JPWO2020121991A1 - 積層体の製造方法およびペロブスカイト型太陽電池の製造方法 - Google Patents
積層体の製造方法およびペロブスカイト型太陽電池の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2020121991A1 JPWO2020121991A1 JP2020517229A JP2020517229A JPWO2020121991A1 JP WO2020121991 A1 JPWO2020121991 A1 JP WO2020121991A1 JP 2020517229 A JP2020517229 A JP 2020517229A JP 2020517229 A JP2020517229 A JP 2020517229A JP WO2020121991 A1 JPWO2020121991 A1 JP WO2020121991A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode layer
- laminate
- light
- perovskite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 19
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 16
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 19
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- ZORYZEVTIVPMPO-UHFFFAOYSA-H hexapotassium hexafluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[K+].[K+].[K+].[K+].[K+].[K+] ZORYZEVTIVPMPO-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 4
- APPXAPLOULWUGO-UHFFFAOYSA-H hexasodium hexafluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+] APPXAPLOULWUGO-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 4
- AIFLGMNWQFPTAJ-UHFFFAOYSA-J 2-hydroxypropanoate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O AIFLGMNWQFPTAJ-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JRFKUVDHIAAEOU-UHFFFAOYSA-N [F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+] Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+] JRFKUVDHIAAEOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N ammonium oxalate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)C([O-])=O VBIXEXWLHSRNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZHHHHWLNNWAEML-UHFFFAOYSA-L dipotassium;oxalate;dihydrate Chemical compound O.O.[K+].[K+].[O-]C(=O)C([O-])=O ZHHHHWLNNWAEML-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- DCKVFVYPWDKYDN-UHFFFAOYSA-L oxygen(2-);titanium(4+);sulfate Chemical compound [O-2].[Ti+4].[O-]S([O-])(=O)=O DCKVFVYPWDKYDN-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910000348 titanium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- -1 ammonium metal halide Chemical class 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 6
- PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M copper(1+);thiocyanate Chemical compound [Cu+].[S-]C#N PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZERULLAPCVRMCO-UHFFFAOYSA-N Dipropyl sulfide Chemical compound CCCSCCC ZERULLAPCVRMCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001439 antimony ion Inorganic materials 0.000 description 2
- ZCCIPPOKBCJFDN-UHFFFAOYSA-N calcium nitrate Chemical compound [Ca+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ZCCIPPOKBCJFDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001449 indium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N magnesium nitrate Chemical compound [Mg+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L potassium sulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S([O-])(=O)=O OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052939 potassium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011151 potassium sulphates Nutrition 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVFORMHKBFWUNT-UHFFFAOYSA-N O.O.O.O.[K] Chemical compound O.O.O.O.[K] WVFORMHKBFWUNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCNSHJXNPJXAIK-UHFFFAOYSA-J [F-].[F-].[F-].[F-].F.F.F.[Ti+4] Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].F.F.F.[Ti+4] WCNSHJXNPJXAIK-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- XLORJRJHBLHPPD-UHFFFAOYSA-J [F-].[F-].[F-].[F-].[K+].[K+].[K+].[K+] Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[K+].[K+].[K+].[K+] XLORJRJHBLHPPD-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- CDQFODAJQFUTJR-UHFFFAOYSA-M [NH4+].[O-]C(=O)C(=O)O[Ti] Chemical compound [NH4+].[O-]C(=O)C(=O)O[Ti] CDQFODAJQFUTJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011132 calcium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003841 chloride salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001868 cobalt Chemical class 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M copper(i) iodide Chemical compound I[Cu] LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J diphosphate(4-) Chemical compound [O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003925 fat Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- PFSXARRIPPWGNC-UHFFFAOYSA-J hexafluorotitanium(2-);hydron Chemical compound [H+].[H+].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[Ti+4] PFSXARRIPPWGNC-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004502 linear sweep voltammetry Methods 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000019333 sodium laurylsulphate Nutrition 0.000 description 1
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- WAOWQLJJQBDGQC-UHFFFAOYSA-N tetraazanium;tetrafluoride Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[F-].[F-].[F-].[F-] WAOWQLJJQBDGQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001432 tin ion Inorganic materials 0.000 description 1
- HDUMBHAAKGUHAR-UHFFFAOYSA-J titanium(4+);disulfate Chemical compound [Ti+4].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O HDUMBHAAKGUHAR-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
- H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G23/00—Compounds of titanium
- C01G23/04—Oxides; Hydroxides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
- H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
- H10K30/151—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/40—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising a p-i-n structure, e.g. having a perovskite absorber between p-type and n-type charge transport layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/84—Layers having high charge carrier mobility
- H10K30/85—Layers having high electron mobility, e.g. electron-transporting layers or hole-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/84—Layers having high charge carrier mobility
- H10K30/86—Layers having high hole mobility, e.g. hole-transporting layers or electron-blocking layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
光透過性電極層、電子輸送層、ペロブスカイト結晶層、ホール輸送層および集電極層をこの順に有するペロブスカイト型太陽電池の光透過性電極層および電子輸送層となる積層体を製造する新規な方法を提供する。上記方法は、Ｔｉ成分を含有する処理液中で、上記光透過性電極層となる部材をカソード分極することにより、上記部材の上に、上記電子輸送層となる酸化チタン層を形成する。
Description
本発明は、積層体の製造方法およびペロブスカイト型太陽電池の製造方法に関する。
従来、ペロブスカイト型太陽電池が知られている（特許文献１を参照）。
ペロブスカイト型太陽電池は、例えば、光透過性電極層、電子輸送層、ペロブスカイト結晶層、ホール輸送層および集電極層をこの順に有する。
ペロブスカイト型太陽電池は、例えば、光透過性電極層、電子輸送層、ペロブスカイト結晶層、ホール輸送層および集電極層をこの順に有する。
上述したように、ペロブスカイト型太陽電池は、例えば、光透過性電極層、電子輸送層、ペロブスカイト結晶層、ホール輸送層および集電極層をこの順に有する。
本発明は、このようなペロブスカイト型太陽電池の光透過性電極層および電子輸送層となる積層体を製造する新規な方法を提供することを目的とする。
本発明は、このようなペロブスカイト型太陽電池の光透過性電極層および電子輸送層となる積層体を製造する新規な方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、鋭意検討した結果、下記構成を採用することにより、上記目的が達成されることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、以下の［１］〜［５］を提供する。
［１］光透過性電極層、電子輸送層、ペロブスカイト結晶層、ホール輸送層および集電極層をこの順に有するペロブスカイト型太陽電池の上記光透過性電極層および上記電子輸送層となる積層体を製造する方法であって、Ｔｉ成分を含有する処理液中で、上記光透過性電極層となる部材をカソード分極することにより、上記部材の上に、上記電子輸送層となる酸化チタン層を形成する、積層体の製造方法。
［２］上記処理液中のＴｉ含有量が、０．００４ｍｏｌ／Ｌ以上１．３００ｍｏｌ／Ｌ以下である、上記［１］に記載の積層体の製造方法。
［３］上記Ｔｉ成分が、六フッ化チタン水素酸、六フッ化チタン酸カリウム、六フッ化チタン酸ナトリウム、六フッ化チタン酸アンモニウム、シュウ酸チタニルアンモニウム、シュウ酸チタニルカリウム二水和物、硫酸チタン、および、チタンラクテートからなる群から選ばれる少なくとも１種である、上記［１］または［２］に記載の積層体の製造方法。
［４］上記光透過性電極層となる部材をカソードとして、０．０１Ａ／ｄｍ２以上１．００Ａ／ｄｍ２未満の電流密度で通電する、上記［１］〜［３］のいずれかに記載の積層体の製造方法。
［５］上記［１］〜［４］のいずれかに記載の積層体の製造方法によって得られた積層体を用いて、光透過性電極層、電子輸送層、ペロブスカイト結晶層、ホール輸送層および集電極層をこの順に有するペロブスカイト型太陽電池を製造する、ペロブスカイト型太陽電池の製造方法。
［１］光透過性電極層、電子輸送層、ペロブスカイト結晶層、ホール輸送層および集電極層をこの順に有するペロブスカイト型太陽電池の上記光透過性電極層および上記電子輸送層となる積層体を製造する方法であって、Ｔｉ成分を含有する処理液中で、上記光透過性電極層となる部材をカソード分極することにより、上記部材の上に、上記電子輸送層となる酸化チタン層を形成する、積層体の製造方法。
［２］上記処理液中のＴｉ含有量が、０．００４ｍｏｌ／Ｌ以上１．３００ｍｏｌ／Ｌ以下である、上記［１］に記載の積層体の製造方法。
［３］上記Ｔｉ成分が、六フッ化チタン水素酸、六フッ化チタン酸カリウム、六フッ化チタン酸ナトリウム、六フッ化チタン酸アンモニウム、シュウ酸チタニルアンモニウム、シュウ酸チタニルカリウム二水和物、硫酸チタン、および、チタンラクテートからなる群から選ばれる少なくとも１種である、上記［１］または［２］に記載の積層体の製造方法。
［４］上記光透過性電極層となる部材をカソードとして、０．０１Ａ／ｄｍ２以上１．００Ａ／ｄｍ２未満の電流密度で通電する、上記［１］〜［３］のいずれかに記載の積層体の製造方法。
［５］上記［１］〜［４］のいずれかに記載の積層体の製造方法によって得られた積層体を用いて、光透過性電極層、電子輸送層、ペロブスカイト結晶層、ホール輸送層および集電極層をこの順に有するペロブスカイト型太陽電池を製造する、ペロブスカイト型太陽電池の製造方法。
本発明によれば、ペロブスカイト型太陽電池の光透過性電極層および電子輸送層となる積層体を製造する新規な方法を提供できる。
［ペロブスカイト型太陽電池］
まず、ペロブスカイト型太陽電池を説明する。
ペロブスカイト型太陽電池は、例えば、光透過性電極層、電子輸送層、ペロブスカイト結晶層、ホール輸送層および集電極層をこの順に有する。
各層の厚さ等は、適宜設定される。
まず、ペロブスカイト型太陽電池を説明する。
ペロブスカイト型太陽電池は、例えば、光透過性電極層、電子輸送層、ペロブスカイト結晶層、ホール輸送層および集電極層をこの順に有する。
各層の厚さ等は、適宜設定される。
光透過性電極層としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜、ＦＴＯ（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ−ｄｏｐｅｄ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜などの導電性金属酸化物の膜が挙げられる。光透過性電極層は、ガラス基板、樹脂フィルムなどの透明性基板の上に配置されていてもよい。
電子輸送層としては、例えば、ｎ型半導体である酸化チタン（ＴｉＯ２）を含有する酸化チタン層が挙げられる。
ペロブスカイト結晶層としては、例えば、金属イオンがドープされた１〜４置換または無置換アンモニウム金属ハロゲン化物を含有する層が挙げられる。
１〜４置換または無置換アンモニウム金属ハロゲン化物を構成する金属としては、ペロブスカイト構造を構成し、ドーピングが可能という観点から、例えば、周期表の１１〜１５族に属する金属が挙げられ、鉛、インジウム、亜鉛、スズ、銀、アンチモン、銅が好ましく、鉛、スズがより好ましく、鉛が更に好ましい。
１〜４置換または無置換アンモニウム金属ハロゲン化物を構成するハロゲンとしては、ヨウ素、塩素、臭素が好ましく、ヨウ素がより好ましい。
このような１〜４置換または無置換アンモニウム金属ハロゲン化物としては、例えば、（ＣＨ３ＮＨ３）ＰｂＩ３、（Ｃ６Ｈ５Ｃ２Ｈ４ＮＨ３）２ＰｂＩ４、（Ｃ１０Ｈ７ＣＨ２ＮＨ３）２ＰｂＩ４、（Ｃ６Ｈ１３ＮＨ３）２ＰｂＩ４などの１置換アンモニウム鉛ハロゲン化物が挙げられ、（ＣＨ３ＮＨ３）ＰｂＩ３が好ましい。
１〜４置換または無置換アンモニウム金属ハロゲン化物にドープされている金属イオンとしては、例えば、周期表の１１〜１５族に属する金属のイオンが挙げられ、インジウムイオン、亜鉛イオン、スズイオン、銀イオン、アンチモンイオン、銅イオン等が好ましく、インジウムイオン、アンチモンイオン等がより好ましい。
金属のドープ量は、１〜４置換または無置換アンモニウム金属ハロゲン化物を構成する金属１モルに対して０．０１〜０．５モルが好ましく、０．０５〜０．２モルがより好ましい。
１〜４置換または無置換アンモニウム金属ハロゲン化物を構成する金属としては、ペロブスカイト構造を構成し、ドーピングが可能という観点から、例えば、周期表の１１〜１５族に属する金属が挙げられ、鉛、インジウム、亜鉛、スズ、銀、アンチモン、銅が好ましく、鉛、スズがより好ましく、鉛が更に好ましい。
１〜４置換または無置換アンモニウム金属ハロゲン化物を構成するハロゲンとしては、ヨウ素、塩素、臭素が好ましく、ヨウ素がより好ましい。
このような１〜４置換または無置換アンモニウム金属ハロゲン化物としては、例えば、（ＣＨ３ＮＨ３）ＰｂＩ３、（Ｃ６Ｈ５Ｃ２Ｈ４ＮＨ３）２ＰｂＩ４、（Ｃ１０Ｈ７ＣＨ２ＮＨ３）２ＰｂＩ４、（Ｃ６Ｈ１３ＮＨ３）２ＰｂＩ４などの１置換アンモニウム鉛ハロゲン化物が挙げられ、（ＣＨ３ＮＨ３）ＰｂＩ３が好ましい。
１〜４置換または無置換アンモニウム金属ハロゲン化物にドープされている金属イオンとしては、例えば、周期表の１１〜１５族に属する金属のイオンが挙げられ、インジウムイオン、亜鉛イオン、スズイオン、銀イオン、アンチモンイオン、銅イオン等が好ましく、インジウムイオン、アンチモンイオン等がより好ましい。
金属のドープ量は、１〜４置換または無置換アンモニウム金属ハロゲン化物を構成する金属１モルに対して０．０１〜０．５モルが好ましく、０．０５〜０．２モルがより好ましい。
ホール輸送層の材料としては、例えば、ヨウ化銅（ＣｕＩ）などのヨウ化物；層状コバルト酸化物などのコバルト錯体；ＣｕＳＣＮ；酸化モリブデン；酸化ニッケル；４ＣｕＢｒ・３Ｓ（Ｃ４Ｈ９）；有機ホール輸送材；等が挙げられる。
集電極層としては、例えば、Ａｕ電極層、Ａｇ電極層、Ａｌ電極層、Ｃａ電極層などが挙げられ、なかでも、Ａｕ電極層が好ましい。
［積層体の製造方法］
本発明の積層体の製造方法は、概略的には、上述したペロブスカイト型太陽電池の光透過性電極層および電子輸送層となる積層体を製造する方法である。
より詳細には、Ｔｉ成分を含有する処理液中で、光透過性電極層となる部材をカソード分極する。すなわち、光透過性電極層となる部材をカソードとして通電する。これにより、光透過性電極層となる部材の上に、電子輸送層となる酸化チタン層を形成する。なお、対極としては、白金電極などの不溶性電極が適している。
本発明の積層体の製造方法は、概略的には、上述したペロブスカイト型太陽電池の光透過性電極層および電子輸送層となる積層体を製造する方法である。
より詳細には、Ｔｉ成分を含有する処理液中で、光透過性電極層となる部材をカソード分極する。すなわち、光透過性電極層となる部材をカソードとして通電する。これにより、光透過性電極層となる部材の上に、電子輸送層となる酸化チタン層を形成する。なお、対極としては、白金電極などの不溶性電極が適している。
酸化チタン層は、以下のように形成されると推測される。まず、光透過性電極層となる部材の表面では、水素発生に伴うｐＨ上昇が生じる。その結果、例えば、処理液中のＴｉ成分が六フッ化チタン水素酸および／またはその塩である場合、処理液中の六フッ化チタン酸イオンが、脱Ｆしながら、水酸化チタンを生じる。この水酸化チタンが、光透過性電極層となる部材の表面に付着し、その後の洗浄、乾燥等による脱水縮合を経て、酸化チタン層が形成されると考えられる。ただし、これ以外のメカニズムであっても本発明の範囲内であるとする。
光透過性電極層となる部材は、導電性を有する部材であることが好ましく、例えば、ＩＴＯ膜、ＦＴＯ膜などの導電性金属酸化物の膜である。
光透過性電極層となる部材は、ガラス基板、樹脂フィルムなどの透明性基板の上に配置されていてもよい。この場合、光透過性電極層となる部材付き透明性基板（例えば、ＦＴＯ膜付きガラス基板）をカソード分極する。この場合、得られる積層体も、更に、この透明性基板を有する。
光透過性電極層となる部材は、ガラス基板、樹脂フィルムなどの透明性基板の上に配置されていてもよい。この場合、光透過性電極層となる部材付き透明性基板（例えば、ＦＴＯ膜付きガラス基板）をカソード分極する。この場合、得られる積層体も、更に、この透明性基板を有する。
処理液は、形成される酸化チタン層にＴｉ（チタニウム元素）を供給するためのＴｉ成分（Ｔｉ化合物）を含有する。
Ｔｉ成分としては、六フッ化チタン水素酸（Ｈ２ＴｉＦ６）、六フッ化チタン酸カリウム（Ｋ２ＴｉＦ６）、六フッ化チタン酸ナトリウム（Ｎａ２ＴｉＦ６）、六フッ化チタン酸アンモニウム（（ＮＨ４）２ＴｉＦ６）、シュウ酸チタニルアンモニウム（（ＮＨ４）２［ＴｉＯ（Ｃ２Ｏ４）２］）、シュウ酸チタニルカリウム二水和物（Ｋ２［ＴｉＯ（Ｃ２Ｏ４）２］・２Ｈ２Ｏ）、硫酸チタン（Ｔｉ（ＳＯ４）２）、および、チタンラクテート（Ｔｉ（ＯＨ）２［ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＯＯＨ］２）からなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。
これらのうち、処理液の安定性、入手の容易性などの観点から、六フッ化チタン水素酸および／またはその塩（六フッ化チタン酸カリウム、六フッ化チタン酸ナトリウム、六フッ化チタン酸アンモニウム）が好ましい。
処理液中のＴｉ含有量は、０．００４ｍｏｌ／Ｌ以上が好ましく、０．０１０ｍｏｌ／Ｌ以上がより好ましく、０．０２０ｍｏｌ／Ｌ以上が更に好ましい。
一方、処理液中のＴｉ含有量は、１．３００ｍｏｌ／Ｌ以下が好ましく、１．０００ｍｏｌ／Ｌ以下がより好ましく、０．７００ｍｏｌ／Ｌ以下が更に好ましく、０．３００ｍｏｌ／Ｌ以下が特に好ましく、０．１５０ｍｏｌ／Ｌ以下が最も好ましい。
Ｔｉ成分としては、六フッ化チタン水素酸（Ｈ２ＴｉＦ６）、六フッ化チタン酸カリウム（Ｋ２ＴｉＦ６）、六フッ化チタン酸ナトリウム（Ｎａ２ＴｉＦ６）、六フッ化チタン酸アンモニウム（（ＮＨ４）２ＴｉＦ６）、シュウ酸チタニルアンモニウム（（ＮＨ４）２［ＴｉＯ（Ｃ２Ｏ４）２］）、シュウ酸チタニルカリウム二水和物（Ｋ２［ＴｉＯ（Ｃ２Ｏ４）２］・２Ｈ２Ｏ）、硫酸チタン（Ｔｉ（ＳＯ４）２）、および、チタンラクテート（Ｔｉ（ＯＨ）２［ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＯＯＨ］２）からなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。
これらのうち、処理液の安定性、入手の容易性などの観点から、六フッ化チタン水素酸および／またはその塩（六フッ化チタン酸カリウム、六フッ化チタン酸ナトリウム、六フッ化チタン酸アンモニウム）が好ましい。
処理液中のＴｉ含有量は、０．００４ｍｏｌ／Ｌ以上が好ましく、０．０１０ｍｏｌ／Ｌ以上がより好ましく、０．０２０ｍｏｌ／Ｌ以上が更に好ましい。
一方、処理液中のＴｉ含有量は、１．３００ｍｏｌ／Ｌ以下が好ましく、１．０００ｍｏｌ／Ｌ以下がより好ましく、０．７００ｍｏｌ／Ｌ以下が更に好ましく、０．３００ｍｏｌ／Ｌ以下が特に好ましく、０．１５０ｍｏｌ／Ｌ以下が最も好ましい。
処理液の溶媒としては、水が使用される。
処理液のｐＨは、特に限定されず、例えば、ｐＨ２．０〜５．０である。ｐＨの調整には公知の酸成分（例えば、リン酸、硫酸など）、または、アルカリ成分（例えば、水酸化ナトリウム、アンモニア水など）を使用できる。
処理液には、必要に応じて、ラウリル硫酸ナトリウム、アセチレングリコールなどの界面活性剤が含まれていてもよい。付着挙動の経時的な安定性の観点から、処理液には、ピロリン酸塩などの縮合リン酸塩が含まれていてもよい。
処理液の液温は、２０〜８０℃が好ましく、４０〜６０℃がより好ましい。
処理液のｐＨは、特に限定されず、例えば、ｐＨ２．０〜５．０である。ｐＨの調整には公知の酸成分（例えば、リン酸、硫酸など）、または、アルカリ成分（例えば、水酸化ナトリウム、アンモニア水など）を使用できる。
処理液には、必要に応じて、ラウリル硫酸ナトリウム、アセチレングリコールなどの界面活性剤が含まれていてもよい。付着挙動の経時的な安定性の観点から、処理液には、ピロリン酸塩などの縮合リン酸塩が含まれていてもよい。
処理液の液温は、２０〜８０℃が好ましく、４０〜６０℃がより好ましい。
処理液は、更に、伝導助剤を含有していてもよい。
伝導助剤としては、例えば、硫酸カリウム、硫酸ナトリウム、硫酸マグネシウム、硫酸カルシウムなどの硫酸塩；硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、硝酸マグネシウム、硝酸カルシウムなどの硝酸塩；塩化カリウム、塩化ナトリウム、塩化マグネシウム、塩化カルシウムなどの塩化物塩；等が挙げられる。
処理液中の伝導助剤の含有量は、０．０１０〜１．０００ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．０２０〜０．５００ｍｏｌ／Ｌがより好ましい。
伝導助剤としては、例えば、硫酸カリウム、硫酸ナトリウム、硫酸マグネシウム、硫酸カルシウムなどの硫酸塩；硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、硝酸マグネシウム、硝酸カルシウムなどの硝酸塩；塩化カリウム、塩化ナトリウム、塩化マグネシウム、塩化カルシウムなどの塩化物塩；等が挙げられる。
処理液中の伝導助剤の含有量は、０．０１０〜１．０００ｍｏｌ／Ｌが好ましく、０．０２０〜０．５００ｍｏｌ／Ｌがより好ましい。
カソード分極を施す際の電流密度は、０．０１Ａ／ｄｍ２以上が好ましく、０．１０Ａ／ｄｍ２以上がより好ましく、０．２０Ａ／ｄｍ２以上が更に好ましい。
一方、カソード分極を施す際の電流密度は、１．００Ａ／ｄｍ２未満が好ましく、０．８０Ａ／ｄｍ２以下がより好ましく、０．６０Ａ／ｄｍ２以下が更に好ましい。
通電時間は、適宜設定され、例えば、５〜６０秒であり、１０〜４０秒が好ましい。
一方、カソード分極を施す際の電流密度は、１．００Ａ／ｄｍ２未満が好ましく、０．８０Ａ／ｄｍ２以下がより好ましく、０．６０Ａ／ｄｍ２以下が更に好ましい。
通電時間は、適宜設定され、例えば、５〜６０秒であり、１０〜４０秒が好ましい。
カソード分極の後に、水洗を施してもよい。
水洗の方法は特に限定されず、例えば、カソード分極の後に水に浸漬する方法などが挙げられる。水洗に用いる水の温度（水温）は、４０〜９０℃が好ましい。
水洗時間は、０．５秒超が好ましく、１．０〜５．０秒が好ましい。
更に、水洗に代えて、または、水洗の後に、乾燥を行なってもよい。乾燥の際の温度および方式は特に限定されず、例えば、通常のドライヤまたは電気炉を用いた乾燥方式が適用できる。乾燥温度は、１００℃以下が好ましい。
水洗の方法は特に限定されず、例えば、カソード分極の後に水に浸漬する方法などが挙げられる。水洗に用いる水の温度（水温）は、４０〜９０℃が好ましい。
水洗時間は、０．５秒超が好ましく、１．０〜５．０秒が好ましい。
更に、水洗に代えて、または、水洗の後に、乾燥を行なってもよい。乾燥の際の温度および方式は特に限定されず、例えば、通常のドライヤまたは電気炉を用いた乾燥方式が適用できる。乾燥温度は、１００℃以下が好ましい。
［ペロブスカイト型太陽電池の製造方法］
本発明のペロブスカイト型太陽電池の製造方法は、上述した本発明の積層体の製造方法によって得られた積層体を用いて、光透過性電極層、電子輸送層、ペロブスカイト結晶層、ホール輸送層および集電極層をこの順に有するペロブスカイト型太陽電池を製造する方法である。
例えば、本発明の積層体の製造方法によって得られた積層体における電子輸送層となる酸化チタン層の上に、ペロブスカイト結晶層、ホール輸送層および集電極層となる層を順次形成する。
ペロブスカイト結晶層は、例えば、Ｉｎイオンがドープされた（ＣＨ３ＮＨ３）ＰｂＩ３を含有する層である場合、まず、ＰｂＩ２およびＩｎＣｌ３を、ＰｂとＩｎとのモル比が所望のドープ量になるように混合した混合溶液を、電子輸送層となる酸化チタン層の上に、スピンコーティング法などにより成膜し、乾燥する。次いで、ＣＨ３ＮＨ３Ｉの溶液中に浸漬させ、乾燥する。混合溶液および溶液の溶媒としては、例えば、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、イソプロパノールなどの極性溶媒が挙げられる。乾燥および浸漬の温度および時間などは、適宜設定される。
ホール輸送層は、例えば、ペロブスカイト結晶層の上に、ホール輸送層の材料の溶液を滴下して表面を均す操作を繰り返すことにより形成する。溶液の溶媒としては、例えば、ｎ−プロピルスルフィド等の有機溶媒が挙げられる。
集電極層は、例えば、ホール輸送層の上に、Ａｕなどの金属を蒸着することにより形成する。
各層を形成する方法は、これらの方法に限定されず、従来公知の方法を適宜用いることができる。
本発明のペロブスカイト型太陽電池の製造方法は、上述した本発明の積層体の製造方法によって得られた積層体を用いて、光透過性電極層、電子輸送層、ペロブスカイト結晶層、ホール輸送層および集電極層をこの順に有するペロブスカイト型太陽電池を製造する方法である。
例えば、本発明の積層体の製造方法によって得られた積層体における電子輸送層となる酸化チタン層の上に、ペロブスカイト結晶層、ホール輸送層および集電極層となる層を順次形成する。
ペロブスカイト結晶層は、例えば、Ｉｎイオンがドープされた（ＣＨ３ＮＨ３）ＰｂＩ３を含有する層である場合、まず、ＰｂＩ２およびＩｎＣｌ３を、ＰｂとＩｎとのモル比が所望のドープ量になるように混合した混合溶液を、電子輸送層となる酸化チタン層の上に、スピンコーティング法などにより成膜し、乾燥する。次いで、ＣＨ３ＮＨ３Ｉの溶液中に浸漬させ、乾燥する。混合溶液および溶液の溶媒としては、例えば、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、イソプロパノールなどの極性溶媒が挙げられる。乾燥および浸漬の温度および時間などは、適宜設定される。
ホール輸送層は、例えば、ペロブスカイト結晶層の上に、ホール輸送層の材料の溶液を滴下して表面を均す操作を繰り返すことにより形成する。溶液の溶媒としては、例えば、ｎ−プロピルスルフィド等の有機溶媒が挙げられる。
集電極層は、例えば、ホール輸送層の上に、Ａｕなどの金属を蒸着することにより形成する。
各層を形成する方法は、これらの方法に限定されず、従来公知の方法を適宜用いることができる。
以下に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
〈光透過性電極層となる部材の準備〉
ガラス基板（３０ｍｍ×３５ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ）の一方の面上にスパッタリングによってＦＴＯ（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ−ｄｏｐｅｄ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜が積層されたＦＴＯ膜付きガラス基板（イデアルスター社製）を準備した。このＦＴＯ膜付きガラス基板を、光透過性電極層となる部材付き透明性基板として用いた。
ガラス基板（３０ｍｍ×３５ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ）の一方の面上にスパッタリングによってＦＴＯ（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ−ｄｏｐｅｄ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜が積層されたＦＴＯ膜付きガラス基板（イデアルスター社製）を準備した。このＦＴＯ膜付きガラス基板を、光透過性電極層となる部材付き透明性基板として用いた。
〈光透過性電極層および電子輸送層となる積層体の作製〉
準備したＦＴＯ膜付きガラス基板（光透過性電極層となる部材付き透明性基板）を用いて、次のように、光透過性電極層および電子輸送層となる積層体を作製した。
まず、０．０４０ｍｏｌ／Ｌの六フッ化チタン酸カリウム（Ｋ２ＴｉＦ６）および０．１０ｍｏｌ／Ｌの硫酸カリウム（Ｋ２ＳＯ４）を含有し、水酸化カリウムにてｐＨを４．０に調整した処理液（以下、単に「処理液」と略記する）を調製した。
次に、準備したＦＴＯ膜付きガラス基板を、セミクリーンＭ４（横浜油脂工業社製）をイオン交換水で２０倍希釈した洗浄液中に浸漬させて、１０分間の超音波洗浄を行なった。その後、ＦＴＯ膜付きガラス基板を、洗浄液から取り出し、イオン交換水に浸漬させて、１０分間の超音波洗浄を行なった。
洗浄したＦＴＯ膜付きガラス基板を、調製した処理液（液温：５０℃）に浸漬させた。処理液中で、ＦＴＯ膜付きガラス基板を、電流密度０．４０Ａ／ｄｍ２、通電時間２０秒の条件で、カソード分極した。その後、２５℃の水槽に２．０秒浸漬させて水洗した後、ブロアを用いて室温で乾燥した。これにより、ＦＴＯ膜付きガラス基板のＦＴＯ膜上に、電子輸送層となる酸化チタン層を、厚さ約５０ｎｍで形成した。こうして、酸化チタン層を形成したＦＴＯ膜付きガラス基板（光透過性電極層および電子輸送層となる積層体）を作製した。
準備したＦＴＯ膜付きガラス基板（光透過性電極層となる部材付き透明性基板）を用いて、次のように、光透過性電極層および電子輸送層となる積層体を作製した。
まず、０．０４０ｍｏｌ／Ｌの六フッ化チタン酸カリウム（Ｋ２ＴｉＦ６）および０．１０ｍｏｌ／Ｌの硫酸カリウム（Ｋ２ＳＯ４）を含有し、水酸化カリウムにてｐＨを４．０に調整した処理液（以下、単に「処理液」と略記する）を調製した。
次に、準備したＦＴＯ膜付きガラス基板を、セミクリーンＭ４（横浜油脂工業社製）をイオン交換水で２０倍希釈した洗浄液中に浸漬させて、１０分間の超音波洗浄を行なった。その後、ＦＴＯ膜付きガラス基板を、洗浄液から取り出し、イオン交換水に浸漬させて、１０分間の超音波洗浄を行なった。
洗浄したＦＴＯ膜付きガラス基板を、調製した処理液（液温：５０℃）に浸漬させた。処理液中で、ＦＴＯ膜付きガラス基板を、電流密度０．４０Ａ／ｄｍ２、通電時間２０秒の条件で、カソード分極した。その後、２５℃の水槽に２．０秒浸漬させて水洗した後、ブロアを用いて室温で乾燥した。これにより、ＦＴＯ膜付きガラス基板のＦＴＯ膜上に、電子輸送層となる酸化チタン層を、厚さ約５０ｎｍで形成した。こうして、酸化チタン層を形成したＦＴＯ膜付きガラス基板（光透過性電極層および電子輸送層となる積層体）を作製した。
〈ペロブスカイト型太陽電池の作製〉
作製した積層体を用いて、以下のようにして、ペロブスカイト型太陽電池を作製した。
作製した積層体を用いて、以下のようにして、ペロブスカイト型太陽電池を作製した。
《ペロブスカイト結晶層の形成》
まず、Ｐｂ濃度を０．９ｍｏｌ／Ｌ、Ｉｎ濃度を０．１ｍｏｌ／Ｌに調整したＰｂＩ２−ＩｎＣｌ３混合溶液を調製した。また、１０ｍｇ／ｍｇのＣＨ３ＮＨ３Ｉのイソプロパノール溶液を調製した。
室温にて、酸化チタン層を形成したＦＴＯ膜付きガラス基板の上に、上記調製したＰｂＩ２−ＩｎＣｌ３混合溶液をスピンコーティングすることにより成膜し、７０℃で３０分間加熱乾燥し、放冷して、ＩｎドープＰｂＩ３層を形成した。これを、上記調製したＣＨ３ＮＨ３Ｉのイソプロパノール溶液に、室温にて２０秒間浸漬させ、その後直ちにリンスを行なうためにイソプロパノールに１分間浸漬させ、更に、スピンコートにより余分な溶液を除去した。次いで、７０℃で３０分間加熱乾燥し、放冷し、その後、エアースプレーガンで余分な溶液を除去した。これにより、酸化チタン層の上に、Ｉｎドープ（ＣＨ３ＮＨ３）ＰｂＩ３層（ペロブスカイト結晶層）を形成した。
まず、Ｐｂ濃度を０．９ｍｏｌ／Ｌ、Ｉｎ濃度を０．１ｍｏｌ／Ｌに調整したＰｂＩ２−ＩｎＣｌ３混合溶液を調製した。また、１０ｍｇ／ｍｇのＣＨ３ＮＨ３Ｉのイソプロパノール溶液を調製した。
室温にて、酸化チタン層を形成したＦＴＯ膜付きガラス基板の上に、上記調製したＰｂＩ２−ＩｎＣｌ３混合溶液をスピンコーティングすることにより成膜し、７０℃で３０分間加熱乾燥し、放冷して、ＩｎドープＰｂＩ３層を形成した。これを、上記調製したＣＨ３ＮＨ３Ｉのイソプロパノール溶液に、室温にて２０秒間浸漬させ、その後直ちにリンスを行なうためにイソプロパノールに１分間浸漬させ、更に、スピンコートにより余分な溶液を除去した。次いで、７０℃で３０分間加熱乾燥し、放冷し、その後、エアースプレーガンで余分な溶液を除去した。これにより、酸化チタン層の上に、Ｉｎドープ（ＣＨ３ＮＨ３）ＰｂＩ３層（ペロブスカイト結晶層）を形成した。
《ホール輸送層の形成》
Ｉｎドープ（ＣＨ３ＮＨ３）ＰｂＩ３層および酸化チタン層を形成したＦＴＯ膜付きガラス基板を６５℃のホットプレートに載せた。この状態で、Ｉｎドープ（ＣＨ３ＮＨ３）ＰｂＩ３層の上に、ＣｕＳＣＮ濃度が０．０５ｍｏｌ／Ｌであるｎ−プロピルスルフィド溶液を、一滴滴下して、ガラス棒で表面を均す操作を３０回繰り返して、ＣｕＳＣＮ層（ホール輸送層）を厚さ０．５〜２μｍで形成した。
Ｉｎドープ（ＣＨ３ＮＨ３）ＰｂＩ３層および酸化チタン層を形成したＦＴＯ膜付きガラス基板を６５℃のホットプレートに載せた。この状態で、Ｉｎドープ（ＣＨ３ＮＨ３）ＰｂＩ３層の上に、ＣｕＳＣＮ濃度が０．０５ｍｏｌ／Ｌであるｎ−プロピルスルフィド溶液を、一滴滴下して、ガラス棒で表面を均す操作を３０回繰り返して、ＣｕＳＣＮ層（ホール輸送層）を厚さ０．５〜２μｍで形成した。
《集電極層の形成》
ＣｕＳＣＮ層（ホール輸送層）の上に、Ａｕ電極層（集電極層）を蒸着法により形成した。より詳細には、電極形状に対応するシャドウマスクおよびホール輸送層までが形成されたガラス基板を、チャンバー内に設置した。減圧にしたチャンバー内で金線を抵抗加熱し、シャドウマスクを介して、ホール輸送層の上に金を成膜した。
ＣｕＳＣＮ層（ホール輸送層）の上に、Ａｕ電極層（集電極層）を蒸着法により形成した。より詳細には、電極形状に対応するシャドウマスクおよびホール輸送層までが形成されたガラス基板を、チャンバー内に設置した。減圧にしたチャンバー内で金線を抵抗加熱し、シャドウマスクを介して、ホール輸送層の上に金を成膜した。
このようにして、ガラス基板の一方の面上に、ＦＴＯ膜（光透過性電極層）、酸化チタン層（電子輸送層）、Ｉｎドープ（ＣＨ３ＮＨ３）ＰｂＩ３層（ペロブスカイト結晶層）、ＣｕＳＣＮ層（ホール輸送層）およびＡｕ電極層（集電極層）がこの順に積層された、ペロブスカイト型太陽電池を作製した。
〈ペロブスカイト型太陽電池の評価〉
作製したペロブスカイト型太陽電池に対して、次の評価を行なった。
太陽擬似光源装置（ＳＡＮ−ＥＩ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ社製、ＸＥＳ−５０２Ｓ）を用いて、ＡＭ１．５Ｇのスペクトル分布を有し、１００ｍＷ／ｃｍ２の光強度を有する擬似太陽光を、ペロブスカイト型太陽電池に対してＦＴＯ膜側から照射した。この状態で、リニアスイープボルタンメトリー（ＬＳＶ）測定装置（Ｈｏｋｕｔｏ Ｄｅｎｋｏ社製、ＨＺ−５０００）を用いて、ペロブスカイト型太陽電池の光電流−電圧プロフィールを測定した。
このプロフィールから、短絡電流（絶対値、Ｊｓｃ）：８．３９ｍＡ／ｃｍ２、開放電圧（Ｖｏｃ）：０．５４０Ｖ、曲線因子（ＦＦ）：０．５７、および、エネルギー変換効率（ＰＣＥ）：２．５９％が算出された。
作製したペロブスカイト型太陽電池に対して、次の評価を行なった。
太陽擬似光源装置（ＳＡＮ−ＥＩ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ社製、ＸＥＳ−５０２Ｓ）を用いて、ＡＭ１．５Ｇのスペクトル分布を有し、１００ｍＷ／ｃｍ２の光強度を有する擬似太陽光を、ペロブスカイト型太陽電池に対してＦＴＯ膜側から照射した。この状態で、リニアスイープボルタンメトリー（ＬＳＶ）測定装置（Ｈｏｋｕｔｏ Ｄｅｎｋｏ社製、ＨＺ−５０００）を用いて、ペロブスカイト型太陽電池の光電流−電圧プロフィールを測定した。
このプロフィールから、短絡電流（絶対値、Ｊｓｃ）：８．３９ｍＡ／ｃｍ２、開放電圧（Ｖｏｃ）：０．５４０Ｖ、曲線因子（ＦＦ）：０．５７、および、エネルギー変換効率（ＰＣＥ）：２．５９％が算出された。
Claims (5)
- 光透過性電極層、電子輸送層、ペロブスカイト結晶層、ホール輸送層および集電極層をこの順に有するペロブスカイト型太陽電池の前記光透過性電極層および前記電子輸送層となる積層体を製造する方法であって、
Ｔｉ成分を含有する処理液中で、前記光透過性電極層となる部材をカソード分極することにより、前記部材の上に、前記電子輸送層となる酸化チタン層を形成する、積層体の製造方法。 - 前記処理液中のＴｉ含有量が、０．００４ｍｏｌ／Ｌ以上１．３００ｍｏｌ／Ｌ以下である、請求項１に記載の積層体の製造方法。
- 前記Ｔｉ成分が、六フッ化チタン水素酸、六フッ化チタン酸カリウム、六フッ化チタン酸ナトリウム、六フッ化チタン酸アンモニウム、シュウ酸チタニルアンモニウム、シュウ酸チタニルカリウム二水和物、硫酸チタン、および、チタンラクテートからなる群から選ばれる少なくとも１種である、請求項１または２に記載の積層体の製造方法。
- 前記光透過性電極層となる部材をカソードとして、０．０１Ａ／ｄｍ２以上１．００Ａ／ｄｍ２未満の電流密度で通電する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層体の製造方法。
- 請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層体の製造方法によって得られた積層体を用いて、光透過性電極層、電子輸送層、ペロブスカイト結晶層、ホール輸送層および集電極層をこの順に有するペロブスカイト型太陽電池を製造する、ペロブスカイト型太陽電池の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018232670 | 2018-12-12 | ||
| JP2018232670 | 2018-12-12 | ||
| PCT/JP2019/047996 WO2020121991A1 (ja) | 2018-12-12 | 2019-12-09 | 積層体の製造方法およびペロブスカイト型太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2020121991A1 true JPWO2020121991A1 (ja) | 2021-02-15 |
| JP6897872B2 JP6897872B2 (ja) | 2021-07-07 |
Family
ID=71076357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020517229A Active JP6897872B2 (ja) | 2018-12-12 | 2019-12-09 | 積層体の製造方法およびペロブスカイト型太陽電池の製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11856807B2 (ja) |
| EP (1) | EP3896751A4 (ja) |
| JP (1) | JP6897872B2 (ja) |
| KR (1) | KR102639857B1 (ja) |
| CN (1) | CN113228324A (ja) |
| TW (1) | TWI719752B (ja) |
| WO (1) | WO2020121991A1 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100290974A1 (en) * | 2009-05-12 | 2010-11-18 | Hu chi-chang | Titanium dioxide coating method and the electrolyte used therein |
| JP2015535390A (ja) * | 2012-09-18 | 2015-12-10 | イシス イノベイション リミテッド | 光電子素子 |
| JP2017082295A (ja) * | 2015-10-29 | 2017-05-18 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 容器用鋼板の製造方法および容器用鋼板の製造装置 |
| WO2018225861A1 (ja) * | 2017-06-09 | 2018-12-13 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 多層構造体および多層構造体の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006073488A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Erekuseru Kk | 色素増感太陽電池及びその製造方法 |
| US20130327386A1 (en) | 2012-06-11 | 2013-12-12 | Tao Xu | Three-dimensional photovoltaic device |
| JP6304980B2 (ja) | 2013-09-10 | 2018-04-04 | 大阪瓦斯株式会社 | ペロブスカイト系材料を用いた光電変換装置 |
| TWI523244B (zh) | 2014-03-31 | 2016-02-21 | Nat Univ Chung Hsing | Semiconductor photovoltaic element and manufacturing method thereof |
-
2019
- 2019-12-09 EP EP19895265.7A patent/EP3896751A4/en active Pending
- 2019-12-09 CN CN201980081298.4A patent/CN113228324A/zh active Pending
- 2019-12-09 WO PCT/JP2019/047996 patent/WO2020121991A1/ja unknown
- 2019-12-09 KR KR1020217016993A patent/KR102639857B1/ko active IP Right Grant
- 2019-12-09 JP JP2020517229A patent/JP6897872B2/ja active Active
- 2019-12-09 US US17/297,160 patent/US11856807B2/en active Active
- 2019-12-11 TW TW108145356A patent/TWI719752B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100290974A1 (en) * | 2009-05-12 | 2010-11-18 | Hu chi-chang | Titanium dioxide coating method and the electrolyte used therein |
| JP2015535390A (ja) * | 2012-09-18 | 2015-12-10 | イシス イノベイション リミテッド | 光電子素子 |
| JP2017082295A (ja) * | 2015-10-29 | 2017-05-18 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 容器用鋼板の製造方法および容器用鋼板の製造装置 |
| WO2018225861A1 (ja) * | 2017-06-09 | 2018-12-13 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 多層構造体および多層構造体の製造方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| CHIGANE, M. ET AL.: "Preparation of Hollow Titanium Dioxide Shell Thin Films by Electrophoresis and Electrolysis for Dye-", ELECTROCHEMICAL AND SOLID-STATE LETTERS, vol. 12, no. 5, JPN7020000328, 27 February 2009 (2009-02-27), pages 5 - 8, ISSN: 0004437869 * |
| CHIGANE, M. ET AL.: "Titanium dioxide thin films prepared by electrolysis from aqueous solution of titanium-lactic acid c", THIN SOLID FILMS, vol. 520, JPN6020004674, 8 January 2012 (2012-01-08), pages 3510 - 3514, XP028458420, ISSN: 0004437868, DOI: 10.1016/j.tsf.2011.12.072 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3896751A1 (en) | 2021-10-20 |
| KR102639857B1 (ko) | 2024-02-23 |
| TW202038491A (zh) | 2020-10-16 |
| EP3896751A4 (en) | 2022-03-09 |
| US11856807B2 (en) | 2023-12-26 |
| JP6897872B2 (ja) | 2021-07-07 |
| TWI719752B (zh) | 2021-02-21 |
| CN113228324A (zh) | 2021-08-06 |
| WO2020121991A1 (ja) | 2020-06-18 |
| US20220029117A1 (en) | 2022-01-27 |
| KR20210087505A (ko) | 2021-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6128900B2 (ja) | 無機ホール輸送材を使用したペロブスカイト系光電変換装置 | |
| JP6141054B2 (ja) | 有機−無機ナノハイブリッド光電変換装置 | |
| JP6304980B2 (ja) | ペロブスカイト系材料を用いた光電変換装置 | |
| US11101079B2 (en) | Solar cell and solar cell manufacturing method | |
| KR20180083823A (ko) | 페로브스카이트 기반의 태양전지 및 그의 제조방법 | |
| JP6897872B2 (ja) | 積層体の製造方法およびペロブスカイト型太陽電池の製造方法 | |
| TWI717144B (zh) | 積層體、有機薄膜太陽電池、積層體之製造方法及有機薄膜太陽電池之製造方法 | |
| JP6897871B2 (ja) | 積層体の製造方法および色素増感太陽電池の製造方法 | |
| JP6906210B2 (ja) | 積層体、有機薄膜太陽電池、積層体の製造方法および有機薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP6259685B2 (ja) | 半導体形成用塗布液、半導体薄膜、薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200324 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210202 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210318 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210511 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210524 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6897872 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |