JP2012142445A - プラズマcvd装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】成膜ガスの多数のガス導入孔13aを有するシャワープレート13に対向する基板ホルダ2上の基板5の中央部から基板5の外周側の径方向に、成膜ガスの濃度による薄膜の膜厚が均一になるように、基板5の中央部から外周側の径方向に成膜ガスの供給量を、基板5の中央部と基板5の外周端部の間の外周途中で膜ガスの供給量を減らすように制御される。
【選択図】図1
Description
2 基板ホルダ
3 電極
4 ヒータ
5 基板
6 絶縁部材
7 高周波電源
8 整合器
9 給電部材
10 絶縁部材
11 成膜ガス供給口
12 シャワーヘッド
13,13A、13B シャワープレート
13a ガス放出孔
14 拡散プレート
14a 貫通孔
15,15a,16a〜16c 粗パターン
20 プラズマCVD装置
Claims (10)
- 成膜ガスの多数のガス導入孔を有するシャワープレートに対向する基板ホルダ上の基板中央部から基板外周端部側の径方向に、該成膜ガスの濃度による薄膜の膜厚が均一になるように、該基板中央部から該基板外周端部側の径方向に該成膜ガスの供給量が制御されるプラズマCVD装置。
- 前記基板中央部と前記基板外周端部の間の途中で前記膜ガスの供給量を減らすように制御される請求項1に記載のプラズマCVD装置。
- 前記シャワープレートの多数のガス導入孔の粗密パターンが円周方向または径方向に一または複数設けられている請求項2に記載のプラズマCVD装置。
- 前記粗密パターンのうちの粗パターンの領域は、前記基板中央部を除いて均等に配置された2〜10の外周側ほど太い放射状扇形領域で構成されている請求項3に記載のプラズマCVD装置。
- 前記粗密パターンのうちの粗パターンの領域は、前記基板中央部と前記基板外周端部の間の途中に一または複数の所定幅の同心円状の粗パターンの領域で構成されている請求項3に記載のプラズマCVD装置。
- 前記粗パターンの領域は、前記ガス放出孔が形成されていないかまたは、該ガス放出孔を塞いでいる請求項4または5に記載のプラズマCVD装置。
- 前記粗密パターンの領域は、前記多数のガス放出孔の径が徐々に大きくなった後に徐々に小さくなる密パターンの後に、該多数のガス放出孔の径が更に徐々に小さくなって無くなった後に徐々に大きくなる粗パターンのように、円周方向または径方向に一または複数の粗密パターンの周期を構成している請求項3に記載のプラズマCVD装置。
- 前記基板中央部は、前記多数のガス放出孔が形成された密パターンの領域であり、直径の1〜30パーセントの中心領域である請求項1に記載のプラズマCVD装置。
- 前記基板外周端部は、多数のガス放出孔が形成された密パターンの領域であり、直径の1〜30パーセントの外周端領域である請求項1に記載のプラズマCVD装置。
- 前記基板ホルダと該基板ホルダに対向する前記シャワープレートとの距離が中央部から周辺部へ向って連続的に変化するような凹面形状または平面状に該シャワープレートを形成し、該シャワープレートを含む電極の部位と該基板ホルダとの間に高周波電力を印加するように構成されている請求項1に記載のプラズマCVD装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN114990528A (zh) * | 2022-05-16 | 2022-09-02 | 武汉理工大学 | 一种改善cvd设备腔内温度场的装置及方法 |
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- 2010-12-28 JP JP2010294313A patent/JP2012142445A/ja active Pending
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