JPWO2020173153A5 - - Google Patents

Description

任意選択的に、前記表示基板は、さらに、前記第１トランジスタのゲートと活性層との間に形成されたゲート絶縁層、及び、前記第２トランジスタのゲートと活性層との間に形成されたゲート絶縁層を備える。

本開示の一実施例は、表示基板の製造方法を提供する。該製造方法は、前記基板上に第１導電層及び第１リードを形成する工程と、第１絶縁層を形成し、そして前記第１絶縁層をエッチングして、前記第１絶縁層において前記第１リード、第１トランジスタのソース、ドレイン、ゲートに接続するための第１信号接続孔を予め形成し、第２トランジスタの活性層を形成すると共に前記第１絶縁層の各第１信号接続孔にコンタクト層を堆積する工程と、第２絶縁層を形成し、第２絶縁層をエッチングして、第２絶縁層において前記第１リード、第１トランジスタのソース、ドレイン、ゲート、及び前記第２トランジスタのソース、ドレイン及びゲートに接続するための第２信号接続孔を予め形成し、そして前記第１トランジスタのソース及びドレイン、第２トランジスタのソース及びドレインを形成すると共に、第１トランジスタのゲート、第２トランジスタのゲート及び第１リードに対応する第２信号接続孔に、ソース・ドレイン材料の層を堆積する工程と、を有する。

一実施例において、表示基板は、さらに、基板１に形成され、且つ第１トランジスタ２と第２トランジスタ３の基板１に面する側に位置する第１導電層を備える。第１リード４１は、第１導電層と同じ材料で形成され、同じ層に配置される。第２リード４２は、第１トランジスタ２のゲートと同じ材料で形成され、同じ層内に配置される。第１導電層は、主に光を遮断するための遮光性金属材料からなる。第１導電層は、第１トランジスタ２及び第２トランジスタ３への光の照射を遮断し、第１トランジスタ２及び第２トランジスタ３のリーク電流を低減して、表示基板の低消費電力化を実現できる。第１リード４１は、第１導電層と同じ材料で形成され、同じ層に配置され、製造工程を増加させることがないし、表示基板の製造コストを低減することができる。同様に、第２リード４２は、第１トランジスタ２のゲートと同じ材料で形成され、同じ層に配置されるため、製造プロセスを増加させることがないし、表示基板の製造コストを低減することができる。従って、従来の製造プロセスを小さく変更することで、第１トランジスタ２及び第２トランジスタ３の閾値電圧の反対方向シフトを調整することができる。

Claims (3)

1. 前記第１トランジスタはＰＮＰ型トランジスタであり、前記第２トランジスタはＮＰＮ型トランジスタである、
   請求項２～８のいずれか１項に記載の表示基板。
2. さらに、前記第１トランジスタのゲートと活性層との間に形成されたゲート絶縁層、及び前記第２トランジスタのゲートと活性層との間に形成されたゲート絶縁層を備える、
   請求項１２に記載の表示基板。
3. 前記基板上に第１導電層及び第１リードを形成する工程と、
   第１絶縁層を形成し、且つ該第１絶縁層をエッチングして、前記第１絶縁層において、前記第１リード、及び第１トランジスタのソース、ドレイン、ゲートに接続するための第１信号接続孔を予め形成す工程と、
   第２トランジスタの活性層を形成するとともに、前記第１絶縁層内の各第１信号接続孔にコンタクト層を堆積する工程と、
   第２絶縁層を形成し、且つ該第２絶縁層をエッチングして、前記第２絶縁層において、前記第１リード、前記第１トランジスタのソース、ドレイン、ゲート、及び前記第２トランジスタのソース、ドレイン、ゲートに接続するための第２信号接続孔を予め形成する工程と、
   前記第１トランジスタのソース、ドレイン、及び前記第２トランジスタのソース、ドレインを形成するとともに、前記第１トランジスタのゲート、前記第２トランジスタのゲート、及び前記第１リードに対応する第２信号接続孔内にソース・ドレイン材料の層を堆積する工程と、を有する、
   表示基板の製造方法。