JPWO2020131843A5 - - Google Patents
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Description
[0061]1つの例では、第1の領域における基板210上の角度付けされたエッチングプロファイルが、第1の複数の開孔506を通過するイオンビーム216によって生成され、第2の領域における基板210上の角度付けされたエッチングプロファイルが、第2の複数の開孔510を通過するイオンビーム216によって生成され、第3の領域における基板210上の角度付けされたエッチングプロファイルが、第3の複数の開孔514を通過するイオンビーム216によって生成される。基板上に形成されたフィン又は格子の異なるエッチングプロファイルは、フィルタプレート500の領域504、508、512によって生成される。フィルタプレート500内に組み込まれた種々の開孔設計、形状、間隔、密度などを利用して、イオンビーム216の特性を変調し、よって、単一のイオンビームチャンバ202及び/又はイオンビーム源204を利用しつつ、基板上で異なる角度付けされたエッチングプロファイルを可能にしうることが企図される。
[0066]チャンバ本体602に隣接して第2のライナ638もまた配置され、第2のライナ638は、処理空間640を実質的に取り囲むように位置付けられる。1つの実施形態では、第2ライナ638は、石英又はセラミック材料のような誘電体材料から製造される。別の実施形態では、第2ライナ638は、第1のライナ636を製造するために利用されるものに類似の材料から製造される。ライナ636、638はまた、ライナ636、638を製造するために利用されるものに類似した様々な材料でコーティングされてもよく、加えて、酸化アルミニウム材料、酸化イットリウム材料、又はジルコニウム材料などの材料でコーティングされてもよい。特定の実施形態では、第1のライナ636及び第2のライナ638の一方又は両方はオプションである。そのような実施形態では、チャンバ本体602は、ライナなしで機能するように製造及び構成されうる。
[0067]排気口648が、第2ライナ636及びチャンバ本体602を通って形成される。排気口648は、処理空間640内に配置されたペデスタル604の下の位置において、第2ライナ636及びチャンバ本体602を通って形成される。ポンプ650は、排気口648、及びペデスタル604を囲むポンプポート646を介して、処理空間640と流体連結する。ポンプ650は、処理空間640からの材料の排出を可能にする。リッド616は、ペデスタル604に対向してチャンバ本体602に連結されるか、別の方法で一体化される。
[0071]代替的な実施形態では、第1のガス源630及び第2のガス源634は、電極618を介して処理空間640と流体連結しうる。この実施形態では、導管628、632は、それぞれ、電極618を介してガス源630、634と処理空間640との間に連結される。例えば、導管628、632は、電極618を通って延び、又は第2の電極618は、ガス供給シャワーヘッドとして機能する複数の開孔を含みうる。開孔は、ガス源630、634から処理空間640内へのガスの流れ経路を提供するために、角度付けされた表面621上に配置されうる。
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WO2024044361A2 (en) * | 2022-08-26 | 2024-02-29 | Plazer Ip, Llc | Improved plasma products and methods for producing same by using multiple simultaneous electrical discharges |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4240448A (en) | 1978-08-21 | 1980-12-23 | Hauni-Werke Korber & Co. Kg | Apparatus for increasing the permeability of wrapping material for rod-shaped smokers' products |
US5116461A (en) * | 1991-04-22 | 1992-05-26 | Motorola, Inc. | Method for fabricating an angled diffraction grating |
US5375456A (en) | 1993-11-18 | 1994-12-27 | Trw Vehicle Safety Systems Inc. | Leak testing apparatus and method |
JP3768547B2 (ja) | 1993-12-17 | 2006-04-19 | キヤノン株式会社 | 両面成膜方法 |
US5981899A (en) * | 1997-01-17 | 1999-11-09 | Balzers Aktiengesellschaft | Capacitively coupled RF-plasma reactor |
US6211628B1 (en) * | 1997-08-02 | 2001-04-03 | Corning Incorporated | System for controlling the position of an electron beam in a cathode ray tube and method thereof |
KR19990047679A (ko) | 1997-12-05 | 1999-07-05 | 박호군 | 이온 빔을 이용한 재료의 표면 처리 장치 |
JP4283432B2 (ja) | 2000-11-06 | 2009-06-24 | 株式会社日立製作所 | 試料作製装置 |
US7546016B2 (en) * | 2001-06-28 | 2009-06-09 | E-Beam & Light, Inc. | Optical elements formed by inducing changes in the index of refraction by utilizing electron beam radiation |
GB2386247B (en) * | 2002-01-11 | 2005-09-07 | Applied Materials Inc | Ion beam generator |
DE10234614B3 (de) | 2002-07-24 | 2004-03-04 | Fractal Ag | Verfahren zur Bearbeitung von Trägermaterial durch Schwerionenbestrahlung und nachfolgenden Ätzprozess |
JP2004363085A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-12-24 | Ebara Corp | 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法 |
KR20060003591A (ko) * | 2004-07-07 | 2006-01-11 | 주성엔지니어링(주) | 다수의 돌출부를 가지는 플라즈마 전극을 포함하는플라즈마 공정장치 |
US7780821B2 (en) | 2004-08-02 | 2010-08-24 | Seagate Technology Llc | Multi-chamber processing with simultaneous workpiece transport and gas delivery |
KR100851901B1 (ko) * | 2005-01-07 | 2008-08-13 | 삼성전자주식회사 | 이온 빔 추출장치 |
KR100702010B1 (ko) | 2005-03-07 | 2007-03-30 | 삼성전자주식회사 | 반사체, 이를 채택하는 기판 처리 장치 및 이를 사용하는기판 처리 방법 |
US20060236931A1 (en) | 2005-04-25 | 2006-10-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Tilted Plasma Doping |
WO2007067296A2 (en) * | 2005-12-02 | 2007-06-14 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
WO2007141589A1 (en) | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Nokia Corporation | Stereoscopic exit pupil expander display |
JP2008117753A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-05-22 | Tdk Corp | イオンガン、イオンビームエッチング装置、イオンビームエッチング設備、エッチング方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
JP5055011B2 (ja) | 2007-04-23 | 2012-10-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオン源 |
US7723699B2 (en) * | 2007-06-26 | 2010-05-25 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Cathode having electron production and focusing grooves, ion source and related method |
US20090084501A1 (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-02 | Tokyo Electron Limited | Processing system for producing a negative ion plasma |
US7915597B2 (en) * | 2008-03-18 | 2011-03-29 | Axcelis Technologies, Inc. | Extraction electrode system for high current ion implanter |
US20090236214A1 (en) * | 2008-03-20 | 2009-09-24 | Karthik Janakiraman | Tunable ground planes in plasma chambers |
US8986558B2 (en) | 2008-09-01 | 2015-03-24 | Japan Science And Technology Agency | Plasma etching method, plasma etching device, and method for producing photonic crystal |
US20120104274A1 (en) * | 2009-07-16 | 2012-05-03 | Canon Anelva Corporation | Ion beam generating apparatus, substrate processing apparatus and method of manufacturing electronic device |
US20110065282A1 (en) | 2009-09-11 | 2011-03-17 | General Electric Company | Apparatus and methods to form a patterned coating on an oled substrate |
US8173527B2 (en) | 2009-10-19 | 2012-05-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Stepped masking for patterned implantation |
US8129695B2 (en) * | 2009-12-28 | 2012-03-06 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and method for controlling deflection of a charged particle beam within a graded electrostatic lens |
CN102360093A (zh) | 2011-10-19 | 2012-02-22 | 苏州大学 | 一种全息闪耀光栅制作方法 |
WO2013091694A1 (en) | 2011-12-21 | 2013-06-27 | Applied Materials, Inc. | System and methods for processing a substrate |
WO2013118517A1 (ja) | 2012-02-10 | 2013-08-15 | 国立大学法人東北大学 | 電子ビーム発生装置、電子ビーム照射装置、マルチ電子ビーム照射装置、電子ビーム露光装置、電子ビーム照射方法、および製造方法 |
US8984451B2 (en) * | 2013-02-22 | 2015-03-17 | Aselta Nanographics | Free form fracturing method for electronic or optical lithography |
US9288889B2 (en) * | 2013-03-13 | 2016-03-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and techniques for energetic neutral beam processing |
US9245761B2 (en) | 2013-04-05 | 2016-01-26 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid for semiconductor fabrication |
JP6348321B2 (ja) * | 2013-05-17 | 2018-06-27 | キヤノンアネルバ株式会社 | エッチング装置 |
US9017526B2 (en) * | 2013-07-08 | 2015-04-28 | Lam Research Corporation | Ion beam etching system |
TWI690968B (zh) * | 2014-03-07 | 2020-04-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於修改基板表面的掠射角電漿處理 |
US9287123B2 (en) * | 2014-04-28 | 2016-03-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for forming angled structures for reduced defects in heteroepitaxy of semiconductor films |
US9534289B2 (en) * | 2014-06-18 | 2017-01-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma process chambers employing distribution grids having focusing surfaces thereon enabling angled fluxes to reach a substrate, and related methods |
US9343312B2 (en) | 2014-07-25 | 2016-05-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | High temperature intermittent ion implantation |
US20160035539A1 (en) * | 2014-07-30 | 2016-02-04 | Lauri SAINIEMI | Microfabrication |
US9304235B2 (en) * | 2014-07-30 | 2016-04-05 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Microfabrication |
US10825652B2 (en) | 2014-08-29 | 2020-11-03 | Lam Research Corporation | Ion beam etch without need for wafer tilt or rotation |
US9406535B2 (en) * | 2014-08-29 | 2016-08-02 | Lam Research Corporation | Ion injector and lens system for ion beam milling |
US9659797B1 (en) * | 2014-09-17 | 2017-05-23 | Sandia Corporation | Wafer scale oblique angle plasma etching |
US9536748B2 (en) * | 2014-10-21 | 2017-01-03 | Lam Research Corporation | Use of ion beam etching to generate gate-all-around structure |
KR101943553B1 (ko) | 2014-11-25 | 2019-04-18 | 삼성전자주식회사 | 좌우 대칭의 이온 빔을 이용한 패턴 형성 방법, 이를 이용한 자기 기억 소자의 제조방법, 및 좌우 대칭의 이온 빔을 발생시키는 이온 빔 장비 |
JP6584787B2 (ja) * | 2015-02-13 | 2019-10-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマイオン源および荷電粒子ビーム装置 |
US10475626B2 (en) * | 2015-03-17 | 2019-11-12 | Applied Materials, Inc. | Ion-ion plasma atomic layer etch process and reactor |
US9478399B2 (en) * | 2015-03-27 | 2016-10-25 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Multi-aperture extraction system for angled ion beam |
US9697988B2 (en) * | 2015-10-14 | 2017-07-04 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Ion implantation system and process |
US9812349B2 (en) | 2015-12-01 | 2017-11-07 | Lam Research Corporation | Control of the incidence angle of an ion beam on a substrate |
KR102341688B1 (ko) * | 2016-01-26 | 2021-12-21 | 한국전자통신연구원 | 전계 방출 소자 및 이를 구비하는 엑스선 방출원 |
US10249495B2 (en) * | 2016-06-28 | 2019-04-02 | Applied Materials, Inc. | Diamond like carbon layer formed by an electron beam plasma process |
DE102016111998B4 (de) * | 2016-06-30 | 2024-01-18 | Infineon Technologies Ag | Ausbilden von Elektrodengräben unter Verwendung eines gerichteten Ionenstrahls und Halbleitervorrichtung mit Graben-Elektrodenstrukturen |
US10141161B2 (en) * | 2016-09-12 | 2018-11-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Angle control for radicals and reactive neutral ion beams |
CN110036317B (zh) * | 2016-10-05 | 2021-11-26 | 奇跃公司 | 制作非均匀衍射光栅 |
US10347459B2 (en) * | 2016-12-06 | 2019-07-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ion beam apparatus including slit structure for extracting ion beam, etching method using the same, and method for manufacturing magnetic memory device using the ion beam apparatus |
KR20180083027A (ko) | 2017-01-11 | 2018-07-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
US10544505B2 (en) * | 2017-03-24 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Deposition or treatment of diamond-like carbon in a plasma reactor |
US10222202B2 (en) | 2017-05-25 | 2019-03-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Three dimensional structure fabrication control using novel processing system |
WO2018226481A1 (en) | 2017-06-05 | 2018-12-13 | Applied Materials, Inc. | Waveguide fabrication with sacrificial sidewall spacers |
KR102641752B1 (ko) * | 2018-11-21 | 2024-03-04 | 삼성전자주식회사 | 가스 주입 모듈, 기판 처리 장치, 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
US20200321186A1 (en) * | 2019-04-02 | 2020-10-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for angled etching |
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