JPWO2020174571A1 - レーザ用チャンバ装置、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

レーザ用チャンバ装置であって、誘電体のパイプと、パイプの長手方向に沿って延在しパイプの貫通孔内に配置される内電極と、パイプの長手方向に沿って延在しパイプの外周面に接触する接触プレート、及び、接触プレートに一端が接続され接触プレートの長手方向に沿って並設される複数のバー部材から成るラダー部を含む外電極と、パイプの長手方向に沿って延在し、外電極をパイプに押圧する板ばねと、を備え、板ばねは、パイプの長手方向に沿った縁から切り欠かれるスリットにより分けられる複数の板ばね片を含み、板ばね片は、縁に沿って折り曲げられる折り曲げ部を含み、折り曲げ部よりも縁側でバー部材を押圧してもよい。

Description

本開示は、レーザ用チャンバ装置、ガスレーザ装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。

近年、半導体露光装置（以下、「露光装置」という）においては、半導体集積回路の微細化および高集積化につれて、解像力の向上が要請されている。このため、露光用光源から放出される光の短波長化が進められている。一般的に、露光用光源には、従来の水銀ランプに代わってガスレーザ装置が用いられる。たとえば、露光用のガスレーザ装置としては、波長２４８ｎｍの紫外光のレーザ光を出力するＫｒＦエキシマレーザ装置、ならびに波長１９３ｎｍの紫外光のレーザ光を出力するＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられる。

次世代の露光技術としては、露光装置側の露光用レンズとウエハとの間が液体で満たされる液浸露光が実用化されている。この液浸露光では、露光用レンズとウエハとの間の屈折率が変化するため、露光用光源の見かけの波長が短波長化する。ＡｒＦエキシマレーザ装置を露光用光源として液浸露光が行われた場合、ウエハには水中における波長１３４ｎｍの紫外光が照射される。この技術をＡｒＦ液浸露光又はＡｒＦ液浸リソグラフィーという。

ＫｒＦエキシマレーザ装置およびＡｒＦエキシマレーザ装置の自然発振幅は、約３５０〜４００ｐｍと広い。そのため、ＫｒＦ及びＡｒＦレーザ光のような紫外光を透過する材料で投影レンズを構成すると、色収差が発生してしまう場合がある。その結果、解像力が低下し得る。そこで、ガスレーザ装置から出力されるレーザ光のスペクトル線幅を、色収差が無視できる程度となるまで狭帯域化する必要がある。そのため、ガスレーザ装置のレーザ共振器内には、スペクトル線幅を狭帯域化するために、エタロン、グレーティング等の狭帯域化素子を有する狭帯域化モジュール（Line Narrow Module：LNM）が備えられる場合がある。以下では、スペクトル線幅が狭帯域化されるレーザ装置を狭帯域化レーザ装置という。

米国特許第９７４８７２７号明細書 米国特許第８７１２３０２号明細書

概要

本開示の一態様は、レーザ用チャンバ装置であって、誘電体のパイプと、パイプの長手方向に沿って延在しパイプの貫通孔内に配置される内電極と、パイプの長手方向に沿って延在しパイプの外周面に接触する接触プレート、及び、接触プレートに一端が接続され接触プレートの長手方向に沿って並設される複数のバー部材から成るラダー部を含む外電極と、パイプの長手方向に沿って延在し、外電極をパイプに押圧する板ばねと、を備え、板ばねは、パイプの長手方向に沿った縁から切り欠かれるスリットにより分けられる複数の板ばね片を含み、板ばね片は、縁に沿って折り曲げられる折り曲げ部を含み、折り曲げ部よりも縁側でバー部材を押圧してもよい。

本開示の他の一態様は、レーザ用チャンバ装置を備えるガスレーザ装置であって、レーザ用チャンバ装置は、誘電体のパイプと、パイプの貫通孔内に配置される内電極と、パイプの長手方向に沿って延在しパイプの外周面に接触する接触プレート、及び、接触プレートに一端が接続され接触プレートの長手方向に沿って並設される複数のバー部材から成るラダー部を含む外電極と、パイプの長手方向に沿って延在し、外電極をパイプに押圧する板ばねと、を備え、板ばねは、パイプの長手方向に沿った縁から切り欠かれるスリットにより分けられる複数の板ばね片を含み、板ばね片は、縁に沿って折り曲げられる折り曲げ部を含み、折り曲げ部よりも縁側でバー部材を押圧してもよい。

また、本開示の更に他の一態様は、電子デバイスの製造方法であって、誘電体のパイプと、パイプの貫通孔内に配置される内電極と、パイプの長手方向に沿って延在しパイプの外周面に接触する接触プレート、及び、接触プレートに一端が接続され接触プレートの長手方向に沿って並設される複数のバー部材から成るラダー部を含む外電極と、パイプの長手方向に沿って延在し、外電極をパイプに押圧する板ばねと、を備え、板ばねは、パイプの長手方向に沿った縁から切り欠かれるスリットにより分けられる複数の板ばね片を含み、板ばね片は、縁に沿って折り曲げられる折り曲げ部を含み、折り曲げ部よりも縁側でバー部材を押圧する、レーザ用チャンバ装置を備えるガスレーザ装置においてレーザ光を生成し、レーザ光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上にレーザ光を露光してもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、電子デバイスの製造の露光工程で使用される製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図２は、ガスレーザ装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図３は、チャンバ装置のレーザ光の進行方向に垂直な断面図である。 図４は、誘電体パイプ、内電極、外電極、及び板ばねを示す斜視図である。 図５は、誘電体パイプ、内電極、外電極、及び板ばねのレーザ光の進行方向に垂直な断面図である。 図６は、誘電体パイプの外周面が歪んでいる様子を示す図である。 図７は、外電極の一部が偏摩耗している様子を示す図である。 図８は、実施形態１におけるチャンバ装置の誘電体パイプ、内電極、外電極、及び板ばねを示す斜視図である。 図９は、実施形態１におけるチャンバ装置の誘電体パイプ、内電極、外電極、及び板ばねを示す断面図である。 図１０は、実施形態１におけるチャンバ装置の誘電体パイプ、外電極、及び板ばねを誘電体パイプの長手方向に垂直な方向から見る図である。 図１１は、実施形態１において、誘電体パイプの外周面が歪んでいる様子を示す図である。 図１２は、実施形態１において、外電極の一部が偏摩耗している様子を示す図である。 図１３は、実施形態２におけるチャンバ装置の誘電体パイプ、内電極、外電極、及び板ばねを図５と同じ方法で示す断面図である。 図１４は、実施形態３におけるチャンバ装置の誘電体パイプ、内電極、外電極、板ばね、及び第２ガイドを示す斜視図である。

実施形態

１．電子デバイスの露光工程で使用される製造装置の説明
２．比較例のガスレーザ装置の説明
２．１ 構成
２．２ 動作
２．３ 課題
３．実施形態１のチャンバ装置の説明
３．１ 構成
３．２ 作用・効果
４．実施形態２のチャンバ装置の説明
４．１ 構成
４．２ 作用・効果
５．実施形態３のチャンバ装置の説明
５．１ 構成
５．２ 作用・効果

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。
以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．電子デバイスの露光工程で使用される製造装置の説明
図１は、電子デバイスの製造装置の露光工程で使用される製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図１に示すように、露光工程で使用される製造装置は、ガスレーザ装置１００及び露光装置２００を含む。露光装置２００は、複数のミラー２１１，２１２，２１３を含む照明光学系２１０と、投影光学系２２０とを含む。照明光学系２１０は、ガスレーザ装置１００から入射したレーザ光によって、レチクルステージＲＴのレチクルパターンを照明する。投影光学系２２０は、レチクルを透過したレーザ光を、縮小投影してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピースに結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置２００は、レチクルステージＲＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、レチクルパターンを反映したレーザ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで電子デバイスである半導体デバイスを製造することができる。

２．比較例のガスレーザ装置の説明
２．１ 構成
比較例のガスレーザ装置について説明する。図２は、本例のガスレーザ装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図２に示すように、本例のガスレーザ装置１００は、筐体１０と、レーザ発振器ＬＯと、エネルギーモニタモジュール２０と、制御部ＣＯとを主な構成として含む。本例のガスレーザ装置１００は、例えば、アルゴン（Ａｒ）、フッ素（Ｆ）、及びネオン（Ｎｅ）を含む混合ガスを使用するＡｒＦエキシマレーザ装置である。この場合、ガスレーザ装置１００は、中心波長が約１９３ｎｍのパルスレーザ光を出射する。なお、ガスレーザ装置１００は、ＡｒＦエキシマレーザ装置以外のガスレーザ装置であってもよく、例えば、クリプトン（Ｋｒ）、フッ素（Ｆ）、及びネオン（Ｎｅ）を含む混合ガスを使用するＫｒＦエキシマレーザ装置であってもよい。この場合、ガスレーザ装置１００は、中心波長が約２４８ｎｍのパルスレーザ光を出射する。レーザ媒質であるＡｒ、Ｆ_２及びＮｅを含む混合ガスやＫｒ、Ｆ_２及びＮｅを含む混合ガスはレーザガスと呼ばれる場合がある。

制御部ＣＯは、例えば、マイクロコントローラ、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large-scale Integrated Circuit）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）などの集積回路やＮＣ（Numerical Control）装置を用いることができる。また、制御部ＣＯは、ＮＣ装置を用いた場合、機械学習器を用いたものであってもよく、機械学習器を用いないものであってもよい。以下に説明するように、ガスレーザ装置の幾つかの構成が制御部ＣＯにより制御される。

レーザ発振器ＬＯは、チャンバ装置ＣＨと、充電器ＢＣと、狭帯域化モジュール６０と、出力結合ミラーＯＣと、を主な構成として含む。

図３は、チャンバ装置ＣＨのレーザ光の進行方向に垂直な断面図である。図２、図３に示すように、チャンバ装置ＣＨは、筐体３０と、一対のウィンドウ３１ａ，３１ｂと、一対の電極３２ａ，３２ｂと、絶縁部３３と、パルスパワーモジュール３５と、電極ホルダ３６と、クロスフローファン３８と、モータ３８Ｍと、誘電体パイプ４２と、内電極４３と、外電極４４と、板ばね４５とを主な構成として備える。

ウィンドウ３１ａ及びウィンドウ３１ｂは、筐体３０における互いに対向する位置に設けられている。ウィンドウ３１ａは、筐体３０におけるレーザ光の進行方向における一端に設けられ、ウィンドウ３１ｂは、筐体３０におけるレーザ光の進行方向における他端に設けられている。後述のようにガスレーザ装置１００では、筐体３０を含む光路上で光が発振してレーザ光が出射するため、筐体３０内で発生したレーザ光は、ウィンドウ３１ａ及びウィンドウ３１ｂを介して筐体３０の外部に出射する。ウィンドウ３１ａ及びウィンドウ３１ｂは、例えば、フッ化カルシウムで構成されている。なお、ウィンドウ３１ａ及びウィンドウ３１ｂはフッ化物や酸化物等の膜でコーティングされてもよい。

筐体３０内には、レーザガスが封入されている。一対の電極３２ａ，３２ｂの長手方向はレーザ光の進行方向に沿っており、一対の電極３２ａ，３２ｂは、筐体３０内において互いに対向して配置されている。筐体３０における電極３２ａと電極３２ｂとの間の空間は、ウィンドウ３１ａとウィンドウ３１ｂとにより挟まれている。それぞれの電極３２ａ，３２ｂは、グロー放電によりレーザ媒質を励起するための主放電電極である。本例では、電極３２ａがカソードであり、電極３２ｂがアノードである。

筐体３０には開口が形成され、この開口は絶縁体を含んで形成される絶縁部３３により塞がれている。電極３２ａは絶縁部３３に支持されている。絶縁部３３には、導電部材からなるフィードスルー３４が埋め込まれている。フィードスルー３４は、パルスパワーモジュール３５から供給される電圧を電極３２ａに印加する。電極３２ｂは電極ホルダ３６に支持され、電極ホルダ３６と電気的に接続されている。この電極ホルダ３６は配線３７を介して筐体３０と電気的に接続されている。

パルスパワーモジュール３５には、筐体３０の外に配置される充電器ＢＣが接続されている。充電器ＢＣは、パルスパワーモジュール３５の中に設けられる図示しないコンデンサを所定の電圧で充電する直流電源装置である。パルスパワーモジュール３５は、制御部ＣＯによって制御されるスイッチを含んでいる。スイッチがオフからオンになると、パルスパワーモジュール３５は、充電器ＢＣから印加される電圧を昇圧してパルス状の高電圧を生成し、この高電圧を電極３２ａ及び内電極４３に印加する。

電極ホルダ３６上には、第１ガイド４１Ａ、第２ガイド４１Ｂ、第３ガイド４１Ｃが設けられている。電極３２ｂは、第１ガイド４１Ａと第２ガイド４１Ｂとにより挟み込まれて電極ホルダ３６上に固定されている。

図４は、誘電体パイプ４２、内電極４３、外電極４４、及び板ばね４５を示す斜視図であり、図５は、誘電体パイプ４２、内電極４３、外電極４４、及び板ばね４５のレーザ光の進行方向に垂直な断面図である。なお、図４では、見やすさの観点から、板ばね４５が外電極４４から離れた状態で示されている。図４、図５に示すように、誘電体パイプ４２は、円筒状の形状であり、長手方向がレーザ光の進行方向に沿って配置されている。誘電体パイプ４２は、酸化アルミニウム等の誘電体から成る。誘電体パイプ４２の貫通孔４２Ｈ内には、長手方向が誘電体パイプ４２の長手方向に沿う内電極４３が配置されている。図２に示すように、誘電体パイプ４２の両端には、固定パイプ４２ａ，４２ｂが接続されている。一方の固定パイプ４２ａの貫通孔内には、内電極４３の一端に接続される不図示の配線が配置され、他方の固定パイプ４２ｂの貫通孔内には、内電極４３の他端に接続される不図示の配線が配置されている。これら配線は、フィードスルー３４に接続される。このため、フィードスルー３４は、上記のようにパルスパワーモジュール３５から供給される電圧を内電極４３に印加する。

誘電体パイプ４２の外周面には、外電極４４が接触している。外電極４４は、電極ホルダ３６と電気的に接続されている。従って、外電極４４は、電極３２ｂと電気的に接続されており、また、配線３７を介して筐体３０と電気的に接続されている。外電極４４は、接触プレート４４Ｃと、ラダー部４４Ｌと、固定プレート４４Ｆとを含む。接触プレート４４Ｃは、概ね長方形の板状の形状であり、長手方向が誘電体パイプ４２の長手方向に沿って延在し、誘電体パイプ４２の外周面に接触している。具体的には、接触プレート４４Ｃにおける誘電体パイプ４２の長手方向に沿った縁４４Ｅの一端から他端までが誘電体パイプ４２の外周面に接触している。

ラダー部４４Ｌは、複数のバー部材４４Ｂを含む。それぞれのバー部材４４Ｂは、接触プレート４４Ｃにおける誘電体パイプ４２に接触している縁４４Ｅと反対側に並設されている。このため、複数のバー部材４４Ｂが接触プレート４４Ｃの長手方向に沿って並設されている。本例では、それぞれのバー部材４４Ｂは互いに平行である。それぞれのバー部材４４Ｂは、第１部分４４Ｂ１と、屈曲部４４ＢＣと、第２部分４４Ｂ２とを含む。第１部分４４Ｂ１は、接触プレート４４Ｃに接続され、誘電体パイプ４２の長手方向に垂直な面内方向において、誘電体パイプ４２から離れる方向に直線状に延在している。屈曲部４４ＢＣは、第１部分４４Ｂ１に接続され、誘電体パイプ４２の長手方向に垂直な面内方向において曲げられている。第２部分４４Ｂ２は、屈曲部４４ＢＣに接続され、誘電体パイプ４２の長手方向に垂直な面内方向において延在している。

それぞれのバー部材４４Ｂの第２部分４４Ｂ２の屈曲部４４ＢＣ側と反対側は固定プレート４４Ｆに接続されている。固定プレート４４Ｆは概ね長方形の板状の形状であり、長手方向が誘電体パイプ４２の長手方向に沿って延在している。従って、それぞれのバー部材４４Ｂは、固定プレート４４Ｆにおける誘電体パイプ４２の長手方向に沿った縁に接続されている。固定プレート４４Ｆには、複数のねじ孔４４Ｈが概ね等間隔で形成されている。

外電極４４は上記構成であるため、ラダー部４４Ｌには、接触プレート４４Ｃと、一対のバー部材４４Ｂと、固定プレート４４Ｆとで囲まれる複数の開口４４Ａが形成されている。外電極４４は、例えば、打ち抜き成型で製造され得る。具体的には、１枚の金属板を打ち抜き成型により、それぞれの開口４４Ａおよびねじ孔４４Ｈを形成するとともに、ラダー部４４Ｌのそれぞれのバー部材４４Ｂを立体的に変形させて、第１部分４４Ｂ１、屈曲部４４ＢＣ、及び第２部分４４Ｂ２を形成する。外電極４４は、例えば黄銅から成る。この場合、上記のように筐体３０内にフッ素を含むレーザガスが封入される場合であっても、表面に不働態が形成されて、レーザガスによる腐食が抑制され得る。また、外電極４４の厚みは、例えば０．５ｍｍである。

板ばね４５は、同じ形状の複数の金属板が重ねられた積層構造をしている。それぞれの金属板は、概ね長方形の形状をしている。本実施形態では、それぞれの金属板の厚みは外電極４４の厚みよりも小さく、例えば０．１ｍｍである。また、本例では、板ばね４５の厚みと外電極４４との厚みの差は、例えば金属板１枚の厚み以下である。例えば、板ばね４５の厚みと外電極４４の厚みとが互いに概ね等しくされる。上記のように、外電極４４の厚みが０．５ｍｍであれば、板ばね４５は、例えば０．１ｍｍの金属板が５枚重ねられて成る。板ばね４５には、複数のねじ孔４５Ｈが形成されている。それぞれのねじ孔４５Ｈは、板ばね４５が外電極４４に重ねられた状態で、外電極４４のそれぞれのねじ孔４４Ｈと重なる位置に設けられている。板ばね４５は外電極４４側が凹状に形成されており、板ばね４５が外電極４４に重ねられ、ねじ孔４４Ｈとねじ孔４５Ｈとにねじが螺入されて、板ばね４５と外電極４４とが互いに固定されると、板ばね４５の外電極４４側の主面が外電極４４を押圧する。この状態で、誘電体パイプ４２の長手方向に沿った板ばね４５の一方の縁４５Ｅは、それぞれのバー部材４４Ｂの屈曲部４４ＢＣ上に位置している。板ばね４５は、例えば黄銅から成る。この場合、外電極４４と同様に、筐体３０内にフッ素を含むレーザガスが封入される場合であっても、表面に不働態が形成され、腐食が抑制され得る。

外電極４４及び板ばね４５は、それぞれのねじ孔４４Ｈ，４５Ｈに螺入されるねじＳにより第２ガイド４１Ｂに固定されている。従って、第２ガイド４１Ｂは、外電極４４及び板ばね４５が固定される固定部材である。この状態で、板ばね４５は、板ばね４５のバー部材４４Ｂと接触している主面全体で外電極４４を押圧し、外電極４４の接触プレート４４Ｃの縁４４Ｅが誘電体パイプ４２の外周面に押し付けられて接触している。誘電体パイプ４２の外周面における接触プレート４４Ｃが接触する部位と概ね対向する部位は、第３ガイド４１Ｃに接している。従って、板ばね４５の弾性力により外電極４４が誘電体パイプ４２を押圧しても、誘電体パイプ４２は第３ガイド４１Ｃにより支えられる。

内電極４３と外電極４４とは、誘電体パイプ４２を介して対向している。内電極４３と外電極４４とに高電圧が印加されることで、誘電体パイプ４２及び外電極４４の近傍にコロナ放電が生じる。このコロナ放電は、電極３２ａ，３２ｂ間に生じるグロー放電を補助する。従って、内電極４３及び外電極４４は、電極３２ａ，３２ｂが起こすグロー放電を補助するための予備電離電極である。

図２、図３に示すように、筐体１０内における電極ホルダ３６の電極３２ｂ側と反対側の空間にはクロスフローファン３８が配置されている。筐体３０内におけるクロスフローファン３８が配置される空間と一対の電極３２ａ，３２ｂ間の空間とは互いに連通している。このため、クロスフローファン３８が回転することで、筐体３０内に封入されたレーザガスは所定の方向に循環する。クロスフローファン３８には、筐体３０の外に配置されたモータ３８Ｍが接続されている。このモータ３８Ｍの回転で、クロスフローファン３８は回転する。モータ３８Ｍは、制御部ＣＯによる制御によりオン、オフや回転数の調節がなされる。従って、制御部ＣＯは、モータ３８Ｍを制御することで、筐体３０内を循環するレーザガスの循環速度を調節することができる。

クロスフローファン３８の脇には熱交換器３９が配置されている。クロスフローファン３８により循環されるレーザガスの少なくとも一部は熱交換器３９を通過し、熱交換器３９により温度が調節される。

筐体３０におけるウィンドウ３１ａが設けられる上記一端側には、光路管５１が接続されている。出力結合ミラーＯＣは、筐体３０を基準とした上記一端側に設けられ、光路管５１内に配置されている。出力結合ミラーＯＣは、ウィンドウ３１ａから出射するレーザ光が入射する光学素子であり、ウィンドウ３１ａから出射される光のうちの一部を透過させ、他の一部を反射させてウィンドウ３１ａを介して筐体３０内に戻す。出力結合ミラーＯＣは、例えば、フッ化カルシウムの基板に誘電体多層膜を成膜した素子で構成される。

筐体３０におけるウィンドウ３１ｂが設けられる上記他端側には、光路管５２が接続されている。狭帯域化モジュール６０は、光路管５２に接続されている。従って、狭帯域化モジュール６０は、筐体３０を基準とした上記他端側に設けられている。狭帯域化モジュール６０は、筐体６１と、グレーティング６２と、プリズム６３，６４とを含む。筐体６１には開口が形成されており、この開口を通じて筐体６１内の空間と光路管５２内の空間とが連通している。

グレーティング６２及びプリズム６３，６４は、筐体６１内に配置されている。グレーティング６２及びプリズム６３，６４は、ウィンドウ３１ｂから出射するレーザ光が入射する光学素子である。グレーティング６２は、波長分散面がレーザ光の伝搬方向に垂直な平面と概ね一致し、レーザ光の入射角度と回折角度とが概ね一致するようにリトロー配置されている。本例では、グレーティング６２は、波長が約１９３ｎｍの波長に対してブレーズドされたエシェールグレーティングであってもよい。

プリズム６３，６４の少なくとも一方は回転ステージ上に固定されており、プリズム６３，６４のうち回転ステージ上に固定されたプリズムが僅かに回転することで、グレーティング６２へ入射する光の入射角度が調節される。グレーティング６２への光の入射角度が調節されることで、グレーティング６２で反射する光の波長が調節される。従って、筐体３０のウィンドウ３１ｂから出射される光がプリズム６３，６４を介してグレーティング６２で反射することで、筐体３０に戻る光の波長は、所望の波長に調節される。なお、狭帯域化モジュール６０に配置されるプリズムの数は、本例では２つであるが、１つであっても３つ以上であってもよい。

筐体３０を挟んで設けられる出力結合ミラーＯＣとグレーティング６２とで光共振器が構成され、筐体３０は、この光共振器の光路上に配置される。従って、筐体３０から出射する光は、狭帯域化モジュール６０のグレーティング６２と出力結合ミラーＯＣとの間で往復し、電極３２ａと電極３２ｂとの間のレーザゲイン空間を通過する度に増幅される。増幅された光の一部が、出力結合ミラーＯＣを透過して、パルスレーザ光として出射される。

エネルギーモニタモジュール２０は、レーザ発振器ＬＯの出力結合ミラーＯＣから出射するパルスレーザ光の光路上に配置されている。エネルギーモニタモジュール２０は、筐体２１と、ビームスプリッタ２２と、パルスエネルギーセンサ２３とを含む。筐体２１は、光路管５１に接続されている。ビームスプリッタ２２及びパルスエネルギーセンサ２３は、ウィンドウ３１ａから出射するレーザ光が入射する光学素子である。筐体２１には開口が形成されており、この開口を通じて筐体２１内の空間と光路管５１内の空間とが連通している。筐体２１内には、ビームスプリッタ２２及びパルスエネルギーセンサ２３が配置されている。

ビームスプリッタ２２は、レーザ発振器ＬＯから出射したパルスレーザ光を高い透過率で透過させるとともに、パルスレーザ光の一部を、パルスエネルギーセンサ２３の受光面に向けて反射する。パルスエネルギーセンサ２３は、受光面に入射したパルスレーザ光のパルスエネルギを検出し、検出されたパルスエネルギのデータを制御部ＣＯに出力する。

エネルギーモニタモジュール２０の筐体２１における光路管５１が接続される側と反対側には、開口が形成されており、この開口を囲むように光路管５３が接続されている。このため、光路管５１内の空間と、筐体２１内の空間と、光路管５３内の空間とが連通している。光路管５３は筐体１０に接続されている。筐体１０における光路管５３に囲まれる位置には、レーザ光出射ウィンドウＯＷが設けられている。従って、エネルギーモニタモジュール２０のビームスプリッタ２２を透過する光は、光路管５３を介して、レーザ光出射ウィンドウＯＷから筐体１０の外部に出射される。

なお、光路管５１，５２，５３や、筐体２１，６１内にはパージガスが充填されている。パージガスには、酸素等の不純物の少ない高純度窒素等の不活性ガスが含まれる。パージガスは、筐体１０の外に配置されているパージガス供給源から不図示の配管を通じて光路管５１，５２，５３や、筐体２１，６１内に供給される。

筐体１０の外には、レーザガスが蓄えられているレーザガス供給源ＬＴが更に配置されている。レーザガス供給源ＬＴは、レーザガスとなる複数のガスを供給する。本例では、Ｆ_２とＡｒとを含む混合ガスを供給する。なお、レーザガスがＫｒＦであれば、レーザガス供給源ＬＴは、Ｆ_２とＫｒとを含む混合ガスを供給する。レーザガス供給源ＬＴには、配管が接続されており、当該配管が筐体１０内に入り込んでいる。この配管は、レーザガス供給装置ＬＧに接続されている。レーザガス供給装置ＬＧには、図示しないバルブや流量調節弁が設けられており、筐体３０に接続される他の配管が接続されている。レーザガス供給装置ＬＧは、制御部ＣＯからの制御信号により、複数のガスを所望の組成比で混合してレーザガスとし、当該レーザガスをこの他の配管に出力する。従って、レーザガス供給源ＬＴは、この他の配管を介して、筐体３０内にレーザガスを供給する。この他の配管が筐体３０に接続される接続部が、筐体３０内にレーザガスを供給するレーザガス供給口ＬＳＰである。

筐体１０内には、排気装置ＥＤが配置されている。排気装置ＥＤには、筐体３０に接続される配管が接続されている。排気装置ＥＤは、筐体３０内のガスをこの配管を介して筐体１０内に排気する。この際、排気装置ＥＤは、制御部ＣＯからの制御信号により排気量等を調節し、筐体３０内から排気されるガスに対して所定の処理をする。この配管が筐体３０に接続される接続部が、筐体３０内からガスを排気するレーザガス排気口ＬＥＰである。

筐体１０には、排気ダクト１１が設けられている。この排気ダクト１１から筐体１０内のガスが筐体１０外に排気される。従って、排気装置ＥＤから筐体１０内に排気されるガスや、不図示の構成により光路管５１，５２，５３内等から筐体１０内に排気されるガスは、排気ダクト１１から筐体１０外に排気される。

２．２ 動作
次に、比較例のガスレーザ装置１００の動作について説明する。

ガスレーザ装置１００がレーザ光を出射する前の状態で、光路管５１，５２，５３内や、筐体２１，６１内には、不図示の構成によりパージガスが充填される。また、筐体３０内には、レーザガス供給口ＬＳＰからレーザガス供給源ＬＴからのレーザガスが供給され、供給されたレーザガスが循環される。具体的には、レーザガス供給口ＬＳＰから筐体３０内にレーザガスが供給されるとともに、レーザガス排気口ＬＥＰから排気されるガスが排気装置ＥＤを介して筐体１０内に排気され、レーザガスが筐体３０内に封入される。また、制御部ＣＯはモータ３８Ｍを制御して、クロスフローファン３８を回転させ、クロスフローファン３８の回転によりレーザガスは循環される。

ガスレーザ装置１００がレーザ光を出射する際には、制御部ＣＯは、充電器ＢＣ及びパルスパワーモジュール３５内のスイッチを制御して、電極３２ａと電極３２ｂとの間及び内電極４３と外電極４４との間に高電圧を印加する。ただし、内電極４３と外電極４４との間に高電圧が印加されるタイミングは、電極３２ａと電極３２ｂとの間に高電圧が印加されるタイミングよりも僅かに早い。内電極４３と外電極４４との間に高電圧が印加されると、誘電体パイプ４２の近傍にコロナ放電が生じ、紫外光が放射される。次に電極３２ａ，３２ｂ間に高電圧が印加されると、電極３２ａ，３２ｂ間の絶縁が破壊され放電が起こる。この放電のエネルギーにより、電極３２ａ，３２ｂ間のレーザガスに含まれるレーザ媒質は励起状態とされて、基底状態に戻る時に自然放出光を放出する。この光の一部がウィンドウ３１ｂから出射して、プリズム６３，６４を介してグレーティング６２で反射される。グレーティング６２で反射され再びウィンドウ３１ｂを介して筐体３０内に伝搬する光は狭帯域化されている。この狭帯域化された光により、励起状態のレーザ媒質は誘導放出を起こし、光が増幅される。こうして、所定の波長の光がグレーティング６２と出力結合ミラーＯＣとの間を共振し、レーザ発振が起こる。そして、一部のレーザ光が、出力結合ミラーＯＣを透過して、レーザ光出射ウィンドウＯＷから出射する。

なお、このとき、ビームスプリッタ２２で反射されるレーザ光は、パルスエネルギーセンサ２３で受光され、パルスエネルギーセンサ２３は、受光するレーザ光のエネルギーの強度に基づく信号を制御部ＣＯに出力する。制御部ＣＯは、この信号に基づいて、充電器ＢＣやパルスパワーモジュール３５を制御して、出射されるレーザ光のパワーが調節される。

２．３ 課題
上記のように、外電極４４は板ばね４５により誘電体パイプ４２に押し付けられており、接触プレート４４Ｃの縁４４Ｅの一端から他端までが誘電体パイプ４２に接している。しかし、誘電体パイプ４２の外周面が図６に示すように歪んでいる場合がある。また、内電極４３と外電極４４との間に多数回にわたり高電圧が印加されると、外電極４４の接触プレート４４Ｃが図７に示すように偏摩耗する場合がある。これらの場合に、誘電体パイプ４２の外周面と接触プレート４４Ｃとの間に隙間Ａが形成される場合がある。誘電体パイプ４２の外周面と接触プレート４４Ｃとの間に隙間Ａが形成されると、誘電体パイプ４２の長手方向に沿った均一なコロナ放電がされ難くなる。このため、電極３２ａ，３２ｂ間においても均一なグロー放電がされ難くなる。このため電極３２ａと電極３２ｂとの間の空間におけるレーザ光の増幅が不安定となり、レーザ光を安定して出射し難くなるという懸念が生じる。

そこで、以下の実施形態では、安定してレーザ光を出射し得るガスレーザ装置を実現し得るチャンバ装置が例示される。

３．実施形態１のチャンバ装置の説明
次に、実施形態１のチャンバ装置について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。

３．１ 構成
図８は、本実施形態におけるチャンバ装置ＣＨの誘電体パイプ４２、内電極４３、外電極４４、及び板ばね４５を図４と同じ方法で示す斜視図である。図９は、本実施形態におけるチャンバ装置ＣＨの誘電体パイプ４２、内電極４３、外電極４４、及び板ばね４５を図５と同じ方法で示す断面図である。図８に示すように、本実施形態の板ばね４５は、誘電体パイプ４２の長手方向に沿った縁４５Ｅから切り欠かれるスリット４５Ｓにより分けられる複数の板ばね片４５Ｐを含む。従って、板ばね片４５は、スリット４５Ｓで挟まれ、互いに対向する一対の主面を含む。本実施形態では、それぞれのスリット４５Ｓの長手方向は縁４５Ｅに垂直である。また、スリット４５Ｓの幅は、例えば１ｍｍ以上１０ｍｍ以下である。板ばね４５のスリット４５Ｓが形成されていない部位は、誘電体パイプ４２の長手方向に沿って延在する固定部４５Ｆであり、それぞれの板ばね片４５Ｐは、縁４５Ｅ側と反対側で固定部４５Ｆに接続されている。この固定部４５Ｆにねじ孔４５Ｈが形成されている。

それぞれの板ばね片４５Ｐは、縁４５Ｅに沿って折り曲げられる折り曲げ部４５Ｂを含む。折り曲げ部４５Ｂにより板ばね片４５Ｐは、図９に示すように、外電極４４側と反対側に凸形状となり、折り曲げ部４５Ｂでは、板ばね片４５Ｐは外電極４４と離間している。また、本実施形態では、縁４５Ｅが外電極４４のそれぞれのバー部材４４Ｂに接して、バー部材４４Ｂを押圧している。従って、板ばね４５は、折り曲げ部４５Ｂよりも縁４５Ｅ側でバー部材４４Ｂを押圧している。本実施形態では、板ばね片４５Ｐの縁４５Ｅは、バー部材４４Ｂにおける屈曲部４４ＢＣを押圧している。図９では、第１部分４４Ｂ１、屈曲部４４ＢＣ、及び第２部分４４Ｂ２の境界を点線で示している。なお、屈曲部４４ＢＣは、第１部分４４Ｂ１側からバー部材４４Ｂが曲がり始める位置から、第１部分４４Ｂ１の長手方向に沿って見る場合における第１部分４４Ｂ１からバー部材４４Ｂの厚みＴの５倍離れた位置までをいう。図９では、第１部分４４Ｂ１の長手方向に沿って見る場合における第１部分４４Ｂ１からバー部材４４Ｂの厚みＴの５倍離れた位置までが５Ｔで示されている。例えば、上記のように外電極の厚みが０．５ｍｍである場合、屈曲部４４ＢＣは、第１部分４４Ｂ１側からバー部材４４Ｂが曲がり始める位置から、第１部分４４Ｂ１の長手方向に沿って見る場合における第１部分４４Ｂ１から２．５ｍｍ離れた位置までとなる。板ばね片４５Ｐの縁４５Ｅは、この屈曲部４４ＢＣのいずれかの領域を押圧する。

図１０は、本実施形態におけるチャンバ装置ＣＨの誘電体パイプ４２、外電極４４、及び板ばね４５を誘電体パイプ４２の長手方向に垂直な方向から見る図である。図１０に示すように、本実施形態の板ばね４５のスリット４５Ｓは、それぞれのバー部材４４Ｂの間に設けられる。従って、それぞれの板ばね片４５Ｐは、バー部材４４Ｂを個別に押圧している。

３．２ 作用・効果
図１１は、図６のように、誘電体パイプ４２の外周面が歪んでいる様子を示す図であり、図１２は、図７のように、外電極４４の一部が偏摩耗している様子を示す図である。本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、板ばね４５は、誘電体パイプ４２の長手方向に沿った縁４５Ｅから切り欠かれるスリット４５Ｓにより分けられる複数の板ばね片４５Ｐを含む。それぞれの板ばね片４５Ｐは、個別に外電極４４を押圧することができる。従って、図１１に示すように誘電体パイプ４２の外周面が歪んでいる場合であっても、比較例の板ばね４５が用いられる場合と比べて、外電極４４の誘電体パイプ４２に対する表面追随性が向上し得る。なお、図１１では、誘電体パイプ４２の歪んでいる部分に板ばね片４５Ｐが追随していないときの様子が破線で示されている。また、図１２に示すように外電極４４の一部が偏摩耗している場合であっても、比較例の板ばね４５が用いられる場合と比べて、外電極４４の誘電体パイプ４２に対する表面追随性が向上し得る。なお、図１２では、板ばね片４５Ｐが外電極４４の偏摩耗している部分に板ばね片４５Ｐが追随していないときの様子が破線で示されている。このため、誘電体パイプ４２と外電極４４との間に隙間ができること抑制し得る。また、本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、板ばね片４５Ｐは、縁４５Ｅに沿って折り曲げられる折り曲げ部４５Ｂを含み、折り曲げ部４５Ｂよりも縁４５Ｅ側でバー部材４４Ｂを押圧する。このような構成により、板ばね片４５Ｐが撓むことが抑制され得、安定して板ばね片４５Ｐがバー部材４４Ｂを押圧し得る。このため、板ばね４５は、安定して外電極４４を誘電体パイプ４２に押し付けることができ、上記のように誘電体パイプ４２と外電極４４との間に隙間ができることを抑制し得る。従って、本実施形態のチャンバ装置ＣＨによれば、安定してレーザ光を出射し得るガスレーザ装置を実現し得る。このため、本実施形態のガスレーザ装置１００は、安定してレーザ光を出射し得る。

また、本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、板ばね４５に形成されるスリット４５Ｓは、それぞれのバー部材４４Ｂの間に設けられ、それぞれの板ばね片４５Ｐがバー部材４４Ｂを個別に押圧する。つまり、バー部材４４Ｂと板ばね片４５Ｐとが一対一で対応する。このため、一つの板ばね片４５Ｐが複数のバー部材４４Ｂを押圧する場合と比べて、外電極４４の誘電体パイプ４２に対する表面追随性が向上し得る。このため、誘電体パイプ４２と外電極４４との間に隙間ができることより抑制し得る。なお、本実施形態と異なり、一つの板ばね片４５Ｐが複数のバー部材４４Ｂを押圧してもよい。

また、本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、スリット４５Ｓの長手方向は、縁４５Ｅに対し垂直である。従って、板ばね片４５Ｐにおける縁４５Ｅに沿った位置により、板ばね片４５Ｐがバー部材４４Ｂに与える押圧力が変化することを抑制し得る。なお、本実施形態と異なり、スリット４５Ｓの長手方向は、縁４５Ｅに対し非垂直であってもよい。

また、本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、板ばね４５は、板ばね片４５Ｐにおける縁４５Ｅでバー部材４４Ｂを押圧する。このため、板ばね片４５Ｐが不要に大きくなることを抑制し得る。

また、本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、板ばね４５は、バー部材４４Ｂの屈曲部４４ＢＣを押圧している。従って、板ばね４５の弾性力を外電極４４の接触プレート４４Ｃに効率よく伝え得る。このため、板ばね４５がバー部材４４Ｂの第２部分４４Ｂ２を押圧する場合と比べて、外電極４４の誘電体パイプ４２に対する表面追随性がより向上し得る。このため、誘電体パイプ４２と外電極４４との間に隙間ができることをより抑制し得る。なお、本実施形態と異なり、板ばね４５がバー部材４４Ｂの第２部分４４Ｂ２を押圧してもよい。

また、本実施形態のチャンバ装置ＣＨでは、板ばね４５は、複数の金属板が重ねられた積層構造である。このため、板ばね４５が一枚の金属板から成る場合と比べて、板ばね４５の弾性変形する範囲が広がり、板ばね４５は、弾性力を出しつつ塑性変形されることを抑制し得る。なお、本実施形態と異なり、板ばね４５が一枚の金属板から成ってもよい。

４．実施形態２のチャンバ装置の説明
次に、実施形態２のチャンバ装置について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。

４．１ 構成
図１３は、本実施形態におけるチャンバ装置ＣＨの誘電体パイプ４２、内電極４３、外電極４４、及び板ばね４５を図５と同じ方法で示す断面図である。図１３に示すように、本実施形態の板ばね４５は、板ばね片４５Ｐが第１部分４４Ｂ１と重なる位置まで延在している。このため、本実施形態の板ばね４５は、バー部材４４Ｂの屈曲部４４ＢＣを板ばね片４５Ｐの主面で押圧している。

４．２ 作用・効果
本実施形態のチャンバ装置ＣＨによれば、板ばね４５がバー部材４４Ｂの屈曲部４４ＢＣを板ばね片４５Ｐの主面で押圧しているため、バー部材４４Ｂと板ばね４５との接触面積を広くし得る。従って、板ばね４５から受ける力により外電極４４に傷等が生じることを抑制し得る。

５．実施形態３のチャンバ装置の説明
次に、実施形態３のチャンバ装置について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。

５．１ 構成
図１４は、本実施形態におけるチャンバ装置ＣＨの誘電体パイプ４２、内電極４３、外電極４４、板ばね４５、及び第２ガイド４１Ｂを示す斜視図である。本実施形態の板ばね４５は、スリット４５Ｓが第２ガイド４１Ｂまで延在している点において、実施形態１の板ばね４５と異なる。上記のように第２ガイド４１Ｂは、外電極４４及び板ばね４５が固定される固定部材である。従って、本実施形態の板ばね４５では、スリット４５Ｓが外電極４４及び板ばね４５が固定される固定部材まで延在している。

５．２ 作用・効果
本実施形態のチャンバ装置ＣＨによれば、板ばね４５のスリット４５Ｓが固定部材である第２ガイド４１Ｂまで延在しているため、スリット４５Ｓが第２ガイド４１Ｂまで延在していない場合と比べて、それぞれの板ばね片４５Ｐの可動範囲が大きい。従って、誘電体パイプ４２の外周面の歪みが大きい場合や、外電極４４の偏摩耗の度合いが大きい場合であっても、外電極４４を誘電体パイプ４２の外周面に押し付け得る。従って、これらの場合であっても、誘電体パイプ４２と外電極４４との間に隙間ができることを抑制し得る。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (20)

1. 誘電体のパイプと、
   前記パイプの長手方向に沿って延在し前記パイプの貫通孔内に配置される内電極と、
   前記パイプの長手方向に沿って延在し前記パイプの外周面に接触する接触プレート、及び、前記接触プレートに一端が接続され前記接触プレートの長手方向に沿って並設される複数のバー部材から成るラダー部を含む外電極と、
   前記パイプの長手方向に沿って延在し、前記外電極を前記パイプに押圧する板ばねと、
   を備え、
   前記板ばねは、前記パイプの長手方向に沿った縁から切り欠かれるスリットにより分けられる複数の板ばね片を含み、
   前記板ばね片は、前記縁に沿って折り曲げられる折り曲げ部を含み、前記折り曲げ部よりも前記縁側で前記バー部材を押圧する
   レーザ用チャンバ装置。
2. 請求項１に記載のレーザ用チャンバ装置であって、
   前記パイプの長手方向に沿って延在し、前記外電極と前記板ばねとを押さえて固定する固定部材を更に備え、
   前記外電極は、前記パイプの長手方向に沿って延在し、それぞれの前記バー部材の他端に接続され、前記固定部材に固定される固定プレートを含み、
   前記板ばねは、前記パイプの長手方向に沿って延在し、それぞれの前記板ばね片の前記縁側と反対側に接続され、前記固定部材に固定される固定部を含み、
   前記スリットは前記固定部材まで延在する。
3. 請求項１に記載のレーザ用チャンバ装置であって、
   前記スリットは、それぞれの前記バー部材の間に設けられ、それぞれの前記板ばね片が前記バー部材を個別に押圧する。
4. 請求項１に記載のレーザ用チャンバ装置であって、
   前記スリットの長手方向は、前記縁に対し垂直である。
5. 請求項１に記載のレーザ用チャンバ装置であって、
   前記板ばねは、前記板ばね片における前記縁で前記バー部材を押圧する。
6. 請求項１に記載のレーザ用チャンバ装置であって、
   それぞれの前記バー部材は、前記パイプの長手方向に垂直な面方向で、前記接触プレートに接続され前記パイプから離れる方向に延在する第１部分と、前記第１部分に接続されて曲げられる屈曲部と、前記屈曲部に接続される第２部分と、を含み、
   前記板ばねは、前記屈曲部を押圧する。
7. 請求項６に記載のレーザ用チャンバ装置であって、
   前記板ばねは、前記バー部材の前記屈曲部を前記板ばね片の主面で押圧する。
8. 請求項１に記載のレーザ用チャンバ装置であって、
   前記板ばねは、複数の金属板が重ねられた積層構造である。
9. 請求項８に記載のレーザ用チャンバ装置であって、
   前記板ばねの厚みと前記外電極の厚みとの差が、前記金属板１枚の厚み以下である。
10. 請求項１に記載のレーザ用チャンバ装置であって、
    前記外電極が銅から成り、
    前記板ばねが黄銅からなる。
11. 請求項１に記載のレーザ用チャンバ装置であって、
    前記スリットの幅は１ｍｍ以上１０ｍｍ以下である。
12. レーザ用チャンバ装置を備えるガスレーザ装置であって、
    前記レーザ用チャンバ装置は、
    誘電体のパイプと、
    前記パイプの貫通孔内に配置される内電極と、
    前記パイプの長手方向に沿って延在し前記パイプの外周面に接触する接触プレート、及び、前記接触プレートに一端が接続され前記接触プレートの長手方向に沿って並設される複数のバー部材から成るラダー部を含む外電極と、
    前記パイプの長手方向に沿って延在し、前記外電極を前記パイプに押圧する板ばねと、
    を備え、
    前記板ばねは、前記パイプの長手方向に沿った縁から切り欠かれるスリットにより分けられる複数の板ばね片を含み、
    前記板ばね片は、前記縁に沿って折り曲げられる折り曲げ部を含み、前記折り曲げ部よりも前記縁側で前記バー部材を押圧する。
13. 請求項１２に記載のガスレーザ装置であって、
    前記パイプの長手方向に沿って延在し、前記外電極と前記板ばねとを押さえて固定する固定部材を更に備え、
    前記外電極は、前記パイプの長手方向に沿って延在し、それぞれの前記バー部材の他端に接続され、前記固定部材に固定される固定プレートを含み、
    前記板ばねは、前記パイプの長手方向に沿って延在し、それぞれの前記板ばね片の前記縁側と反対側に接続され、前記固定部材に固定される固定部を含み、
    前記スリットは前記固定部材まで延在する。
14. 請求項１２に記載のガスレーザ装置であって、
    前記スリットは、それぞれの前記バー部材の間に設けられ、それぞれの前記板ばね片が前記バー部材を個別に押圧する。
15. 請求項１２に記載のガスレーザ装置であって、
    前記スリットの長手方向は、前記縁に対し垂直である。
16. 請求項１２に記載のガスレーザ装置であって、
    前記板ばねは、前記板ばね片における前記縁で前記バー部材を押圧する。
17. 請求項１２に記載のガスレーザ装置であって、
    それぞれの前記バー部材は、前記パイプの長手方向に垂直な面方向で、前記接触プレートに接続され前記パイプから離れる方向に延在する第１部分と、前記第１部分に接続されて曲げられる屈曲部と、前記屈曲部に接続される第２部分と、を含み、
    前記板ばねは、前記屈曲部を押圧する。
18. 請求項１７に記載のガスレーザ装置であって、
    前記板ばねは、前記バー部材の前記屈曲部を前記板ばね片の主面で押圧する。
19. 請求項１２に記載のガスレーザ装置であって、
    前記板ばねは、複数の金属板が重ねられた積層構造である。
20. 誘電体のパイプと、
    前記パイプの貫通孔内に配置される内電極と、
    前記パイプの長手方向に沿って延在し前記パイプの外周面に接触する接触プレート、及び、前記接触プレートに一端が接続され前記接触プレートの長手方向に沿って並設される複数のバー部材から成るラダー部を含む外電極と、
    前記パイプの長手方向に沿って延在し、前記外電極を前記パイプに押圧する板ばねと、
    を備え、
    前記板ばねは、前記パイプの長手方向に沿った縁から切り欠かれるスリットにより分けられる複数の板ばね片を含み、
    前記板ばね片は、前記縁に沿って折り曲げられる折り曲げ部を含み、前記折り曲げ部よりも前記縁側で前記バー部材を押圧する、
    レーザ用チャンバ装置を備えるガスレーザ装置においてレーザ光を生成し、
    前記レーザ光を露光装置に出力し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記レーザ光を露光する
    ことを含む、
    電子デバイスの製造方法。
    
    

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