JPWO2020085325A1 - カートリッジメモリおよびその制御方法、カートリッジならびに記録再生システム - Google Patents
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Abstract
カートリッジメモリは、記録媒体カートリッジに用いられるカートリッジメモリであって、電磁誘導により誘起電圧を誘起するアンテナ部と、負荷の大きさが可変である負荷変調部と、誘起電圧を測定し、測定した誘起電圧に応じて負荷変調部を制御する制御部とを備える。【選択図】図４
Description
本開示は、カートリッジメモリおよびその制御方法、カートリッジならびに記録再生システムに関する。
電子データの保存のために、磁気記録媒体が広く利用されている。特にデータ単位容量あたりのコストが安い磁気テープは再注目されており、クラウドストレージサービスで用いられる記録媒体として、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）と共にデータセンター等で活用されている。
磁気テープはLinier Tape Open（ＬＴＯ）Ultrium規格の磁気テープが広く普及している。LTO Ultium規格のテープカートリッジには、カートリッジメモリ（Cartridge Memory：ＣＭ）と呼ばれるＲＦ無線通信を用いた非接触型の不揮発性メモリが内臓されている（例えば特許文献１参照）。カートリッジメモリには、例えば、製造情報、ドライブ使用履歴、ベンダー固有の管理情報等のデータが書き込まれる。カートリッジがドライブにロードされた後、ドライブがカートリッジメモリから上記のデータを読み取ることで、わずかな時間でカートリッジの使用状況等を調べることが可能となっている。
しかしながら、ドライブ等の記録再生装置が有するアンテナの形状は、メーカーにより異なっている。また、カートリッジメモリに対するアンテナの位置も、記録再生装置のメーカーにより異なっている。このため、記録再生装置によっては、ヌル点が発生したり、消費電力が低下したりすることがで、安定した通信ができなくなる虞がある。
本開示の目的は、安定した通信を行うことができるカートリッジメモリおよびその制御方法、カートリッジならびに記録再生システムを提供することにある。
上述の課題を解決するために、第１の開示は、記録媒体カートリッジに用いられるカートリッジメモリであって、電磁誘導により誘起電圧を誘起するアンテナ部と、負荷の大きさが可変である負荷変調部と、誘起電圧を測定し、測定した誘起電圧に応じて負荷変調部を制御する制御部とを備えるカートリッジメモリである。
第２の開示は、第１の開示のカートリッジメモリを備える記録媒体カートリッジである。
第３の開示は、第１の開示のカートリッジメモリを備える記録媒体カートリッジと、記録媒体カートリッジの記録再生を行う記録再生装置とを備える記録再生システムである。
第４の開示は、記録媒体カートリッジに用いられるカートリッジメモリの制御方法であって、アンテナコイルに誘起された誘起電圧を測定し、測定した誘起電圧に応じて負荷変調を制御するカートリッジメモリの制御方法である。
本開示の実施形態について以下の順序で説明する。
１ 第１の実施形態（記録再生システム、カートリッジおよびカートリッジメモリの例）
２ 第２の実施形態（カートリッジメモリの例）
１ 第１の実施形態（記録再生システム、カートリッジおよびカートリッジメモリの例）
２ 第２の実施形態（カートリッジメモリの例）
＜１ 第１の実施形態＞
［記録再生システムの構成］
図１は、本開示の一実施形態に係る記録再生システム１００の構成の一例を示す。記録再生システム１００は、磁気テープ記録再生システムであり、磁気テープＭＴおよびカートリッジメモリ１１を有するカートリッジ１０と、カートリッジ１０をロードおよびアンロード可能に構成された記録再生装置２０とを備える。
［記録再生システムの構成］
図１は、本開示の一実施形態に係る記録再生システム１００の構成の一例を示す。記録再生システム１００は、磁気テープ記録再生システムであり、磁気テープＭＴおよびカートリッジメモリ１１を有するカートリッジ１０と、カートリッジ１０をロードおよびアンロード可能に構成された記録再生装置２０とを備える。
［記録再生装置の構成］
記録再生装置２０は、いわゆる磁気テープドライブであり、通信部としてのリーダライタ２１と、記録再生部２２と、制御部としてのシステムコントローラ２３と、インタフェース２４とを備える。記録再生装置２０は、インタフェース２４を介して外部コンピュータ２００に対して接続されている。
記録再生装置２０は、いわゆる磁気テープドライブであり、通信部としてのリーダライタ２１と、記録再生部２２と、制御部としてのシステムコントローラ２３と、インタフェース２４とを備える。記録再生装置２０は、インタフェース２４を介して外部コンピュータ２００に対して接続されている。
リーダライタ２１は、規定の無線通信規格でカートリッジメモリ１１と通信を行う。ここで、規定の通信規格は、例えば、ＬＴＯ（Linear Tape-Open）規格でカートリッジメモリ１１用に定められている通信規格（以下「ＬＴＯ規定の通信規格」という。）である。
ＬＴＯ規格の通信規格は、ISO14443-2のTypeA方式（NXP）をベースにＬＴＯ用にカスタマイズされた近距離無線通信規格である。なお、ＬＴＯ規格は、ＬＴＯ１〜８のいずれの規格であってもよいし、今後策定が見込まれるＬＴＯ９以降の規格であってもよい。
記録再生部２２は、磁気テープＭＴを走行させるためのモータ（図示せず）、およびヘッドユニット（図示せず）等を備え、磁気テープＭＴに対するデータの記録および再生を行う。
システムコントローラ２３は、リーダライタ２１や記録再生部２２等の記録再生装置２０の各部を制御する。システムコントローラ２３は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）およびＲＡＭ（Random Access Memory）等を備える。
インタフェース２４は、記録再生部２２および外部コンピュータ２００と接続されている。記録再生部２２によって磁気テープＭＴから読み出された信号は、インタフェース２４を介して外部コンピュータ２００に出力される。一方、記録再生部２２によって磁気テープＭＴに記録される信号は、インタフェース２４を介して外部コンピュータ２００から供給される。
インタフェース２４がリーダライタ２１と接続されていてもよい。この場合には、インタフェース２４と接続された外部コンピュータ２００からの操作入力により、リーダライタ２１の制御が行われる構成とすることができる。
［カートリッジの構成］
図２は、カートリッジ１０の構成の一例を示す。カートリッジ１０は、ＬＴＯ規格に準拠した磁気テープカートリッジ（記録媒体カートリッジ）であり、下シェル１２Ａと上シェル１２Ｂとで構成されるカートリッジケース１２の内部に、磁気テープＭＴが巻かれたリール１３と、リール１３の回転をロックするためのリールロック１４およびリールスプリング１５と、リール１３のロック状態を解除するためのスパイダ１６と、下シェル１２Ａと上シェル１２Ｂに跨ってカートリッジケース１２に設けられたテープ引出口１２Ｃを開閉するスライドドア１７と、スライドドア１７をテープ引出口１２Ｃの閉位置に付勢するドアスプリング１８と、誤消去を防止するためのライトプロテクト１９と、カートリッジメモリ１１とを備える。リール１３は、中心部に開口を有する略円盤状であって、プラスチック等の硬質の材料からなるリールハブ１３Ａとフランジ１３Ｂとにより構成される。
図２は、カートリッジ１０の構成の一例を示す。カートリッジ１０は、ＬＴＯ規格に準拠した磁気テープカートリッジ（記録媒体カートリッジ）であり、下シェル１２Ａと上シェル１２Ｂとで構成されるカートリッジケース１２の内部に、磁気テープＭＴが巻かれたリール１３と、リール１３の回転をロックするためのリールロック１４およびリールスプリング１５と、リール１３のロック状態を解除するためのスパイダ１６と、下シェル１２Ａと上シェル１２Ｂに跨ってカートリッジケース１２に設けられたテープ引出口１２Ｃを開閉するスライドドア１７と、スライドドア１７をテープ引出口１２Ｃの閉位置に付勢するドアスプリング１８と、誤消去を防止するためのライトプロテクト１９と、カートリッジメモリ１１とを備える。リール１３は、中心部に開口を有する略円盤状であって、プラスチック等の硬質の材料からなるリールハブ１３Ａとフランジ１３Ｂとにより構成される。
カートリッジメモリ１１は、カートリッジ１０の１つの角部の近傍に設けられている。カートリッジ１０が記録再生装置２０にロードされた状態において、カートリッジメモリ１１は、記録再生装置２０のリーダライタ２１と対向するようになっている。カートリッジメモリ１１は、上述のように規定の無線通信規格でリーダライタ２１、すなわち記録再生装置２０と通信を行う。
［磁気テープの構成］
図３は、磁気テープＭＴの構成の一例を示す。磁気テープＭＴは、いわゆる塗布型の磁気テープであって、長尺状の基体３１と、基体３１の一方の主面上に設けられた下地層３２と、下地層３２上に設けられた磁性層３３とを備える。なお、下地層３２は必要に応じて備えられるものであって、なくてもよい。磁気テープＭＴが、必要に応じて、基体３１の他方の主面上に設けられたバックコート層３４をさらに備えるようにしてもよい。
図３は、磁気テープＭＴの構成の一例を示す。磁気テープＭＴは、いわゆる塗布型の磁気テープであって、長尺状の基体３１と、基体３１の一方の主面上に設けられた下地層３２と、下地層３２上に設けられた磁性層３３とを備える。なお、下地層３２は必要に応じて備えられるものであって、なくてもよい。磁気テープＭＴが、必要に応じて、基体３１の他方の主面上に設けられたバックコート層３４をさらに備えるようにしてもよい。
（基体）
支持体となる基体３１は、可撓性を有する長尺状の非磁性基体である。非磁性基体はフィルムであり、フィルムの厚さは、例えば３μｍ以上８μｍ以下である。基体３１の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート、セルロースダイアセテート、セルロースブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラスチック、アルミニウム合金、チタン合金等の軽金属、またはアルミナガラス等のセラミック等を用いることができる。
支持体となる基体３１は、可撓性を有する長尺状の非磁性基体である。非磁性基体はフィルムであり、フィルムの厚さは、例えば３μｍ以上８μｍ以下である。基体３１の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート、セルロースダイアセテート、セルロースブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラスチック、アルミニウム合金、チタン合金等の軽金属、またはアルミナガラス等のセラミック等を用いることができる。
（磁性層）
磁性層３３は、信号を記録するための記録層である。磁性層３３は、垂直方向に磁気異方性を有していることが好ましい。すなわち、磁性層３３の磁化容易軸は、垂直方向に向いていることが好ましい。磁性層３３は、複数のサーボバンドと複数のデータバンドとを予め有していることが好ましい。複数のサーボバンドは、磁気テープＭＴの幅方向に等間隔で設けられている。隣り合うサーボバンドの間には、データバンドが設けられている。サーボバンドには、磁気ヘッドのトラッキング制御をするためのサーボ信号が予め書き込まれている。データバンドには、ユーザデータが記録される。
磁性層３３は、信号を記録するための記録層である。磁性層３３は、垂直方向に磁気異方性を有していることが好ましい。すなわち、磁性層３３の磁化容易軸は、垂直方向に向いていることが好ましい。磁性層３３は、複数のサーボバンドと複数のデータバンドとを予め有していることが好ましい。複数のサーボバンドは、磁気テープＭＴの幅方向に等間隔で設けられている。隣り合うサーボバンドの間には、データバンドが設けられている。サーボバンドには、磁気ヘッドのトラッキング制御をするためのサーボ信号が予め書き込まれている。データバンドには、ユーザデータが記録される。
磁性層３３は、例えば、磁性粉および結着剤を含む。磁性層３３が、必要に応じて、潤滑剤、導電性粒子、研磨剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。
磁性粉は、磁気テープＭＴの厚み方向（垂直方向）に配向されていることが好ましい。磁性粉は、例えば、ε酸化鉄粒子、Ｃｏ含有スピネルフェライト粒子または六方晶フェライト粒子（例えばバリウムフェライト粒子）等を含む。
結着剤としては、ポリウレタン系樹脂または塩化ビニル系樹脂等に架橋反応を付与した構造の樹脂が好ましい。しかしながら結着剤はこれらに限定されるものではなく、磁気テープＭＴに対して要求される物性等に応じて、その他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、通常、塗布型の磁気テープにおいて一般的に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。
例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル−エチレン共重合体、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂および合成ゴム等のうちの少なくとも１種を用いることができる。
磁性層３３の平均厚みは、好ましくは３０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上７０ｎｍ以下である。磁性層３３の平均厚みは、断面ＴＥＭ（Transmission Electron Microscope）像から磁気テープＭＴの長手方向に少なくとも１０点以上の位置で磁性層３３の厚みを測定した後、それらの測定値を単純に平均（算術平均）することことにより求められる。
（下地層）
下地層３２は、基体３１の表面の凹凸を緩和し、磁性層３３の表面の凹凸を調整するためのものである。下地層３２は、非磁性粉および結着剤を含む非磁性層である。下地層３２が、必要に応じて、潤滑剤、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。
下地層３２は、基体３１の表面の凹凸を緩和し、磁性層３３の表面の凹凸を調整するためのものである。下地層３２は、非磁性粉および結着剤を含む非磁性層である。下地層３２が、必要に応じて、潤滑剤、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。
非磁性粉は、無機物質でも有機物質でもよい。また、非磁性粉は、カーボンブラック等でもよい。無機物質としては、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物および金属硫化物等のうちの少なくとも１種を用いることができる。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状または板状等の各種形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。結着剤は、上述の磁性層３３と同様である。
下地層３２の平均厚みは、好ましくは０．５μｍ以上２．０μｍ以下、より好ましくは０．６μｍ以上１．４μｍ以下である。下地層３２の平均厚みは、磁性層３３の平均厚みと同様にして求められる。
［カートリッジメモリの構成］
図４は、カートリッジ１０に用いられるカートリッジメモリ１１の構成の一例を示す。カートリッジメモリ１１は、アンテナコイル（アンテナ部）１１１と、アナログ部１１２と、メモリ（記憶部）１１３と、制御部１１４とを備える。
図４は、カートリッジ１０に用いられるカートリッジメモリ１１の構成の一例を示す。カートリッジメモリ１１は、アンテナコイル（アンテナ部）１１１と、アナログ部１１２と、メモリ（記憶部）１１３と、制御部１１４とを備える。
アンテナコイル１１１は、電磁誘導により誘起電圧を誘起する。また、アンテナコイル１１１は、リーダライタ２１との間で電波により非接触でデータの送信および受信を行う。具体的には、アンテナコイル１１１は、リーダライタ２１から送信された電波を受信し、アナログ部１１２に供給する。また、アンテナコイル１１１は、アナログ部１１２から供給された信号（アナログ部１１２で負荷変調された信号）をリーダライタ２１に送信する。
アナログ部１１２は、検波、変復調、クロック抽出等、アンテナ部１０１から送受信されるアナログ信号の処理を行なう。アナログ部１１２は、負荷の大きさが可変である負荷変調部１１２Ａを備える。負荷変調部１１２Ａは、アンテナコイル１１１と並列に接続されている。負荷変調部１１２Ａは、負荷として抵抗を用い、送信信号に抵抗負荷変調を行う抵抗可変部である。
負荷変調部１１２Ａは、並列に接続された複数の抵抗Ｒ1〜Ｒnと、複数の抵抗Ｒ1〜Ｒnにそれぞれ直列に接続された複数のスイッチＳＷ1〜ＳＷnとを備える。スイッチＳＷ1〜ＳＷnは、例えば、金属酸化物半導体を用いた電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）などの半導体スイッチであり、制御部１１４により制御される。オンおよびオフされるスイッチＳＷ1〜ＳＷnの個数により、負荷変調部１１２Ａの負荷の大きさ（合成抵抗の大きさ）が調整される。
アナログ部１１２は、整流回路（図示せず）を備える。整流回路は、アンテナコイル１１１で発生した交流の誘起電圧を直流の誘起電圧に変換するためのものである。整流回路から出力される直流の誘起電圧は、カートリッジメモリ１１の内部に設けられた各部の動作のための電源電圧として使用される。
メモリ１１３は、カートリッジ１０に関連するデータ等を記憶する記憶部である。メモリ１１３は、不揮発性メモリ（Non Volatile Memory：ＮＶＭ）である。不揮発性メモリとしては、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）を使用するのが一般的であるが、ＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）、ＲｅＲＡＭ（Resistive Random Access Memory）等を使用してもよい。
制御部１１４は、アンテナコイル１１１を介して、記録再生装置２０と通信を行う。具体的には例えば、相互認証、コマンドの送受信またはデータのやり取りなどを行う。制御部１１４は、スイッチＳＷ1〜ＳＷnのオンオフを制御して、負荷変調部１１２Ａの負荷の大きさを調整する。オフされるスイッチＳＷ1〜ＳＷnの個数が多いほど、負荷が大きくなる。カートリッジ１０が記録再生装置２０にロードされたのち、最初のスイッチＳＷ1〜ＳＷnの駆動制御がなされる前のデフォルトの状態（初期設定の状態）においては、スイッチＳＷ1〜ＳＷnがすべてオンの状態となっていてもよいし、スイッチＳＷ1〜ＳＷnのうちの規定の個数のスイッチＳＷ1〜ＳＷm（ｍは、ｎ未満の正の整数）、例えば半数のスイッチＳＷ1〜ＳＷn/2がオンの状態となっていてもよい。
制御部１１４は、整流回路で変換された直流の誘起電圧を測定し、電圧値の大きさに応じて、負荷変調部１１２Ａを制御する。具体的には、制御部１１４は、測定された電圧値が小さい程、オフするスイッチＳＷ1〜ＳＷnの個数を増やし、負荷を大きくする。
負荷変調部１１２Ａに流れる電流をI、負荷変調部１１２Ａの合成抵抗をＲとると、負荷変調部１１２Ａで消費される電力Ｐは、Ｐ＝ＲＩ2で表される。また、アンテナコイル１１１で誘起される誘起電圧をＶとすると、負荷変調部１１２Ａに流れる電流Iは、Ｉ＝Ｖ／Ｒで表される。したがって、負荷変調部１１２Ａで消費される電力Ｐは、Ｐ＝Ｖ2／Ｒで表される。この式から、オフされるスイッチＳＷ1〜ＳＷnの個数を増やし、負荷変調部１１２Ａの負荷（合成抵抗）を大きくするほど、負荷変調部１１２Ａの消費電力が低減されることがわかる。
制御部１１４は、複数のしきい値電圧Ｖ1〜Ｖnを有しており、このしきい値電圧Ｖ1〜Ｖnに基づき、負荷変調部１１２Ａでの消費電力が小さくなり、かつ、ヌル点による通信強度の低下を抑制するように、オンおよびオフするスイッチＳＷ1〜ＳＷnの個数を制御する。また、メモリ１１３が、電圧値の範囲と、オフするスイッチＳＷ1〜ＳＷnの個数とが関係付けられたテーブルを記憶し、制御部１１４がこのテーブルに基づき、負荷変調部１１２Ａでの消費電力が小さくなり、かつ、ヌル点による通信強度の低下を抑制するように、オンおよびオフするスイッチＳＷ1〜ＳＷnを制御するようにしてもよい。
［カートリッジメモリの状態遷移］
以下、図５を参照して、カートリッジメモリ１１の状態遷移の一例を説明する。
ステップＳ１１において、カートリッジメモリ１１、すなわち制御部１１４は、非動作状態にある。ステップＳ１２において、通信対象機器である記録再生装置２０から発せられる交流磁界をアンテナコイル１１１により受信して、制御部１１４が起動し待機状態（INIT状態）となる。この状態において、制御部１１４が記録再生装置２０からRequest AllコマンドまたはRequest Standardコマンドをアンテナコイル１１１を介して受け取った場合には、ステップＳ１３において、制御部１１４はPRESELECT状態に遷移する。ここで、PRESELECT状態は、カートリッジメモリ１１と記録再生装置２０との間で通信が可能となる状態である。Request Allコマンド、Request Standardコマンドは、ＬＴＯ規格に準拠した記録再生装置２０があるか否かを検出するためのポーリング動作を行うコマンドである。
以下、図５を参照して、カートリッジメモリ１１の状態遷移の一例を説明する。
ステップＳ１１において、カートリッジメモリ１１、すなわち制御部１１４は、非動作状態にある。ステップＳ１２において、通信対象機器である記録再生装置２０から発せられる交流磁界をアンテナコイル１１１により受信して、制御部１１４が起動し待機状態（INIT状態）となる。この状態において、制御部１１４が記録再生装置２０からRequest AllコマンドまたはRequest Standardコマンドをアンテナコイル１１１を介して受け取った場合には、ステップＳ１３において、制御部１１４はPRESELECT状態に遷移する。ここで、PRESELECT状態は、カートリッジメモリ１１と記録再生装置２０との間で通信が可能となる状態である。Request Allコマンド、Request Standardコマンドは、ＬＴＯ規格に準拠した記録再生装置２０があるか否かを検出するためのポーリング動作を行うコマンドである。
［負荷変調の動作］
以下、図６を参照して、カートリッジメモリ１１の負荷変調の制御動作の一例を説明する。この負荷変調の制御動作は、図５に示したステップＳ１２の待機状態（INIT状態）またはステップＳ１３のPRESELECT状態にて行われる。
以下、図６を参照して、カートリッジメモリ１１の負荷変調の制御動作の一例を説明する。この負荷変調の制御動作は、図５に示したステップＳ１２の待機状態（INIT状態）またはステップＳ１３のPRESELECT状態にて行われる。
まず、ステップＳ２１において、制御部１１４は、整流回路により整流された直流の誘起電圧を測定する。次に、ステップＳ２２において、制御部１１４は、ステップＳ２１にて測定した直流電圧に応じて、オンおよびオフするスイッチＳＷ1〜ＳＷnの個数を決定する。
次に、ステップＳ２３において、制御部１１４は、上記決定に基づき、負荷変調部１１２Ａを制御する。より具体的には、制御部１１４は、ステップＳ２１にて測定された直流の誘起電圧が小さいほど、負荷変調部１１２Ａの負荷（合成抵抗）が大きくなるように、オフするスイッチＳＷ1〜ＳＷnの個数を制御する。
［効果］
第１の実施形態に係るカートリッジメモリ１１では、制御部１１４が、アンテナコイル１１１で誘起された誘起電圧を測定し、測定した誘起電圧に応じて負荷変調部１１２Ａを制御するので、負荷変調部１１２Ａの負荷（内部抵抗）を変化させて、カートリッジメモリ１１の駆動に必要な電力を確保することができる。
また、オンおよびオフするスイッチＳＷ1〜ＳＷnの個数を制御し、負荷変調部１１２Ａの負荷（合成抵抗）を変化させることで、ヌル点が発生する距離をずらすことができる。したがって、ヌル点により通信できない、またはヌル点により通信強度が低下することを回避することができる。なお、ヌル点は、特定の記録再生装置２０（具体的には特定のリーダライタ２１）との組み合わせ、カートリッジ１０の生産上のバラツキ、および使用環境（ノイズ、温度等）の変化等により発生する虞がある。
したがって、記録再生装置２０との通信を安定化することができる。
第１の実施形態に係るカートリッジメモリ１１では、制御部１１４が、アンテナコイル１１１で誘起された誘起電圧を測定し、測定した誘起電圧に応じて負荷変調部１１２Ａを制御するので、負荷変調部１１２Ａの負荷（内部抵抗）を変化させて、カートリッジメモリ１１の駆動に必要な電力を確保することができる。
また、オンおよびオフするスイッチＳＷ1〜ＳＷnの個数を制御し、負荷変調部１１２Ａの負荷（合成抵抗）を変化させることで、ヌル点が発生する距離をずらすことができる。したがって、ヌル点により通信できない、またはヌル点により通信強度が低下することを回避することができる。なお、ヌル点は、特定の記録再生装置２０（具体的には特定のリーダライタ２１）との組み合わせ、カートリッジ１０の生産上のバラツキ、および使用環境（ノイズ、温度等）の変化等により発生する虞がある。
したがって、記録再生装置２０との通信を安定化することができる。
ストレージメディアの場合、カートリッジ１０を複数のドライブで使用するのが一般的であり、またカートリッジ１０を持ち出して全く別の場所で使用されることもあるため、上記のようにヌル点による不具合を回避できることで、カートリッジ１０をより使いやすいものとすることができる。
ドライブ等のアンテナの形状や配置位置は、メーカーにより異なっているが、これらの違いがあっても、ドライブ等との安定した通信を行うことができる。すなわち、ドライブ等のメーカーの違いによらず、ドライブ等との安定した通信を行うことができる。また、カートリッジメモリ１１自体の製造のばらつきによって駆動電圧が変化することがあるが、このようなばらつきがある場合でも、ドライブ等との安定した通信を行うことができる。
近年の磁気テープの記録密度向上に伴い、保存するトラック情報が増加し、カートリッジメモリの容量も増加する傾向にある。このため、カートリッジメモリには、高速通信においても、ドライブ等と安定して通信できることが望まれている。第１の実施形態に係るカートリッジメモリ１１では、上述のように、制御部１１４が、誘起電圧に応じて負荷変調部１１２Ａを制御するので、高速通信においても安定した通信を行うことができる。また、温湿度環境が変化した場合や、記録再生装置２０のモーダ駆動等によりノイズが発生した場合にも、安定した通信を行うことができる。したがって、記録再生装置２０との安定した通信が可能になり、データの健全性が保証される。
［変形例］
上述の第１の実施形態では、記録再生装置が磁気テープドライブである場合について説明したが、記録再生装置は磁気テープオートローダまたは磁気テープライブラリ装置であってもよい。
上述の第１の実施形態では、記録再生装置が磁気テープドライブである場合について説明したが、記録再生装置は磁気テープオートローダまたは磁気テープライブラリ装置であってもよい。
上述の第１の実施形態では、記録再生システムが磁気テープ記録再生システムである場合について説明したが、記録再生システムが光ディスク記録再生システムであってもよい。すなわち、カートリッジメモリ、記録再生装置がそれぞれ、光ディスクカートリッジ、光ディスク記録再生装置であってもよい。
制御部１１４は、カートリッジ１０が記録再生装置２０にロードされた後、カートリッジ１０が記録再生装置２０からアンロードされるまでは、最初に制御された負荷の大きさを保持するようにしてもよい。具体的には、制御部１１４は、カートリッジ１０が記録再生装置２０にロードされた後に、オンおよびオフされた最初のスイッチＳＷ1〜ＳＷnの個数（すなわち最初に制御された負荷の大きさ）をメモリ１１３に記憶しておき、カートリッジ１０が記録再生装置２０からアンロードされるまでは、メモリ１１３に記憶された、オンおよびオフされた最初のスイッチＳＷ1〜ＳＷnの個数に基づき、負荷変調部１１２Ａを制御するようにしてもよい。
この場合、誘起電圧に応じた負荷の大きさ（すなわちオンおよびオフされる最初のスイッチＳＷ1〜ＳＷnの個数）が最初に算出された後は、負荷の大きさを算出する処理を再度行わなくてもよくなる。したがって、カートリッジメモリ１１の処理を簡略化することができる。
制御部１１４は、誘起電圧を規定の時間間隔で繰り返し測定し、誘起電圧が測定される度に、負荷変調部１１２Ａを制御するようにしてもよい。より具体的には、誘起電圧が測定される度に、スイッチＳＷ1〜ＳＷnのオンオフを制御するようにしてもよい。
この場合、ノイズや温度等による通信環境の変化があっても、負荷変調部１１２Ａの負荷の大きさを適切に調整することができる。したがって、より安定した通信を記録再生装置２０との間で行うことができる。
＜２ 第２の実施形態＞
［カートリッジメモリの構成］
図７は、本開示の第２の実施形態に係るカートリッジメモリ２１１の構成の一例を示す。カートリッジメモリ２１１は、負荷としてキャパシタを用い、送信信号に容量負荷変調を行う負荷変調部２１２Ａを有するアナログ部２１２と、誘起電圧を測定し、測定した誘起電圧に応じて負荷変調部２１２Ａを制御する制御部２１３を備える点において、第１の実施形態に係るカートリッジメモリ１１とは異なっている。なお、第２の実施形態において、第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
［カートリッジメモリの構成］
図７は、本開示の第２の実施形態に係るカートリッジメモリ２１１の構成の一例を示す。カートリッジメモリ２１１は、負荷としてキャパシタを用い、送信信号に容量負荷変調を行う負荷変調部２１２Ａを有するアナログ部２１２と、誘起電圧を測定し、測定した誘起電圧に応じて負荷変調部２１２Ａを制御する制御部２１３を備える点において、第１の実施形態に係るカートリッジメモリ１１とは異なっている。なお、第２の実施形態において、第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
負荷変調部２１２Ａは、静電容量が可変である容量可変部である。より具体的には、負荷変調部２１２Ａは、並列に接続された複数のキャパシタＣ1〜Ｃnと、複数のキャパシタＣ1〜Ｃnにそれぞれ直列に接続された複数のスイッチＳＷ1〜ＳＷnとを備える。オンおよびオフされるスイッチＳＷ1〜ＳＷnの個数により、カートリッジメモリ２１１の共振周波数を調整することができる。制御部２１３は、規定値以上の誘起電圧（すなわち整流回路で変換された直流の誘起電圧）が得られるように、スイッチＳＷ1〜ＳＷnのオンオフを制御して、共振周波数のズレ量を補正する。
［効果］
第２の実施形態に係るカートリッジメモリ２１１では、共振周波数を調整することで、高い誘起電圧を得ることができる。したがって、Ｓ／Ｎを向上し、通信強度を確保することができる。また、カートリッジメモリ１１自体の製造のばらつきによって周波数特性が変化することがあるが、このようなばらつきがある場合でも、安定した通信を行うことができる。
第２の実施形態に係るカートリッジメモリ２１１では、共振周波数を調整することで、高い誘起電圧を得ることができる。したがって、Ｓ／Ｎを向上し、通信強度を確保することができる。また、カートリッジメモリ１１自体の製造のばらつきによって周波数特性が変化することがあるが、このようなばらつきがある場合でも、安定した通信を行うことができる。
以上、本開示の第１、第２の実施形態および変形例について具体的に説明したが、本開示は、上述の第１、第２の実施形態および変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の第１、第２の実施形態および変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。
また、上述の第１、第２の実施形態および変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
記録媒体カートリッジに用いられるカートリッジメモリであって、
電磁誘導により誘起電圧を誘起するアンテナ部と、
負荷の大きさが可変である負荷変調部と、
前記誘起電圧を測定し、測定した前記誘起電圧に応じて前記負荷変調部を制御する制御部と
を備えるカートリッジメモリ。
（２）
前記負荷変調部は、抵抗が可変である抵抗可変部である（１）に記載のカートリッジメモリ。
（３）
前記制御部は、前記誘起電圧が小さくなるほど、前記抵抗を大きくする（２）に記載のカートリッジメモリ。
（４）
前記負荷変調部は、静電容量が可変である容量可変部である（１）に記載のカートリッジメモリ。
（５）
前記制御部は、前記誘起電圧が規定値より小さい場合には、前記負荷変調部を制御して共振周波数のズレ量を補正する（４）に記載のカートリッジメモリ。
（６）
前記制御部は、前記記録媒体カートリッジがロードされた後、アンロードされるまでは、最初に制御された負荷の大きさを保持する（１）から（５）のいずれかに記載のカートリッジメモリ。
（７）
前記制御部は、前記誘起電圧を繰り返し測定し、前記誘起電圧が測定される度に、前記負荷変調部を制御する（１）から（５）のいずれかに記載のカートリッジメモリ。
（８）
前記記録媒体カートリッジが、磁気テープカートリッジである（１）から（７）のいずれかに記載のカートリッジメモリ。
（９）
（１）から（８）のいずれかに記載された前記カートリッジメモリを備える記録媒体カートリッジ。
（１０）
（１）から（８）のいずれかに記載された前記カートリッジメモリを備える記録媒体カートリッジと、
前記記録媒体カートリッジの記録再生を行う記録再生装置と
を備える記録再生システム。
（１１）
前記記録再生装置は、ドライブ、オートローダまたはライブラリ装置である（１０）に記載の記録再生システム。
（１２）
記録媒体カートリッジに用いられるカートリッジメモリの制御方法であって、
アンテナコイルに誘起された誘起電圧を測定し、測定した前記誘起電圧に応じて負荷変調を制御するカートリッジメモリの制御方法。
（１）
記録媒体カートリッジに用いられるカートリッジメモリであって、
電磁誘導により誘起電圧を誘起するアンテナ部と、
負荷の大きさが可変である負荷変調部と、
前記誘起電圧を測定し、測定した前記誘起電圧に応じて前記負荷変調部を制御する制御部と
を備えるカートリッジメモリ。
（２）
前記負荷変調部は、抵抗が可変である抵抗可変部である（１）に記載のカートリッジメモリ。
（３）
前記制御部は、前記誘起電圧が小さくなるほど、前記抵抗を大きくする（２）に記載のカートリッジメモリ。
（４）
前記負荷変調部は、静電容量が可変である容量可変部である（１）に記載のカートリッジメモリ。
（５）
前記制御部は、前記誘起電圧が規定値より小さい場合には、前記負荷変調部を制御して共振周波数のズレ量を補正する（４）に記載のカートリッジメモリ。
（６）
前記制御部は、前記記録媒体カートリッジがロードされた後、アンロードされるまでは、最初に制御された負荷の大きさを保持する（１）から（５）のいずれかに記載のカートリッジメモリ。
（７）
前記制御部は、前記誘起電圧を繰り返し測定し、前記誘起電圧が測定される度に、前記負荷変調部を制御する（１）から（５）のいずれかに記載のカートリッジメモリ。
（８）
前記記録媒体カートリッジが、磁気テープカートリッジである（１）から（７）のいずれかに記載のカートリッジメモリ。
（９）
（１）から（８）のいずれかに記載された前記カートリッジメモリを備える記録媒体カートリッジ。
（１０）
（１）から（８）のいずれかに記載された前記カートリッジメモリを備える記録媒体カートリッジと、
前記記録媒体カートリッジの記録再生を行う記録再生装置と
を備える記録再生システム。
（１１）
前記記録再生装置は、ドライブ、オートローダまたはライブラリ装置である（１０）に記載の記録再生システム。
（１２）
記録媒体カートリッジに用いられるカートリッジメモリの制御方法であって、
アンテナコイルに誘起された誘起電圧を測定し、測定した前記誘起電圧に応じて負荷変調を制御するカートリッジメモリの制御方法。
１０ カートリッジ
１１ カートリッジメモリ
１２ カートリッジケース
１２Ａ 下シェル１２Ａ
１２Ｂ 上シェル１２Ｂ
１２Ｃ 引出口
１３ リール
１３Ａ リールハブ
１３Ｂ フランジ
１４ リールロック
１５ リールスプリング
１６ スパイダ
１７ スライドドア
１８ ドアスプリング
１９ ライトプロテクト
２０ 記録再生装置
２１ リーダライタ
２２ 記録再生部
２３ システムコントローラ
２４ インタフェース
３１ 基体
３２ 下地層
３３ 磁性層
３４ バックコート層
１００ 記録再生システム
２００ 外部コンピュータ
１１１ アンテナコイル
１１２ アナログ部
１１２Ａ 負荷回路
１１３ メモリ
１１４ 制御部
ＭＴ 磁気テープ
Ｃ1〜Ｃn キャパシタ
Ｒ1〜Ｒn 抵抗
Ｓｗ1〜Ｓｗn スイッチ
１１ カートリッジメモリ
１２ カートリッジケース
１２Ａ 下シェル１２Ａ
１２Ｂ 上シェル１２Ｂ
１２Ｃ 引出口
１３ リール
１３Ａ リールハブ
１３Ｂ フランジ
１４ リールロック
１５ リールスプリング
１６ スパイダ
１７ スライドドア
１８ ドアスプリング
１９ ライトプロテクト
２０ 記録再生装置
２１ リーダライタ
２２ 記録再生部
２３ システムコントローラ
２４ インタフェース
３１ 基体
３２ 下地層
３３ 磁性層
３４ バックコート層
１００ 記録再生システム
２００ 外部コンピュータ
１１１ アンテナコイル
１１２ アナログ部
１１２Ａ 負荷回路
１１３ メモリ
１１４ 制御部
ＭＴ 磁気テープ
Ｃ1〜Ｃn キャパシタ
Ｒ1〜Ｒn 抵抗
Ｓｗ1〜Ｓｗn スイッチ
Claims (12)
- 記録媒体カートリッジに用いられるカートリッジメモリであって、
電磁誘導により誘起電圧を誘起するアンテナ部と、
負荷の大きさが可変である負荷変調部と、
前記誘起電圧を測定し、測定した前記誘起電圧に応じて前記負荷変調部を制御する制御部と
を備えるカートリッジメモリ。 - 前記負荷変調部は、抵抗が可変である抵抗可変部である請求項１に記載のカートリッジメモリ。
- 前記制御部は、前記誘起電圧が小さくなるほど、前記抵抗を大きくする請求項２に記載のカートリッジメモリ。
- 前記負荷変調部は、静電容量が可変である容量可変部である請求項１に記載のカートリッジメモリ。
- 前記制御部は、前記誘起電圧が規定値より小さい場合には、前記負荷変調部を制御して共振周波数のズレ量を補正する請求項４に記載のカートリッジメモリ。
- 前記制御部は、前記記録媒体カートリッジがロードされた後、アンロードされるまでは、最初に制御された負荷の大きさを保持する請求項１に記載のカートリッジメモリ。
- 前記制御部は、前記誘起電圧を繰り返し測定し、前記誘起電圧が測定される度に、前記負荷変調部を制御する請求項１に記載のカートリッジメモリ。
- 前記記録媒体カートリッジが、磁気テープカートリッジである請求項１に記載のカートリッジメモリ。
- 請求項１に記載された前記カートリッジメモリを備える記録媒体カートリッジ。
- 請求項１に記載された前記カートリッジメモリを備える記録媒体カートリッジと、
前記記録媒体カートリッジの記録再生を行う記録再生装置と
を備える記録再生システム。 - 前記記録再生装置は、ドライブ、オートローダまたはライブラリ装置である請求項１０に記載の記録再生システム。
- 記録媒体カートリッジに用いられるカートリッジメモリの制御方法であって、
アンテナコイルに誘起された誘起電圧を測定し、測定した前記誘起電圧に応じて負荷変調を制御するカートリッジメモリの制御方法。
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