CN114990528A - 一种改善cvd设备腔内温度场的装置及方法 - Google Patents

一种改善cvd设备腔内温度场的装置及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114990528A
CN114990528A CN202210526206.2A CN202210526206A CN114990528A CN 114990528 A CN114990528 A CN 114990528A CN 202210526206 A CN202210526206 A CN 202210526206A CN 114990528 A CN114990528 A CN 114990528A
Authority
CN
China
Prior art keywords
spraying
center
spray
holes
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202210526206.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114990528B (zh
Inventor
李其仲
张益轩
吉柏锋
涂溶
章嵩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan University of Technology WUT
Original Assignee
Wuhan University of Technology WUT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan University of Technology WUT filed Critical Wuhan University of Technology WUT
Priority to CN202210526206.2A priority Critical patent/CN114990528B/zh
Publication of CN114990528A publication Critical patent/CN114990528A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114990528B publication Critical patent/CN114990528B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/32—Carbides
    • C23C16/325—Silicon carbide
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种改善CVD设备腔内温度场的装置及方法，设置于CVD设备腔室顶部，为与反应腔内轮廓一致的平面喷淋板，在喷淋板上分布若干圈通孔型喷淋孔。气体进入CVD设备腔室顶部后经过喷淋孔阻抗作用，气流通量从喷淋板中心到边缘逐渐增大，均匀到达腔内样品台处。采用本发明使CVD设备腔内样品台处温度场分布均匀并减小温度梯度，从而提高样品的镀膜均匀度。

Description

一种改善CVD设备腔内温度场的装置及方法
技术领域
本发明应用于CVD设备腔室顶部，用于调节腔内气流分布从而使样品台处温度场分布均匀并减小温度梯度。
背景技术
碳化硅具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点，可以很好地满足新能源汽车电动化发展趋势。新能源汽车产业的飞速发展，极大地推动了碳化硅产业发展与技术创新。目前碳化硅镀膜技术多采用化学气相沉积(CVD)：反应物质以气相状态由进口进入反应腔内发生化学反应，在固态基体表面产生固态物质沉积，从而为固体基体镀膜的一种工艺技术。为了对腔内温度进行精确控制以及获得均匀的温度场，这对其设备的更新优化也带来了挑战。
现阶段的化学气相沉积(CVD)设备根据反应原理不同可分为:等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备、低压化学气相沉积(LPCVD)设备以及卤化物化学气相沉积(HCVD)设备等。
常见的卤化物化学气相沉积(HCVD)设备工作原理参见图1。该设备包括导气孔1，保温碳毡2，石墨筒3，顶部盖板4，保温碳毡5，圆形样品台6，保温碳毡7，炉体外壁8，托盘9，加热体10，绝缘支撑块11，保温碳毡12，炉体外壁13，支撑板14，保温碳毡15，石墨电极16，转动轴17，支撑杆18。其中，顶部盖板4与石墨筒3组成了封闭的真空反应腔；反应气体由导气孔1进入真空反应腔；加热体10为该设备唯一热源，由计算机控制石墨电极16使其产生热量，从而使加热体达到精确温度；反应气体发生化学反应，在圆形样品台6上产生碳化硅固体沉积，从而为碳化硅镀膜；转动轴17与托盘9相连发生转动，固定在托盘9上的六根支撑杆18带动圆形样品6实现与转动轴17同转速转动；保温碳毡2、5、7、12、15起到减少反应腔热量散失的作用；支撑板14可固定设备；炉体外壁8、13为空心结构，里面注入循环冷凝水，防止外壁温度过高，起到保护作用。
但是，由于CVD反应腔内气流分布并不均匀，气体从顶部进入经过反应腔到达样品台处时温度已经与设定温度有了偏差，从而形成较大的温度梯度，不利于碳化硅镀膜均匀沉积。
类似的，在其他化学气相沉积(CVD)设备中也存在着样品台处温度场分布不均匀的问题，影响镀膜均匀度。
发明内容
本发明要解决的技术问题是，提供一种面向CVD设备用来调节腔内气流分布的装置及方法，使样品台处温度场分布均匀并减小温度梯度，从而提高样品的镀膜均匀度。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为:
一种改善CVD设备腔内温度场的装置，其特征在于：为与反应腔内轮廓一致的平面喷淋板，在喷淋板上分布若干圈通孔型喷淋孔。
上述技术方案中，喷淋板为圆形。
上述技术方案中，同一圈上所分布的任一喷淋孔直径相等。
上述技术方案中，同一圈上所分布的任一喷淋孔圆心与喷淋板面的中心距离相等。
上述技术方案中，同一圈上所分布的任一相邻的两个喷淋孔与喷淋板面的中心的径向直线所构成的夹角相等。
上述技术方案中，喷淋板面的圆心或中心处不设置通孔。
上述技术方案中，按照最内圈喷淋孔到最外圈喷淋孔顺序，以最内圈喷淋孔圆心与喷淋板面的圆心距离L1为基准，每相邻两圈喷淋孔圆心所构成的同心圆半径差Li呈现以对数函数单调递增依次增大或保持大小不变的变化趋势。
上述技术方案中，按照最内圈喷淋孔到最外圈喷淋孔顺序，以最内圈喷淋孔直径D1为基准，每圈喷淋孔直径Di呈现以对数函数单调递增依次增大或保持不变的变化趋势。
喷淋板上喷淋孔采用上述布置形式主要用于调整喷淋板面阻抗大小，进而调节进入腔室内气流分布：
按照最内圈喷淋孔到最外圈喷淋孔顺序，使分布在各圈上的喷淋孔直径Di与最内圈喷淋孔直径D1大小相等并保持不变，使每相邻两圈喷淋孔圆心所构成的同心圆半径差Li以最内圈喷淋孔圆心与喷淋板面圆心距离L1为基准，呈现以对数函数单调递增变化趋势依次增大，从而使喷淋板面对进气气体阻抗由中心向两边逐渐减小，预计气流通量从喷淋板中心到边缘逐渐增大。
按照最内圈喷淋孔到最外圈喷淋孔顺序，使每相邻两圈喷淋孔圆心所构成的同心圆半径差Li与最内圈喷淋孔圆心与喷淋板面圆心距离L1大小相等并保持不变，使分布在各圈上的喷淋孔直径Di以最内圈喷淋孔直径D1为基准呈现以对数函数单调递增变化趋势依次增大，从而使喷淋板面对进气气体阻抗由中心向两边逐渐减小，预计气流通量从喷淋板中心到边缘逐渐增大。
按照最内圈喷淋孔到最外圈喷淋孔顺序，使分布在各圈上的喷淋孔直径Di以最内圈喷淋孔直径D1为基准呈现以对数函数单调递增变化趋势依次增大，使每相邻两圈喷淋孔圆心所构成的同心圆半径差Li以最内圈喷淋孔圆心与喷淋板面圆心距离L1为基准呈现以对数函数单调递增变化趋势依次增大，从而使喷淋板面对进气气体阻抗由中心向两边逐渐减小，预计气流通量从喷淋板中心到边缘逐渐增大。
上述技术方案中，喷淋板设置于CVD设备腔室顶部，上表面与导气孔下表面相连使得气流经导气孔穿过喷淋板进入腔室內。
上述技术方案中，喷淋板材质为石墨。
一种改善CVD设备腔内温度场的方法，其特征在于采用上述的改善CVD设备腔内温度场的装置，气体进入CVD设备腔室顶部后经过喷淋孔阻抗作用，喷淋板对气流的阻抗作用由中心向四周逐渐减小，因此可使气流通量从喷淋板中心到边缘逐渐增大，均匀到达腔内样品台处。
由此，本发明应用于CVD设备腔室顶部，用于调节反应腔内气流分布从而使样品台处温度场分布均匀并减小温度梯度。该喷淋板上包含若干个大小不等的喷淋孔；通过使喷淋孔圆心与喷淋板中心距离以及喷淋孔直径两参数大小按对数函数由喷淋板面中心向四周逐渐增大，从而调整喷淋板面阻抗大小，进而调节进入腔室内气流分布。本发明设计方案简洁并高效，仅通过改变喷淋孔尺寸以及定位参数便可对腔室内的气流分布进行精细化调节，进而对样品台处温度场进行精细化控制。
与现有结构相比，本发明的有益效果在于:
(1)添加本发明的喷淋板，可以有效使CVD反应腔内气流分布均匀，并且可有效提高进气速度区间，以满足样品镀膜需求。
(2)使喷淋板面中心部位对气流产生的阻力大于四周对气流产生的阻力，从而减少到达样品台中心处反应气体气流量，进而使样品台处气流量分布较为均匀。
(3)本发明廉价、简洁且高效。
(4)本发明的设计理念不仅适用于CVD设备，同样适用于任何对气流分布要求均匀的多孔喷淋板布气系统。
附图说明
图1为本发明适用的HCVD工艺腔室剖面示意图。
图2为本发明实施例中喷淋板主视图。
图3为本发明的工作位置示意图。
具体实施方式
本发明的主要目的是提供一种面向CVD设备用来调节腔内气流分布的喷淋板，下文结合附图2进行说明，并不局限于以下的实施方式。
参见附图2-3，根据本发明实施的改善CVD设备腔内温度场的装置为喷淋板100，其特征在于：设置于CVD设备腔室顶部，喷淋板100上顶面与导气孔1的下表面相连，安装位置如图3显示，为与反应腔内轮廓一致的平面喷淋板，在喷淋板100上分布若干圈通孔型喷淋孔101。
喷淋孔101有以下三种布置形式：
同一圈上分布的喷淋孔直径保持2cm不变，第一圈喷淋孔圆心与喷淋板面圆心距离为ln9cm，相邻两圈喷淋孔所在圆心所构成的同心圆半径差为ln(8+i)cm，其中i指按照最内圈喷淋孔到最外圈喷淋孔顺序的第i圈，i≤7。当i≤3时，第i圈上相邻的两个喷淋孔所在的喷淋板面径向直线所构成夹角为60°；当3<i≤7时，第i圈上相邻的两个喷淋孔所在的喷淋板面径向直线所构成夹角为20°。
或者按照最内圈喷淋孔到最外圈喷淋孔顺序，第i圈喷淋板直径为ln(2+i)cm，第i圈上分布的喷淋孔圆心构成的同心圆半径为2.5icm。其中i指按照最内圈喷淋孔到最外圈喷淋孔顺序的第i圈，i≤7。当i≤2时，第i圈上相邻的两个喷淋孔所在的喷淋板面径向直线所构成夹角为40°；当2<i≤7时，第i圈上相邻的两个喷淋孔所在的喷淋板面径向直线所构成夹角为20°。
或者按照最内圈喷淋孔到最外圈喷淋孔顺序，第i圈喷淋板直径为ln(3+i)cm，第一圈喷淋孔圆心与喷淋板面圆心距离为ln10cm，相邻两圈喷淋孔所在圆心所构成的同心圆半径差为ln(9+i)cm，其中i指按照最内圈喷淋孔到最外圈喷淋孔顺序的第i圈，i≤7。当i≤2时，第i圈上相邻的两个喷淋孔所在的喷淋板面径向直线所构成夹角为40°；当2<i≤7时，第i圈上相邻的两个喷淋孔所在的喷淋板面径向直线所构成夹角为20°。
优选喷淋板100的材质为石墨。
应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种改善CVD设备腔内温度场的装置，其特征在于：为与反应腔内轮廓一致的平面喷淋板，在喷淋板上分布若干圈通孔型喷淋孔。
2.根据权利要求1所述的改善CVD设备腔内温度场的装置，其特征在于：喷淋板为圆形。
3.根据权利要求1所述的改善CVD设备腔内温度场的装置，其特征在于：同一圈上所分布的任一喷淋孔直径相等。
4.根据权利要求1所述的改善CVD设备腔内温度场的装置，其特征在于：同一圈上所分布的任一喷淋孔圆心与喷淋板面的中心距离相等。
5.根据权利要求1所述的改善CVD设备腔内温度场的装置，其特征在于：同一圈上所分布的任一相邻的两个喷淋孔与喷淋板面的中心的径向直线所构成的夹角相等。
6.根据权利要求1所述的改善CVD设备腔内温度场的装置，其特征在于：喷淋板面的圆心或中心处不设置通孔。
7.根据权利要求1所述的改善CVD设备腔内温度场的装置，其特征在于：按照最内圈喷淋孔到最外圈喷淋孔顺序，以最内圈喷淋孔圆心与喷淋板面的圆心距离L1为基准，每相邻两圈喷淋孔圆心所构成的同心圆半径差Li呈现以对数函数单调递增依次增大或保持大小不变的变化趋势。
8.根据权利要求1所述的改善CVD设备腔内温度场的装置，其特征在于：按照最内圈喷淋孔到最外圈喷淋孔顺序，以最内圈喷淋孔直径D1为基准，每圈喷淋孔直径Di呈现以对数函数单调递增依次增大或保持不变的变化趋势。
9.根据权利要求1所述的改善CVD设备腔内温度场的装置，其特征在于：喷淋板设置于CVD设备腔室顶部，上表面与CVD设备腔室导气孔下表面相连使得气流经导气孔穿过喷淋板进入腔室內。
10.一种改善CVD设备腔内温度场的方法，其特征在于采用上述权利要求1-9任一项所述的改善CVD设备腔内温度场的装置，气体进入CVD设备腔室顶部后经过喷淋孔阻抗作用，喷淋板对气流的阻抗作用由中心向四周逐渐减小，因此可使气流通量从喷淋板中心到边缘逐渐增大，均匀到达腔内样品台处。
CN202210526206.2A 2022-05-16 2022-05-16 一种改善cvd设备腔内温度场的装置及方法 Active CN114990528B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210526206.2A CN114990528B (zh) 2022-05-16 2022-05-16 一种改善cvd设备腔内温度场的装置及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210526206.2A CN114990528B (zh) 2022-05-16 2022-05-16 一种改善cvd设备腔内温度场的装置及方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114990528A true CN114990528A (zh) 2022-09-02
CN114990528B CN114990528B (zh) 2023-11-03

Family

ID=83026904

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210526206.2A Active CN114990528B (zh) 2022-05-16 2022-05-16 一种改善cvd设备腔内温度场的装置及方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114990528B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115261820A (zh) * 2022-09-20 2022-11-01 拓荆科技(上海)有限公司 一种反应腔结构及其半导体设备

Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030209323A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-13 Nec Electronics Corporation Production apparatus for manufacturing semiconductor device
KR20060016707A (ko) * 2004-08-18 2006-02-22 삼성전자주식회사 반도체 제조장치의 샤워헤드
CN101315880A (zh) * 2008-07-17 2008-12-03 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种气体分配装置及采用该气体分配装置的等离子体处理设备
JP2012142445A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Sharp Corp プラズマｃｖｄ装置
CN202423238U (zh) * 2011-12-23 2012-09-05 中微半导体设备(上海)有限公司 一种改善晶片处理均匀性的喷淋头
CN103255392A (zh) * 2013-05-30 2013-08-21 光垒光电科技（上海）有限公司 喷淋头以及气相沉积设备
US20130319612A1 (en) * 2012-06-01 2013-12-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Plasma chamber having an upper electrode having controllable valves and a method of using the same
CN103531448A (zh) * 2008-07-03 2014-01-22 应用材料公司 用于原子层沉积的设备
US20140053866A1 (en) * 2012-08-23 2014-02-27 Applied Materials, Inc. Method and hardware for cleaning uv chambers
CN103789748A (zh) * 2014-01-22 2014-05-14 清华大学 一种面向工艺腔室气流分布调节的cvd设备喷淋头
US20160362782A1 (en) * 2015-06-15 2016-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Gas dispenser and deposition apparatus using the same
CN107699866A (zh) * 2017-11-15 2018-02-16 西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司 一种改善流场均匀性的装置
CN207537531U (zh) * 2017-11-15 2018-06-26 西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司 一种改善流场均匀性的装置
CN110093592A (zh) * 2018-01-30 2019-08-06 汉民科技股份有限公司 应用于化学气相沉积系统的气体喷头
CN210215520U (zh) * 2019-06-26 2020-03-31 德淮半导体有限公司 用于分配工艺气体的喷头和物理气相沉积设备
CN113373430A (zh) * 2021-05-21 2021-09-10 江苏鹏举半导体设备技术有限公司 原子层沉积装置
CN114351117A (zh) * 2020-10-13 2022-04-15 东部超导科技（苏州）有限公司 喷淋板、配置喷淋板的mocvd反应系统及其使用方法

Patent Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030209323A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-13 Nec Electronics Corporation Production apparatus for manufacturing semiconductor device
KR20060016707A (ko) * 2004-08-18 2006-02-22 삼성전자주식회사 반도체 제조장치의 샤워헤드
CN103531448A (zh) * 2008-07-03 2014-01-22 应用材料公司 用于原子层沉积的设备
CN101315880A (zh) * 2008-07-17 2008-12-03 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种气体分配装置及采用该气体分配装置的等离子体处理设备
JP2012142445A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Sharp Corp プラズマｃｖｄ装置
CN202423238U (zh) * 2011-12-23 2012-09-05 中微半导体设备(上海)有限公司 一种改善晶片处理均匀性的喷淋头
US20130319612A1 (en) * 2012-06-01 2013-12-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Plasma chamber having an upper electrode having controllable valves and a method of using the same
US20140053866A1 (en) * 2012-08-23 2014-02-27 Applied Materials, Inc. Method and hardware for cleaning uv chambers
CN103255392A (zh) * 2013-05-30 2013-08-21 光垒光电科技（上海）有限公司 喷淋头以及气相沉积设备
CN103789748A (zh) * 2014-01-22 2014-05-14 清华大学 一种面向工艺腔室气流分布调节的cvd设备喷淋头
US20160362782A1 (en) * 2015-06-15 2016-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Gas dispenser and deposition apparatus using the same
CN107699866A (zh) * 2017-11-15 2018-02-16 西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司 一种改善流场均匀性的装置
CN207537531U (zh) * 2017-11-15 2018-06-26 西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司 一种改善流场均匀性的装置
CN110093592A (zh) * 2018-01-30 2019-08-06 汉民科技股份有限公司 应用于化学气相沉积系统的气体喷头
CN210215520U (zh) * 2019-06-26 2020-03-31 德淮半导体有限公司 用于分配工艺气体的喷头和物理气相沉积设备
CN114351117A (zh) * 2020-10-13 2022-04-15 东部超导科技（苏州）有限公司 喷淋板、配置喷淋板的mocvd反应系统及其使用方法
CN113373430A (zh) * 2021-05-21 2021-09-10 江苏鹏举半导体设备技术有限公司 原子层沉积装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115261820A (zh) * 2022-09-20 2022-11-01 拓荆科技(上海)有限公司 一种反应腔结构及其半导体设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN114990528B (zh) 2023-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10260149B2 (en) Side inject nozzle design for processing chamber
US20120100307A1 (en) Shower Plate Having Different Aperture Dimensions and/or Distributions
CN112176318A (zh) 用于基板处理装置的温度控制组件及其使用方法
US20220081767A1 (en) Half-angle nozzle
KR101039087B1 (ko) 플라즈마처리장치
CN114990528B (zh) 一种改善cvd设备腔内温度场的装置及方法
CN101996842A (zh) 等离子蚀刻装置
CN111254383A (zh) 用于改善反应溅射膜层均匀性的物理气相沉积设备
TWI777218B (zh) 具有可移動環的電漿處理器
JP2019511841A (ja) サセプタ支持体
TWM448051U (zh) 溫度可分區調控的靜電吸盤
TW201420805A (zh) 托盤裝置、反應腔室和金屬有機化合物化學氣相沉積（ｍｏｃｖｄ）設備
KR102661857B1 (ko) 플라즈마 처리 방법
TW201406989A (zh) 用於遞送製程氣體至基板的方法及設備
TW202207334A (zh) 半導體製程腔室、半導體製程系統及產生製程氣體流的方法
US11339477B2 (en) Plasma polymerization coating apparatus and process
WO2020118104A1 (en) Electrostatic chuck with improved thermal coupling for temperature sensitive processes
TWI817056B (zh) 下電極組件、使用其的等離子體處理裝置及其工作方法
JP2005520932A (ja) 基板上への薄膜堆積装置
JPH07216551A (ja) 回転する表面上の基材に堆積させる装置と方法
JP2000054145A (ja) 表面処理装置
CN112750676B (zh) 一种等离子体处理装置
KR101866215B1 (ko) 샤워헤드를 포함하는 플라즈마 처리장치
CN109913810A (zh) 真空磁控溅射镀膜生产线
JP7198283B2 (ja) 金属浴内におけるガラスリボンの放射冷却のための装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant