JPWO2020149087A1 - Ｌｃ複合部品及び通信端末装置 - Google Patents

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Abstract

ＬＣ複合部品は、それぞれに導体パターンが形成された複数の絶縁性基材を含む複数の絶縁性基材の積層による直方体形状の積層体で構成される。キャパシタ用導体パターン（Ｃａ，Ｃｂ，Ｃｃ）は、複数の絶縁性基材のうち、コイル用導体パターン（ＬＯ）が形成された絶縁性基材とは別の絶縁性基材に形成され、積層方向に視て、第１端子（Ｔ１）の中心と第２端子（Ｔ２）の中心とを最短で結ぶ線分（ＬＳ）に重なる延伸部（ＥＸ）と、線分（ＬＳ）の方向とは異なる方向に突出する突出部（Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３）とを有し、突出部（Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３）は、積層方向に視て、コイル用導体パターン（ＬＯ）の屈曲形状部（ＢＰ１，ＢＰ２，ＢＰ３，ＢＰ４）に重ならずに直線形状部（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４）に重なる。

Description

本発明は、高周波回路に設けられるＬＣ複合部品に関し、特に、絶縁性基材の積層体内にコイル及びキャパシタが形成されたＬＣ複合部品及びそれを備える通信端末装置に関する。
例えばＬＣフィルタ、インピーダンス整合回路、移相器等において、それらが単一の部品として構成される場合、コイルとキャパシタとが単一の積層体内に形成されたＬＣ複合部品で構成される場合がある。
携帯電話端末をはじめとする通信端末装置等においては、複数の周波数帯域においてインピーダンス整合を図ることが必要となる場合が多い。例えば、図１９に示すように、インピーダンス整合回路７２と第２高周波回路７４との間に移相器７３を設け、この移相器７３とインピーダンス整合回路７２とで、第１高周波回路７１と第２高周波回路７４とをインピーダンス整合させる場合、複数の周波数帯域でインピーダンス整合させるために、移相器には周波数帯に応じた移相特性が要求される。
例えば、特許文献１には、第１ポートとグランドとの間に接続された第１コイルと、第２ポートとグランドとの間に接続され、第１コイルと磁界結合する第２コイルと、第１ポートと第２ポートとの間に接続されたキャパシタとを備えることで、周波数に応じた移相が可能なトランス型の移相器が示されている。
特許第６１８３５６６号公報
特許文献１に記載のトランス型の移相器を積層チップ部品として構成する場合、トランスのコイルを構成するコイル用導体パターンと、キャパシタを構成するキャパシタ用導体パターンとの干渉を抑制することが重要である。
例えば、図２０（Ａ）は積層チップ部品として構成しようとする場合の移相器の断面図であり、図２０（Ｂ）は積層体の内部に形成されるキャパシタ用導体パターンの平面図である。この例では、積層体の内部に第１コイルＬ１用の導体パターン、第２コイルＬ２用の導体パターン及びキャパシタＣ用の導体パターンがそれぞれ形成されている。
上記キャパシタＣは、トランスによる移相量を補うために、ある程度の容量が必要であるが、キャパシタ用導体パターンの面積を大きくすると、キャパシタ用導体パターンがトランスの磁束を干渉してしまう。そのため、図２０（Ａ）に示したように、トランス（図２０（Ａ）の例では第２コイルＬ２用の導体パターン）とキャパシタＣ用の導体パターンとの積層方向の間隔ＧＡＰを充分に大きくすることになる。図２０（Ａ）において破線は磁束の概略経路を表している。
一方、図２１（Ａ）は図２０（Ａ）とは別の移相器の断面図であり、図２１（Ｂ）は積層体の内部に形成されるキャパシタ用導体パターンの平面図である。チップサイズの制限があって、上記間隔ＧＡＰを充分に大きくできない場合は、図２１（Ｂ）に示すように、キャパシタ用導体パターンを、コイル形状に沿う形状の電極開口Ｈ及び切り欠きＮを有する形状にすることが考えられる。この形状により、トランスはキャパシタＣの影響を受け難くできる。図２１（Ａ）において破線は磁束の概略経路を表している。
しかし、このような形状のキャパシタ用導体パターンでは、図２１（Ｂ）中に矢印で示すような、線幅の細い電流経路が生じるので、キャパシタのＥＳＬ（等価直列インダクタンス）が大きくなる。その結果、所定の位相−周波数特性が得られなくなってしまう。
上述の例は移相器として用いるＬＣ複合部品についてであったが、移相器に限らず、積層体内にコイル及びキャパシタが形成されたＬＣ複合部品において、コイルとキャパシタとの干渉を如何に抑制するかが重要である。
本発明の目的は、コイル用導体パターンとキャパシタ用導体パターンとの干渉を抑制しつつ小型化を図ったＬＣ複合部品を提供することにある。
（Ａ）本開示の一例としてのＬＣ複合部品は、
それぞれに導体パターンが形成された複数の絶縁性基材を含む複数の絶縁性基材の積層による積層体と、
前記複数の絶縁性基材の積層方向に視て、前記積層体の互いに対向する二辺に沿って形成された第１端子及び第２端子と、
を備え、
前記導体パターンはコイル用導体パターンとキャパシタ用導体パターンとを含み、
前記コイル用導体パターンは、コイル開口の周囲を周回する位置に複数の直線形状部及び複数の屈曲形状部を有し、
前記キャパシタ用導体パターンは、前記第１端子に導通する第１キャパシタ用導体パターン及び前記第２端子に導通し、前記積層方向に前記第１キャパシタ用導体パターンと対向する第２キャパシタ用導体パターンとで構成され、
前記第１キャパシタ用導体パターン及び前記第２キャパシタ用導体パターンは、前記複数の絶縁性基材のうち、前記コイル用導体パターンが形成された絶縁性基材とは別の絶縁性基材に形成され、前記積層方向に視て、前記第１端子の中心と前記第２端子の中心とを最短で結ぶ線分に重なる延伸部と、前記線分の方向とは異なる方向に突出する突出部とを有し、
前記突出部は、前記積層方向に視て、前記コイル用導体パターンの前記屈曲形状部に重ならずに前記直線形状部に重なる。
（Ｂ）本開示の一例としてのＬＣ複合部品は、
それぞれに導体パターンが形成された複数の絶縁性基材を含む複数の絶縁性基材の積層による積層体と、
前記複数の絶縁性基材の積層方向に視て、前記積層体の互いに対向する二辺に沿って形成された第１端子及び第２端子と、
を備え、
前記導体パターンはコイル用導体パターンとキャパシタ用導体パターンとを含み、
前記コイル用導体パターンは、コイル開口の周囲を周回する位置に複数の直線形状部及び複数の屈曲形状部を有し、
前記キャパシタ用導体パターンは、前記第１端子に導通する第１キャパシタ用導体パターン及び前記第２端子に導通し、前記積層方向に前記第１キャパシタ用導体パターンと対向する第２キャパシタ用導体パターンとで構成され、
前記第１キャパシタ用導体パターン及び前記第２キャパシタ用導体パターンは、前記複数の絶縁性基材のうち、前記コイル用導体パターンが形成された絶縁性基材とは別の絶縁性基材に形成され、前記積層方向に視て、前記第１端子の中心と前記第２端子の中心とを最短で結ぶ線分に重なる延伸部と、前記線分の方向とは異なる方向に突出する突出部とを有し、
前記突出部は、前記積層方向に視て、前記コイル用導体パターンの前記屈曲形状部よりも前記直線形状部に近接する。
（Ｃ）本開示の一例としての通信端末装置は、給電回路と、前記給電回路に接続されるアンテナと、を備え、前記給電回路と前記アンテナとの間にＬＣ複合部品を備え、このＬＣ複合部品は、上記（Ａ）又は（Ｂ）に記載の構成に加えて、
前記積層体に形成されたグランド端子を備え、
前記コイル用導体パターンは、第１コイルを構成する第１コイル用導体パターンと、前記第１コイルに対して磁界結合する第２コイルを構成する第２コイル用導体パターンとを含み、
前記第１コイルが前記第１端子と前記グランド端子との間に接続され、
前記第２コイルが前記第２端子と前記グランド端子との間に接続される。
（Ｄ）本開示の一例としての通信端末装置は、２つの入出力端子と、この２つの入出力端子間をつなぐ信号線路と、この信号線路とグランドとの間のシャント接続経路に、ＬＣ複合部品とＬＣ共振回路との直列回路を備える。このＬＣ複合部品は、上記（Ａ）又は（Ｂ）に記載の構成を備える。
本発明によれば、コイル用導体パターンとキャパシタ用導体パターンとの干渉を抑制しつつ小型化を図ったＬＣ複合部品が得られる。
図１は第１の実施形態に係る移相器１０１の回路図である。 図２は移相器１０１の外観斜視図である。 図３は図２におけるＹ方向に視た移相器１０１の正面図である。 図４は移相器１０１の複数の絶縁性基材のそれぞれの平面図である。 図５（Ａ）、図５（Ｂ）は、キャパシタ用導体パターンとコイル用導体パターンとの関係を示す平面図である。 図６（Ａ）、図６（Ｂ）は、コイル用導体パターンについて示す平面図である。 図７（Ａ）、図７（Ｂ）は、キャパシタ用導体パターンの突出部について示す平面図である。 図８は通信端末装置内における移相器１０１の使用形態を示す回路図である。 図９は、図８における移相器１０１の移相量の周波数特性を示す図である。 図１０は通信端末装置内における移相器１０１の使用形態を示す回路図である。 図１１は、図１０における移相器１０１の移相量の周波数特性を示す図である。 図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）は、キャパシタ用導体パターンとコイル用導体パターンとの関係を示す平面図である。 図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）は、第３の実施形態に係る移相器のキャパシタ用導体パターンとコイル用導体パターンとの関係を示す平面図である。 図１４（Ａ）、図１４（Ｂ）は、第３の実施形態に係る移相器のキャパシタ用導体パターンとコイル用導体パターンとの関係を示す平面図である。 図１５（Ａ）、図１５（Ｂ）は、第３の実施形態に係る移相器のキャパシタ用導体パターンとコイル用導体パターンとの関係を示す平面図である。 図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）は、第３の実施形態に係る移相器のキャパシタ用導体パターンとコイル用導体パターンとの関係を示す平面図である。 図１７（Ａ）、図１７（Ｂ）は、第３の実施形態に係る移相器のキャパシタ用導体パターンとコイル用導体パターンとの関係を示す平面図である。 図１８は第４の実施形態に係る通信端末装置２００のブロック図である。 図１９は、第１高周波回路７１と第２高周波回路７４とのインピーダンス整合を行う回路の構成例を示す図である。 図２０（Ａ）は積層チップ部品として構成しようとする場合の移相器の断面図であり、図２０（Ｂ）は積層体の内部に形成されるキャパシタ用導体パターンの平面図である。 図２１（Ａ）は積層チップ部品として構成しようとする場合の移相器の断面図であり、図２１（Ｂ）は積層体の内部に形成されるキャパシタ用導体パターンの平面図である。
まず、本発明に係る移相器及び通信端末装置における幾つかの態様について列挙する。この移相器はＬＣ複合部品の一例である。
本発明に係る第１の態様のＬＣ複合部品は、それぞれに導体パターンが形成された複数の絶縁性基材を含む複数の絶縁性基材の積層による直方体形状の積層体と、前記複数の絶縁性基材の積層方向に視て、前記積層体の互いに対向する二辺に沿って形成された第１端子及び第２端子と、を備える。また、前記導体パターンはコイル用導体パターンとキャパシタ用導体パターンとを含み、前記コイル用導体パターンは、コイル開口の周囲を周回する位置に複数の直線形状部及び複数の屈曲形状部を有し、前記キャパシタ用導体パターンは、前記第１端子に導通する第１キャパシタ用導体パターン及び前記第２端子に導通し、前記積層方向に前記第１キャパシタ用導体パターンと対向する第２キャパシタ用導体パターンとで構成される。そして、前記第１キャパシタ用導体パターン及び前記第２キャパシタ用導体パターンは、前記複数の絶縁性基材のうち、前記コイル用導体パターンが形成された絶縁性基材とは別の絶縁性基材に形成され、前記積層方向に視て、前記第１端子の中心と前記第２端子の中心とを最短で結ぶ線分に重なる延伸部と、前記線分の方向とは異なる方向に突出する突出部とを有し、前記突出部は、前記積層方向に視て、前記コイル用導体パターンの前記屈曲形状部に重ならずに前記直線形状部に重なる。
この構造によれば、キャパシタ用導体パターンの面積を大きく確保でき、かつ第１コイル用導体パターン及び第２コイル用導体パターンに鎖交する磁束がキャパシタ用導体パターンで妨げられ難い。
本発明に係る第２の態様のＬＣ複合部品では、前記突出部は、前記積層方向に視て、前記直線形状部に重ならない場合には、突出部は、第１コイル用導体パターン又は第２コイル用導体パターンの屈曲形状部よりも直線形状部に近接する。この構造によれば、第１コイル用導体パターン及び第２コイル用導体パターンに鎖交する磁束がキャパシタ用導体パターンで妨げられ難い。また、第１コイル用導体パターン及び第２コイル用導体パターンとキャパシタ用導体パターンとの間に生じる寄生容量が抑制される。
本発明に係る第３の態様のＬＣ複合部品では、前記突出部の数は複数である。
本発明に係る第４の態様のＬＣ複合部品では、前記突出部の突出方向を示す直線には、前記積層方向に視て、前記線分の中心を通る直線を有する。この構造によれば、キャパシタ用導体パターンが、第１コイル用導体パターン及び第２コイル用導体パターンによる磁束密度の相対的に低い箇所に存在することになるので、第１コイル用導体パターン及び第２コイル用導体パターンとキャパシタ用導体パターンとの干渉が効果的に抑制される。
本発明に係る第５の態様のＬＣ複合部品では、前記キャパシタ用導体パターンの、前記線分に対する直交方向の幅は、前記突出部よりも前記第１端子又は前記第２端子に直接接続される部分で小さい。この構造によれば、キャパシタ用導体パターンは、必然的に、前記線分の端部より線分の中心から突出する形状となるので、キャパシタ用導体パターンが、第１コイル用導体パターン及び第２コイル用導体パターンによる磁束密度の相対的に低い箇所に存在するだけであるので、第１コイル用導体パターン及び第２コイル用導体パターンとキャパシタ用導体パターンとの干渉が効果的に抑制される。
本発明に係る第６の態様のＬＣ複合部品では、前記キャパシタ用導体パターンは前記線分に対して対称形である。この構造によれば、キャパシタ用導体パターンが、第１コイル用導体パターン及び第２コイル用導体パターンによる磁束密度の相対的に低い箇所に効果的に配置されるので、第１コイル用導体パターン及び第２コイル用導体パターンとキャパシタ用導体パターンとの干渉が効果的に抑制される。
本発明に係る第７の態様のＬＣ複合部品では、前記突出部は、前記積層方向に視て、前記線分に対して直交方向に線状に突出する形状である。この構造によれば、第１コイル用導体パターン及び第２コイル用導体パターンとキャパシタ用導体パターンとの干渉が効果的に抑制される。
本発明に係る第８の態様のＬＣ複合部品では、前記突出部は、前記積層方向に視て、前記第１端子及び前記第２端子から前記線分の中心にかけて前記線分に対する直交方向の幅が連続的に拡がる形状である。この構造によれば、第１コイル用導体パターン及び第２コイル用導体パターンによる磁束密度の高い箇所を避けてかつなるべく広面積のキャパシタ用導体パターンが形成される。
本発明に係る第９の態様のＬＣ複合部品では、前記突出部は、前記積層方向に視て、前記線分の中心が曲率を有する（丸みを帯びて膨らむ）形状である。この構造によれば、同面積の矩形状突出部が形成される場合に比べて、より磁束密度の高い箇所を避けてキャパシタ用導体パターンを形成できる。
本発明に係る第１０の態様のＬＣ複合部品では、前記積層体に形成されたグランド端子を備え、前記コイル用導体パターンは、第１コイルを構成する第１コイル用導体パターンと、前記第１コイルに対して磁界結合する第２コイルを構成する第２コイル用導体パターンとを含み、前記第１コイルが前記第１端子と前記グランド端子との間に接続され、前記第２コイルが前記第２端子と前記グランド端子との間に接続される。この構造によれば、第１端子と第２端子との間で信号を所定量だけ移相させる移相器として作用する。
本発明に係る第１１の態様の通信端末装置は、給電回路と、前記給電回路に接続されるアンテナと、を備え、前記給電回路と前記アンテナとの間に、前記ＬＣ複合部品を備える。この構造によれば、広帯域に亘って整合するアンテナを備える通信端末装置を構成できる。
本発明に係る第１２の態様の通信端末装置は、２つの入出力端子と、前記２つの入出力端子間をつなぐ信号線路と、前記信号線路とグランドとの間のシャント接続経路に、前記ＬＣ複合部品と、ＬＣ共振回路との直列回路を備える。この構造によれば、ＬＣ共振回路をトラップフィルタとして作用させる周波数を、ＬＣ複合部品の移相量−周波数特性に応じて定めることができる。
本発明に係る第１３の態様の通信端末装置は、上記第１２の態様において、信号線路に接続された増幅器を備える。この構成により、増幅器により生じる所定周波数の不要周波数成分を選択的に抑制できる。
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明又は理解の容易性を考慮して、実施形態を説明の便宜上分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせは可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係る移相器１０１の回路図である。この移相器１０１は、第１端子Ｔ１とグランド端子ＧＮＤとの間に接続された第１コイルＬ１と、第２端子Ｔ２とグランド端子ＧＮＤとの間に接続され、第１コイルＬ１に対して磁界結合する第２コイルＬ２と、第１端子Ｔ１と第２端子Ｔ２との間に接続されたキャパシタＣと、を備える。
図２は移相器１０１の外観斜視図である。図３は図２におけるＹ方向に視た移相器１０１の正面図である。ただし、移相器１０１の内部を透視して表している。
移相器１０１は、第１コイルを構成する第１コイル用導体パターンが形成された絶縁性基材と、第２コイルを構成する第２コイル用導体パターンが形成された絶縁性基材と、キャパシタを構成するキャパシタ用導体パターンが形成された絶縁性基材とを含む複数の絶縁性基材が積層されて構成される。図２に示す積層体１００は複数の絶縁性基材の積層体である。この積層体１００の外面に、第１端子Ｔ１、第２端子Ｔ２及びグランド端子ＧＮＤが形成されている。
図２、図３に示すＸ，Ｙ，Ｚ直交系において、積層体１００のＸ軸方向の両端に第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２が配置されている。また、積層体１００の側面には、各絶縁性基材に形成された第１端子Ｔ１同士を積層方向（Ｚ）に導通させる導体膜、各絶縁性基材に形成された第２端子Ｔ２同士を積層方向に導通させる導体膜、各絶縁性基材に形成されたグランド端子ＧＮＤ同士を積層方向に導通させる導体膜がそれぞれ形成されている。
図３に表れているように、第１コイル用導体パターンＬ１ａ〜Ｌ１ｄおよびこれらを互いに接続するビア導体によって第１コイルＬ１が構成されていて、第２コイル用導体パターンＬ２ａ〜Ｌ２ｄおよびこれらを互いに接続するビア導体によって第２コイルＬ２が構成されている。また、第１キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｃ及び第２キャパシタ用導体パターンＣｂによってキャパシタＣが構成されている。
図４は移相器１０１の上記複数の絶縁性基材のそれぞれの平面図である。移相器１０１の積層体１００は絶縁性基材Ｓ１〜Ｓ１５で構成されている。図４においては、いずれの絶縁性基材Ｓ１〜Ｓ１５についても下面図である。
絶縁性基材Ｓ７〜Ｓ１０には第１コイル用導体パターンＬ１ａ〜Ｌ１ｄが形成されている。絶縁性基材Ｓ１２〜Ｓ１５には第２コイル用導体パターンＬ２ａ〜Ｌ２ｄが形成されている。絶縁性基材Ｓ２〜Ｓ４にはキャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃが形成されている。絶縁性基材Ｓ５，Ｓ６にはスペーサとして設けられている。つまり、第１コイル用導体パターンＬ１ａ〜Ｌ１ｄ及び第２コイル用導体パターンＬ２ａ〜Ｌ２ｄと、キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃとの間に所定の間隔を設けている。
全ての絶縁性基材Ｓ１〜Ｓ１５には第１端子Ｔ１、第２端子Ｔ２、グランド端子ＧＮＤを構成する端子用導体パターンがそれぞれ形成されている。換言すれば、各絶縁性基材の同一平面上に、コイル用導体パターン又はキャパシタ用導体パターンと共に端子用導体パターンが形成されている。これは、本実施形態の移相器の製法に起因する。
具体的には、移相器は以下に示すようにして作られる。まず、スクリーン印刷によって、絶縁ペーストを塗布することで形成された絶縁性基材の上に、感光性導電ペーストを塗布し、フォトリソグラフィ工程によって、それぞれの絶縁性基材上にコイル用導体パターン又はキャパシタ用導体パターン、および端子用導体パターンを形成する。次に、感光性絶縁ペーストをスクリーン印刷し、開口及びビアホール（ビア導体形成のための開口）を形成する。この感光性絶縁ペーストも絶縁性基材を形成する。その後、感光性導電ペーストをスクリーン印刷し、フォトリソグラフィ工程によって、コイル用導体パターン又はキャパシタ用導体パターン、および端子用導体パターンを形成する。これにより、端子用導体パターンは開口内に形成され、ビア導体はビアホールに形成され、コイル用導体パターン又はキャパシタ用導体パターンは絶縁ペースト上に形成される。上記工程を繰り返すことで、移相器の各端子は、複数の積層された端子用導体パターンで構成されるため、全ての絶縁性基材が端子用導体パターンを備える。導体パターンの形成方法はこれに限らず、例えば、導体パターン形状に開口したスクリーン版による導体ペーストの印刷積層工法でもよい。また、外部電極の形成方法はこれに限らず、例えば、積層した素体に導体ペーストのディップやスパッタ法によって、端子電極を形成してもよく、その表面にめっき加工を施してもよい。
第１コイル用導体パターンＬ１ａの一端は第１端子Ｔ１に繋がっていて、第１コイル用導体パターンＬ１ｄの一端はグランド接続パターンＥｃに繋がっている。このグランド接続パターンＥｃはグランド端子ＧＮＤに繋がっている。第１コイル用導体パターンＬ１ａと第１コイル用導体パターンＬ１ｂとの間、第１コイル用導体パターンＬ１ｂと第１コイル用導体パターンＬ１ｃとの間、第１コイル用導体パターンＬ１ｃと第１コイル用導体パターンＬ１ｄとの間、はそれぞれ図４において破線の小円で示すビア導体を介して接続されている。
第２コイル用導体パターンＬ２ａの一端は第２端子Ｔ２に繋がっていて、第２コイル用導体パターンＬ２ｄの一端はグランド接続パターンＥｃに繋がっている。第２コイル用導体パターンＬ２ａと第２コイル用導体パターンＬ２ｂとの間、第２コイル用導体パターンＬ２ｂと第２コイル用導体パターンＬ２ｃとの間、第２コイル用導体パターンＬ２ｃと第２コイル用導体パターンＬ２ｄとの間、はそれぞれ図４において破線の小円で示すビア導体を介して接続されている。
キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｃの一端はそれぞれ第１端子Ｔ１に繋がっていて、キャパシタ用導体パターンＣｂの一端は第２端子Ｔ２に繋がっている。
図５（Ａ）、図５（Ｂ）は、キャパシタ用導体パターンとコイル用導体パターンとの関係を示す平面図である。図７（Ａ）、図７（Ｂ）は、キャパシタ用導体パターンの突出部について示す平面図である。図６（Ａ）、図６（Ｂ）は、コイル用導体パターンについて示す平面図である。図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図６（Ａ）、図６（Ｂ）、図７（Ａ）、図７（Ｂ）においては、コイル用導体パターンＬ１ａ〜Ｌ１ｄ，Ｌ２ａ〜Ｌ２ｄを統合したパターンとして概略コイル用導体パターンＬＯを表している。つまり、積層方向から見てコイル用導体パターンＬ１ａ〜Ｌ１ｄ，Ｌ２ａ〜Ｌ２ｄのいずれかによって覆われる部分の平面形状を概略コイル用導体パターンＬＯとして表している。図５（Ａ）は絶縁性基材Ｓ２，Ｓ４に形成されたキャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｃと概略コイル用導体パターンＬＯとの関係を示す平面図である。図５（Ｂ）は絶縁性基材Ｓ３に形成されたキャパシタ用導体パターンＣｂと概略コイル用導体パターンＬＯとの関係を示す平面図である。
図６（Ａ）に示すように、本実施形態の移相器１０１において、第１コイル用導体パターンＬ１ａ〜Ｌ１ｄ及び第２コイル用導体パターンＬ２ａ〜Ｌ２ｄは、コイル開口ＣＯの周囲を周回する位置に直線形状部ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４と屈曲形状部ＢＰ１，ＢＰ２，ＢＰ３，ＢＰ４とを有する。屈曲形状部ＢＰ１，ＢＰ２，ＢＰ３，ＢＰ４は次のように定義される。
屈曲形状部ＢＰ１，ＢＰ２，ＢＰ３，ＢＰ４は、図６（Ａ）に示すように、概略コイル用導体パターンＬＯ上の曲部である。より詳細には、この屈曲形状部ＢＰ１，ＢＰ２，ＢＰ３，ＢＰ４は、次のように定めることが好ましい。まず、コイル開口ＣＯのＸ方向の長さをＸco、Ｙ方向の長さをYcoで表す。コイル開口ＣＯ（概略コイル用導体パターンＬＯの内周）のＸ方向の二辺をＸ方向に延長し、Ｙ方向の二辺をＹ方向に延長し、このＸ方向に延長した二つの直線とＹ方向に延長した二つの直線との交点を角部Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４と定義する（図６（Ｂ））。そして、角部Ｃ１から角部Ｃ４方向へXco／8だけ進んだ位置を、屈曲形状部ＢＰ１と直線形状部ＳＰ１との境界とする。また、角部Ｃ１から角部Ｃ２方向へYco／8だけ進んだ位置を、直線形状部ＳＰ１と直線形状部ＳＰ２との境界とする。他の屈曲形状部ＢＰ２，ＢＰ３，ＢＰ４についても同様に定義される。このようにして、図６（Ｂ）に示す例では、略コイル用導体パターンＬＯは、４つのＩ字型の直線形状部ＳＰ１〜ＳＰ４と、４つのＪ字型の屈曲形状部ＢＰ１〜ＢＰ４とで構成される。
図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示すように、キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃは、複数の絶縁性基材の積層方向に対向する複数の導体パターンであり、キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃは、積層方向に視て、第１端子Ｔ１の中心と第２端子Ｔ２の中心とを最短で結ぶ線分ＬＳに重なる延伸部ＥＸと、線分ＬＳの方向とは異なる方向に突出する突出部Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３を有する。
ここで、図７（Ａ）、図７（Ｂ）を参照して、「突出部」を定義すると、この突出部は、絶縁性基材の積層方向（Ｚ方向）に視て、第１端子Ｔ１の中心と第２端子Ｔ２の中心とを最短で結ぶ線分ＬＳの方向とは異なる方向に線分ＬＳから突出する部分である。本実施形態では、図７（Ａ）、図７（Ｂ）に示すように、線分ＬＳから＋Ｙ方向（線分ＬＳの方向に直交する方向）突出する３つの突出部Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３と、線分ＬＳから−Ｙ方向（線分ＬＳの方向に直交する方向）に突出する３つの突出部Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３を備える。特に、突出部Ｐ１２，Ｐ２２は、これら突出部Ｐ１２，Ｐ２２の突出方向を示す直線が線分ＬＳの中心Ｏを通る。
突出部Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３は、積層方向に視て、コイル用導体パターンの屈曲形状部ＢＰ１，ＢＰ２，ＢＰ３，ＢＰ４に重ならずに直線形状部ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４に重なる。
キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃが、積層方向に視て、第１端子Ｔ１の中心と第２端子Ｔ２の中心とを最短で結ぶ線分ＬＳに重なる延伸部ＥＸと、線分ＬＳの方向とは異なる方向に突出する突出部Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３を有することは、キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃに切り欠き部Ｎ１１，Ｎ１２，Ｎ２１，Ｎ２２が形成されている、と表現することもできる。
図５（Ａ）、図５（Ｂ）において、ハッチングを施した部分は、図５（Ｃ）に示すコイル用導体パターンの屈曲形状部ＢＰ１，ＢＰ２，ＢＰ３，ＢＰ４に近く、かつキャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃとは重ならない領域を示している。また、コイル用導体パターンに発生する磁束密度は屈曲形状部ＢＰ１，ＢＰ２，ＢＰ３，ＢＰ４で発生する磁束の磁束密度の方が直線形状部ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４で発生する磁束の磁束密度よりも高い。このように、磁束密度が相対的に高い箇所を避けるように、キャパシタ用導体パターンの突出部が形成されている。換言すれば、積層方向に視て、第１コイル用導体パターン又は第２コイル用導体パターンの屈曲形状部ＢＰ１，ＢＰ２，ＢＰ３，ＢＰ４に重ならないので、第１コイル用導体パターン（図３に示すＬ１ａ〜Ｌ１ｄ）及び第２コイル用導体パターン（Ｌ２ａ〜Ｌ２ｄ）に鎖交する磁束がキャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃで妨げられ難い。
また、本実施形態では、キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃの、線分ＬＳに対する直交方向の幅は、突出部Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３よりも第１端子Ｔ１又は第２端子Ｔ２に直接接続される部分で小さい。つまり、キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃの、第１端子Ｔ１又は第２端子Ｔ２に直接接続される部分の幅Ｗｎは突出部Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３の幅Ｗｆより小さい。
ところで、本実施形態においては、キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃと第１コイル用導体パターンＬ１ａ〜Ｌ１ｄ及び第２コイル用導体パターンＬ２ａ〜Ｌ２ｄとの間の距離が離れているため、キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃが形成される層における磁束密度は、コイルの巻回軸に近いほど相対的に低い。上記構造によれば、キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃは、必然的に、線分ＬＳの端部よりも線分の中心に近い位置から突出する形状となるので、キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃが、第１コイル用導体パターンＬ１ａ〜Ｌ１ｄ及び第２コイル用導体パターンＬ２ａ〜Ｌ２ｄによる磁束密度の相対的に低い箇所に存在するだけとなり、第１コイル用導体パターンＬ１ａ〜Ｌ１ｄ及び第２コイル用導体パターンＬ２ａ〜Ｌ２ｄとキャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃとの干渉が効果的に抑制される。
また、本実施形態では、キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃは線分ＬＳに対して対称形である。この構造によれば、非対称である場合に比べ、電流密度分布を線分ＬＳに対して対称にでき、線分ＬＳに電流密度を集中させることができる。換言すれば、非対称である場合には、電流密度の高い領域が線分ＬＳから外れてしまい、最短経路よりも長い経路に主電流が流れることになり、これによって、キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，ＣｃのＥＳＬが増加する。したがって、キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃが線分ＬＳに対して対称形であることによって、キャパシタのＥＳＬを減らすことができる。
また、本実施形態では、突出部Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３は、積層方向に視て、線分ＬＳに対して直交方向に線状に突出する形状であるので、突出部と第１コイル用導体パターンＬ１ａ〜Ｌ１ｄ及び第２コイル用導体パターンＬ２ａ〜Ｌ２ｄとの対向面積が抑制され、第１コイル用導体パターンＬ１ａ〜Ｌ１ｄ及び第２コイル用導体パターンＬ２ａ〜Ｌ２ｄとキャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃとの干渉が効果的に抑制される。
図８は通信端末装置内における本実施形態の移相器１０１の使用形態を示す回路図である。この例では、通信回路５０とアンテナ１との間に移相器１０１が接続（挿入）されている。通信回路５０は本発明に係る「給電回路」に相当する。
図９は、図８における移相器１０１の移相量の周波数特性を示す図である。この例では、ローバンド（700MHzから900MHz帯）で移相量はほぼ９０度、ハイバンド（1.7GHzから2.7GHz帯）で移相量はほぼ０度である。すなわち、図８に示した移相器１０１は、ハイバンドの信号を殆ど移相させず、ローバンドの信号を約９０度移相させる。
図１０は通信端末装置内における移相器１０１の使用形態を示す回路図である。図１０に示す回路部には、２つの入出力端子Ｐｏ１，Ｐｏ２と、２つの入出力端子Ｐｏ１，Ｐｏ２間をつなぐ信号線路と、を備え、この信号線路とグランドとの間のシャント接続経路に、移相器１０１と、ＬＣ並列共振回路５６との直列回路が設けられている。ＬＣ並列共振回路５６はインダクタＬ１０とキャパシタＣ１０との並列回路である。このＬＣ並列共振回路５６の共振周波数は2.4GHzである。また、図１０に示す例では、入出力端子Ｐｏ１に、高周波信号を増幅する増幅器５５が接続されている。
図１１は、図１０における移相器１０１の移相量の周波数特性を示す図である。この例では、移相器１０１の移相量は2.4GHzのときに９０度となるように定めている。この移相器１０１と、共振周波数2.4GHzのＬＣ並列共振回路５６との直列回路を信号線路とグランドとの間にシャント接続することにより、信号線路からシャント接続経路をみたインピーダンスは、2.4GHzでショートにみえる。つまり、このシャント接続回路は2.4GHzのトラップフィルタとして作用する。
このようなトラップフィルタは、例えば、信号線路の一端に接続された増幅器５５によって発生した2.4GHzのノイズ成分を選択的に抑制することができる。
既に述べたとおり、本実施形態の移相器１０１はＥＳＬが抑制されたキャパシタ電極を備えているので、移相量の周波数特性のばらつきが抑制され、精度の良いフィルタを構成することができる。これは、キャパシタのＥＳＬが抑えられると、移相量の周波数に対する変化を小さくする（周波数変化に対する移相量変化の傾きを小さくする）ことができるためである。
《第２の実施形態》
第２の実施形態では、キャパシタ用導体パターンとコイル用導体パターンとの関係が第１の実施形態とは異なる例を示す。
図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）は、キャパシタ用導体パターンとコイル用導体パターンとの関係を示す平面図である。図１２（Ｃ）はコイル用導体パターンＬ１ａ〜Ｌ１ｄ，Ｌ２ａ〜Ｌ２ｄを統合して表す概略コイル用導体パターンＬＯの平面図である。図１２（Ａ）は絶縁性基材Ｓ２，Ｓ４に形成されたキャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｃと概略コイル用導体パターンＬＯとの関係を示す平面図である。図１２（Ｂ）は絶縁性基材Ｓ３に形成されたキャパシタ用導体パターンＣｂと概略コイル用導体パターンＬＯとの関係を示す平面図である。
第１の実施形態で示した図５（Ａ）、図５（Ｂ）と比較すれば明らかなように、第２の実施形態では、突出部Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３は、積層方向に視て、概略コイル用導体パターンＬＯ（つまり、第１の実施形態に示した第１コイル用導体パターンＬ１ａ〜Ｌ１ｄ及び第２コイル用導体パターンＬ２ａ〜Ｌ２ｄ）に重ならない。そして、突出部Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３は、概略コイル用導体パターンＬＯの屈曲形状部ＢＰ１，ＢＰ２，ＢＰ３，ＢＰ４よりも直線形状部ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４に近接する。より詳細に記述すると、突出部Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３の先端が、概略コイル用導体パターンＬＯの屈曲形状部ＢＰ１，ＢＰ２，ＢＰ３，ＢＰ４よりも、平面視で直線形状部ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４に近い距離に配置されている。換言すると、概略コイル用導体パターンＬＯの屈曲形状部ＢＰ１，ＢＰ２，ＢＰ３，ＢＰ４とキャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃとの間隔は、概略コイル用導体パターンＬＯの直線形状部ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４とキャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃとの間隔より離れている。その他の構成は第１の実施形態で示したものと同様である。
本実施形態によれば、第１コイル用導体パターンＬ１ａ〜Ｌ１ｄ及び第２コイル用導体パターンＬ２ａ〜Ｌ２ｄに鎖交する磁束がキャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃで妨げられ難い。また、第１コイル用導体パターンＬ１ａ〜Ｌ１ｄ及び第２コイル用導体パターンＬ２ａ〜Ｌ２ｄとキャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃとの間に生じる寄生容量が抑制される。そのため、第１コイル用導体パターンＬ１ａ〜Ｌ１ｄ及び第２コイル用導体パターンＬ２ａ〜Ｌ２ｄとキャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃとの干渉が効果的に抑制される。
《第３の実施形態》
第３の実施形態では、これまでに示したキャパシタ用導体パターンとは形状が異なるキャパシタ用導体パターンの例について示す。
図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）、図１４（Ａ）、図１４（Ｂ）、図１５（Ａ）、図１５（Ｂ）、図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）、図１７（Ａ）、図１７（Ｂ）は、いずれもキャパシタ用導体パターンとコイル用導体パターンとの関係を示す平面図である。図１３（Ａ）、図１４（Ａ）、図１５（Ａ）、図１６（Ａ）、図１７（Ａ）は、絶縁性基材Ｓ２，Ｓ４に形成されたキャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｃと概略コイル用導体パターンＬＯとの関係を示す平面図である。図１３（Ｂ）、図１４（Ｂ）、図１５（Ｂ）、図１６（Ｂ）、図１７（Ｂ）は、絶縁性基材Ｓ３に形成されたキャパシタ用導体パターンＣｂと概略コイル用導体パターンＬＯとの関係を示す平面図である。概略コイル用導体パターンＬＯは既に述べたとおり、第１コイル用導体パターン及び第２コイル用導体パターンを統合して表すパターンである。その他の構成は第１、第２の実施形態で示したものと同様である。
図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）に示す例では、キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃは、積層方向に視て、第１端子Ｔ１の中心と第２端子Ｔ２の中心とを最短で結ぶ線分ＬＳの方向に直交する方向に突出する突出部Ｐ１，Ｐ２を有する。このように、突出部の数は線分ＬＳから二方向に１つずつ突出する形状であってもよい。
図１４（Ａ）、図１４（Ｂ）に示す例では、キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃは、積層方向に視て、線分ＬＳの方向に直交する方向に突出する突出部Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３を有する。そして、線分ＬＳに沿う方向の中心の突出部Ｐ１２，Ｐ２２の突出量（突出部の面積）はその他の突出部Ｐ１１，Ｐ１３，Ｐ２１，Ｐ２３の突出量より大きい。このように、キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃは、線分ＬＳの端部に比べて中心の突出部ほど、突出量が大きいことで、キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃが、第１コイル用導体パターン及び第２コイル用導体パターンによる磁束密度の相対的に高い箇所を避けるように存在するので、第１コイル用導体パターン及び第２コイル用導体パターンとキャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃとの干渉が効果的に抑制される。
図１５（Ａ）、図１５（Ｂ）に示す例では、キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃは、積層方向に視て、線分ＬＳの方向に直交する方向に突出する突出部Ｐ１，Ｐ２を有する。そして、突出部Ｐ１，Ｐ２は、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２から線分ＬＳの中心にかけて線分ＬＳに対する直交方向の幅が連続的に拡がる形状である。この例では概略菱形である。
図１５（Ａ）において、キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｃの延伸部ＥＸは屈曲形状部ＢＰ１，ＢＰ２の間を通るように配置され、先端が屈曲形状部ＢＰ３，ＢＰ４の間に向かって延伸している。図１５（Ｂ）において、キャパシタ用導体パターンＣｂの延伸部ＥＸは屈曲形状部ＢＰ３，ＢＰ４の間を通るように配置され、先端が屈曲形状部ＢＰ１，ＢＰ２の間に向かって延伸している。この構造によれば、第１コイル用導体パターン及び第２コイル用導体パターンによる磁束密度の高い箇所を避けてかつなるべく広面積のキャパシタ用導体パターンが形成される。
図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）に示す例では、キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃは、積層方向に視て、線分ＬＳの方向に直交する方向に突出する突出部Ｐ１，Ｐ２を有する。突出部Ｐ１，Ｐ２は、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２から線分ＬＳの中心にかけて線分ＬＳに対する直交方向の幅が連続的に拡がる形状である。この例では概略六角形である。この構造によれば、第１コイル用導体パターンＬ１ａ〜Ｌ１ｄ及び第２コイル用導体パターンＬ２ａ〜Ｌ２ｄの屈曲形状部ＢＰ１，ＢＰ２，ＢＰ３，ＢＰ４は、第１コイル用導体パターン及び第２コイル用導体パターンによる磁束密度の高い箇所を避けてかつなるべく広面積のキャパシタ用導体パターンが形成される。
図１７（Ａ）、図１７（Ｂ）に示す例では、キャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂ，Ｃｃは、積層方向に視て、線分ＬＳの方向に直交する方向に突出する突出部Ｐ１，Ｐ２を有する。突出部Ｐ１，Ｐ２は、積層方向に視て、線分ＬＳの中心が曲率を有する（丸みを帯びて膨らむ）形状である。この構造によれば、突出部Ｐ１，Ｐ２が矩形状である場合（図１７（Ａ）、図１７（Ｂ）の突出部Ｐ１，Ｐ２と同面積の矩形状突出部である場合）に比べて、より磁束密度の高い箇所を避けてキャパシタ用導体パターンを形成できる。
以上に示したいずれの実施形態においても、第１端子Ｔ１に繋がるキャパシタ用導体パターンＣａ，Ｃｂと、第２端子Ｔ２に繋がるキャパシタ用導体パターンＣｂは、積層方向に視て、第１端子Ｔ１の中心と第２端子Ｔ２の中心とを最短で結ぶ線分に沿って延伸する延伸部ＥＸを有するため、キャパシタ用導体パターンを最短経路で電流が流れる。そのため、キャパシタの実効的なＥＳＬは、図２１（Ｂ）に示したような電極開口Ｈを有するものよりも小さい。そのことにより、移相量の周波数特性の不要な大きな傾きは抑制される。
《第４の実施形態》
第４の実施形態では通信端末装置の例について示す。図１８は第４の実施形態に係る通信端末装置２００のブロック図である。本実施形態の通信端末装置２００は、アンテナ１、アンテナ整合回路４０、移相器１０１、通信回路５１、ベースバンド回路５２、アプリケーションプロセッサ５３及び入出力回路５４を備えている。通信回路５１はローバンド（700MHzから900MHz帯）とハイバンド（1.7GHzから2.7GHz帯）についての送信回路ＴＸ及び受信回路ＲＸ、さらにはアンテナ共用器を備えている。アンテナ１は、ローバンドとハイバンドに対応するモノポールアンテナ、逆Ｌ型アンテナ、逆Ｆ型アンテナ等である。
上記構成要素は１つの筐体内に収納されている。例えば、アンテナ整合回路４０、移相器１０１、通信回路５１、ベースバンド回路５２、アプリケーションプロセッサ５３はプリント配線板に実装され、プリント配線板は筐体内に収納される。入出力回路５４は表示・タッチパネルとして筐体に組み込まれる。アンテナ１はプリント配線板に実装されるか、筐体の内面又は内部に配置される。
以上に示した構成により、広帯域に亘って整合するアンテナを備える通信端末装置が得られる。
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形及び変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
例えば、以上に示した各実施形態では、キャパシタ用導体パターン、第１コイル用導体パターン及び第２コイル用導体パターンを備えて、移相器として作用するＬＣ複合部品を示したが、本発明は移相器に限らない。例えばＬＣフィルタやＬＣを含むインピーダンス整合回路等において、それらが単一の部品として構成される場合に、コイルとキャパシタとが単一の積層体内に形成されたＬＣ複合部品についても同様に適用できる。例えば、以上に示した移相器の第１コイル用導体パターン又は第２コイル用導体パターンのようなコイル用導体パターンとキャパシタ用導体パターンとでＬＣフィルタやインピーダンス整合回路を構成することができ、その場合に、コイル用導体パターンとキャパシタ用導体パターンとの干渉が抑制される。
ＢＰ１，ＢＰ２，ＢＰ３，ＢＰ４…屈曲形状部
Ｃ…キャパシタ
Ｃａ，Ｃｃ…第１キャパシタ用導体パターン
Ｃｂ…第２キャパシタ用導体パターン
ＣＯ…コイル開口
Ｅｃ…グランド接続パターン
ＥＸ…延伸部
ＧＡＰ…間隔
ＧＮＤ…グランド端子
Ｈ…電極開口
Ｌ１…第１コイル
Ｌ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ１ｃ，Ｌ１ｄ…第１コイル用導体パターン
Ｌ２…第２コイル
Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ，Ｌ２ｃ，Ｌ２ｄ…第２コイル用導体パターン
ＬＯ…概略コイル用導体パターン
ＬＳ…線分
Ｎ１１，Ｎ１２，Ｎ２１，Ｎ２２…切り欠き部
Ｐ１，Ｐ２…突出部
Ｐｏ１，Ｐｏ２…入出力端子
Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３…突出部
Ｓ１〜Ｓ１３…絶縁性基材
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４…直線形状部
Ｔ１…第１端子
Ｔ２…第２端子
Ｚ…積層方向
１…アンテナ
４０…アンテナ整合回路
５１…通信回路
５２…ベースバンド回路
５３…アプリケーションプロセッサ
５４…入出力回路
５５…増幅器
５６…ＬＣ並列共振回路
７１…第１高周波回路
７２…インピーダンス整合回路
７３…移相器
７４…第２高周波回路
１００…積層体
１０１…移相器
２００…通信端末装置

Claims (13)

  1. それぞれに導体パターンが形成された複数の絶縁性基材を含む複数の絶縁性基材の積層による積層体と、
    前記複数の絶縁性基材の積層方向に視て、前記積層体の互いに対向する二辺に沿って形成された第１端子及び第２端子と、
    を備え、
    前記導体パターンはコイル用導体パターンとキャパシタ用導体パターンとを含み、
    前記コイル用導体パターンは、コイル開口の周囲を周回する位置に複数の直線形状部及び複数の屈曲形状部を有し、
    前記キャパシタ用導体パターンは、前記第１端子に導通する第１キャパシタ用導体パターン及び前記第２端子に導通し、前記積層方向に前記第１キャパシタ用導体パターンと対向する第２キャパシタ用導体パターンとで構成され、
    前記第１キャパシタ用導体パターン及び前記第２キャパシタ用導体パターンは、前記複数の絶縁性基材のうち、前記コイル用導体パターンが形成された絶縁性基材とは別の絶縁性基材に形成され、前記積層方向に視て、前記第１端子の中心と前記第２端子の中心とを最短で結ぶ線分に重なる延伸部と、前記線分の方向とは異なる方向に突出する突出部とを有し、
    前記突出部は、前記積層方向に視て、前記コイル用導体パターンの前記屈曲形状部に重ならずに前記直線形状部に重なる、
    ＬＣ複合部品。
  2. それぞれに導体パターンが形成された複数の絶縁性基材を含む複数の絶縁性基材の積層による積層体と、
    前記複数の絶縁性基材の積層方向に視て、前記積層体の互いに対向する二辺に沿って形成された第１端子及び第２端子と、
    を備え、
    前記導体パターンはコイル用導体パターンとキャパシタ用導体パターンとを含み、
    前記コイル用導体パターンは、コイル開口の周囲を周回する位置に複数の直線形状部及び複数の屈曲形状部を有し、
    前記キャパシタ用導体パターンは、前記第１端子に導通する第１キャパシタ用導体パターン及び前記第２端子に導通し、前記積層方向に前記第１キャパシタ用導体パターンと対向する第２キャパシタ用導体パターンとで構成され、
    前記第１キャパシタ用導体パターン及び前記第２キャパシタ用導体パターンは、前記複数の絶縁性基材のうち、前記コイル用導体パターンが形成された絶縁性基材とは別の絶縁性基材に形成され、前記積層方向に視て、前記第１端子の中心と前記第２端子の中心とを最短で結ぶ線分に重なる延伸部と、前記線分の方向とは異なる方向に突出する突出部とを有し、
    前記突出部は、前記積層方向に視て、前記コイル用導体パターンの前記屈曲形状部よりも前記直線形状部に近接する、
    ＬＣ複合部品。
  3. 前記突出部の数は複数である、
    請求項１又は２に記載のＬＣ複合部品。
  4. 前記コイル用導体パターンは巻回軸を共有し、
    前記突出部の突出方向を示す直線には、前記積層方向に視て、前記線分の中心を通る直線を有し、前記線分の中心は前記積層方向に視て前記コイル用導体パターンの前記屈曲形状部よりも前記巻回軸に近い、
    請求項１から３のいずれかに記載のＬＣ複合部品。
  5. 前記キャパシタ用導体パターンの、前記線分に対する直交方向の幅は、前記突出部よりも前記第１端子又は前記第２端子に直接接続される部分で小さい、
    請求項１から４のいずれかに記載のＬＣ複合部品。
  6. 前記キャパシタ用導体パターンは前記線分に対して対称形である、
    請求項１から５のいずれかに記載のＬＣ複合部品。
  7. 前記突出部は、前記積層方向に視て、前記線分に対して直交方向に線状に突出する形状である、
    請求項１から６のいずれかに記載のＬＣ複合部品。
  8. 前記突出部は、前記積層方向に視て、前記第１端子及び前記第２端子から前記線分の中心にかけて前記線分に対する直交方向の幅が連続的に拡がる形状である、
    請求項１から６のいずれかに記載のＬＣ複合部品。
  9. 前記突出部は、前記積層方向に視て、前記線分の中心に曲率を有する形状である、
    請求項１から６のいずれかに記載のＬＣ複合部品。
  10. 前記積層体に形成されたグランド端子を備え、
    前記コイル用導体パターンは、第１コイルを構成する第１コイル用導体パターンと、前記第１コイルに対して磁界結合する第２コイルを構成する第２コイル用導体パターンとを含み、
    前記第１コイルが前記第１端子と前記グランド端子との間に接続され、
    前記第２コイルが前記第２端子と前記グランド端子との間に接続された、
    請求項１から９のいずれかに記載のＬＣ複合部品。
  11. 給電回路と、前記給電回路に接続されるアンテナと、を備え、
    前記給電回路と前記アンテナとの間に、請求項１０に記載のＬＣ複合部品を備える、通信端末装置。
  12. ２つの入出力端子と、前記２つの入出力端子間をつなぐ信号線路と、前記信号線路とグランドとの間のシャント接続経路に、請求項１０に記載のＬＣ複合部品と、ＬＣ共振回路との直列回路を備える、通信端末装置。
  13. 前記信号線路に接続された増幅器を備える、請求項１２に記載の通信端末装置。
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