接続導体ｖ７（第７層間接続導体）及び層間接続導体ｖ８（第８層間接続導体）に囲まれている区間に位置している。そして、層間接続導体ｖ１１と第１基準直線Ｘ１（後述）との左右方向の距離Ｄ５０は、信号導体層２０を伝送される高周波信号の半波長より短い。また、層間接続導体ｖ１１は、図３に示すように、上下方向に見て、後述する第１開口Ｏｐ１と重なっていない。
　以上のような第１リファレンス導体層２２、第２リファレンス導体層２４及び信号端子２６ａ，２６ｂは、例えば、絶縁体層１６ａ～１６ｃの上主面又は下主面に設けられた金属箔にエッチングが施されることにより形成されている。金属箔は、例えば、銅箔である。
　また、層間接続導体ｖ１～ｖ８，ｖ１１，ｖ１２及び複数の層間接続導体ｖ９，ｖ１０は、例えば、ビアホール導体である。ビアホール導体は、絶縁体層１６ａ～１６ｃに貫通孔を形成し、貫通孔に導電性ペーストを充填し、導電性ペーストを焼結させることにより作製される。層間接続導体ｖ１～ｖ８，ｖ１１，ｖ１２及び複数の層間接続導体ｖ９，ｖ１０の材料は、樹脂と金属との混合物である。
　ここで、第１基準直線Ｘ１は、層間接続導体ｖ２（第２層間接続導体）と層間接続導体ｖ５（第５層間接続導体）とを結ぶ線である。そして、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１基準直線Ｘ１と信号導体層２０の中心線ＣＬとの交点を第１交点Ｐ１と定義する。
　また、第２基準直線Ｘ２は、層間接続導体ｖ３（第３層間接続導体）及び層間接続導体ｖ６（第６層間接続導体）を通過する線である。そして、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第２基準直線Ｘ２と信号導体層２０の中心線ＣＬとの交点を第２交点Ｐ２と定義する。
　また、第１交点Ｐ１と第２交点Ｐ２との間の区間は、右方向（Ｘ軸の正方向）に向かって並ぶ第１点ｐ１、第２点ｐ２及び第３点ｐ３により４等分されている。更に、第１交点Ｐ１から左方向（Ｘ軸の負方向）に第１点ｐ１と第２点ｐ２との距離だけ離れた点を第４点ｐ４と定義する。
　以下に、第１開口Ｏｐ１の構造について説明する。第１開口Ｏｐ１は、前後方向に延びるスリット形状を有している。そのため、第１開口Ｏｐ１の前後方向（Ｙ軸方向）の幅は、第１開口Ｏｐ１の左右方向（Ｘ軸方向）の幅より大きい。そして、第１開口Ｏｐ１の前後方向（Ｙ軸方向）の幅は、層間接続導体ｖ２（第２層間接続導体）の下端（Ｙ軸の負方向の端）と層間接続導体ｖ５（第５層間接続導体）の上端（Ｙ軸の正方向の端）との前後方向（Ｙ軸方向）の距離Ｄ６０の半分以上である。
　また、第１開口Ｏｐ１は、層間接続導体ｖ２，ｖ５の近傍に位置している。より詳細には、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１開口Ｏｐ１は、第２層間接続導体ｖ２と第５層間接続導体ｖ５とを結ぶ第１基準直線Ｘ１近傍より左（Ｘ軸の負方向）に位置している。なお、第１基準直線Ｘ１近傍に位置するとは、第１直線Ｌ１より左、かつ、第２直線Ｌ２より右に位置することを意味する。
　第１直線Ｌ１は、第１点ｐ１を通過し、かつ、信号導体層２０に直交する線である。第２直線Ｌ２は、第４点ｐ４を通過し、かつ、信号導体層２０に直交する線である。上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１開口Ｏｐ１の前後方向及び左右方向（Ｘ軸方向）の中央Ｃ１は、第１直線Ｌ１と第２直線Ｌ２との間に位置している。本実施形態では、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１開口Ｏｐ１は、第１直線Ｌ１と第２直線Ｌ２との間に位置している。
　また、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１開口Ｏｐ１は、層間接続導体ｖ１１（第１１層間接続導体）より右（Ｘ軸の正方向）に位置している。更に、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１開口Ｏｐ１の左端（Ｘ軸の負方向の端）は、層間接続導体ｖ１（第１層間接続導体）と層間接続導体ｖ４（第４層間接続導体）とを結ぶ直線Ｘ３より右（Ｘ軸の正方向）に位置している。本実施形態では、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１開口Ｏｐ１の左端（Ｘ軸の負方向の端）は、層間接続導体ｖ１（第１層間接続導体）の右端（Ｘ軸の正方向の端）及び層間接続導体ｖ４（第４層間接続導体）の右端（Ｘ軸の正方向の端）より右（Ｘ軸の正方向）に位置している。
　上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１開口Ｏｐ１の右端（Ｘ軸の正方向の端）は、第２点ｐ２を通過し、かつ、信号導体層２０と直交する第３直線Ｌ３より左（Ｘ軸の負方向）に位置している。なお、本実施形態では、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第１開口Ｏｐ１の全体は、第１直線Ｌ１と第２直線Ｌ２との間に位置している。より正確には、第１開口Ｏｐ１は、第１基準直線Ｘ１と第１直線Ｌ１との間に位置している。
　また、第１開口Ｏｐ１の前端（Ｙ軸の正方向の端）は、層間接続導体ｖ２（第２層間接続導体）の前端（Ｙ軸の正方向の端）より後（Ｙ軸の負方向）に位置している。第１開口Ｏｐ１の後端（Ｙ軸の負方向の端）は、層間接続導体ｖ５（第５層間接続導体）の後端（Ｙ軸の負方向の端）より前（Ｙ軸の正方向）に位置している。
　また、上下方向（Ｚ軸方向）に見て、第３直線Ｌ３上には、第１開口Ｏｐ１及び第１開口Ｏｐ１以外の開口が存在しない。すなわち、第３直線Ｌ３上には、開口が設けられていない
。更に、第１開口Ｏｐ１より右、かつ、第２基準直線Ｘ２より左には、開口が設けられていない。
　以上のように、信号端子２６ａと上下方向に同じ位置に設けられている第１リファレンス導体層２２には、開口が設けられていない。そして、信号端子２６ａと上下方向に異なる位置に設けられている第２リファレンス導体層２４には、第１開口Ｏｐ１が設けられている。
　また、多層基板１０では、第１直線Ｌ１と第２基準直線Ｘ２との間の区間には、開口が設けられていない。第４直線Ｌ４は、第３点ｐ３を通過し、かつ、信号導体層２０に直交する線である。
　保護層１８ａは、絶縁体層１６ａの上主面を覆う絶縁体層である。これにより、保護層１８ａは、第１リファレンス導体層２２を保護している。ただし、保護層１８ａには、開口ｈ１～ｈ６が設けられている。開口ｈ１は、上下方向に見て、信号端子２６ａと重なっている。これにより、信号端子２６ａは、多層基板１０から外部に露出している。開口ｈ２は、開口ｈ１の後に位置している。第１リファレンス導体層２２の一部分は、開口ｈ２を介して多層基板１０から外部に露出している。開口ｈ３は、開口ｈ１の前に位置している。第１リファレンス導体層２２の一部分は、開口ｈ３を介して多層基板１０から外部に露出している。これにより、第１リファレンス導体層２２の一部分は、グランド端子として機能する。なお、開口ｈ４～ｈ６の構造は、開口ｈ１～ｈ３の構造と左右対称であるので説明を省略する。
　保護層１８ｂは、絶縁体層１６ｃの下主面を覆う保護層である。これにより、保護層１８ｂは、第２リファレンス導体層２４を保護している。
　以上のような多層基板１０は、可撓性を有している。従って、図４に示すように、多層基板１０は、屈曲できる。具体的には、多層基板１０は、第１区間Ａ１、第２区間Ａ２及び第３区間Ａ３を有している。第１区間Ａ１、第２区間Ａ２及び第３区間Ａ３は、多層基板１０が屈曲していない状態では、左から右へとこの順に並んでいる。第１区間Ａ１は、図２に示すように、層間接続導体ｖ２と層間接続導体ｖ５とを結ぶ第１基準直線Ｘ１より左の区間である。第２区間Ａ２は、層間接続導体ｖ２と層間接続導体ｖ５とを結ぶ第１基準直線Ｘ１と層間接続導体ｖ３と層間接続導体ｖ６とを結ぶ第２基準直線Ｘ２との間の区間である。第３区間Ａ３は、層間接続導体ｖ３と層間接続導体ｖ６とを結ぶ第２基準直線Ｘ２より右の区間である。
　そして、第２区間Ａ２の一部分ａ２は、第１区間Ａ１に対して下方向に屈曲している。すなわち、多層基板１０は、層間接続導体ｖ２（第２層間接続導体）と層間接続導体ｖ５（第５層間接続導体）とを結ぶ第１基準直線Ｘ１と層間接続導体ｖ３（第３層間接続導体）と層間接続導体ｖ６（第６層間接続導体）とを結ぶ第２基準直線Ｘ２との間の第２区間Ａ２の一部分ａ２において屈曲している。一部分ａ２のＸ軸の負方向の端は、第２区間Ａ２のＸ軸の負方向の端よりＸ軸の正方向に位置している。一部分ａ２のＸ軸の正方向の端は、第２区間Ａ２のＸ軸の正方向の端よりＸ軸の負方向に位置している。一方、第１区間Ａ１及び第３区間Ａ３は、屈曲していない。ただし、第１区間Ａ１及び第３区間Ａ３は、僅かに屈曲していてもよい。この場合、第１区間Ａ１の曲率半径及び第３区間Ａ３の曲率半径は、第２区間Ａ２の一部分ａ２の曲率半径より大きい。
［効果］
（ａ）多層基板１０によれば、ノイズの発生を抑制できる。より詳細には、多層基板１０では、層間接続導体ｖ２と層間接続導体ｖ３との左右方向の距離Ｄ２は、層間接続導体ｖ１と層間接続導体ｖ２との左右方向の距離Ｄ１より長い。層間接続導体ｖ５と層間接続導体ｖ６との左右方向の距離Ｄ１２は、層間接続導体ｖ４と層間接続導体ｖ５との左右方向の距離Ｄ１１より長い。そのため、信号導体層２０に発生する特性インピーダンスが不均一になりやすい。この場合、所望の伝搬モード（ＴＥＭモード）以外の伝搬モード（以下、不要伝搬モード）が発生する。これにより、不要伝搬モードは、第１基準直線Ｘ１と第２基準直線Ｘ２との間の領域からノイズとして放射される可能性がある。
　そこで、多層基板１０では、上下方向に見て、第１開口Ｏｐ１は、第２層間接続導体ｖ２と第５層間接続導体ｖ５とを結ぶ第１基準直線Ｘ１近傍より左に位置している。また、上下方向に見て、第１開口Ｏｐ１は、第１１層間接続導体ｖ１１より右に位置している。これにより、第１開口Ｏｐ１は、層間接続導体ｖ２，ｖ５の近傍に位置している。第１開口Ｏｐ１の中央Ｃ１は、左右方向において第１基準直線Ｘ１の近傍に位置し、かつ、層間接続導体ｖ２，ｖ５の近傍に位置していない。そのため、不要伝搬モードが第２リファレンス導体層２４を右方向に流れても、不要伝搬モードの流れが第１開口Ｏｐ１により遮られる。そのため、第１基準直線Ｘ１と第２基準直線Ｘ２との間の領域から不要伝搬モードがノイズとして放射されることが抑制される。更に、不要伝搬モードによる不要な共振が抑制される。
（ｂ）多層基板１０によれば、第１開口Ｏｐ１の前後方向の幅は、層間接続導体ｖ２の後端と層間接続導体ｖ５の前端との前後方向の距離Ｄ６０の半分以上である。これにより、第２リファレンス導体層２４を伝搬する不要伝搬モードの流れは、第１開口Ｏｐ１により効率的に妨げられる。そのため、層間接続導体ｖ２と層間接続導体ｖ３との間及び層間接続導体ｖ５と層間接続導体ｖ６との間から不要伝搬モードがノイズとして放射されることが抑制される。また、第１開口Ｏｐ１より右、かつ、第２基準直線Ｘ２より左には、開口が設けられておらず、多層基板１０の強度も保持できる。
（ｃ）多層基板１０は、層間接続導体ｖ２と層間接続導体ｖ５とを結ぶ第１基準直線Ｘ１と層間接続導体ｖ３と層間接続導体ｖ６とを結ぶ直線Ｘ２との間の第２区間Ａ２の一部分ａ２において屈曲している。第２区間Ａ２の一部分ａ２には、層間接続導体が存在しない。そのため、第２区間Ａ２の一部分ａ２が屈曲しても、第２区間Ａ２の一部分ａ２において、信号導体層２０と層間接続導体との距離が変動しにくい。その結果、第２区間Ａ２の一部分ａ２において、信号導体層２０に発生する特性インピーダンスが変動しにくい。よって、多層基板１０によれば、信号導体層２０に発生する特性インピーダンスが所望の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）から変動することが抑制される。
（ｄ）多層基板１０では、第１開口Ｏｐ１の前後方向の幅は、第１開口Ｏｐ１の左右方向の幅より大きい。すなわち、第１開口Ｏｐ１は、前後方向に長手方向を有している。そのため、第１開口Ｏｐ１は、不要伝搬モードの右方向への流れを妨げる。更に、第１開口Ｏｐ１の左右方向の幅が小さいので、第１開口Ｏｐ１の面積が大きくなりすぎない。その結果、第１開口Ｏｐ１からノイズが放射されることが抑制される。また、多層基板１０の強度を維持できる。
（ｅ）多層基板１０では、第１開口Ｏｐ１の前端は、層間接続導体ｖ２の前端より後に位置している。第１開口Ｏｐ１の後端は、層間接続導体ｖ５の後端より前に位置している。これにより、第１開口Ｏｐ１の前後方向の長さが長くなりすぎない。その結果、第２リファレンス導体層２４の強度が低くなりにくく、第２リファレンス導体層２４の破損が抑制される。また、多層基板１０の強度を維持できる。
（ｆ）多層基板１０によれば、ノイズの発生を抑制できる。より詳細には、層間接続導体ｖ１１及びその前後の区間に発生する特性インピーダンスは、所望の特性インピーダンスから変動しやすい。そのため、層間接続導体ｖ１１において、不要伝搬モードが発生しやすい。これにより、不要伝搬モードは、第１基準直線Ｘ１近傍において第２リファレンス導体層２４に右方向に流れる。
　そこで、層間接続導体ｖ１１は、層間接続導体ｖ１、層間接続導体ｖ２、層間接続導体ｖ４、層間接続導体ｖ５、層間接続導体ｖ７及び層間接続導体ｖ８が設けられている区間に位置している。これにより、層間接続導体ｖ１、層間接続導体ｖ２、層間接続導体ｖ４、層間接続導体ｖ５、層間接続導体ｖ７及び層間接続導体ｖ８により多層基板１０外に不要伝搬モードがノイズとして放射されることが抑制される。
（第１変形例）
　以下に、第１変形例に係る多層基板１０ａについて図面を参照しながら説明する。図５は、絶縁体層１６ｃの上面図である。
　多層基板１０ａは、第２開口Ｏｐ２～Ｏｐ５、第３開口Ｏｐ６及び第４開口Ｏｐ７～Ｏｐ１０が、第２リファレンス導体層２４に設けられている点において多層基板１０と相違する。第２開口Ｏｐ２は、第１開口Ｏｐ１の左前に位置している。第２開口Ｏｐ３は、第１開口Ｏｐ１の左後に位置している。第２開口Ｏｐ４は、第１開口Ｏｐ１の右前に位置している。第２開口Ｏｐ５は、第１開口Ｏｐ１の右後に位置している。また、左右方向に見て、第１開口Ｏｐ１の前端部は、第２開口Ｏｐ２の後端部及び第２開口Ｏｐ４の後端部と重なっている。左右方向に見て、第１開口Ｏｐ１の後端部は、第２開口Ｏｐ３の前端部及び第２開口Ｏｐ５の前端部と重なっている。第２開口Ｏｐ２～Ｏｐ５の前後方向の幅のそれぞれは、第２開口Ｏｐ２～Ｏｐ５の左右方向の幅より大きい。
　ただし、第２開口Ｏｐ２～Ｏｐ５は、第１直線Ｌ１と第２直線Ｌ２との間に位置している。本実施形態では、第２開口Ｏｐ２～Ｏｐ５の左右方向（Ｘ軸方向）の中央Ｃ２～Ｃ５は、第１直線Ｌ１と第２直線Ｌ２との間に位置している。更に、左右方向（Ｘ軸方向）に見て、第１開口Ｏｐ１及び第２開口Ｏｐ２～Ｏｐ５が存在している領域の前後方向（Ｙ軸方向）の幅Ｗ１は、層間接続導体ｖ２（第４層間接続導体）の後端（Ｙ軸の負方向の端）と層間接続導体ｖ５（第５層間接続導体）の前端（Ｙ軸の正方向の端）との前後方向（Ｙ軸方向）の距離Ｄ６０の半分以上である。
　第３開口Ｏｐ６及び第４開口Ｏｐ７～Ｏｐ１０は、層間接続導体ｖ１２近傍に位置している。そして、第３開口Ｏｐ６は、第１開口Ｏｐ１と左右対称な構造を有している。また、第４開口Ｏｐ７～Ｏｐ１０は、第２開口Ｏｐ２～Ｏｐ５と左右な構造を有している。従って、第３開口Ｏｐ６及び第４開口Ｏｐ７～Ｏｐ１０の構造については説明を省略する。これにより、層間接続導体ｖ１２により発生するノイズが放射されることが抑制される。また、第１直線Ｌ１と直線Ｌ４との間に開口がないので、ノイズが漏れることが抑制されると共に、多層基板１０ａの強度を維持できる。多層基板１０ａのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。多層基板１０ａは、（ａ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）の効果を奏することができる。
（ｇ）多層基板１０ａによれば、左右方向に見て、第１開口Ｏｐ１及び第２開口Ｏｐ２～Ｏｐ５が存在している領域の前後方向の幅Ｗ１は、層間接続導体ｖ４の後端と層間接続導体ｖ５の前端との前後方向の距離Ｄ６０の半分以上である。これにより、第２リファレンス導体層２４を伝搬する不要伝搬モードの流れは、第１開口Ｏｐ１及び第２開口Ｏｐ２～Ｏｐ５により効率的に妨げられる。そのため、層間接続導体ｖ２と層間接続導体ｖ３との間及び層間接続導体ｖ５と層間接続導体ｖ６との間から不要伝搬モードがノイズとして放射されることが抑制される。
（ｈ）多層基板１０ａでは、第３開口Ｏｐ６は、第１開口Ｏｐ１と第３直線Ｌ３に関して線対称な構造を有している。また、第４開口Ｏｐ７～Ｏｐ１０は、第２開口Ｏｐ２～Ｏｐ５と第３直線Ｌ３に関して線対称な構造を有している。これにより、不要伝搬モードが第２基準直線Ｘ２近傍において第２リファレンス導体層２４を左方向に流れても、不要伝搬モードの流れが第３開口Ｏｐ６及び第４開口Ｏｐ７～Ｏｐ１０により妨げられる。そのため、層間接続導体ｖ２と層間接続導体ｖ３との間及び層間接続導体ｖ５と層間接続導体ｖ６との間から不要伝搬モードがノイズとして放射されることが抑制される。
（第２変形例）
　以下に、第２変形例に係る多層基板１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図６は、多層基板１０ｂの分解斜視図である。図７は、多層基板１０ｂの断面図である。
　多層基板１０ｂは、第１リファレンス導体層２２に開口Ｏｐ３０が設けられている点において多層基板１０と相違する。開口Ｏｐ３０は、上下方向に見て、第１開口Ｏｐ１と重なっていない。これにより、信号導体層２０に発生する特性インピーダンスが変動しにくい。また、開口Ｏｐ１が開口Ｏｐ３０より層間接続導体ｖ１１の近くに位置することにより、ノイズの影響が抑制される。多層基板１０ｂのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。多層基板１０ｂは、（ａ）～（ｆ）の効果を奏することができる。また、多層基板１０ｂによれば、信号導体層２０に発生する特性インピーダンスが所望の特性インピーダンスから変動することが抑制される。
（第３変形例）
　以下に、第３変形例に係る多層基板１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図８は、絶縁体層１６ｃの上面図である。
　多層基板１０ｃは、上下方向に見て信号導体層２０が第１開口Ｏｐ１と重なっている部分の線幅ｗ１が、上下方向に見て、信号導体層２０の第１開口Ｏｐ１と重なっていない部分の線幅ｗ２より太い点において多層基板１０と相違する。多層基板１０ｃのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。多層基板１０ｂは、（ａ）～（ｆ）の効果を奏することができる。
　また、信号導体層２０に発生する特性インピーダンスが所望の特性インピーダンスから変動することが抑制される。より詳細には、上下方向に見て信号導体層２０が第１開口Ｏｐ１と重なっている部分では、信号導体層２０と第２リファレンス導体層２４との間に容量が形成されにくい。そのため、上下方向に見て信号導体層２０が第１開口Ｏｐ１と重なっている部分に発生する特性インピーダンスは、所望の特性インピーダンスより高くなりやすい。
　そこで、上下方向に見て信号導体層２０が第１開口Ｏｐ１と重なっている部分の線幅ｗ１が、上下方向に見て、信号導体層２０の第１開口Ｏｐ１と重なっていない部分の線幅ｗ２より太い。上下方向に見て信号導体層２０が第１開口Ｏｐ１と重なっている部分に発生する特性インピーダンスは、所望の特性インピーダンスに近づくようになる。
（第４変形例）
　以下に、第４変形例に係る多層基板１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図９は、多層基板１０ｄの断面図である。
　多層基板１０ｄは、導体５０を更に備えている点において多層基板１０と相違する。導体５０は、第１開口Ｏｐ１に充填されている。導体５０の導電率は、第２リファレンス導体層２４の導電率より低い。多層基板１０ｄのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。多層基板１０ｄは、（ａ）～（ｆ）の効果を奏することができる。
（ｉ）多層基板１０ｄでは、導体５０は、第１開口Ｏｐ１に充填されている。そして、導体５０の導電率は、第２リファレンス導体層２４の導電率より低い。従って、不要伝搬モードは、第２リファレンス導体層２４を右方向に流れても、導体５０により減衰される。そのため、層間接続導体ｖ２と層間接続導体ｖ３との間及び層間接続導体ｖ５と層間接続導体ｖ６との間から不要伝搬モードがノイズとして放射されることが抑制される。
（ｊ）多層基板１０ｄでは、導体５０は、第１開口Ｏｐ１に充填されている。これにより、ノイズが第１開口Ｏｐ１から多層基板１０内に侵入することが抑制される。また、ノイズが第１開口Ｏｐ１から多層基板１０外に放射されることが抑制される。
（第５変形例）
　以下に、第５変形例に係る多層基板１０ｅについて図面を参照しながら説明する。図１０は、多層基板１０ｅの断面図である。
　多層基板１０ｅは、絶縁体６０及び導体６２を更に備えている点において多層基板１０と相違する。絶縁体６０は、第１開口Ｏｐ１に充填されている。絶縁体６０の材料は、絶縁体層１６ａ～１６ｃの材料と同じでもよいし、異なっていてもよい。また、絶縁体６０の材料は、保護層１８ａ，１８ｂの材料と同じでもよいし、異なっていてもよい。導体６２は、絶縁体６０を覆っている。導体６２の導電率は、第２リファレンス導体層２４の導電率より低い。多層基板１０ｅのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。多層基板１０ｄは、（ａ）～（ｆ）、（ｉ）、（ｊ）の効果を奏することができる。
（第６変形例）
　以下に、第６変形例に係る多層基板１０ｆについて図面を参照しながら説明する。図１１は、絶縁体層１６ｃの上面図である。
　多層基板１０ｆは、複数の層間接続導体ｖ７及び複数の層間接続導体ｖ８を備えている点において多層基板１０と相違する。複数の層間接続導体ｖ７（第７層間接続導体）は、層間接続導体ｖ１（第１層間接続導体）より左（Ｘ軸の負方向）において信号導体層２０に沿って並んでいる。複数の層間接続導体ｖ７（第７層間接続導体）の左右方向（Ｘ軸方向）の間隔Ｄ７は、層間接続導体ｖ２（第２層間接続導体）と層間接続導体ｖ３（第３層間接続導体）との左右方向（Ｘ軸方向）の距離Ｄ２より短い。更に、複数の層間接続導体ｖ７（第７層間接続導体）の内の最も右（Ｘ軸の正方向）に位置する層間接続導体ｖ７（第７層間接続導体）と層間接続導体ｖ１（第１層間接続導体）との左右方向（Ｘ軸方向）の距離Ｄ８は、層間接続導体ｖ２（第２層間接続導体）と層間接続導体ｖ３（第３層間接続導体）との左右方向（Ｘ軸方向）の距離Ｄ２より短い。間隔Ｄ７及び距離Ｄ８は、距離Ｄ１と等しい。
　複数の層間接続導体ｖ８（第８層間接続導体）は、層間接続導体ｖ４（第４層間接続導体）より左（Ｘ軸の負方向）において信号導体層２０に沿って並んでいる。複数の層間接続導体ｖ８（第８層間接続導体）の左右方向（Ｘ軸方向）の間隔Ｄ１７は、層間接続導体ｖ５（第５層間接続導体）と層間接続導体ｖ６（第６層間接続導体）との左右方向（Ｘ軸方向）の距離Ｄ１２より短い。更に、複数の層間接続導体ｖ８（第８層間接続導体）の内の最も右（Ｘ軸の正方向）に位置する層間接続導体ｖ８（第８層間接続導体）と層間接続導体ｖ４（第４層間接続導体）との左右方向（Ｘ軸方向）の距離Ｄ１８は、層間接続導体ｖ５（第５層間接続導体）と層間接続導体ｖ６（第６層間接続導体）との左右方向（Ｘ軸方向）の距離Ｄ１２より短い。間隔Ｄ１７及び距離Ｄ１８は、距離Ｄ１１と等しい。
　層間接続導体ｖ１１（第１１層間接続導体）は、層間接続導体ｖ１（第１層間接続導体）、層間接続導体ｖ２（第２層間接続導体）、層間接続導体ｖ４（第４層間接続導体）、層間接続導体ｖ５（第５層間接続導体）、複数の層間接続導体ｖ７（第７層間接続導体）及び複数の層間接続導体ｖ８（第８層間接続導体）に囲まれている区間に位置している。多層基板１０ｆのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。多層基板１０ｆは、（ａ）～（ｆ）の効果を奏することができる。
（第７変形例）
　以下に、第７変形例に係る多層基板１０ｇについて図面を参照しながら説明する。図１２は、多層基板１０ｇの断面図である。
　多層基板１０ｇは、信号導体層２１、第１リファレンス導体層２２ａ、絶縁体層１６ｄ及び層間接続導体ｖ１５，ｖ１６を更に備えている点において多層基板１０と相違する。絶縁体層１６ｄは、絶縁体層１６ａの上に積層されている。ただし、絶縁体層１６ｄは、多層基板１０ｇの左端部のみに設けられている。信号導体層２１は、絶縁体層１６ａの上主面に位置している。層間接続導体ｖ１５は、絶縁体層１６ａを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ１５は、信号導体層２０の左端部と信号導体層２１の右端部とを電気的に接続している。層間接続導体ｖ１１は、信号導体層２１の左端部と信号端子２６ａとを電気的に接続している。そして、層間接続導体ｖ１１，ｖ１５は、上下方向に見て、第１開口Ｏｐ１と重なっていない。第１リファレンス導体層２２ａは、絶縁体層１６ａの上主面に位置している。層間接続導体ｖ１６は、第１リファレンス導体層２２ａと第１リファレンス導体層２２とを電気的に接続している。多層基板１０ｇのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。多層基板１０ｇは、（ａ）～（ｆ）の効果を奏することができる。
（第８変形例）
　以下に、第８変形例に係る多層基板１０ｈについて図面を参照しながら説明する。図１３は、絶縁体層１６ｃの上面図である。
　多層基板１０ｈは、上下方向に見て、第１開口Ｏｐ１が第１基準直線Ｘ１と直線Ｘ３との間に位置している点において多層基板１０と相違する。より正確には、第１開口Ｏｐ１は、第１基準直線Ｘ１より左に位置し、かつ、直線Ｘ３より右に位置している。多層基板１０ｈのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。多層基板１０ｈは、（ａ）～（ｆ）の効果を奏することができる。
（その他の実施形態）
　本発明に係る多層基板は、多層基板１０，１０ａ～１０ｈに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。また、多層基板１０，１０ａ～１０ｈの構造を任意に組み合わせてもよい。
　なお、多層基板１０ａにおいて、第２開口の数は、４個に限らない。第２開口の数は、１個以上３個以下でもよいし、５個以上でもよい。
　なお、信号導体層２０は、上下方向に見て、曲がっていてもよい。この場合、多層基板１０，１０ａ～１０ｇは、Ｘ軸方向が左右方向と一致する区間とＸ軸方向が左右方向と一致しない区間とを含む。
　なお、第１開口Ｏｐ１は、第２リファレンス導体層２４に設けられているのではなく、第１リファレンス導体層２２に設けられていてもよい。この場合、第１開口Ｏｐ１内には、導体層が存在しない。従って、第１開口Ｏｐ１は、例えば、信号端子２６ａのために第１リファレンス導体層２２に設けられている開口とは異なる。
　なお、信号導体層２０は、上下方向に見て、前方向又は後方向に曲がっていてもよい。
　なお、図１２において、開口Ｏｐ１は、第１リファレンス導体層２２に設けられていてもよい。多層基板１０，１０ａ～１０ｈは、層間接続導体ｖ１１と重なるリファレンス導体と層間接続導体ｖ１１との間に形成される容量に起因したノイズ除去を目的としている。そのため、多層基板１０ｇにおいて、第１開口Ｏｐ１は、層間接続導体ｖ１１と重なるリファレンス導体設けられていればよいので、第１リファレンス導体層２２に設けられていてもよいし、第２リファレンス導体層２４に設けられていてもよい。
１０，１０ａ～１０ｈ：多層基板
１２：積層体
１６ａ～１６ｄ：絶縁体層
１８ａ，１８ｂ：保護層
２０，２１：信号導体層
２２：第１リファレンス導体層
２４：第２リファレンス導体層
２６ａ，２６ｂ：信号端子
５０，６２：導体
６０：絶縁体
Ａ１：第１区間
Ａ２：第２区間
Ａ３：第３区間
Ｃ１～Ｃ５：中央
ＣＬ：中心線
Ｌ１：第１直線
Ｌ２：第２直線
Ｌ３：第３直線
Ｏｐ１：第１開口
Ｏｐ２～Ｏｐ５：第２開口
Ｏｐ３０：開口
Ｏｐ６：第３開口
Ｏｐ７～Ｏｐ１０：第４開口
Ｐ１：第１交点
Ｐ２：第２交点
ｐ１：第１点
ｐ２：第２点
ｐ３：第３点
ｐ４：第４点
ｖ１～ｖ１２，ｖ１５：層間接続導体

Claims (10)

  1. 　複数の絶縁体層がＺ軸方向に積層された構造を有する積層体と、
    　前記積層体に設けられ、かつ、前記Ｚ軸方向に直交するＸ軸方向に延びる線形状を有している信号導体層と、
    　前記積層体に設けられ、かつ、前記信号導体層よりＺ軸の正方向に位置し、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記信号導体層と重なっている第１リファレンス導体層と、
    　前記積層体に設けられ、かつ、前記信号導体層より前記Ｚ軸の負方向に位置し、かつ、前記Ｚ軸方向に見て、前記信号導体層と重なっている第２リファレンス導体層と、
    　前記第１リファレンス導体層と前記第２リファレンス導体層とを電気的に接続し、かつ、前記信号導体層より前記Ｘ軸方向及び前記Ｚ軸方向に直交するＹ軸の正方向に位置し、かつ、前記信号導体層に沿ってＸ軸の正方向に向かってこの順に並ぶ第１層間接続導体、第２層間接続導体及び第３層間接続導体と、
    　前記第１リファレンス導体層と前記第２リファレンス導体層とを電気的に接続し、かつ、前記信号導体層より前記Ｙ軸の負方向に位置し、かつ、前記信号導体層に沿って前記Ｘ軸の正方向に向かってこの順に並ぶ第４層間接続導体、第５層間接続導体及び第６層間接続導体と、
    　前記信号導体層に接続され、かつ、前記信号導体層より前記Ｚ軸の正方向に位置し、かつ、前記複数の絶縁体層の内の１以上を前記Ｚ軸に沿って貫通する第１１層間接続導体と、
    　を備えており、
    　前記第２層間接続導体と前記第３層間接続導体との前記Ｘ軸方向の距離は、前記第１層間接続導体と前記第２層間接続導体との前記Ｘ軸方向の距離より長く、
    　前記第５層間接続導体と前記第６層間接続導体との前記Ｘ軸方向の距離は、前記第４層間接続導体と前記第５層間接続導体との前記Ｘ軸方向の距離より長く、
    　前記第１リファレンス導体層及び前記第２リファレンス導体層の内の前記第１１層間接続導体と重なるリファレンス導体層には、前記Ｚ軸方向に見て、前記信号導体層と重なる第１開口が設けられており、
    　前記Ｚ軸方向に見て、前記第１開口は、前記第２層間接続導体と前記第５層間接続導体とを結ぶ前記第１基準直線近傍より前記Ｘ軸の負方向に位置しており、
    　前記Ｚ軸方向に見て、前記第１開口は、前記第１１層間接続導体より前記Ｘ軸の正方向に位置している、
    　多層基板。
  2. 　前記Ｚ軸方向に見て、前記第１基準直線と前記信号導体層の中心線との交点を第１交点と定義し、
    　前記Ｚ軸方向に見て、前記第３層間接続導体と前記第６層間接続導体とを結ぶ第２基準直線と前記信号導体層の前記中心線との交点を第２交点と定義し、
    　前記第１交点と前記第２交点との間の区間は、前記Ｘ軸の正方向に向かって並ぶ第１点、第２点及び第３点により４等分されており、
    　前記第１交点から前記Ｘ軸の負方向に前記第１点と前記第２点との距離だけ離れた点を第４点と定義し、
    　前記Ｚ軸方向に見て、前記第１開口は、前記第１交点を通過し、かつ、前記信号導体層に直交する第１直線と、前記第４点を通過し、かつ、前記信号導体層に直交する第２直線との間に位置している、
    　請求項１に記載の多層基板。
  3. 　前記多層基板は、
    　前記第１リファレンス導体層と前記第２リファレンス導体層とを電気的に接続し、かつ、前記信号導体層より前記Ｙ軸の正方向に位置している複数の第７層間接続導体と、
    　前記第１リファレンス導体層と前記第２リファレンス導体層とを電気的に接続し、かつ、前記信号導体層より前記Ｙ軸の負方向に位置している複数の第８層間接続導体と、
    　前記積層体の前記Ｚ軸の正方向に位置する主面に位置している信号端子と、
    　を更に備えており、
    　前記第１１層間接続導体は、前記信号端子と前記信号導体層とを電気的に接続しており、
    　前記複数の第７層間接続導体は、前記第１層間接続導体より前記Ｘ軸の負方向において前記信号導体層に沿って並んでおり、
    　前記複数の第７層間接続導体の前記Ｘ軸方向の間隔は、前記第２層間接続導体と前記第３層間接続導体との前記Ｘ軸方向の距離より短く、
    　前記複数の第７層間接続導体の内の最も前記Ｘ軸の正方向に位置する第７層間接続導体と前記第１層間接続導体との前記Ｘ軸方向の距離は、前記第２層間接続導体と前記第３層間接続導体との前記Ｘ軸方向の距離より短く、
    　前記複数の第８層間接続導体は、前記第４層間接続導体より前記Ｘ軸の負方向において前記信号導体層に沿って並んでおり、
    　前記複数の第８層間接続導体の前記Ｘ軸方向の間隔は、前記第５層間接続導体と前記第６層間接続導体との前記Ｘ軸方向の距離より短く、
    　前記複数の第８層間接続導体の内の前記Ｘ軸の最も正方向に位置する第８層間接続導体と前記第４層間接続導体との前記Ｘ軸方向の距離は、前記第５層間接続導体と前記第６層間接続導体との前記Ｘ軸方向の距離より短く、
    　前記第１１層間接続導体は、前記第１層間接続導体、前記第２層間接続導体、前記第４層間接続導体、前記第５層間接続導体、前記複数の第７層間接続導体及び前記複数の第８層間接続導体に囲まれている区間に位置している、
    　請求項１又は請求項２に記載の多層基板。
  4. 　前記第１直線と前記第２基準直線との間の区間には、開口が設けられていない、
    　請求項２又は請求項３に記載の多層基板。
  5. 　前記Ｚ軸方向に見て、前記第１開口の前記Ｘ軸の負方向の端は、前記第１層間接続導体の前記Ｘ軸の正方向の端及び前記第４層間接続導体の前記Ｘ軸の正方向の端より前記Ｘ軸の正方向に位置している、
    　請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の多層基板。
  6. 　前記第１開口の前記Ｙ軸の正方向の端は、前記第２層間接続導体の前記Ｙ軸の正方向の端より前記Ｙ軸の負方向に位置しており、
    　前記第１開口の前記Ｙ軸の負方向の端は、前記第５層間接続導体の前記Ｙ軸の負方向の端より前記Ｙ軸の正方向に位置している、
    　請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の多層基板。
  7. 　前記第１開口のＹ軸方向の幅は、前記第１開口の前記Ｘ軸方向の幅より大きい、
    　請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の多層基板。
  8. 　前記第１開口のＹ軸方向の幅は、前記第２層間接続導体の前記Ｙ軸の負方向の端と前記第５層間接続導体の前記Ｙ軸の正方向の端との前記Ｙ軸方向の距離の半分以上である、
    　請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の多層基板。
  9. 　前記第２リファレンス導体層には、１以上の第２開口が設けられており、
    　第２直線は、前記第４点を通過し、かつ、前記信号導体層に直交する線であり、
    　前記１以上の第２開口は、前記第１直線と前記第２直線との間に位置しており、
    　前記Ｘ軸方向に見て、前記第１開口及び前記１以上の第２開口が存在している領域のＹ軸方向の幅は、前記第２層間接続導体の前記Ｙ軸の負方向の端と前記第５層間接続導体の前記Ｙ軸の正方向の端との前記Ｙ軸方向の距離の半分以上である、
    　請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の多層基板。
  10. 　前記多層基板は、前記第２層間接続導体と前記第５層間接続導体とを結ぶ直線と前記第３層間接続導体と前記第６層間接続導体とを結ぶ直線との間の区間の一部分において屈曲している、
    　請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の多層基板。
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