CN111613637B - 一种显示基板及其不良调整方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示基板及其不良调整方法和显示装置。该显示基板包括基底和设置在基底上的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管在相反极性的驱动电压下均具有固有阈值电压偏移，且二者的固有阈值电压偏移方向相反，显示基板还包括偏移调整结构，用于向第一晶体管和第二晶体管引入调整信号，以使第一晶体管和第二晶体管的阈值电压分别向与其固有阈值电压偏移方向相反的方向偏移。该显示基板能够通过引入调整信号的方法调整第一晶体管和第二晶体管的阈值电压交叉式偏移程度，从而减少或避免第一晶体管和第二晶体管的阈值电压交叉式偏移过多造成其无法工作的现象，进而减少或避免晶体管阈值电压交叉式偏移过多所导致的显示基板不良。

Description

一种显示基板及其不良调整方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种显示基板及其不良调整方法和显示装置。
背景技术
有机电致发光显示面板(Organic Electro luminescent Display，OLED/LED)凭借其低功耗、高色饱和度、广视角、薄厚度、能实现柔性化等优异性能，逐渐成为显示领域的主流，可以广泛应用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。其中，又以柔性OLED/LED产品最为显著，逐步以其可以满足各种特殊结构而成为OLED/LED显示主流。相应的，由于其具有可以制作成任意形状，并且可以以厚度很小的方式布置在各种区域，其灵活的应用越来越广，包括移动终端、手表以及各种可穿戴产品等。在实际使用时，由于器件本身需要消耗一定的电能，长时间工作条件下，低功率消耗，以及更长的续航时间，就成了一个相当重要的方面，特别是在充电相对不方便的旅游或其他野外环境。
现阶段正在开发的LTPO(LTPS-Oxide)工艺，是指在显示面板中既设置有低温多晶硅晶体管(LTPS TFT)，又设置有氧化物晶体管(Oxide TFT)。采用低漏电的氧化物(Oxide)晶体管能降低漏电，以更好的降低显示面板功率消耗。但在实际工艺中，由于LTPS TFT和Oxide TFT本身工艺的匹配性差异，导致部分晶体管会有阈值电压偏移。且由于现有结构的原因，LTPS TFT与Oxide TFT的偏移方向相反，即二者阈值电压为交叉式偏移，这使得显示器件无法正常工作，甚至无法点亮。而这种发生阈值电压偏移晶体管的设置位置和阈值电压偏移程度是随机的，目前无法通过简单的工艺方法进行调整。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种显示基板及其不良调整方法和显示装置。该显示基板能够通过引入调整信号的方法调整第一晶体管和第二晶体管的阈值电压交叉式偏移程度，从而减少或避免第一晶体管和第二晶体管的阈值电压交叉式偏移过多造成其无法工作的现象，进而减少或避免第一晶体管和第二晶体管的阈值电压交叉式偏移过多所导致的显示基板不良，提高产品的信赖性和良率。
本发明提供一种显示基板，包括基底和设置在所述基底上的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管在相反极性的驱动电压下均具有固有阈值电压偏移，且二者的所述固有阈值电压偏移方向相反，所述显示基板还包括设置在所述基底上的偏移调整结构，用于向所述第一晶体管和所述第二晶体管引入调整信号，以使所述第一晶体管和所述第二晶体管的阈值电压分别向与其所述固有阈值电压偏移方向相反的方向偏移。
优选地，所述偏移调整结构包括调整信号源、开关单元和信号引线，所述调整信号源与所述开关单元连接，所述开关单元与所述信号引线连接；
所述调整信号源用于产生调整所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述固有阈值电压偏移的调整信号；
所述开关单元用于开启或关闭所述调整信号源；
所述信号引线包括第一引线和第二引线，所述第一引线对应所述第一晶体管设置，用于向所述第一晶体管引入调整信号；所述第二引线对应所述第二晶体管设置，用于向所述第二晶体管引入调整信号。
优选地，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为顶栅型晶体管，所述第一引线设置在所述第一晶体管的靠近所述基底的一侧，所述第二引线设置在所述第二晶体管的靠近所述基底的一侧。
优选地，还包括第一导电层，所述第一导电层设置于所述基底上，且位于所述第一晶体管和所述第二晶体管的靠近所述基底的一侧；
所述第一引线与所述第一导电层采用相同材料且同层设置；
所述第二引线与所述第一晶体管的栅极采用相同材料且同层设置。
优选地，所述调整信号源包括第一信号源和第二信号源，所述第一信号源用于产生调整所述第一晶体管的所述固有阈值电压偏移的第一调整信号；所述第二信号源用于产生调整所述第二晶体管的所述固有阈值电压偏移的第二调整信号；
所述第一晶体管的栅极驱动信号源复用作所述第二信号源，所述第二晶体管的栅极驱动信号源复用作所述第一信号源。
优选地，所述第一晶体管为PNP型晶体管，所述第二晶体管为NPN型晶体管。
优选地，所述第一晶体管为低温多晶硅晶体管，所述第二晶体管为氧化物半导体晶体管。
优选地，还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一晶体管的栅极的上方，所述第一晶体管的源极和漏极位于所述第一绝缘层上方，所述第一绝缘层还延伸至所述第二晶体管的有源层与所述第二引线之间；
所述第一绝缘层在对应所述第一晶体管的栅极、源极和漏极的位置均开设有过孔，所述过孔中设置有接触层；所述接触层与所述第二晶体管的有源层采用相同材料且同层设置。
优选地，所述显示基板划分为多个区，每个区内均分布有所述第一晶体管和所述第二晶体管；
一个区内的所述第一引线和所述第二引线对应配置一个所述开关单元。
本发明还提供一种显示装置，包括上述显示基板。
本发明还提供一种上述显示基板的不良调整方法，包括：当所述显示基板在第一晶体管和第二晶体管相反方向的固有阈值电压偏移作用下出现显示不良时，偏移调整结构向所述第一晶体管和所述第二晶体管引入调整信号，使所述第一晶体管和所述第二晶体管的阈值电压分别向与其所述固有阈值电压偏移方向相反的方向偏移。
优选地，所述调整方法包括：
向所述第一晶体管和所述第二晶体管引入极性相反的调整信号。
优选地，所述第一调整信号和所述第二调整信号大小不等；
或者，所述第一调整信号和所述第二调整信号大小相等且引入时长不等。
优选地，所述调整方法包括：对所述显示基板上所述第一晶体管和所述第二晶体管的阈值电压偏移进行分区调整。
本发明的有益效果：本发明所提供的显示基板，通过设置偏移调整结构，能够通过引入调整信号的方法调整第一晶体管和第二晶体管的阈值电压交叉式偏移程度，从而减少或避免第一晶体管和第二晶体管的阈值电压交叉式偏移过多造成其无法工作的现象，进而减少或避免第一晶体管和第二晶体管的阈值电压交叉式偏移过多所导致的显示基板不良，提高产品的信赖性和良率。
本发明所提供的显示装置，通过采用上述显示基板，不仅降低了该显示装置的功率消耗，而且提高了该显示装置的信赖性和良率。
附图说明
图1为本发明实施例1中显示基板的结构剖视示意图；
图2为本发明实施例1中显示基板的结构俯视示意图；
图3为显示基板中低温多晶硅晶体管未进行阈值电压偏移调整前的阈值电压偏移曲线；
图4为显示基板中氧化物半导体晶体管未进行阈值电压偏移调整前的阈值电压偏移曲线；
图5为本发明显示基板中低温多晶硅晶体管经阈值电压偏移调整后的阈值电压偏移曲线；
图6为本发明显示基板中氧化物半导体晶体管经阈值电压偏移调整后的阈值电压偏移曲线。
其中的附图标记说明：
1.基底；2.第一晶体管；21.第一晶体管的栅极；22.第一晶体管的源极；23.第一晶体管的漏极；24.第一晶体管的有源层；25.第一晶体管的栅绝缘层；3.第二晶体管；31.第二晶体管的栅极；32.第二晶体管的源极；33.第二晶体管的漏极；34.第二晶体管的有源层；35.第二晶体管的栅绝缘层；4.偏移调整结构；41.第一引线；42.第二引线；5.第一绝缘层；6.接触层；7.第二绝缘层；8.缓冲层。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明所提供的一种显示基板及其不良调整方法和显示装置作进一步详细描述。
实施例1：
本实施例提供一种显示基板，如图1和图2所示，包括基底1和设置在基底1上的第一晶体管2和第二晶体管3，第一晶体管2和第二晶体管3在相反极性的驱动电压下均具有固有阈值电压偏移，且二者的固有阈值电压偏移方向相反，显示基板还包括设置在基底1上的偏移调整结构4，用于向第一晶体管2和第二晶体管3引入调整信号，以使第一晶体管2和第二晶体管3的阈值电压分别向与其固有阈值电压偏移方向相反的方向偏移。
其中，工作状态时第一晶体管2和第二晶体管3在相反极性的驱动电压下均具有固有阈值电压偏移，且二者的固有阈值电压偏移方向相反，工作状态指第一晶体管2和第二晶体管3的开启状态(即导通状态)，第一晶体管2和第二晶体管3在关闭状态(即截止状态)时其驱动电压均为0。固有阈值电压偏移主要指第一晶体管2和第二晶体管3的原有阈值电压偏移，由于开启状态时第一晶体管2和第二晶体管3的驱动电压极性相反，所以会导致第一晶体管2和第二晶体管3的阈值电压一个正向偏移，一个负向偏移，从而使二者的原有阈值电压偏移方向相反。基于降低显示基板功率消耗的考虑，通常会在显示基板中既设置第一晶体管2又设置第二晶体管3，但由于二者之间的工艺匹配性差异，会使二者的固有阈值电压偏移更趋于严重，即会使得二者向相反方向的固有阈值电压偏移(即阈值电压交叉式偏移)更趋于严重，继而造成第一晶体管2和第二晶体管3出现器件不良，以致无法工作的现象。
本实施例中，如第一晶体管2为低温多晶硅晶体管，第二晶体管3为氧化物半导体晶体管。如图3和图4所示，低温多晶硅晶体管本身存在正向固有阈值电压偏移，氧化物半导体晶体管本身存在负向固有阈值电压偏移，二者同时制备在显示基板中，使得二者向相反方向的固有阈值电压偏移更趋于严重，以致两种晶体管会同时漏电，最终导致显示基板的功耗无法降低。如果两种晶体管的阈值电压交叉式偏移过多，还会导致器件无法工作，显示基板不良发生。
本实施例中，通过设置偏移调整结构4，能够通过引入调整信号的方法调整第一晶体管2和第二晶体管3的阈值电压交叉式偏移程度，从而减少或避免第一晶体管2和第二晶体管3的阈值电压交叉式偏移过多造成其无法工作的现象，进而减少或避免第一晶体管2和第二晶体管3的阈值电压交叉式偏移过多所导致的显示基板不良，提高产品的信赖性和良率。
本实施例中，偏移调整结构4包括调整信号源、开关单元和信号引线，调整信号源与开关单元连接，开关单元与信号引线连接；调整信号源用于产生调整第一晶体管2和第二晶体管3的固有阈值电压偏移的调整信号。开关单元用于开启或关闭调整信号源。信号引线包括第一引线41和第二引线42，第一引线41对应第一晶体管2设置，用于向第一晶体管2引入调整信号；第二引线42对应第二晶体管3设置，用于向第二晶体管3引入调整信号。通过向第一晶体管2和第二晶体管3引入极性相反的调整信号，能使第一晶体管2和第二晶体管3的阈值电压分别向与其固有阈值电压偏移方向相反的方向偏移，从而减少或削弱了第一晶体管2和第二晶体管3的阈值电压交叉式偏移程度(如图5和图6所示)，进而减少或避免阈值电压交叉式偏移过多所导致的器件不良，最终减少或避免由器件不良导致的显示基板不良，提高产品的信赖性和良率。
本实施例中，第一晶体管2和第二晶体管3均为顶栅型晶体管，第一引线41设置在第一晶体管2的靠近基底1的一侧，第二引线3设置在第二晶体管3的靠近基底1的一侧。其中，第一引线41构成了第一晶体管2的底栅，第二引线42构成了第二晶体管3的底栅，通过在第一晶体管2的底栅和第二晶体管3的底栅上相应地施加调整信号，能够将各自的固有阈值电压偏移向相反方向调整，从而减少或削弱第一晶体管2和第二晶体管3的阈值电压交叉式偏移程度。另外，第一引线41和第二引线42的设置，使第一晶体管2和第二晶体管3都分别构成了双栅结构，双栅结构能够降低晶体管的漏电流，且双栅结构的晶体管性能更加稳定。
优选的，本实施例中，显示基板还包括第一导电层，第一导电层设置于基底1上，且位于第一晶体管2和第二晶体管3的靠近基底1的一侧；第一引线41与第一导电层采用相同材料且同层设置；第二引线42与第一晶体管2的栅极采用相同材料且同层设置。其中，第一导电层采用遮光金属材料形成，主要起到遮光作用，第一导电层能够遮挡照射到第一晶体管2和第二晶体管3上的光线，从而降低第一晶体管2和第二晶体管3的漏电流，进而使显示基板的功率消耗更低。第一引线41与第一导电层采用相同材料且同层设置，既不会额外增加制备工艺，又能降低显示基板制备成本；同样，第二引线42与第一晶体管2的栅极采用相同材料且同层设置，一方面不会额外增加制备工艺，另一方面还能降低显示基板制备成本；从而使该显示基板在较小改变原有工艺的前提下，即可实现第一晶体管2和第二晶体管3交叉偏移阈值电压的调整。
本实施例中，调整信号源包括第一信号源和第二信号源，第一信号源用于产生调整第一晶体管2的固有阈值电压偏移的第一调整信号；第二信号源用于产生调整第二晶体管3的固有阈值电压偏移的第二调整信号；第一晶体管2的栅极驱动信号源复用作第二信号源，第二晶体管3的栅极驱动信号源复用作第一信号源。即第一晶体管2的栅极驱动电压用于作为第二调整信号提供给第二引线42，以调整第二晶体管3的阈值电压向与其固有阈值电压偏移方向相反的方向偏移；第二晶体管3的栅极驱动电压用于作为第一调整信号提供给第一引线41，以调整第一晶体管2的阈值电压向与其固有阈值电压偏移方向相反的方向偏移。如此设置，使该显示基板无需再额外设置调整信号源，从而节约了该显示基板中第一晶体管2和第二晶体管3的阈值电压偏移调整成本。
优选的，本实施例中，第一晶体管2为PNP型晶体管，第二晶体管3为NPN型晶体管。其中，第一晶体管2的驱动电压为负，第二晶体管3的驱动电压为正，通过将二者的驱动电压分别提供给对方作为阈值电压偏移调整信号，能够减少或削弱第一晶体管2和第二晶体管3的阈值电压交叉式偏移程度，从而减少或避免阈值电压交叉式偏移过多所导致的器件不良，同时还能节约显示基板的晶体管阈值电压偏移调整成本。
需要说明的是，第一晶体管2和第二晶体管3也可以均是PNP型晶体管或者均是NPN型晶体管，只要二者的驱动电压极性相反，均可通过本实施例中的阈值电压偏移调整方案调整其阈值电压偏移，以使二者的阈值电压交叉式偏移程度降低。
本实施例中，优选第一晶体管2为低温多晶硅晶体管，第二晶体管3为氧化物半导体晶体管。显示基板中，一些关键性开关管采用氧化物半导体晶体管，其他的大部分开关管和驱动管采用低温多晶硅晶体管，由于氧化物半导体晶体管的漏电流较低，相对于显示基板中所有开关管全部采用低温多晶硅晶体管的情况，能很好地降低显示基板漏电，从而更好地降低显示基板功率消耗。
本实施例中，如图1所示，显示基板还包括第一绝缘层5，第一绝缘层5位于第一晶体管2的栅极21的上方，第一晶体管2的源极22和漏极23位于第一绝缘层5上方，第一绝缘层5还延伸至第二晶体管3的有源层34与第二引线42之间；第一绝缘层5在对应第一晶体管2的栅极21、源极22和漏极23的位置均开设有过孔，过孔中设置有接触层6；接触层6与第二晶体管3的有源层34采用相同材料且同层设置。相对于现有的第一绝缘层5在对应第一晶体管2的栅极21、源极22和漏极23位置的过孔中的接触层需要另外采用其他材料并单独通过一步工艺形成的情况，上述接触层6的制备，既不会额外增加显示基板的制备工艺，又能够节约接触层6的制备成本，即接触层6的制备无需再采用其他材料单独制备。
需要说明的是，本实施例中，第一晶体管2在接触层6上还设置有第二绝缘层7，第二绝缘层7还延伸至第二晶体管3的栅极31上方。第二绝缘层7在对应第一晶体管2的栅极21、源极22和漏极23的位置均开设有过孔，且第二绝缘层7中过孔的位置与第一绝缘层5中过孔的位置对应。第一晶体管2的源漏极材料对应沉积于其栅极21、源极22和漏极23位置的过孔中。第二绝缘层7对应第一晶体管2栅极21位置过孔中的源漏极材料用于向其栅极21引入驱动信号。第二绝缘层7在对应第二晶体管3的栅极31、源极32和漏极33的位置均开设有过孔，第二晶体管3的源漏极材料对应沉积于其栅极31、源极32和漏极33位置的过孔中。第二绝缘层7对应第二晶体管3栅极31位置过孔中的源漏极材料用于向其栅极31引入驱动信号。另外，第一晶体管2的栅极21和有源层24之间还设置有栅绝缘层25。第二晶体管3的栅极31和有源层34之间还设置有栅绝缘层35。第一引线41与第一晶体管2的有源层24之间还设置有缓冲层8，缓冲层8还延伸至第二晶体管3与基底1之间。
其中，第一晶体管2的源极22和漏极23与第二晶体管3的源极32和漏极33采用相同材料且同层设置，即两晶体管的源极和漏极通过一步工艺形成。如图1所示，显示基板中两个A位置的引入信号相同，两个B位置的引入信号相同，即第一晶体管2和第二晶体管3在阈值电压偏移调整时，第一引线41引入第二晶体管3的栅极驱动信号，第二引线42引入第一晶体管2的栅极驱动信号。
优选的，本实施例中，显示基板划分为多个区，每个区内均分布有第一晶体管和第二晶体管；一个区内的第一引线和第二引线对应配置一个开关单元。如此设置，能够单独控制对各个区内的第一晶体管和第二晶体管进行阈值电压偏移调整，从而能够针对显示基板上阈值电压偏移较多以致晶体管无法工作的区内的晶体管进行阈值电压偏移调整，而无需对整个显示基板上的所有晶体管都进行调整，进而提高了显示基板上晶体管阈值电压偏移调整的针对性，同时也提高了显示基板上晶体管阈值电压偏移调整的效率。
上述结构的显示基板的制备过程为：
1.在基底上形成第一导电层和第一引线；然后在基底上形成缓冲层；
2.形成第一晶体管(低温多晶硅晶体管)的有源层、栅绝缘层、栅极，并对有源层的两端进行导体化；其中，第一晶体管的栅绝缘层还延伸至第二晶体管(氧化物半导体晶体管)的第二引线下方；
3.形成第一绝缘层，并对其进行蚀刻，预留连接至第一引线、第一晶体管源极、漏极和栅极的信号连接孔；然后形成第二晶体管的有源层；其中，信号连接孔处使用第二晶体管的有源层材料形成孔中的接触层；
4.依次形成第二晶体管的栅绝缘层和栅极，并对第二晶体管的有源层的两端进行导体化处理；
5.沉积第二绝缘层膜，并对其进行蚀刻，在相应的位置预留连接至第一引线、第一晶体管源极、漏极和栅极以及第二晶体管源极、漏极和栅极的信号连接孔；然后形成第一晶体管的源极和漏极、第二晶体管的源极和漏极、同时在对应第一晶体管栅极、第二晶体管栅极以及第一引线的信号连接孔中形成源漏极材料层；
6.正常完成后续显示基板的制备工艺。
基于显示基板的上述结构，本实施例还提供一种该显示基板的不良调整方法，包括：当显示基板在第一晶体管和第二晶体管相反方向的固有阈值电压偏移作用下出现显示不良时，偏移调整结构向第一晶体管和第二晶体管引入调整信号，使第一晶体管和第二晶体管的阈值电压分别向与其固有阈值电压偏移方向相反的方向偏移。
其中，向第一晶体管和第二晶体管引入极性相反的调整信号。
本实施例中，第一调整信号和第二调整信号大小不等。当然，也可以第一调整信号和所述第二调整信号大小相等但其引入时长不等。如此均能够实现对阈值电压偏移程度不同的第一晶体管和第二晶体管的阈值电压偏移调整。第一晶体管和第二晶体管中阈值电压偏移程度较大的晶体管引入的调整信号较大或者引入时长较长。
需要说明的是，如果第一晶体管和第二晶体管的阈值电压偏移程度相同，也可以使第一调整信号和第二调整信号大小相等且引入时长也相等，只要最终能够将两晶体管的阈值电压偏移调整至不影响其正常工作即可。
优选的，本实施例中，对显示基板上第一晶体管和第二晶体管的阈值电压偏移进行分区调整。
本实施例中显示基板的不良调整方法具体步骤为：
1.在进行显示基板测试时，对异常显示基板进行标记；
2.在异常显示基板中，打开向第一引线和第二引线中加入信号的开关单元，使第一晶体管的栅极驱动信号施加给第二引线，同时使第二晶体管的栅极驱动信号施加给第一引线，从而对第一晶体管和第二晶体管的固有阈值电压偏移进行调整，获得性能优化后的显示基板；
3.关闭向第一引线和第二引线中加入信号的开关单元，将阈值电压偏移调整好的显示基板投入后段工艺。
本实施例的有益效果：本实施例中所提供的显示基板，通过设置偏移调整结构，能够通过引入调整信号的方法调整第一晶体管和第二晶体管的阈值电压交叉式偏移程度，从而减少或避免第一晶体管和第二晶体管的阈值电压交叉式偏移过多造成其无法工作的现象，进而减少或避免第一晶体管和第二晶体管的阈值电压交叉式偏移过多所导致的显示基板不良，提高产品的信赖性和良率。
实施例2：
本实施例提供一种显示装置，包括实施例1中的显示基板。
通过采用实施例1中的显示基板，不仅降低了该显示装置的功率消耗，而且提高了该显示装置的信赖性和良率。
本发明所提供的显示面板可以为OLED面板、OLED电视、LCD面板、LCD电视、显示器、手机、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，也可以为上述具有显示功能的产品或部件的半成品件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (13)

1.一种显示基板，包括基底和设置在所述基底上的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管在相反极性的驱动电压下均具有固有阈值电压偏移，且二者的所述固有阈值电压偏移方向相反，其特征在于，所述显示基板还包括设置在所述基底上的偏移调整结构，用于向所述第一晶体管和所述第二晶体管引入调整信号，以使所述第一晶体管和所述第二晶体管的阈值电压分别向与其所述固有阈值电压偏移方向相反的方向偏移；
所述偏移调整结构包括调整信号源；所述调整信号源用于产生调整所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述固有阈值电压偏移的调整信号；
所述调整信号源包括第一信号源和第二信号源，所述第一信号源用于产生调整所述第一晶体管的所述固有阈值电压偏移的第一调整信号；所述第二信号源用于产生调整所述第二晶体管的所述固有阈值电压偏移的第二调整信号；
所述第一晶体管的栅极驱动信号源复用作所述第二信号源，所述第二晶体管的栅极驱动信号源复用作所述第一信号源。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述偏移调整结构还包括开关单元和信号引线，所述调整信号源与所述开关单元连接，所述开关单元与所述信号引线连接；
所述开关单元用于开启或关闭所述调整信号源；
所述信号引线包括第一引线和第二引线，所述第一引线对应所述第一晶体管设置，用于向所述第一晶体管引入调整信号；所述第二引线对应所述第二晶体管设置，用于向所述第二晶体管引入调整信号。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为顶栅型晶体管，所述第一引线设置在所述第一晶体管的靠近所述基底的一侧，所述第二引线设置在所述第二晶体管的靠近所述基底的一侧。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，还包括第一导电层，所述第一导电层设置于所述基底上，且位于所述第一晶体管和所述第二晶体管的靠近所述基底的一侧；
所述第一引线与所述第一导电层采用相同材料且同层设置；
所述第二引线与所述第一晶体管的栅极采用相同材料且同层设置。
5.根据权利要求2-4任意一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一晶体管为PNP型晶体管，所述第二晶体管为NPN型晶体管。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第一晶体管为低温多晶硅晶体管，所述第二晶体管为氧化物半导体晶体管。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一晶体管的栅极的上方，所述第一晶体管的源极和漏极位于所述第一绝缘层上方，所述第一绝缘层还延伸至所述第二晶体管的有源层与所述第二引线之间；
所述第一绝缘层在对应所述第一晶体管的栅极、源极和漏极的位置均开设有过孔，所述过孔中设置有接触层；所述接触层与所述第二晶体管的有源层采用相同材料且同层设置。
8.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板划分为多个区，每个区内均分布有所述第一晶体管和所述第二晶体管；
一个区内的所述第一引线和所述第二引线对应配置一个所述开关单元。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任意一项所述的显示基板。
10.一种如权利要求1-8任意一项所述的显示基板的不良调整方法，其特征在于，包括：当所述显示基板在第一晶体管和第二晶体管相反方向的固有阈值电压偏移作用下出现显示不良时，偏移调整结构向所述第一晶体管和所述第二晶体管引入调整信号，使所述第一晶体管和所述第二晶体管的阈值电压分别向与其所述固有阈值电压偏移方向相反的方向偏移；
所述偏移调整结构包括调整信号源；所述调整信号源产生调整所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述固有阈值电压偏移的调整信号；
所述调整信号源包括第一信号源和第二信号源，所述第一信号源产生调整所述第一晶体管的所述固有阈值电压偏移的第一调整信号；所述第二信号源产生调整所述第二晶体管的所述固有阈值电压偏移的第二调整信号；
所述第一晶体管的栅极驱动信号源复用作所述第二信号源，所述第二晶体管的栅极驱动信号源复用作所述第一信号源。
11.根据权利要求10所述的不良调整方法，其特征在于，所述调整方法包括：
向所述第一晶体管和所述第二晶体管引入极性相反的调整信号。
12.根据权利要求11所述的不良调整方法，其特征在于，
所述第一调整信号和所述第二调整信号大小不等；
或者，所述第一调整信号和所述第二调整信号大小相等且引入时长不等。
13.根据权利要求10所述的不良调整方法，其特征在于，所述调整方法包括：对所述显示基板上所述第一晶体管和所述第二晶体管的阈值电压偏移进行分区调整。
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