JPWO2020129686A1 - 裏面照射型の固体撮像装置、および裏面照射型の固体撮像装置の製造方法、撮像装置、並びに電子機器 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 119
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 104
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 91
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 364
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 147
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 74
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 34
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 26
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 26
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 13
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 9
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 98
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 71
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 28
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 27
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 27
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 15
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 13
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000002674 endoscopic surgery Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 210000001519 tissue Anatomy 0.000 description 8
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 5
- 238000001356 surgical procedure Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010336 energy treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 208000005646 Pneumoperitoneum Diseases 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 210000004204 blood vessel Anatomy 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- MOFVSTNWEDAEEK-UHFFFAOYSA-M indocyanine green Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CCCCN1C2=CC=C3C=CC=CC3=C2C(C)(C)C1=CC=CC=CC=CC1=[N+](CCCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=C(C=CC=C3)C3=C2C1(C)C MOFVSTNWEDAEEK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229960004657 indocyanine green Drugs 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 1
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 1
- 230000003187 abdominal effect Effects 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000002583 angiography Methods 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000002073 fluorescence micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 210000004400 mucous membrane Anatomy 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 210000004761 scalp Anatomy 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
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- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
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- H01L25/112—Mixed assemblies
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Abstract
Description
1.本開示の概要
2.第1の実施の形態
3.第2の実施の形態
4.第2の実施の形態の応用例
5.第3の実施の形態
6.第4の実施の形態
7.第5の実施の形態
8.第6の実施の形態
9.第7の実施の形態
10.第8の実施の形態
11.第9の実施の形態
12.第9の実施の形態の応用例
13.第10の実施の形態
14.第10の実施の形態の第1の応用例
15.第10の実施の形態の第2の応用例
16.電子機器への適用例
17.固体撮像装置の使用例
18.内視鏡手術システムへの応用例
19.移動体への応用例
本開示は、固体撮像装置の製造コストを低減させるものである。
図4は、本開示の固体撮像装置を製造する際に適用される、CoW(Chip on Wafer)技術とWoW技術の組み合わせにより複数のウェーハが積層された構造を説明する図である。
図4で示されるようなWoW技術により、複数のウェーハが積層された後、個片化されることにより、本開示の固体撮像装置111(図5)が形成される。
次に、図6乃至図9を参照して、図5の固体撮像装置111の製造方法について説明する。尚、図6乃至図9の側面断面図6A乃至6Lは、固体撮像装置111の側面断面図を示している。
以上においては、固体撮像素子120が形成される層と、メモリ回路121、およびロジック回路122が再配置された層とが積層される2層構成からなる固体撮像装置111について説明してきた。
次に、図14のフローチャートと図15乃至図22の側面断面図を参照して、図12の固体撮像装置111の製造方法について説明する。
以上においては、メモリ回路121およびロジック回路122の連絡配線Tが、半導体素子層E2内における固体撮像素子120との境界側に形成される例について説明してきたが、メモリ回路121およびロジック回路122を接合することができれば他の範囲であってもよい。
以上においては、固体撮像素子120と、メモリ回路121およびロジック回路122との接続は、接合面F2において接続されるパッド120bとパッド121b,122bとのCuCu接合がなされた配線間で行われていた。
次に、図25のフローチャートを参照して、図24の固体撮像装置111の製造方法について説明する。
以上においては、メモリ回路121とロジック回路122の配線層側と、固体撮像素子120の配線層側とが対向した状態で接合面F2が形成される例について説明してきたが、メモリ回路121とロジック回路122の配線層とは反対面(Si基板側の面)に貫通電極を形成して固体撮像素子120と接合するようにしてもよい。
次に、図27のフローチャートと図28乃至図32の側面断面図を参照して、図26の固体撮像装置111の製造方法について説明する。
以上においては、メモリ回路121とロジック回路122と、固体撮像素子120とのそれぞれに配線層が形成され、それぞれが対向した状態で接合面F2が形成される例について説明してきたが、さらに、サポート基板132上にも配線層を形成して、サポート基板132上の配線層に、メモリ回路121とロジック回路122との連絡配線を形成するようにしてもよい。
次に、図34のフローチャートと図35乃至図38の側面断面図を参照して、図33の固体撮像装置111の製造方法について説明する。
以上においては、連絡配線を備えたサポート基板132上にメモリ回路121およびロジック回路122を再配置し、固体撮像素子120を積層する固体撮像装置111について説明してきたが、サポート基板132に代えて、メモリ回路121の機能を備えたメモリデバイス基板上にロジック回路122を積層し、ロジック回路122上に固体撮像素子120を積層する構成としてもよい。
次に、図40のフローチャートと図41乃至図43の側面断面図を参照して、図39の固体撮像装置111の製造方法について説明する。
<固体撮像素子上にメモリ回路およびロジック回路を積層するようにした製造方法>
以上においては、再配置基板151、または、サポート基板132上にメモリ回路121、およびロジック回路122を積層し、酸化膜133内に埋め込み、メモリ回路121、およびロジック回路122の上に、固体撮像素子120が積層されることで固体撮像装置111が製造される例について説明してきた。
<固体撮像素子上に積層するメモリ回路およびロジック回路を積層するようにした製造方法>
以上においては、固体撮像素子120上にメモリ回路121、およびロジック回路122を並べて積層し、酸化膜133内に埋め込み、メモリ回路121、およびロジック回路122の上に、サポート基板132が積層されることで固体撮像装置111が製造される例について説明してきた。
次に、図48,49を参照して、図47の固体撮像装置111の製造方法について説明する。
<サポート基板側に配線層を形成し、ワイヤボンディングの端子を形成するようにした固体撮像装置の構成例>
以上においては、固体撮像素子120上に良品のメモリ回路121、およびロジック回路122を積層して固体撮像装置111を製造する例について説明してきたが、サポート基板側に配線層を形成し、ワイヤボンディングの端子を形成するようにしてもよい。
次に、図51,図52を参照して、図50の固体撮像装置111の製造方法について説明する。尚、固体撮像素子120、メモリ回路121、およびロジック回路122は、製造されており、メモリ回路121、およびロジック回路122については、ダイシングされており、検査により良品が選択されているものとする。
(第9の実施の形態の第1の応用例)
以上においては、メモリ回路121およびロジック回路122のそれぞれから貫通電極251,252が形成されて、固体撮像素子120からの信号は、メモリ回路121およびロジック回路122、サポート基板261の配線261a、および端子261bを介してボンディング部271に接続されたワイヤ272を介して外部に出力される例について説明してきた。
以上においては、貫通電極251,252であるか、または、貫通電極291のいずれかが設けられる例について説明してきたが、全てを設けるような構成としてもよい。
以上においては、貫通電極251,252、および、貫通電極291の少なくともいずれかが設けられる例について説明してきたが、貫通電極251,252,271を介してサポート基板261を介して外部に出力するのではなく、メモリ回路121およびロジック回路122のパッド121b,122bが設けられる配線層に、電気的に接続された状態で端子を設けるようにしてもよい。
以上においては、サポート基板の端部上面よりボンディング部よりワイヤを引き出して信号を外部に出力する例について説明してきたが、固体撮像素子120の信号をサポート基板の背面から直接出力できるようにしてもよい。
次に、図56,図57を参照して、図55の固体撮像装置111の製造方法について説明する。尚、図56の側面断面図56Aにおいては、図12の固体撮像装置111が製造された状態を示している。図55の固体撮像装置111は、図12の固体撮像装置111が加工されて生成されるものであるものとして説明を進める。
以上においては、固体撮像素子120の信号をサポート基板の背面から貫通電極301を形成することで直接出力できるようにする例について説明したが、貫通電極は深いほどテーパーにより、貫通電極の掘り込み部分が太くなってしまう。そこで、一機に貫通電極を形成するのではなく、層毎に個別に貫通孔を形成したものを、積層して最終的に貫通電極を形成するようにすることで、貫通電極の太さを細くできるようにしてもよい。
以上においては、貫通電極を形成し、固体撮像装置111の背面となるサポート基板132の背面から固体撮像素子120の信号を直接引き出す貫通電極が形成される例について説明してきたが、メモリ回路121およびロジック回路122のそれぞれに貫通電極を形成して、サポート基板132の背面から直接引き出せるようにしてもよい。
上述した撮像素子は、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像装置、撮像機能を備えた携帯電話機、または、撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器に適用することができる。
図63は、上述の固体撮像装置111を使用する使用例を示す図である。
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
<1> 画素単位で画素信号を生成する撮像素子を有する第1の半導体素子と、
前記画素信号の信号処理に必要な信号処理回路が埋め込み部材により埋め込まれた、前記第1の半導体素子よりも小さな第2の半導体素子および第3の半導体素子と、
前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の間を電気的に接続する連絡配線とを含む
裏面照射型の固体撮像装置。
<2> 前記連絡配線は、同一の層に形成される
<1>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<3> 前記第1の半導体素子の入射光の入射方向に対して背面に、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子が積層され
前記連絡配線は、前記第1の半導体素子と、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子との境界に対して、前記第1の半導体素子側に形成される
<1>または<2>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<4> 前記第1の半導体素子の入射光の入射方向に対して背面に、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子が積層され、
前記連絡配線は、前記第1の半導体素子と、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子との境界に対して、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子側に形成される
<1>または<2>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<5> 前記連絡配線は、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の前記入射光の入射方向に対して対向する面に形成される
<4>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<6> 前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の配線が形成されている面が前記入射光の入射方向に対して対向する面に形成される
<5>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<7> 前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の配線が形成されている面が前記入射光の入射方向に対して背面に形成される
<5>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<8> 前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の配線が形成されている面が前記入射光の入射方向に対して背面に形成され、それぞれの基板に形成された貫通電極を介して、前記連絡配線が形成される
<7>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<9> 前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の前記入射光に対して背面側にサポート基板が接続され、
前記連絡配線は、前記サポート基板に形成される
<5>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<10> 前記連絡配線は、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の前記入射光の入射方向に対して背面に形成される
<4>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<11> 前記連絡配線は、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の前記入射光の入射方向に対して背面側のサポート基板の前面に形成される
<10>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<12> 前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子は、前記第1の半導体素子と、前記第1の半導体素子を貫通する貫通電極により電気的に接続される
<4>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<13> 前記第1の半導体素子、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子が、前記入射光の入射方向に対して、前記第1の半導体素子、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の順に積層され、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の接合面に相互に対向して形成されるパッドが電気的に接続されることにより、前記連絡配線として機能する
<4>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<14> 前記第1の半導体素子、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子が、入射光の入射方向に対して、前記第1の半導体素子、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の順に積層され、前記第1の半導体素子と前記第3の半導体素子とが、前記第2の半導体素子を貫通して形成される貫通電極により電気的に接続される
<1>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<15> 前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の前記入射光に対して背面側にサポート基板が接続され、
前記第1の半導体素子、前記第2の半導体素子、および前記第3の半導体素子の少なくともいずれかの前記配線が、貫通電極で接続され、前記サポート基板の前記入射光の入射方向に対して背面側に引き出される
<4>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<16> 前記連絡配線は、前記第1の半導体素子の前記入射光に対して垂直方向に占有される範囲内に配線される
<4>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<17> 前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の前記入射光に対して背面側にサポート基板が接続され、
前記サポート基板には、配線が形成され、前記サポート基板の前記配線と、前記第1の半導体素子、前記第2の半導体素子、および前記第3の半導体素子の少なくともいずれかの配線が、貫通電極で接続され、前記サポート基板の、前記第2の半導体素子、および前記第3の半導体素子が形成された外側に信号線を引き出す端子が形成される
<3>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<18> 画素単位で画素信号を生成する撮像素子を有する第1の半導体素子と、
前記画素信号の信号処理に必要な信号処理回路が埋め込み部材により埋め込まれた、前記第1の半導体素子よりも小さな第2の半導体素子および第3の半導体素子と、
前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の間を電気的に接続する連絡配線とを含む
裏面照射型の固体撮像装置を備えた撮像装置。
<19> 画素単位で画素信号を生成する撮像素子を有する第1の半導体素子と、
前記画素信号の信号処理に必要な信号処理回路が埋め込み部材により埋め込まれた、前記第1の半導体素子よりも小さな第2の半導体素子および第3の半導体素子と、
前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の間を電気的に接続する連絡配線とを含む
裏面照射型の固体撮像装置を備えた電子機器。
<20> 画素単位で画素信号を生成する撮像素子を有する第1の半導体素子と、
前記画素信号の信号処理に必要な信号処理回路が埋め込み部材により埋め込まれた、前記第1の半導体素子よりも小さな第2の半導体素子および第3の半導体素子と、
前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の間を電気的に接続する連絡配線とを含む
裏面照射型の固体撮像装置の製造方法であって、
半導体プロセスにより形成された前記撮像素子を有するウェーハに、
半導体プロセスにより形成された前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子からなる前記信号処理回路のうち、電気的な検査により良品と判定された前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子が再配置されて、
前記埋め込み部材により埋め込まれ、
前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の間を電気的に接続する連絡配線が形成され、
前記第1の半導体素子と、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子との間の配線が電気的に接続されるように酸化膜接合で積層された後、個片化される
裏面照射型の固体撮像装置の製造方法。
<21> 画素単位で画素信号を生成する撮像素子を有する第1の半導体素子層と、
前記画素信号の信号処理に必要な信号処理回路が埋め込み部材により埋め込まれた、前記第1の半導体素子よりも小さな第2の半導体素子および第3の半導体素子を有する第2の半導体素子層と、
サポート基板とを備え、
前記第2の半導体素子層は、前記第1の半導体素子層と前記サポート基板との間に設けられ、
前記第1の半導体素子層と、前記第2の半導体素子層とは直接接合によって接合されている
裏面照射型の固体撮像装置。
<22> 前記第2の半導体素子と前記第3の半導体素子との間を電気的に接続する連絡配線は、前記第2の半導体素子層または前記サポート基板に設けられている
<21>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<23> 前記連絡配線は、前記第2の半導体素子層の前記第1の半導体素子層側に設けられている
<22>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<24> 前記連絡配線は、前記第2の半導体素子層の前記サポート基板側に設けられている、
<22>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<25> 前記サポート基板はさらに前記第2の半導体素子層側に配線層を有し、
前記連絡配線は、前記サポート基板の前記配線層に設けられている、
<22>または<23>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<26> 前記第1の半導体素子の入射光の入射方向に対して背面に、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子が積層され、
前記連絡配線は、前記第1の半導体素子と、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子との境界に対して、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子側に形成される
<22>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<27> 前記連絡配線は、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の前記入射光の入射方向に対して対向する面に形成される
<26>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<28> 前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の配線が形成されている面が前記入射光の入射方向に対して対向する面に形成される
<27>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<29> 前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の配線が形成されている面が前記入射光の入射方向に対して背面に形成される
<27>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<30> 前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の配線が形成されている面が前記入射光の入射方向に対して背面に形成され、それぞれの基板に形成された貫通電極を介して、前記連絡配線が形成される
<29>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<31> 前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の前記入射光に対して背面側にサポート基板が接続され、
前記連絡配線は、前記サポート基板に形成される
<27>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<32> 前記連絡配線は、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の前記入射光の入射方向に対して背面に形成される
<26>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
<33> 前記連絡配線は、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の前記入射光の入射方向に対して背面側のサポート基板の前面に形成される
<32>に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
配線, 201d 貫通電極, 231 貫通電極, 241 有機光電変換膜, 251,252 貫通電極, 261 サポート基板, 261a 配線, 261b 端子, 281 レンズ, 282 貫通孔, 301 貫通電極, 311 支持基板,
312 干渉部, 371,381,391 貫通電極, T,T’’,T’’’,T1乃至T6 連絡配線, TCV1,TCV2 貫通電極
Claims (33)
- 画素単位で画素信号を生成する撮像素子を有する第1の半導体素子と、
前記画素信号の信号処理に必要な信号処理回路が埋め込み部材により埋め込まれた、前記第1の半導体素子よりも小さな第2の半導体素子および第3の半導体素子と、
前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の間を電気的に接続する連絡配線とを含む
裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記連絡配線は、同一の層に形成される
請求項1に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記第1の半導体素子の入射光の入射方向に対して背面に、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子が積層され
前記連絡配線は、前記第1の半導体素子と、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子との境界に対して、前記第1の半導体素子側に形成される
請求項1に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記第1の半導体素子の入射光の入射方向に対して背面に、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子が積層され、
前記連絡配線は、前記第1の半導体素子と、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子との境界に対して、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子側に形成される
請求項1に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記連絡配線は、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の前記入射光の入射方向に対して対向する面に形成される
請求項4に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の配線が形成されている面が前記入射光の入射方向に対して対向する面に形成される
請求項5に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の配線が形成されている面が前記入射光の入射方向に対して背面に形成される
請求項5に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の配線が形成されている面が前記入射光の入射方向に対して背面に形成され、それぞれの基板に形成された貫通電極を介して、前記連絡配線が形成される
請求項7に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の前記入射光に対して背面側にサポート基板が接続され、
前記連絡配線は、前記サポート基板に形成される
請求項5に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記連絡配線は、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の前記入射光の入射方向に対して背面に形成される
請求項4に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記連絡配線は、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の前記入射光の入射方向に対して背面側のサポート基板の前面に形成される
請求項10に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子は、前記第1の半導体素子と、前記第1の半導体素子を貫通する貫通電極により電気的に接続される
請求項4に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記第1の半導体素子、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子が、前記入射光の入射方向に対して、前記第1の半導体素子、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の順に積層され、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の接合面に相互に対向して形成されるパッドが電気的に接続されることにより、前記連絡配線として機能する
請求項4に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記第1の半導体素子、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子が、入射光の入射方向に対して、前記第1の半導体素子、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の順に積層され、少なくとも前記第2の半導体素子と前記第3の半導体素子とが、貫通電極により電気的に接続されて連絡配線として機能する
請求項1に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の前記入射光に対して背面側にサポート基板が接続され、
前記第1の半導体素子、前記第2の半導体素子、および前記第3の半導体素子の少なくともいずれかの配線が、貫通電極で接続され、前記サポート基板の前記入射光の入射方向に対して背面側に引き出される
請求項4に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記連絡配線は、前記第1の半導体素子の前記入射光に対して垂直方向に占有される範囲内に配線される
請求項4に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の前記入射光に対して背面側にサポート基板が接続され、
前記サポート基板には、配線が形成され、前記サポート基板の前記配線と、前記第1の半導体素子、前記第2の半導体素子、および前記第3の半導体素子の少なくともいずれかの前記配線が、貫通電極で接続され、前記サポート基板の、前記第2の半導体素子、および前記第3の半導体素子が形成された外側に信号線を引き出す端子が形成される
請求項3に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 画素単位で画素信号を生成する撮像素子を有する第1の半導体素子と、
前記画素信号の信号処理に必要な信号処理回路が埋め込み部材により埋め込まれた、前記第1の半導体素子よりも小さな第2の半導体素子および第3の半導体素子と、
前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の間を電気的に接続する連絡配線とを含む
裏面照射型の固体撮像装置を備えた撮像装置。 - 画素単位で画素信号を生成する撮像素子を有する第1の半導体素子と、
前記画素信号の信号処理に必要な信号処理回路が埋め込み部材により埋め込まれた、前記第1の半導体素子よりも小さな第2の半導体素子および第3の半導体素子と、
前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の間を電気的に接続する連絡配線とを含む
裏面照射型の固体撮像装置を備えた電子機器。 - 画素単位で画素信号を生成する撮像素子を有する第1の半導体素子と、
前記画素信号の信号処理に必要な信号処理回路が埋め込み部材により埋め込まれた、前記第1の半導体素子よりも小さな第2の半導体素子および第3の半導体素子と、
前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の間を電気的に接続する連絡配線とを含む
裏面照射型の固体撮像装置の製造方法であって、
半導体プロセスにより形成された前記撮像素子を有するウェーハに、
半導体プロセスにより形成された前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子からなる前記信号処理回路のうち、電気的な検査により良品と判定された前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子が再配置されて、
前記埋め込み部材により埋め込まれ、
前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の間を電気的に接続する連絡配線が形成され、
前記第1の半導体素子と、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子との間の配線が電気的に接続されるように酸化膜接合で積層された後、個片化される
裏面照射型の固体撮像装置の製造方法。 - 画素単位で画素信号を生成する撮像素子を有する第1の半導体素子層と、
前記画素信号の信号処理に必要な信号処理回路が埋め込み部材により埋め込まれた、前記第1の半導体素子よりも小さな第2の半導体素子および第3の半導体素子を有する第2の半導体素子層と、
サポート基板とを備え、
前記第2の半導体素子層は、前記第1の半導体素子層と前記サポート基板との間に設けられ、
前記第1の半導体素子層と、前記第2の半導体素子層とは直接接合によって接合されている
裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記第2の半導体素子と前記第3の半導体素子との間を電気的に接続する連絡配線は、前記第2の半導体素子層または前記サポート基板に設けられている
請求項21に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記連絡配線は、前記第2の半導体素子層の前記第1の半導体素子層側に設けられている
請求項22に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記連絡配線は、前記第2の半導体素子層の前記サポート基板側に設けられている、
請求項22に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記サポート基板はさらに前記第2の半導体素子層側に配線層を有し、
前記連絡配線は、前記サポート基板の前記配線層に設けられている、
請求項22に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記第1の半導体素子の入射光の入射方向に対して背面に、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子が積層され、
前記連絡配線は、前記第1の半導体素子と、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子との境界に対して、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子側に形成される
請求項22に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記連絡配線は、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の前記入射光の入射方向に対して対向する面に形成される
請求項26に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の配線が形成されている面が前記入射光の入射方向に対して対向する面に形成される
請求項27に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の配線が形成されている面が前記入射光の入射方向に対して背面に形成される
請求項27に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の配線が形成されている面が前記入射光の入射方向に対して背面に形成され、それぞれの基板に形成された貫通電極を介して、前記連絡配線が形成される
請求項29に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の前記入射光に対して背面側にサポート基板が接続され、
前記連絡配線は、前記サポート基板に形成される
請求項27に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記連絡配線は、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の前記入射光の入射方向に対して背面に形成される
請求項26に記載の裏面照射型の固体撮像装置。 - 前記連絡配線は、前記第2の半導体素子および前記第3の半導体素子の前記入射光の入射方向に対して背面側のサポート基板の前面に形成される
請求項32に記載の裏面照射型の固体撮像装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018238191 | 2018-12-20 | ||
JP2018238191 | 2018-12-20 | ||
PCT/JP2019/047762 WO2020129686A1 (ja) | 2018-12-20 | 2019-12-06 | 裏面照射型の固体撮像装置、および裏面照射型の固体撮像装置の製造方法、撮像装置、並びに電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020129686A1 true JPWO2020129686A1 (ja) | 2021-11-04 |
Family
ID=71101668
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020561297A Pending JPWO2020129686A1 (ja) | 2018-12-20 | 2019-12-06 | 裏面照射型の固体撮像装置、および裏面照射型の固体撮像装置の製造方法、撮像装置、並びに電子機器 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220037382A1 (ja) |
EP (1) | EP3902005A4 (ja) |
JP (1) | JPWO2020129686A1 (ja) |
KR (1) | KR20210104675A (ja) |
CN (1) | CN113169202A (ja) |
TW (1) | TW202101744A (ja) |
WO (1) | WO2020129686A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116349241A (zh) * | 2020-10-26 | 2023-06-27 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态成像设备、制造固态成像设备的方法及电子设备 |
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-
2019
- 2019-11-14 TW TW108141330A patent/TW202101744A/zh unknown
- 2019-12-06 KR KR1020217015738A patent/KR20210104675A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-12-06 WO PCT/JP2019/047762 patent/WO2020129686A1/ja unknown
- 2019-12-06 EP EP19898915.4A patent/EP3902005A4/en active Pending
- 2019-12-06 CN CN201980081947.0A patent/CN113169202A/zh active Pending
- 2019-12-06 US US17/413,023 patent/US20220037382A1/en active Pending
- 2019-12-06 JP JP2020561297A patent/JPWO2020129686A1/ja active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020129686A1 (ja) | 2020-06-25 |
CN113169202A (zh) | 2021-07-23 |
KR20210104675A (ko) | 2021-08-25 |
EP3902005A1 (en) | 2021-10-27 |
US20220037382A1 (en) | 2022-02-03 |
EP3902005A4 (en) | 2022-03-09 |
TW202101744A (zh) | 2021-01-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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